DE10009146A1 - Herstellungsverfahren sehr dünner ferroelektrischer Schichten - Google Patents

Herstellungsverfahren sehr dünner ferroelektrischer Schichten

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Abstract

Auf einem Substrat wird eine metalloxidhaltige, insbesondere ferroelektrische, Schicht abgeschieden und durch eine erste Temperaturbehandlung bei ca. 800 DEG C kristallisiert. Durch eine anschließend aufgebrachte Fülllösung, die im wesentlichen dieselben Bestandteile wie die metalloxidhaltige Schicht enthält, werden die durch den Temperprozess gebildeten Hohlräume (2A) gefüllt, wobei die Füllschicht anschließend bei einer zweiten Temperaturbehandlung kristallisiert wird. Die Erfindung vereint somit eine niedrige Koerzitivfeldstärke mit einer hohen remanenten Polarisation und einer hohen Durchbruchsspannung.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer polykristallinen metalloxidhaltigen Schicht nach den Merkma­ len des Patentanspruchs 1.
Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Herstel­ lungsverfahren für eine ferro- oder paraelektrische Schicht, die als Dielektrikum eines Halbleiterspeichers eingesetzt werden kann.
Konventionelle mikroelektronische Halbleiterspeicher-Bauele­ mente (DRAMs) bestehen im wesentlichen aus einem Auswahl- oder Schalttransistor und einem Speicherkondensator, in wel­ chem zwischen zwei Kondensatorplatten ein dielektrisches Ma­ terial eingefügt ist. Als Dielektrikum werden üblicherweise zumeist Oxid- oder Nitridschichten verwendet, die eine Dielektrizitätskonstante von maximal etwa 8 aufweisen. Zur Verkleinerung des Speicherkondensators sowie zur Herstellung von nicht-flüchtigen Speichern werden "neuartige" Kondensa­ tormaterialien (Ferroelektrika oder Paraelektrika) mit deut­ lich höheren Dielektrizitätskonstanten benötigt. Ein paar dieser Materialien sind in der Publikation "Neue Dielektrika für Gbit-Speicherchips" von W. Hönlein, Phys. Bl. 55 (1999), genannt. Zur Herstellung von ferroelektrischen Kondensatoren für Anwendungen in nicht-flüchtigen Halbleiterspeicher-Bau­ elementen hoher Integrationsdichte können z. B. ferroelektri­ sche Materialien, wie SrBi2(Ta,Nb)2O9 (SBT oder SBTN), Pb(Zr, Ti)O3 (PZT), oder Bi4Ti3O12 (BTO) als Dielektrikum zwischen den Kondensatorplatten eingesetzt werden. Es kann aber auch ein paraelektrisches Material, wie beispielsweise (Ba,Sr)TiO3 (BST), zum Einsatz kommen.
Die Koerzitivfeldstärken der ferroelektrischen Materialien SBT und SBTN liegen etwa im Bereich 80 bis 90 kV/cm (SBT) bzw. 140 kV/cm (SBTN). Bei der derzeit üblichen Schichtdicke von 180 nm entspricht dies einer Spannung von ca. 1,6 V (SBT) bzw. 2,5 V (SBTN). Um diese Materialien für Niederspannungs­ anwendungen mit U = 1-2 V tauglich zu machen, muss die Schichtdicke entsprechend verringert werden. Dies scheiterte bisher jedoch an der grobkörnigen Struktur des SBT und SBTN mit Korngrößen bis zu 300 nm. Bei einer geringen Schichtdicke bilden sich zwischen den Körnern Hohlräume, in die das Mate­ rial der oberen Elektrode eindringen und zu Kurzschlüssen mit der unteren Elektrode führen kann. Dieser Effekt tritt be­ reits bei Schichtdicken von 120-140 nm auf.
Eine Möglichkeit besteht darin, die Temperatur des sogenann­ ten Ferroanneals, d. h. einem thermischen Ausheilprozess, bei dem sich die kristalline Struktur des SBT bildet, von typi­ scherweise 800°C auf z. B. 700°C zu senken. Dabei bilden sich typischerweise kleinere Körner und das Kristallgefüge ist da­ mit nicht so anfällig gegen die Bildung von Hohlräumen. Der Nachteil bei dieser Methode sind jedoch deutlich geringere Werte (bis zu 50%) für die remanente Polarisation 2P und e­ lektrischer Durchbruch mit stark ansteigenden Leckströmen be­ reits bei U < 2 V.
