DD154049A1 - Steuerbares halbleiterbauelement - Google Patents
Steuerbares halbleiterbauelement Download PDFInfo
- Publication number
- DD154049A1 DD154049A1 DD80224827A DD22482780A DD154049A1 DD 154049 A1 DD154049 A1 DD 154049A1 DD 80224827 A DD80224827 A DD 80224827A DD 22482780 A DD22482780 A DD 22482780A DD 154049 A1 DD154049 A1 DD 154049A1
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- electrode
- region
- recess
- layer
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
- H10D18/80—Bidirectional devices, e.g. triacs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD80224827A DD154049A1 (de) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Steuerbares halbleiterbauelement |
| DE3131608A DE3131608A1 (de) | 1980-10-30 | 1981-08-10 | Steuerbares halbleiterbauelement |
| CS816263A CS237971B1 (en) | 1980-10-30 | 1981-08-20 | Control semiconductor device |
| JP56172186A JPS57103353A (en) | 1980-10-30 | 1981-10-29 | Controllable semiconductor constituent element |
| US06/319,369 US4550332A (en) | 1980-10-30 | 1981-11-09 | Gate controlled semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD80224827A DD154049A1 (de) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Steuerbares halbleiterbauelement |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD154049A1 true DD154049A1 (de) | 1982-02-17 |
Family
ID=5526947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD80224827A DD154049A1 (de) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Steuerbares halbleiterbauelement |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4550332A (cs) |
| JP (1) | JPS57103353A (cs) |
| CS (1) | CS237971B1 (cs) |
| DD (1) | DD154049A1 (cs) |
| DE (1) | DE3131608A1 (cs) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4038093A1 (de) * | 1989-11-30 | 1991-06-13 | Toshiba Kawasaki Kk | Isolierschicht-gto-thyristor |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273030A3 (en) * | 1982-12-13 | 1988-09-21 | General Electric Company | Lateral insulated-gate rectifier structures |
| US4694313A (en) * | 1985-02-19 | 1987-09-15 | Harris Corporation | Conductivity modulated semiconductor structure |
| US4937647A (en) * | 1986-11-06 | 1990-06-26 | Texas Instruments Incorporated | SCR-DMOS circuit for driving electroluminescent displays |
| US5016076A (en) * | 1990-02-28 | 1991-05-14 | At&T Bell Laboratories | Lateral MOS controlled thyristor |
| US5278076A (en) * | 1990-02-28 | 1994-01-11 | At&T Bell Laboratories | Method of marking a lateral mos controlled thyristor |
| DE4228832C2 (de) * | 1992-08-29 | 1994-11-24 | Daimler Benz Ag | Feldeffekt-gesteuertes Halbleiterbauelement |
| JP3781452B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2006-05-31 | 株式会社東芝 | 誘電体分離半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4193836A (en) * | 1963-12-16 | 1980-03-18 | Signetics Corporation | Method for making semiconductor structure |
| US3812405A (en) * | 1973-01-29 | 1974-05-21 | Motorola Inc | Stable thyristor device |
| US3943555A (en) * | 1974-05-02 | 1976-03-09 | Rca Corporation | SOS Bipolar transistor |
| SE392783B (sv) * | 1975-06-19 | 1977-04-18 | Asea Ab | Halvledaranordning innefattande en tyristor och en felteffekttransistordel |
| JPS6040717B2 (ja) * | 1977-06-10 | 1985-09-12 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US4199774A (en) * | 1978-09-18 | 1980-04-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Monolithic semiconductor switching device |
| US4329705A (en) * | 1979-05-21 | 1982-05-11 | Exxon Research & Engineering Co. | VMOS/Bipolar power switching device |
| US4253162A (en) * | 1979-08-28 | 1981-02-24 | Rca Corporation | Blocked source node field-effect circuitry |
| US4364073A (en) * | 1980-03-25 | 1982-12-14 | Rca Corporation | Power MOSFET with an anode region |
-
1980
- 1980-10-30 DD DD80224827A patent/DD154049A1/de not_active IP Right Cessation
-
1981
- 1981-08-10 DE DE3131608A patent/DE3131608A1/de not_active Withdrawn
- 1981-08-20 CS CS816263A patent/CS237971B1/cs unknown
- 1981-10-29 JP JP56172186A patent/JPS57103353A/ja active Pending
- 1981-11-09 US US06/319,369 patent/US4550332A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4038093A1 (de) * | 1989-11-30 | 1991-06-13 | Toshiba Kawasaki Kk | Isolierschicht-gto-thyristor |
| US5210432A (en) * | 1989-11-30 | 1993-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Insulated gate gto thyristor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57103353A (en) | 1982-06-26 |
| DE3131608A1 (de) | 1982-06-24 |
| CS626381A1 (en) | 1984-11-19 |
| CS237971B1 (en) | 1985-11-13 |
| US4550332A (en) | 1985-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0868750B1 (de) | Halbleiteranordnungen zur strombegrenzung | |
| DE69616013T2 (de) | Halbleiteranordnung vom hochspannungs-ldmos-typ | |
| DE69414311T2 (de) | Halbleiteranordnung mit einer Bipolarfeldeffektanordnung mit isoliertem Gate | |
| DE102009042391B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE102004022455B4 (de) | Bipolartransistor mit isolierter Steuerelektrode | |
| DE3821459A1 (de) | Mit mos-gate abschaltbarer thyristor | |
| DE102010000531A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| EP0043009A2 (de) | Steuerbarer Halbleiterschalter | |
| DE19528998C2 (de) | Bidirektionaler Halbleiterschalter und Verfahren zu seiner Steuerung | |
| DE69233363T2 (de) | Bipolarer Transistor vom isolierten Gatetyp mit Überspannungschutz | |
| DE1489894B2 (de) | In zwei richtungen schaltbares halbleiterbauelement | |
| DE102005049506B4 (de) | Vertikales Halbleiterbauelement | |
| DE4228832C2 (de) | Feldeffekt-gesteuertes Halbleiterbauelement | |
| DE2021160A1 (de) | Halbleiterschaltvorrichtung | |
| DE4310606C2 (de) | GTO-Thyristoren | |
| WO2008037650A1 (de) | Halbleiteranordnung mit gekoppelten sperrschicht- feldeffekttransistoren | |
| DD154049A1 (de) | Steuerbares halbleiterbauelement | |
| DE3528562C2 (cs) | ||
| DE10060506A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE102011079307B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE19518339C2 (de) | Halbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Benutzung derselben | |
| DE2458735C2 (de) | Transistor mit einem hohen Stromverstärkungsfaktor bei kleinen Kollektorströmen | |
| DE19750897C2 (de) | Bipolartransistor mit isolierter Gate mit einer planaren Gatestruktur und dessen Herstellungsverfahren | |
| DE68929359T2 (de) | Laterale bipolare Transistoranordnungen mit isolierter Steuerelektrode mit geteilter Anode | |
| DE19727676A1 (de) | MOS gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |