DD248907A1 - Bauelementetraegerplatte zur montage von halbleiterchips im scheibenverband - Google Patents

Bauelementetraegerplatte zur montage von halbleiterchips im scheibenverband Download PDF

Info

Publication number
DD248907A1
DD248907A1 DD28989586A DD28989586A DD248907A1 DD 248907 A1 DD248907 A1 DD 248907A1 DD 28989586 A DD28989586 A DD 28989586A DD 28989586 A DD28989586 A DD 28989586A DD 248907 A1 DD248907 A1 DD 248907A1
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
carrier plate
semiconductor wafer
semiconductor
plate according
chips
Prior art date
Application number
DD28989586A
Other languages
English (en)
Inventor
Eberhard Koehler
Guenter Dittmar
Dietmar Oertel
Rudolf Behlert
Original Assignee
Robotron Elektronik
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robotron Elektronik filed Critical Robotron Elektronik
Priority to DD28989586A priority Critical patent/DD248907A1/de
Publication of DD248907A1 publication Critical patent/DD248907A1/de

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Bauelementetraegerplatte zur Montage von unverkappten Halbleiterchips im Scheibenverband. Ziel der Erfindung ist es, eine kostenguenstige Bauelementetraegerplatte fuer die Montage nackter elektronischer Bauelemente im Scheibenverband bei minimalem Flaechen- und Volumenbedarf zu schaffen. Aufgabe ist es, eine Bauelementetraegerplatte mit elektrisch leitenden Durchverbindungen zu schaffen, die bereits im Scheibenverband die face-down-Montage sowie die vollstaendige elektrische Pruefung und Passivierung ermoeglicht. Die Aufgabe wird mit einer Bauelementetraegerplatte mit massiven Durchkontaktierungen geloest, die aus der Traegerplatte herausragen und mit einem Verbindungsmittel beschichtet sind. Die Bauelementetraegerplatte besitzt die Abmessungen einer Halbleiterscheibe und enthaelt fuer je einen Halbleiterchip eine Passivierungsoeffnung. Der Zwischenraum zwischen Traegerplatte und die Passivierungsoeffnung ist mit Sekundaerpassivierungsmittel gefuellt. Vorzugsweise sind nur die qualitaetsgerechten Chips passiviert und es entfaellt das Inken der einzelnen Chips. Anwendungsgebiet: Zyklus II der Halbleitertechnologie. Fig. 2