Die U.S.-PS 5,831,299 beschreibt ein Verfahren zur Herstel­ lung eines ferroelektrischen Kondensators mit einer oberen und einer unteren dünnen Elektrodenschicht und einer zwischen den Elektrodenschichten befindlichen dünnen ferroelektrischen Schicht. Die ferroelektrische dünne Schicht weist drei einzelne Schichten auf, in welchen mindestens eine Schicht eine Zusammensetzung aufweist, die von der der anderen Schichten verschieden ist. Dadurch wird erreicht, dass der ferroelekt­ rische Kondensator eine ausreichend hohe remanente Polarisa­ tion und eine ausreichend niedrige Koerzitivfeldstärke auf­ weist, wobei gleichzeitig eine relativ niedrige Ferroanneal- Temperatur, also deutlich unterhalb von 800°C, eingestellt werden kann. Das Verfahren wird jedoch durch die Abscheidung dreier ferroelektrischer Schichten mit unterschiedlicher Zu­ sammensetzung relativ aufwendig.
Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer ferro- oder paraelektri­ schen dünnen Schicht anzugeben, welche einerseits eine aus­ reichend hohe remanente Polarisation aufweist und anderer­ seits eine ausreichende Homogenität ohne störende Hohlräume zeigt. Insbesondere ist es Aufgabe der vorliegenden Erfin­ dung, ein Verfahren anzugeben, mit welchem eine zur Herstel­ lung eines ferro- oder paraelektrischen Kondensators geeigne­ te ferro- oder paraelektrische dünne Schicht anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
Dementsprechend beschreibt die vorliegende Erfindung ein Ver­ fahren zur Herstellung einer polykristalliner, metalloxidhal­ tigen Schicht mit den Schritten
  • - Bereitstellen eines Substrats;
  • - Bilden einer im wesentlichen amorphen metalloxidhaltigen Schicht auf dem Substrat;
  • - Durchführen einer ersten Temperaturbehandlung bei einer ersten Temperatur, bei der die im wesentlichen amorphe metalloxidhaltige Schicht kristallisiert und dadurch ei­ ne polykristalline metalloxidhaltige Schicht entsteht;
  • - Aufbringen einer Fülllösung auf die polykristalline me­ talloxidhaltige Schicht zur Bildung einer Füllschicht, wobei die Füllschicht die polykristalline metalloxidhal­ tige Schicht bedeckt und die bei der Kristallisation der polykristallinen metalloxidhaltigen Schicht gebildeten Hohlräume füllt;
  • - Durchführen einer zweiten Temperaturbehandlung bei einer zweiten Temperatur, bei der die Füllschicht kristalli­ siert.
Die Erfindung bietet damit die Möglichkeit, nach der Bildung der im wesentlichen amorphen metalloxidhaltigen Schicht die erste Temperaturbehandlung, also den sogenannten Ferroanneal, bei einer relativ hohen Temperatur, insbesondere bei ca. 700°-800°C, durchzuführen und dabei die Bildung von Hohlräu­ men zunächst in Kauf zu nehmen. Diese Hohlräume werden dann beim Aufbringen der Fülllösung auf die rekristallisierte po­ lykristalline metalloxidhaltige Schicht gezielt aufgefüllt. Im Anschluss daran wird dann die zweite Temperaturbehandlung zur Kristallisierung der Füllschicht durchgeführt. Diese zweite Temperaturbehandlung wird dann vorzugsweise bei einer geringeren Temperatur, beispielsweise ca. 700°C oder weniger, durchgeführt, um die Bildung großer Körner in der Füllschicht zu vermeiden.
Die Temperatur der ersten Temperaturbehandlung kann somit zwischen 700 und 800°C und die Temperatur der zweiten Tempe­ raturbehandlung kann zwischen 600 und 700°C liegen.
Die Füllschicht kann dabei aus dem gleichen Material wie die polykristalline me metalloxidhaltige Schicht bestehen. Als Material kann beispielsweise ein Ferroelektrikum, wie SrBi2Ta2O9 (SBT) oder dessen Variante SrBi2(Ta1-XNbX)2O9 (SBTN), verwendet werden. Es kann jedoch auch ein paraelektrisches Material verwendet werden.
