DE10003112C1 - Chip mit allseitigem Schutz sensitiver Schaltungsteile vor Zugriff durch Nichtberechtigte durch Abschirmanordnungen (Shields) unter Verwendung eines Hilfschips - Google Patents

Chip mit allseitigem Schutz sensitiver Schaltungsteile vor Zugriff durch Nichtberechtigte durch Abschirmanordnungen (Shields) unter Verwendung eines Hilfschips

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Abstract

Es ist eine vertikal integrierte elektronische Schaltungsanordnung mit zumindest einem ersten Substrat (1) vorgesehen, auf dem eine elektronische Schaltung integriert angeordnet ist. Auf dessen einen Oberfläche ist zumindest eine erste elektrische Abschirmanordnung (3) aufgetragen. Es ist ein zweites Substrat (2) vorgesehen, auf dem das erste Substrat (1) angeordnet ist, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat eine zweite elektrische Abschirmanrodnung (4) angeordnet ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine vertikal integrierte elektroni­ sche Schaltungsanordnung gemäß dem Patentanspruch 1.
In der Mikroelektronik wird es zunehmend notwendig, die in integrierten Schaltungen gespeicherten oder auch dort verarbeiteten Daten vor dem Zugriff durch Nichtbe­ rechtigte zu schützen. Um zu verhindern, daß dies geschieht ist bereits bekannt, die Oberfläche mit einer Abschirmung zu versehen. Hiermit wird, ähnlich wie bei einem Faraday-Käfig, das Aussenden von elektromagnetischen Strahlung, die auf die in der integrierten Schaltung gespeicherten bzw. verarbeite­ ten Daten innerhalb der Rückschluß geben, zu verhindern.
Einschlägigen Kreisen gelingt es jedoch zunehmend die über die Rückseite von Halbleiterchips abgestrahlte elektromagne­ tische Strahlung zu erfassen und auszuwerten. Um dies zu ver­ hindern, ist es notwendig, auch die Rückseite zu schützen, d. h. einen Faraday-Käfig möglichst umfassend aufzubauen. Hierzu wäre es notwendig, die Rückseite eines integrierten Schalt­ kreises bzw. sogenannte Chips ebenfalls mit einer abschirmen­ den elektrisch leitenden Struktur zu versehen. Damit sich ein sogenannter Faraday-Käfig bildet, müßten die abschirmenden Strukturen beider Seiten miteinander elektrisch verbunden werden.
Hierbei ergibt sich die Schwierigkeit, daß das Vorsehen von vertikal hindurchgehenden Kontaktierungen nur bei sehr dünnen Substratmaterial des Chips leicht zu realisieren ist. Demge­ genüber ist es schwierig einen derart dünnen Chip doppelsei­ tig mit derzeit üblicher Technologie zu bearbeiten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine inte­ grierte elektronische Schaltungsanordnung vorzusehen, die mit einfachen Mitteln möglichst vollständig abschirmbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Anordnung ge­ löst, wie sie gemäß Patentanspruch 1 angegeben ist.
Durch diese Anordnung ist es möglich, daß das erste Substrat aus­ reichend dünn gestaltet werden kann, um eine Durchkontaktie­ rung zu ermöglichen. Die zweite elektrische Abschirmanordnung kann dann auf dem zweiten Substrat angeordnet werden, und wird mittels einer Durchkontaktierung mit der ersten elektri­ schen Abschirmanordnung verbunden. Auf diese Weise läßt sich mit einfachen Mitteln eine ausreichende Abschrimung gewähr­ leisten.
Da erstes und zweites Substrat unterschiedliche Qualität und Größe aufweisen können, ist es möglich, für Anschlüsse nach außen vorzusehene sogenannte Anschlußpads auf dem zweiten Substrat anzuordnen. Dies befindet sich in diesem Fall auf den größeren als zweites Substrat und ist aus einem preisgün­ stigeren Material herstellbar, wenn auf diesen nur noch die zweite elektrische Abschirmanordnung aufgetragen ist. Glei­ ches trifft zu, wenn auf dem zweiten Substrat noch Leitungs­ anordnungen aufgetragen sind.
Aus der DE 42 42 097 A1 ist es bekannt, eine großflächige metallische Masseebene über eine Durchkontaktierung anzuschließen.
Diese Anordnung ist nicht nur für die Verwendung der derzeit meist gebräuchlichen Halbleitertechnik anwendbar, sondern ebenfalls bei der derzeit sich im Entwicklungsstadium befind­ lichen Polymertechnik. Hierbei handelt es sich um organische Strukturen, die aus der dünnen Folie bestehen, und geeignet sind, vergleichbare Elemente, wie Transistoren, Dioden, Wi­ derstände, Kondensatoren etc. zu bilden.
Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Figur an einem Ausführungsbeispiel erläutert.
Beim ersten Substrat 1 ist eine elektrisch leitende abschir­ mende Anordnung 3 aufgetragen. An der Oberfläche des Sub­ strats 1 zur abschirmenden Anordnung 3 ist eine integrierte Schaltung, die nicht dargestellt ist, ausgebildet.
Auf einem zweiten Substrat 2 ist eine zweite elektrische Ab­ schirmanordnung 4 ausgebildet, auf der die Rückseite des er­ sten Substrates 1 angeordnet ist. Die erste und die zweite elektrische Abschirmanordnung sind über eine Durchkontaktie­ rung 6 miteinander elektrisch leitend verbunden.
Das zweite Substrat 2 ist zumindest in einer Richtung größer als das erste Substrat 1. Auf der überstehenden Fläche des zweiten Substrates 2 ist ein Anschlußkontakt 5, ein sogenann­ ter Pad vorgesehen. Dieser ist über eine nicht dargestellte Leitungsanordnung über weitere nicht dargestellte vertikale Durchkontaktierung mit der integrierten Schaltung im ersten Substrat 1 verbunden.