Description

Hierzu 2 Seiten Zeichnungen
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft eine Bauelementeträgerplatte zur Montage von unverkappten Halbleiterchips im Scheibenverband. Anwendungsgebiet der Erfindung ist der Zyklus Il bei der Produktion von Halbleiterbauelementen.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Die zukünftig höhere Packungsdichte elektronischer Geräte erfordert gegen Umwelteinflüsse geschützte elektronische Bauelemente, die in ihrem Flächen- und Volumenbedarf nicht oder nur unwesentlich größer als unverkappte elektronische Bauelemente sind. Sie sollen kostengünstig herstellbar, vorteilhaft montierbar sein und eine ausreichende Abführung der Verlustwärme gewährleisten. Die unterschiedlichsten Träger unverkappter Bauelemente und Gehäuse von einzelnen Bauelementen sind beschrieben in Schade, K. u.a. Halbleitertechnologie Band II, VEB Verlag Technik Berlin, 1983; in Müller, H., Leiterplattentechnologie, Chip carrier-PIN-Grid-Array-TAB-Anwendungen, Eugen G. Leuze Verlag, Saulgau/Württ, sowie in Kohlbeck, Der Chip Carrier, in Elektronik 11/1.6.1984 S. 93-98.
Bei den vorgestellten Lösungen sind vereinzelte und vorgeprüfte Halbleiterchips ganzflächig mit der Rückseite auf einen metallischen oder keramischen Träger montiert. Die elektrische Verbindung von den Bondinseln der Chips zu den elektrischen Anschlüssen des Gehäuses, die sowohl massive als auch gedruckte oder galvanisch erzeugte Durchkontaktierungen sein können, erfolgt flexibel z. B. durch Drahtbonden. Die Chips sind durch einen geeigneten Kunststoff geschützt und passiviert oder in einem Herrnetikgehäuse untergebracht.
Chips, deren Bondinseln mit Hügeln versehen sind, werden direkt auf einen Träger, der eine Verdrahtungsstruktur und Anschlüsse zu einem übergeordneten Verdrahtungsniveau besitzt, montiert. Die Chips sind mit einem geeigneten Kunststoff umhüllt.
Bei Anwendung der bekannten Bauelementeträger ist trotz Vormessung der Chips noch eine Endmessung und oft auch eine Voralterung der fertiggestellten Bauelemente unerläßlich.
Keiner der bekannten Bauelementeträger bietet die technischen Voraussetzungen, schon im Scheibenverband die Montage, Endmessung, Sekundärpassivierung und Voralterung durchzuführen.
Ziel der Erfindung
Es ist das Ziel der Erfindung, eine kostengünstige Bauelementeträgerplatte für die Montage nackter elektronischer Bauelemente im Scheibenverband bei minimalem Flächen- und Volumenbedarf zu schaffen.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Bauelementeträgerplatte mit elektrisch leitenden Durchverbindungen zu schaffen, die bereits im Scheibenverband die face-down-Montage sowie die vollständige elektrische Prüfung und Passivierung von Bauelementen ermöglicht.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit einer Bauelementeträgerplatte zur Montage im Scheibenverband, bestehend aus einer Trägerplatte mit massiven Durchkontaktierungen dadurch gelöst, daß die Bauelementeträgerplatte die Abmessungen einer zu kontaktierenden Halbleiterscheibe besitzt, wobei die massiven Durchkontaktierungen entsprechend den Kontaktstellen der Halbleiterscheibe angeordnet sind. Die massiven Durchkontaktierungen ragen aus der Bauelementeträgerplatte heraus und sind mit einem Verbindungsmittel beschichtet. Für je einen Halbleiterchip der Halbleiterscheibe enthält die Bauelementeträgerplatte eine Passivierungsöffnung. Der Zwischenraum zwischen Halbleiterscheibe und Bauelementeträgerplatte und die Passivierungsöffnung ist mit einem Sekundärpassivierungsmittel gefüllt.
Vorzugsweise bestehen die massiven Durchkontaktierungen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung oder Aluminium oder einer Aluminiumlegierung.
Als Verbindungsmittel dienen leitende oder nichtleitende Kleber oder Lot.
Bei der Kontaktierung der Halbleiterscheibe durch Ultraschallbonden sind die massiven Durchkontaktierungen nicht mit einem Verbindungsmittel beschichtet.
Eine Variante ist es, daß die massiven Durchkontaktierungen mit der Bauelementeträgerplatte eine Ebene bilden und daß auf die massiven Durchkontaktierungen Bond- oder Lothügel aufgesetzt sind.
Das ermöglicht das Kontaktieren mittels Thermokompression.
Vorteilhafterweise ist das Passivierungsmittel ein aushärtbares Harz mit sehr guten Kriecheigenschaften im unausgehärteten Zustand. Vorzugsweise sind nur die geprüften und qualitätsgerechten Halbleiterchips mit dem Passivierungsmittel abgedeckt.
Dadurch entfällt das Inken der Halbleiterchips.
Für Bauelemente mit einer großen thermischen Verlustleistung sind auf der Rückseite der Halbleiterchips Kühlkörper angebracht.
Die Bauelementeträgerplatte kann in ihren Abmessungen so gestaltet werden, daß sie das Kontaktieren von Einzelchips ermöglicht.
Ausführungsbeispiel
Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden
Es zeigen: Fig. 1: Bauelementeträgerplatte
Fig.2: Querschnitt durch einen Teil der Bauelementeträgerplatte.
Fig. 1 zeigt die Bauelementeträgerplatte zur Montage im Scheibenverband. Eine ebene Trägerplatte, bestehend aus einem Isolationsmaterial 1 besitzt massive Durchkontaktierungen 2, die entsprechend den Kontaktstellen der zu kontaktierenden Halbleiterscheibe 7 angeordnet sind. Die Passivierungsöffnung 3 ist eine Bohrung oder durch ein eingelegtes Hohlprofil entstanden.
Fig.2 zeigt einen Querschnitt durch einen Teil der erfindungsgemäßen Bauelementeträgerplatte. Die massiven Durchkontaktierungen 2 ragen aus der Bauelementeträgerplatte ca. ΙΟμηη heraus und sind mit einem Verbindungsmittel 4 beschichtet. Als Variante bilden die massiven Durchkontaktierungen 10 mit der Bauelementeträgerplatte eine Ebene und tragen Bond-oder Lothügel, die auf der Bauelementeträgerplatte oder auf der Halbleiterscheibe erzeugt werden können. Dadurch kann die face-down-Kontaktierung der unzerteilten Halbleiterscheibe wahlweise durch Löten, Kleben, Ultraschallbonden oder Thermokompression erfolgen.
Die nach der Kontaktierung geprüfte Halbleiterscheibe ist vorteilhafterweise nur an den Stellen passiviert, an denen sich funktionsfähige Halbleiterchips befinden. Dadurch kann das Inken der Halbleiterchips entfallen.
Das Sekundärpassivierungsmittel 5 ist ein aushärtbares Harz mit sehr guten Kriecheigenschaften im unausgehärteten Zustand.
Die Verbindung zum nächsten Verdrahtungsniveau erfolgt ebenfalls durch Hügel 8.
Auf der Rückseite der Halbleiterchips sind bei Bedarf Kühlkörper angebracht.
Die Bauelementeträgerplatte zur Montage im Scheibenverband schafft die Voraussetzungen, auf das Vormessen und Inken der Halbleiterchips zu verzichten und die Gut-Schlecht-Sortierung bei der notwendigen Endprüfung vorzunehmen. Als Kennzeichnung für gute Bauelemente dient vorteilhafterweise das Passivierungsmittel. Die Bauelementeträgerplatte ermöglicht eine Voralterung im Scheibenverband.
Das Vereinzeln der Halbleiterchips erfolgt nach den bekannten Verfahren.