Es ist jedoch auch denkbar, dass die Füllschicht aus einem anderen Material als die polykristalline metalloxidhaltige Schicht besteht.
Die Füllschicht wird, wie bereits beschrieben, als zusätzli­ cher dünner Film auf der grobkörnigen metalloxidhaltigen Schicht abgeschieden und kleidet dabei die Hohlräume in der metalloxidhaltigen Schicht aus und bildet im idealen Fall ei­ ne planare Oberfläche. Um die Bildung großer Körner in der Füllschicht zu vermeiden, wird diese bei geringerer Tempera­ tur wärmebehandelt. Demzufolge zeigt die Füllschicht eine remanente Polarisation, die um ca. 30% unter den Standard­ werten liegt, und ein deutlich verbessertes Leckstromverhal­ ten mit Durchbruchsspannungen < 8 V. Die Absenkung der rema­ nenten Polarisation gegenüber den Standardwerten lässt sich zumindest teilweise auf das Vorhandensein der dünnen planari­ sierenden Schicht auf der Oberfläche der metalloxidhaltigen Schicht zurückführen, die aufgrund der Temperaturbehandlung mit relativ niedriger Temperatur eine relativ niedrige mitt­ lere Korngröße aufweist. Die vorliegende Erfindung lässt sich daher noch weiter verbessern, wenn diese dünne planarisieren­ de Schicht von der Oberfläche wieder entfernt wird und somit nur in den Hohlräumen zurückbleibt. Damit wird aus der Serienschaltung von Material mit hohem und niedrigem P eine Parallelschaltung der beiden Materialien, wobei der Anteil des Materials mit niedrigem P dem räumlichen Anteil der Hohl­ räume entspricht.
Das Entfernen der dünnen Schicht von der Oberfläche kann bei­ spielsweise durch ein Rückätzen oder durch ein chemisch- mechanisches Polieren der Oberfläche herbeigeführt werden. Alternativ dazu kann eine nur die Hohlräume auskleidende Füllschicht auch von vornherein durch ein Beschichtungsver­ fahren mit lediglich planarisierender Wirkung, beispielsweise ein Spin-On-Verfahren hergestellt werden.
Die metalloxidhaltige Schicht selbst kann durch Aufbringen einer Hauptlösung mit nachfolgendem Trocknen gebildet werden. Es kann vorgesehen sein, dass die zur Bildung der im wesent­ lichen amorphen metalloxidhaltigen Schicht verwendeten Sub­ stanzen sowohl in der Hauptlösung als auch in der Fülllösung enthalten sind, wobei die Substanzen in der Fülllösung gegen­ über der Hauptlösung in geringerer Konzentration vorliegen. Die Hauptlösung ist dabei in der Regel eine metallorganische Vorläufer- oder Precursorlösung, die durch ein Spin-On- Verfahren oder durch sogenannte Liquid Source Misted Chemical Deposition auf das Substrat aufgebracht wird. Nach einer mehrstufigen Trocknung und dem Austreiben der organischen An­ teile auf einer Hotplate sowie einem RTP (rapid thermal pro­ cessing, schnelle Temperaturbehandlung)-Schritt werden die Substrate dann bei ca. 800°C getempert, um die kristalline Struktur der metalloxidhaltigen Schicht auszubilden.
Als Fülllösung wird eine sehr verdünnte Vorläufer- oder Pre­ cursorlösung (0,06 M) sehr dünn auf das Substrat aufgebracht. Diese Schicht wird anschließend einer Hotplate- und RTP- Behandlung unterworfen. Die RTP-Behandlung wird bei einer et­ was geringeren Temperatur, d. h. beispielsweise ca. 700°C, durchführt, um die Bildung großer Körner in der Füllschicht zu vermeiden.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich demzufolge auch auf eine mikroelektronische Struktur
  • - mit einem Substrat und
  • - mit einer polykristallinen metalloxidhaltigen Schicht auf dem Substrat, wobei die polykristalline metalloxid­ haltige Schicht überwiegend aus grobkörnigen Kristalli­ ten und zwischen diesen verteilten kleinkörnigen Kristalliten besteht.
