DD300309A7 - Verfahren zur herstellung hochreiner granalien hochschmelzender metalle - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung hochreiner Granalien hochschmelzender Metalle, wie Wolfram und Molybdaen. Diese Granalien werden zur Herstellung von Targets zum Sputter-Beschichten hochintegrierter Schaltungen benoetigt. Aufgabengemaesz soll waehrend des Schmelzens mittels Elektronenstrahl ein Groszteil der Verunreinigungen aus dem Metall entfernt und keine neuen aufgenommen werden. Erfindungsgemaesz wird diese Aufgabe durch eine UEberhitzung beim Abschmelzen und eine bestimmte Fallhoehe der Metalltropfen geloest.{Verfahren, rein; Granalie, hochschmelzend; Metall; Elektronenstrahl; Schmelzen; Tropfen; UEberhitzen; Hoehe, fallen; Dichte; Platte, gekuehlt}
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung hochreiner Granalien hochschmelzender Metalle, insbesondere solche aus Wolfram und Molybdän. Sie werden als Ausgangsmaterial zur Herstellung von Targets für das Beschichten hochintegriertor Halbleiterschaltungen mittels Sputterns benötigt.
Es ist allgemein bekannt, Metalle, darunter auch hochschmelzende, mittels Elektronenstrahl-Abtropfschmelzens weiterverarbeiten. Dabei tropft das Metall in einen sogenannten Kristallisator, wo es erstarrt, in einen sogenannten Vorschmelzhafen zum späteren Gießen in eine Form, oder es tropft unmittelbar auf eine rotierende gekühlte Walze, wodurch es pelletiert wird (Schiller/Heisig/Panzer), Elektronenstrahltechnologie, Berlin 1976, S.203 bis 206). Bei allen diesen Verfahren erfolgt durch den sofortigen Kontakt des geschmolzenen Metalls mit den Materialien von Kristallisator, Vorschmelzhafen oder Walze eine Aufnahme von Bestandteilen derselben durch das Metall, also generell eine Verschlechterung des Reinheitszustandes, was für den vorgesehenen Anwendungszweck nicht akzeptabel ist.
Es ist auch bekannt, hochschmelzende Metalle im Vakuum induktiv abzuschmelzen, die Tropfen induktiv weiter zu erhitzen und dann durch ein Gasstrom feinerzu zerteilen (DE 3528169). Aufgabe ist hier die Erzeugung feinen Metallpulvers und nicht dessen Reinigung. Selbst wenn hier eine Reinigung beim freien Fall der Metalltropfon im Vakuum aufträte, würde sie durch den Gaseintritt wieder zunichte gemacht. Im übrigen scheint es zweifelhaft, ob bei einer induktiven Erhitzung die Energie genügend konzentriert werden kann, um hochschmelzende Metalle bis zu ihrem Schmelzpunkt zu erhitzen.
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist die Erfüllung der Reinheitsanforderungen der Halbleiterindustrie an Targets aus hochschmelzenden Metallen durch einfache technische Mittel.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter Anwendung des Etektronenstrahl-Abtropfschmelzens möglichst viele Verunreinigungen aus den genannten hochschmelzenden Metallen zu entfernen, ohne daß neue aus den Tiegelmaterialien oder dergleichen aufgenommen werden können, und den Schmelzzustand zur Zerkleinerung des Metalls zu nutzen. Erfindungsge näß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß das aufgeschmolzene Ende des Rohmaterials vor der Tropfenbildung durch den Elektronenstrahl um mindestens 500K über den Schmelzpunkt überhitzt wird und anschließend die abgeschmolzenen Metalltropfen im Vakuum eine Höhe durchfallen, die sich zum Tropfendurchmesser wie 400:1 bis 100:1 verhält, bevor sie im noch teilweise flüssigem Zustand auf eine gekühlte Platte treffen, wobei im genannten Verhältnisse den Metallen höherer Dichte zugeordnet werden.
Es ist zweckmäßig, wenn die gekühlte Platte in Abhängigkeit von der Dichte des hochschmelzenden Metalls um 30 bis 50" zur Horizontalen geneigt ist.
