DD240297A1 - Hf-koppelschaltung - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft eine HF-Koppelschaltung und findet in Geraeten der HF-Technik Anwendung. Ziel und Aufgabe der Erfindung bestehen darin, eine HF-Koppelschaltung, mit in Serie geschalteten Kondensatoren, derart auszubilden, dass bei Aenderung der Abstimmung eines Schwingkreises im gleichen Masse die Intensitaet der Kopplung derart veraendert wird, dass im oberen Frequenzbereich der parasitaere Einfluss von den den Schwingkreis umgebenden Schaltungsteilen minimiert wird, und dass im unteren Frequenzbereich zur Erzielung einer optimalen Kopplung keine zusaetzlichen Bauelemente erforderlich werden. Erfindungsgemaess wird das dadurch erreicht, dass zwischen den in Serie geschalteten Kondensatoren ein Transistor angeordnet ist, dessen Basis und Emitter mit einem Kondensator verbunden und ueber einen Widerstand an eine Spannungsquelle angeschlossen sind und dessen Kollektor mit dem anderen Kondensator verbunden und ueber einen Widerstand an eine andere Spannungsquelle angeschlossen ist, wobei mindestens eine der Spannungsquellen eine variable Spannung fuehrt und die Basis-Kollektor-Diode des Transistors in Sperrichtung betrieben wird. Figur 1

Description

Ausführungsbeispiel

Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigt:

Fig. V: das Schaltbild einer erfindungsgemäßen HF-Koppelschaltung

In Figur 1 ist zwischen den Kondensatoren 1 und 2 der Transistor 3 derart angeordnet, daß Basis- und Emitteranschluß gleichstrommäßig miteinander verbunden sind. Über einen Widerstand 4 wird der Basis des Transistors 3 die für die Abstimmung der Kapazitätsdioden verwendete Abstimmspannung 5 zugeführt und der Kollektor aus einer positiven Spannungsquelle 6 über die einen Spannungsteiler bildenden Widerstände 7 und 8 vorgespannt. Für den oberen abzustimmenden Frequenzbereich ist die an der Basis des Transistors 3 anliegende Abstimmspannung 5 größer als die konstante über die Spannungsquelle 6 und die Widerstände 7 und 8 am Kollektor bereitgestellte Spannung. Wird die Abstimmspannung 5 verringert, verkleinert sich die zwischen Basis und Kollektor des Transistor 3 anliegende Spannung und die zwischen diesen Anschlüssen wirksame Kapazität (Sperrschichtkapazität) vergrößert sich. Wird bei einer weiteren Reduzierung der Abstimmspannung5 die Diffusionsspannung der Basis-Kollektordiode des Transistors 3 unterschritten, so erfolgt ein sprunghafter Anstieg der Basis-Kollektorkapazität derart, daß hochfrequenzmäßig nahezu ein Kurzschluß für die zu übertragenen Frequenzen erreicht wird.

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   HF-Koppelschaltung, mit in Serie geschalteten Kondensatoren, gekennzeichnet dadurch, daß zwischen den Kondensatoren (1 und 2) ein Transistor (3) angeordnet ist, dessen Basis und Emitterinit dem einen Kondensator (1) verbunden und über einen Widerstand (4) an eine Spannungsquelle (5) angeschlossen sind und dessen Kollektor mit dem anderen Kondensator (2) verbunden und über einen Widerstand (8) an eine andere Spannungsquelle (6) angeschlossen ist, wobei mindestens eine der Spannungsquellen (5; 6) eine in ihrer Größe variable Spannung führt und die Basis-Kollektor-Diode des Transistors (3) in Sperrichtung betrieben wird.

   Hierzu 1 Seite Zeichnung

   Anwendungsgebiet der Erfindung

   Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Kopplung von HF-Stufen und findet in Geräten der HF-Technik, beispielsweise Fernsehtuner, Anwendung.

   Charakteristik der bekannten technischen Lösungen

   Es sind Schaltungsanordnungen bekannt (Funk-Technik 22/1977 S.290), bei denen die durch eine Schwingkreisanordnung selektierten Hochfrequenzsignale über eine in ihrer Größe konstante Kapazität an die steuernde Elektrode eines verstärkenden Halbleiterelementes gelangen. Nachteilig an diesen Anordnungen ist, und hier besonders bei über einen Frequenzbereich abstimmbare Schwingkreisanordnungen, daß die Intensität der Kopplungen im starken Maße von der Frequenz abhängig ist und daß weiterhin der komplexe Eingangswiderstand des verstärkenden Halbleiterelementes, besonders im oberen abstimmbaren Frequenzbereich, in der Schwingkreisanordnung wirksam wird und den mit den zur Abstimmung verwendeten Kapazitätsdioden erreichbaren Abstimmbereich stark einengt. Es sind weiterhin Schaltungsanordnungen bekannt (Funkschau 3/1981 S. 61), bei denen die Kopplung zwischen einem Selektionskreis und der steuernden Elektrode eines verstärkenden Halbleiterelementes durch eine in ihrem Kapazitätswert veränderbare Kapazitätsdiode vorgenommen wird. Nachteilig hieran ist, daß die Kopplung im unteren Bereich des abstimmbaren Frequenzbereiches oftmals nicht ausreichend ist und die Zuschaltung von Festkapazitäten erforderlich ist.

   Ziel der Erfindung

   Das Ziel der Erfindung ist eine mit geringem Aufwand zu realisierende Verbesserung der Übertragungseigenschaften einer Koppelschaltung zwischen HF-Stufen.

   Darlegung des Wesens der Erfindung

   Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine HF-Koppelschaltung, mit in Serie geschalteten Kondensatoren, zwischen einer Schwingkreisanordnung und einem weiteren Schaltungsteil derart auszubilden, daß bei Änderung der Abstimmung der Schwingkreisanordnung im gleichen Maße die Intensität der Kopplung derart verändert wird, daß in dem oberen abzustimmenden Frequenzbereich der parasitäre Einfluß von den der Schwingkreisanordnung umgebenden Schaltungsteilen minimiert wird, und daß im unteren abzustimmenden Frequenzbereich zur Erzielung einer optimalen Kopplung keine zusätzlichen Bauelemente erforderlich werden.

   Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß zwischen den in Serie geschalteten Kondensatoren ein Transistor angeordnet ist, dessen Basis und Emitter mit dem einen Kondensator verbunden und über einen Widerstand an eine Spannungsquelle angeschlossen sind und dessen Kollektor mit dem anderen Kondensator verbunden und über einen Widerstand an eine andere Spannungsquelle angeschlossen ist, wobei mindestens eine der Spannungsquellen eine in ihrer Größe variable Spannung führt und die Basis-Kollektor-Diode des Transistors in Sperrichtung betrieben wird. Bei Reduzierung der dem gleichstrommäßig verbundenen Basis- und Emitteranschluß zugeführten Spannung wird die zwischen Basis und Kollektor des Transistors anliegende Sperrspannung verringert und die Basis-Kollektorkapazität vergrößert sich. Bei Unterschreiten der Kollektorspannung durch die an.den miteinander verbundenen Basis- und Emitteranschlüsse anliegende Spannung werden derartige Kapazitätswerte erreicht, die einem elektrischen Kurzschluß entsprechen.