Vorzugsweise sind dabei die grobkörnigen Kristallite mindes­ tens doppelt so groß wie die kleinkörnigen Kristallite und füllen mindestens 80% des Volumens der polykristallinen me­ talloxidhaltigen Schicht.
Die polykristalline metalloxidhaltige Schicht kann als Kon­ densatordielektrikum zwischen zwei Elektroden eines Kondensa­ tors angeordnet sein, wobei sie insbesondere aus einem ferro­ elektrischen oder einem paraelektrischen Material gebildet wird. Ein ferroelektrisches Material kann beispielsweise aus SrBi2Ta2O9 (SBT) oder SrBi2(Ta1-XNBX)2O9 (SBTN) hergestellt sein.
Auf diese Weise kann die vorliegende Erfindung für die Her­ stellung einer Speicherzelle, wie einer DRAM-Speicherzelle, eingesetzt werden.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungsfiguren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A-D Zwischenprodukte eines erfindungsgemäßen Verfahrens, bei welchem auf einem Substrat eine metalloxidhaltige Schicht und anschlie­ ßend eine Füllschicht aufgebracht wird.
Gemäß Fig. 1A wird anfänglich ein im Prinzip beliebiges Sub­ strat 1 bereitgestellt, auf welches eine metalloxidhaltige Schicht 2 (s. Fig. 1B) aufgebracht werden soll. Das Substrat 1 kann beispielsweise die untere Elektrode eines zu bildenden Speicherkondensators sein. Für Speicherkondensatoren, bei de­ nen als metalloxidhaltige Schicht ein ferroelektrisches oder paraelektrisches Material als Dielektrikum eingesetzt wird, werden die Elektroden häufig aus Platin oder einem anderen Platinmetall oder einem von deren leitfähigen Oxiden, wie beispielsweise RuO2, hergestellt. Denkbar sind jedoch auch noch andere inerte leitfähige Materialien, wie andere leitfä­ hige Oxide, beispielsweise La-Sr-Co-O.
In Fig. 1B ist gezeigt, wie eine metalloxidhaltige Schicht 2 aufgebracht wird. Diese metalloxidhaltige Schicht kann bei­ spielsweise ein ferroelektrisches Material, wie SrBi2Ta2O9 (SBT) oder SrBi2(Ta1-XNbX)2O9 (SBTN), sein. Zur Her­ stellung einer SBT-Schicht kann beispielsweise eine metallor­ ganische Vorläufer- oder Precursorlösung durch ein Spin-On- Verfahren oder durch LSMCD (Liquid Source Misted Chemical Deposition) auf das Substrat 1 aufgebracht werden. Nach Trocknung des aufgebrachten Flüssigkeitsfilms liegt die me­ talloxidhaltige Schicht zunächst in amorphem Zustand vor. Nach einer im allgemeinen mehrstufigen Trocknung können noch zusätzlich auf einer Hotplate die noch vorhandenen organi­ schen Anteile in der metalloxidhaltigen Schicht ausgetrieben werden. Daran anschließend kann auch noch ein RTP-(rapid thermal processing)Schritt ausgeführt werden.
Dann wird ein Wärmebehandlungsschritt bei ca. 800°C für ca. eine Stunde durchgeführt, um die kristalline Struktur des SBT-Materials auszubilden. Dabei zeigt es sich, dass bei ei­ ner derart hohen Temperatur des Wärmebehandlungsschritts relativ große Körner der SBT-Schicht gebildet werden, die im Laufe des Wärmebehandlungsprozesses zu Hohlräumen 2A führen. Wenn die aufgebrachte metalloxidhaltige Schicht 2 relativ dünn ist, können diese Hohlräumen 2A zu Kurzschlüssen zwi­ schen einer auf der metalloxidhaltigen Schicht 2 abgeschiede­ nen oberen Elektrode und der das Substrat 1 bildenden unteren Elektrode führen. Dieser Effekt tritt bereits bei Schichtdi­ cken von 120-140 nm auf. Die vorliegende Erfindung setzt sich jedoch zum Ziel, die hohe Temperatur der Wärmebehandlung von 800°C aufgrund der dadurch erzielbaren hohen remanenten Pola­ risation 2P beizubehalten und das Problem der Hohlräume 2A auf andere Weise zu lösen.
In Fig. 1C ist gezeigt, wie zur Lösung dieses Problems auf die erhaltene Struktur eine Füllschicht 3 aufgebracht wird. Dabei kann beispielsweise eine sehr verdünnte Lösung (0,06 Mol) desselben Vorläufers oder Precursors, wie bei der Ab­ scheidung der SBT-Schicht, auf die rekristallisierte SBT- Schicht 2 aufgebracht werden. Diese verdünnte Lösung weist demzufolge eine nur sehr geringe Oberflächenspannung auf und dringt relativ leicht in die in die Oberfläche der SBT- Schicht 2 gebildeten Hohlräume 2A ein. Auch die Füllschicht 3 kann beispielsweise durch ein LSMCD-Verfahren aufgebracht werden. Die Füllschicht 3 wird anschließend einer Hotplate- und RTP-Behandlung unterworfen, um sie zu trocknen und die organischen Anteile des Lösungsmittels auszutreiben. An­ schließend wird auch die Füllschicht 3 einem Wärmebehand­ lungsprozess unterzogen, wobei hier eine etwas geringere Tem­ peratur als bei der SBT-Schicht 2 gewählt wird, um die Bil­ dung allzu großer Körner in der Füllschicht 3, insbesondere in den engen Hohlräumen 2A, zu vermeiden. Das Ergebnis ist eine rekristallisierte Füllschicht 3, die relativ kleinkörni­ ge Kristallite aufweist, die u. a. die Hohlräume 2A der SBT- Schicht 2 vollständig ausfüllen. Es zeigt sich, dass eine Füllschicht, wie in der Fig. 1C, eine remanente Polarisation aufweist, die nur um ca. 30% unter den Standardwerten liegt. Die aus den Schichten 2 und 3 zusammengesetzte Schicht zeigt ein deutlich verbessertes Leckstromverhalten mit Durchbruchs­ spannungen < 8 V.
Die Absenkung der remanenten Polarisation gegenüber den Stan­ dardwerten lässt sich zumindest teilweise auf das Vorhanden­ sein der dünnen (20 nm), bei niedriger Temperatur getemperten Schicht auf der Oberfläche der bei hoher Temperatur getemper­ ten SBT-Schicht 2 zurückführen. Daher lässt sich die Erfin­ dung gemäß Fig. 1D noch weiter verbessern, wenn diese dünne Schicht von der Oberfläche wieder entfernt wird und nur in den Hohlräumen 2A zurückbleibt. Zu diesem Zweck kann die Füllschicht 3 beispielsweise durch chemisch-mechanisches Po­ lieren (CMP) abgetragen werden. Sie kann alternativ auch durch Rückätzen abgetragen werden. Noch einfacher ist es je­ doch, wenn die Füllschicht 3 von vornherein nur als planari­ sierende Schicht aufgebracht wird. Es kann beispielsweise die Fülllösung durch ein spin-on-Verfahren aufgebracht werden, so dass durch sie die mit den Hohlräumen 2A versehene Oberfläche der SBT-Schicht 2 lediglich planarisiert wird. Anschließend werden die Trocknungs- und Temperaturbehandlungsschritte, wie oben beschrieben, ausgeführt. Es entfällt dann die Notwendig­ keit, einen CMP-Schritt oder ein Rückätzen vornehmen zu müs­ sen. In allen beschriebenen Ausführungsarten wird eine Struk­ tur erzeugt, wie sie in der Fig. 1D dargestellt ist.
Mit der Struktur in der Fig. 1D wird aus der Serienschaltung von Material mit hohem und niedrigem P eine Parallelschaltung der beiden Materialien, wobei der Anteil des Materials mit niedrigem P dem räumlichen Anteil der Hohlräume 2A entspricht. Die aus den Schichten 2 und 3 zusammengesetzte Ge­ samtschicht weist damit nur eine geringe Absenkung der Pola­ risation auf, wobei gleichzeitig eine hohe elektrische Durch­ bruchsfestigkeit erzielt wird. Auf die planare Oberfläche der Füllschicht 3, wie sie in den Fig. 1C oder 1D gezeigt ist, kann eine obere Elektrode eines zu formenden Speicherkonden­ sators aufgebracht werden.
Bezugszeichenliste
1
Substrat
2
metalloxidhaltige Schicht
2
A Hohlräume
3
Füllschicht

Claims (20)

1. Verfahren zur Herstellung einer polykristallinen metall­ oxidhaltigen Schicht mit den Schritten:
  • - Bereitstellen eines Substrats;
  • - Bilden einer im wesentlichen amorphen metalloxidhaltigen Schicht auf dem Substrat;
  • - Durchführen einer ersten Temperaturbehandlung, bei der die im wesentlichen amorphe metalloxidhaltige Schicht kristallisiert und dadurch eine polykristalline metall­ oxidhaltige Schicht entsteht;
  • - Aufbringen einer Füllösung auf die polykristalline me­ talloxidhaltige Schicht zur Bildung einer Füllschicht, wobei die Füllschicht die polykristalline metalloxidhal­ tige Schicht bedeckt und die bei der Kristallisation der polykristallinen metalloxidhaltigen Schicht gebildeten Hohlräume füllt;
  • - Durchführen einer zweiten Temperaturbehandlung, bei der die Füllschicht kristallisiert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die Füllschicht aus dem gleichen Material wie die poly­ kristalline metalloxidhaltige Schicht besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die im wesentlichen amorphe metalloxidhaltige Schicht durch Aufbringen einer Hauptlösung mit nachfolgendem Trocknen gebildet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass
- die zur Bildung der im wesentlichen amorphen metalloxid­ haltigen Schicht verwendeten Substanzen sowohl in der Hauptlösung als auch in der Füllösung enthalten sind, wobei die Substanzen in der Füllösung gegenüber der Hauptlösung in geringerer Konzentration vorliegen.
5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die Temperatur der zweiten Temperaturbehandlung niedri­ ger als die Temperatur der ersten Temperaturbehandlung ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die Temperatur der ersten Temperaturbehandlung zwischen 700 und 800°C und die Temperatur der zweiten Temperatur­ behandlung zwischen 600 und 700°C liegt.
7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die Füllschicht bis auf die gefüllten Hohlräume in der polykristallinen metalloxidhaltigen Schicht wieder abge­ tragen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die Füllschicht durch einen chemisch-mechanischen Po­ lierschritt (CMP) abgetragen wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Füllschicht zurückgeätzt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die Füllschicht, insbesondere durch ein Spin-On- Verfahren, als planarisierende Schicht aufgebracht wird.
11. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die Füllösung zur Bildung der Füllschicht durch Liquid Source Misted Chemical Deposition (LSMCD) aufgebracht wird.
12. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die Hauptlösung zur Bildung der im wesentlichen amorphe metalloxidhaltige Schicht durch ein Spin-on Verfahren o­ der durch Liquid Source Misted Chemical Deposition (LSMCD) gebildet wird.
13. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die metalloxidhaltige Schicht aus einem ferroelektri­ schen Material, wie SrBi2Ta2O9 (SBT) oder SrBi2(Ta1-XNbX)2O9 (SBTN) hergestellt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die metalloxidhaltige Schicht aus einem paraelektrischen Material hergestellt wird.
15. Mikroelektronische Struktur
  • - mit einem Substrat, und
  • - mit einer polykristallinen metalloxidhaltigen Schicht auf dem Substrat, wobei die polykristalline metalloxidhaltige Schicht auf der Substratseite überwiegend aus grobkörnigen Kristalliten und auf der gegenüberliegen­ den Seite aus kleinkörnigen Kristalliten besteht.
16. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die grobkörnigen Kristallite mindestens doppelt so groß wie die kleinkörnigen Kristallite sind und mindestens 80% des Volumens der polykristallinen metalloxidhaltigen Schicht füllen.
17. Mikroelektronische Struktur nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die polykristalline metalloxidhaltige Schicht als Kon­ densatordielektrikum zwischen zwei Elektroden eines Kondensa­ tors angeordnet ist.
18. Mikroelektronische Struktur nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die metalloxidhaltige Schicht aus einem ferroelektri­ schen Material, wie SrBi2Ta2O9 (SBT) oder SrBi2(Ta1-XNbX)2O9 (SBTN) hergestellt wird.
19. Mikroelektronische Struktur nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass
  • - die metalloxidhaltige Schicht aus einem paraelektrischen Material hergestellt wird.
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