DD231582B1 - Targets aus chrom- oder mangansiliziden - Google Patents
Targets aus chrom- oder mangansilizidenInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Metallurgie. Ihr Ziel ist es, die Prozeßinstabilitäten beim Sputtern zu beseitigen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Target zu schaffen, die bei thermischer Belastung nicht zur Rißbildung neigen. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch ein Target aus Chrom- oder Mangansiliziden gegebenenfalls unter Zusatz von Wolfram oder Molybdän bis zu 5 At-% gelöst, bei dem das Atomverhältnis Cr oder Μn/Si zwischen 0,1 und 10 beträgt. Der Legierung sind außerdem 5 bis 70 At-% Kupfer, Aluminium, Nickel oder Mischungen dieser Elemente zugesetzt. Die Anwendung der Erfindung erfolgt für Beschichtungszwecke.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Metallurgie. Die Anwendung der Targets ist für Beschichtungszwecke möglich und zweckmäßig.
Bekannt sind (Firmenschrift Leybold-Heraeus; Geräte, Komponenten, Materialien und Anlagen für die Dünnschichttechnik) Metallsilizid-Targets, bespielsweise CrSi-Targets mit 75 bis 33 At-% Cr und 25 bis 77 At-% Si, die pulvermetallurgisch hergestellt werden. Derartige Targets werden benutzt zur Herstellung dünner Schichten in der Elektrotechnik und Mikroelektronik, beispielsweise für Widerstandsschichten durch das Verfahren der Katodenzerstäubung in inerten oder reaktiven Atmosphären unter vermindertem Druck. Die Targets werden zumeist auf Kühlplatten aus Kupfer aufgebondet und in dieser Form zur Durchführung von Beschichtungsaufgaben genutzt.
' Beim Einsatz dieser Targets treten Prozeßinstabilitäten auf, die dadurch verursacht werden, daß aus Rissen, die durch thermische Belastung hervorgerufen werden, Teilchen austreten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Targets zu schaffen, die bei thermischer Belastung nicht zur Rißbildung neigen. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch ein Target aus Chrom- oder Mangansiliziden gegebenenfalls unter Zusatz von Wolfram oder Molybdän bis zu 5 At-% gelöst, bei dem das Atomverhältnis Cr oder Μη/Si zwischen 0,1 und 10 beträgt. Der Legierung sind außerdem 5 bis 70 At-% Kupfer, Aluminium, Nickel oder Mischungen dieser Elemente zugesetzt.
1. Ein Target mit 156mm Durchmesser und 8mm Dicke aus 30At-% Cr, 60At-%Si und 10At-%AI wird auf schmelzmetallurgischem Wege hergestellt. Mittels einer Schleifbearbeitung wird die Gußoberfläche entfernt. Durch Sputtern wird eine Lotfähigkeitsschicht auf NiCr-Basis einseitig auf das Target aufgebracht und dieses mit Hilfe eines PbSn-Weichlots auf eine Kupfer-Kühlplatte aufgelötet. Das Target wird in dieser Form in ein 5 kW-Plasmatron eingebaut. Bei einer elektrischen Leistung von bis zu 5kW werden Widerstandsschichten auf keramische Substrate aufgebracht. Die thermische Belastung führt zu keinerlei Prozeßinstabilitäten. Das Target wird gleichmäßig abgetragen und bleibt rißfrei.
2. Ein Target der gleichen Abmessungen wie im Beispiel 1 besteht aus 20At-% Mn, 40At-% Si und 40At-% Al. Es wird auf schmelzmetallurgischem Wege hergestellt. Danach wird auf elektroerosivem Wege die Gußhaut der Targetunter- und -Oberseite entfernt.
einem Weichlot auf die Kupferkühlplatte eines 5kW-Plasmatrons aufgebondet.
aufgesplittert.
Claims (2)
1. Target aus Chrom- oder Mangansiliziden, gegebenenfalls unter Zusatz von Wolfram oder Molybdän bis zu 6 At-%,. gekennzeichnet dadurch, daß das Atomverhältnis Cr oder M η/Si zwischen 0,1 und 10 beträgt und der Legierung 5 bis 70 At-% Kupfer, Aluminium, Nickel oder Mischungen dieser Elemente zugesetzt sind.
2. Target nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Legierung vorzugsweise 10 bis 50 At-% Kupfer, Aluminium, Nickel oder Mischungen dieser Elemente zugesetzt sind.
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