Claims (4)

1. Vertikal integrierte elektronische Schaltungsanordnung mit zumindest einem ersten Substrat (1), auf dem eine elektronische Schaltung integriert angeordnet ist und auf dessen einen Oberfläche zumindest eine erste elektrische Abschirmanordnung (3) aufgetragen ist und einem zweiten Substrat (2), auf dem das erste Substrat (1) angeordnet ist, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat eine zweite elektrische Abschirmanordnung (4) angeordnet ist.
2. Vertikal integrierte elektronische Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei das zweite Substrat (2) eine größe­ re Fläche als das erste Substrat (1) aufweist.
3. Vertikal integrierte elektronische Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, wobei auf dem Teil des zweiten Substrates (2), das nicht vom ersten Substrat (1) bedeckt ist, An­ schlußkontakte (5) für die vertikal integrierte Schal­ tungsanordnung angeordnet sind.
4. Vertikal integrierte elektronische Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste und die zweite elektrische Abschirmanordnung miteinander elektrisch verbunden sind.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10337256A1 (de) * 2002-11-21 2004-06-09 Giesecke & Devrient Gmbh Integrierte Schaltkreisanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
US6919618B2 (en) 2001-02-08 2005-07-19 Infineon Technologies Ag Shielding device for integrated circuits
DE10251317B4 (de) * 2001-12-04 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101772775B (zh) * 2007-08-02 2013-07-10 Nxp股份有限公司 抗篡改半导体器件以及制造该抗篡改半导体器件的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4242097A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Bosch Gmbh Robert Anordnung zum elektromagnetischen Verträglichkeits(EMV)-Schutz von Hybridbauelementen

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3118298A1 (de) * 1981-05-08 1982-12-02 Gao Ges Automation Org Ausweiskarte mit eingelagertem ic-baustein
FR2512990B1 (fr) * 1981-09-11 1987-06-19 Radiotechnique Compelec Procede pour fabriquer une carte de paiement electronique, et carte realisee selon ce procede
FR2609820B1 (fr) * 1987-01-20 1991-04-19 Thomson Semiconducteurs Dispositif de protection electromagnetique et electrostatique pour cartes electroniques et procede de realisation de ce dispositif
JP2656416B2 (ja) * 1991-12-16 1997-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法
DE19716102C2 (de) * 1997-04-17 2003-09-25 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit mehreren Bauelementen und Verfahren zu deren Herstellung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4242097A1 (de) * 1992-12-14 1994-06-16 Bosch Gmbh Robert Anordnung zum elektromagnetischen Verträglichkeits(EMV)-Schutz von Hybridbauelementen

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6919618B2 (en) 2001-02-08 2005-07-19 Infineon Technologies Ag Shielding device for integrated circuits
DE10105725B4 (de) * 2001-02-08 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit einem Substrat, einer integrierten Schaltung und einer Abschirmvorrichtung
DE10251317B4 (de) * 2001-12-04 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip
DE10337256A1 (de) * 2002-11-21 2004-06-09 Giesecke & Devrient Gmbh Integrierte Schaltkreisanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben

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