Claims (8)

1. Bauelementeträgerplatte zur Montage von Halbleite'rchips im Scheibenverband, bestehend aus einer Trägerplatte mit massiven Durchkontaktierungen, gekennzeichnet dadurch, daß die Bauelementeträgerplatte die Abmessungen einer zu kontaktierenden Halbleiterscheibe (7) besitzt, daß die massiven Durchkontaktierungen (2) aus der Bauelementeträgerplatte herausragen und mit einem Verbindungsmittel (4) beschichtet sind, daß die Bauelementeträgerplatte für je einen Halbleiterchip der Halbleiterscheibe (7) eine Passivierungsöffnung (3) enthält und daß der Zwischenraum zwischen Halbleiterscheibe (7) und Bauelementeträgerplatte und die Passivierungsöffnung (3) mit einem Sekundärpassivierungsmittel (5) gefüllt ist.
2. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die massiven Durchkontaktierungen (10) und die Halbleiterscheibe über Bond- oder Lothügel (6) kontaktiert ist.
3. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß die getesteten und qualitätsgerechten Halbleiterchips der Halbleiterscheibe (7) mit Sekundärpassivierungsmittel (5) passiviertsind.
4. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1 und 3 oder 2 und 3, gekennzeichnet dadurch, daß das Passivierungsmittel (5) ein aushärtbares Harz mit sehr guten Kriecheigenschaften im unausgehärteten Zustand ist.
5. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die massiven Durchkontaktierungen (2) ohne Verbindungsmittel (4) mit der Halbleiterscheibe (7) durch Ultraschallbonden verbunden sind.
6. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß auf der Rückseite der Halbleiterchips Kühlkörper angebracht sind.
7. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch, daß die massiven Durchkontaktierungen (2; 10) aus Kupfer, einer Kupferlegierung, Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehen.
8. Bauelementeträgerplatte nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß ihre Abmessungen so gewählt sind, daß die Montage von Einzelchips möglich ist.
DD28989586A 1986-05-05 1986-05-05 Bauelementetraegerplatte zur montage von halbleiterchips im scheibenverband DD248907A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD28989586A DD248907A1 (de) 1986-05-05 1986-05-05 Bauelementetraegerplatte zur montage von halbleiterchips im scheibenverband