- Abdampfen der in aller Regel niedriger schmelzenden Verunreinigungen
- kein Eintrag neuer Verunreinigungen
- Teilerstarrung während des Falls; damit sind Reaktionen mit dem Material der gekühlten Platte ausgeschlossen
- Erstarrung von außen nach innen mit quasi-isotroper Gefügeausbildung. Daraus resultiert ein Zerspringen beim Auftreffen bzw. die Möglichkeit der leichten mechanischen Zerkleinerung im Anschluß daran.
Die Erfindung wird nachstehend an drei Ausführungsbeispielen näher erläutert. Die Erläuterung besteht im wesentlichen aus einer tabellarischen Aufstellung der Verfahrensparamotir zur Herstellung von Granalien aus Wolfram (W), einer Legierung aus Wolfram mit 6Ma.-% Rhenium (W-Re)1 was die o. e. Erstarrung von außen nach innen fördert, und aus Molybdän (Mo).
Parameter | W | W-Re | Mo |
Querschnitt Rohmaterial in mm2 | 10x 10 | 10x 10 | 2Ox 20 |
Vakuum in Pa | 0,03 | 0,03 | 0,03 |
Leistung des Elektronenstrahls in kW | 30. ..40 | 25. „30 | 20 |
Tropfendurchmesser in mm | 3...5 | 2.„3 | 5...7 |
Fallhöhe in mm | 550 | 550 | 1000 |
Neigung der Kupferplatte in ° | 35 | 35 | 50 |
Elektronenstrahldurchmesser in mm | 3...8 | 3.„8 | 3...8 |
Verunreinigungen in ppm | |||
vorher/nachher | |||
Na | 42/0,8 | 42/0,8 | 56/0,9 |
K | 56/0,6 | 66/0,6 | 43/0,7 |
Fe | 70/5 | 70/5 | 75/4 |
Ni | 30/2 | 30/2 | 40/3 |
U | 2/0,2 | 2/0,2 | 3/0,1 |
Beim Aufprall auf die gekühlte Platte haben die Kugeln bereits eine feste Außenhaut, so daß Reaktionen mit der auf max. 40°C gekühlten Kupferplatte unterbleiben. Sie zerspringen dabei in kleinere Teilchen bzw. sind anschließend leicht mechanisch zu zerkleinern, was in Einrichtungen aus dem gleichen hochschmelzenden Metall erfolgen muß. Die Neigung der Kupferplatte dient dem leichteren Sammeln der Granalien bzw. Bruchstücke derselben.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung hochreiner Granalien hochschmelzender Metalle mittels Elektronenstrahl-Abtropfschmelzens, dadurch gekennzeichnet, daß das aufgeschmolzene Ende des Rohmaterials vor der Tropfenbildung durch den Elektronenstrahl um mindestens 500K über den Schmelzpunkt überhitzt und anschließend die abgeschmolzenen Metalltropfen im Vakuum eine Höhe durchfallen, die sich zum TroDfendurchmesser wie 400:1 bis 100:1 verhält, bevor sie im noch teilweise flüssigem Zustand auf eine gekühlte Platte treffen, wobei im genannten Verhältnisbereich die kleineren Verhältnisse den Metallen höherer Dichte zugeordnet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gekühlte Platte in Abhängigkeit von der Dichte des hochschmelzenden Metalls um 30 bis 50° zur Horizontalen geneigt ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD32475289A DD300309A7 (de) | 1989-01-02 | 1989-01-02 | Verfahren zur herstellung hochreiner granalien hochschmelzender metalle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DD32475289A DD300309A7 (de) | 1989-01-02 | 1989-01-02 | Verfahren zur herstellung hochreiner granalien hochschmelzender metalle |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DD300309A7 true DD300309A7 (de) | 1992-06-04 |
Family
ID=5606419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DD32475289A DD300309A7 (de) | 1989-01-02 | 1989-01-02 | Verfahren zur herstellung hochreiner granalien hochschmelzender metalle |
Country Status (1)
Country | Link |
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DD (1) | DD300309A7 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112095019A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-18 | 大连理工大学 | 一种电子束过热溶解去除高温合金中夹杂物的方法 |
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1989
- 1989-01-02 DD DD32475289A patent/DD300309A7/de unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN112095019A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-18 | 大连理工大学 | 一种电子束过热溶解去除高温合金中夹杂物的方法 |
CN112095019B (zh) * | 2020-08-11 | 2021-07-30 | 大连理工大学 | 一种电子束过热溶解去除高温合金中夹杂物的方法 |
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