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD28989586A DD248907A1 (de) 1986-05-05 1986-05-05 Bauelementetraegerplatte zur montage von halbleiterchips im scheibenverband

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD248907A1 true DD248907A1 (de) 1987-08-19

Family

ID=5578817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD28989586A DD248907A1 (de) 1986-05-05 1986-05-05 Bauelementetraegerplatte zur montage von halbleiterchips im scheibenverband

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD248907A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3840228A1 (de) * 1988-11-29 1990-05-31 Siemens Ag Halbleiterbauelement fuer bump-montage
DE19507547A1 (de) * 1995-03-03 1996-09-05 Siemens Ag Verfahren zur Montage von Chips
DE19820319B4 (de) * 1997-07-08 2005-12-01 National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara Halbleiterbaustein
US8071428B2 (en) 2007-07-02 2011-12-06 Infineon Technologies Ag Semiconductor device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3840228A1 (de) * 1988-11-29 1990-05-31 Siemens Ag Halbleiterbauelement fuer bump-montage
DE19507547A1 (de) * 1995-03-03 1996-09-05 Siemens Ag Verfahren zur Montage von Chips
DE19820319B4 (de) * 1997-07-08 2005-12-01 National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara Halbleiterbaustein
US8071428B2 (en) 2007-07-02 2011-12-06 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
US8829663B2 (en) 2007-07-02 2014-09-09 Infineon Technologies Ag Stackable semiconductor package with encapsulant and electrically conductive feed-through

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007017831B4 (de) Halbleitermodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
EP0649565B1 (de) Montageeinheit für mehrlagenhybrid mit leistungsbauelementen
DE69636701T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung von Halbleiterchips
EP1255299B1 (de) Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung
DE10306643B4 (de) Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102010016566B4 (de) Halbleiterbaustein mit mehreren Chips und Substrat in einer Metallkappe sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbausteins
EP1350417B1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektronischen baugruppe
WO2006077208A1 (de) Steuermodul
DE102006008807B4 (de) Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil
DE102007034491A1 (de) Modul mit elektronischem Bauelement zwischen zwei Substraten, insbesondere DCB-Keramiksubstraten, dessen Herstellung und Kontaktierung
DE2536316A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung in kompaktbauweise
DE10251530A1 (de) Stapelanordnung eines Speichermoduls
WO2005106954A2 (de) Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung
DE10142117A1 (de) Elektronisches Bauteil mit wenigstens zwei gestapelten Halbleiterchips sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DD248907A1 (de) Bauelementetraegerplatte zur montage von halbleiterchips im scheibenverband
DE19830158C2 (de) Zwischenträgersubstrat mit hoher Verdrahtungsdichte für elektronische Bauelemente
DE2124887C3 (de) Elektrisches Bauelement, vorzugsweise Halbleiterbauelement, mit Folienkontaktierung
DE3545560A1 (de) Elektrischer druckpassungssockel fuer eine direkte verbindung mit einem halbleiterchip
WO1998013863A1 (de) Verfahren zur flipchip-kontaktierung eines halbleiterchips mit geringer anschlusszahl
DE102007002807B4 (de) Chipanordnung
EP0776041A2 (de) Leistungs-Halbleitermodul
WO2007080027A1 (de) Anordnung zur kühlung von leistungsbauelementen auf leiterplatten und verfahren zur herstellung derselben
EP0630175B1 (de) Kühlvorrichtung für eine elektrische Baugruppe
DE102007044358A1 (de) Vorrichtung zum Kühlen von elektronischen Bauteilen
DE19721935C1 (de) Chipträgeranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee