DD146625B1

DD146625B1 - Vorrichtung zum ionengestuetzten beschichten und ionenaetzen von substraten

Info

Publication number: DD146625B1
Application number: DD21595379A
Authority: DD
Inventors: Guenter Reisse; Manfred Rost; Hans-Joerg Erler; Jochen Klemm; Christian Weissmantel
Original assignee: Guenter Reisse; Manfred Rost; Erler Hans Joerg; Jochen Klemm; Christian Weissmantel
Priority date: 1979-10-02
Filing date: 1979-10-02
Publication date: 1983-06-15
Also published as: DD146625A1

Description

Vorrichtung zum ionengestützten Beschichten und Ionenätzen von Substraten

Anwendungsgebiete der Erfindung

Die Erfindung ist anwendbar in den Gebieten der Technik, die Schichten mit spezifischen Eigenschaften oder einen definierten Ätzabtrag von Festkörperoberflachen benötigen, wie zum Beispiel die Beschichtung und Schichteinbringung sowie den Ätzabtrag in der Mikroelektronik, der Optoelektronik und der Optik, die Beschichtung und Schichteinbringung zur Oberflächenvergütung, für den Korrosionsschutz und zur Verschleißminderung.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen

Es- sind bereits Vorrichtungen zum ionengestützten Beschichten und Ionenätzen von Substraten bekannt. Dazu gehören die bias-Plasmazerstäubungsbeschientungs- und Plasmazerstäubungsätzvorrichtungen, Ionenstrahlablagerungs- und Ionenstrahlätζvorrichtungen, Ionenstrahlzerstäubungsablagerungs- und ion-plating Vorrichtungen· Die bias-Plasmazerstäubungsvorrichtung (ÜS-PS 3.021»271) besteht aus der gekühlten Targethalterung mit dem zu zerstäubendem Material, der geerdeten Targetabschirmung und der Substrathalterung, die ein negatives Potential gegenüber dem Plasmapotential der Entladung erhält, so daß die

auf dem Substrat aufwachsende Schicht ständig von energiereichen Ionen des Arbeitsgases und des vom Target abgestäubten Materials bombardiert wird·

Bei der Plasmazerstäubungsätzvorrichtung wird das zu ätzende Pestkörpermaterial als Target geschaltet· Plasmazerstäubungsvorrichtungen sind planar oder koaxial ausgebildet und arbeiten bei relativ hohen Drücken von 1 bis 10 Pascal· Auf Grund des speziellen Entladungsmechanismus ist die Energiestreuung der zerstäubenden Ionen groß· Ionenstrahlablagerungs- und Ionenstrahlätzvorrichtungen bestehen aus einer Ionenquelle und der Substrathalterung mit den Substraten. Bei der lonenstrahlablagerung (DS-OS 2.113.375) wird ein Materialionenstrahl in einer Ionenquelle erzeugt und mit Energien von einigen 10 bis einigen 100 Elektronenvolt auf die Substrate gerichtet, wo die Schichtbildung stattfindet; bei der Ionenstrahlätzung hingegen wird das als Substrat geschaltete Pestkörpermaterial mit Hilfe eines inerten oder reaktiven Ionenstrahls höherer Energie abgetragen.

Torrichtungen zur ioneninduzierten Ionenstrahlzerstäubungaablagerung (DD-WP 130157) bestehen aus wenigstens zwei Ionenquellen, der Targethalterung mit dem Target und der Substrathalterung mit den Substraten. Mit Hilfe des Ionenstrahls aus einer Ionenquelle wird das Target zerstäubt. Die dabei auf dem Substrat aufwachsende Schicht wird gleichzeitig mit einem Ionenstrahl aus einer zweiten Ionenquelle bombardiert.

Das gemeinsame der lonenstrahlanlagen besteht darin, daß die Energiestreuung der gerichteten Ionenstrahlen gering ist und daß die Schichtbildung oder der Ätzabtrag im Hochvakuum stattfinden kann. Die planare Substratanordnung und die daraus resultierenden kleinen Substratflächen, die begrenzte lonenstromdichte und die damit verbundenen geringen Schichtwachstums- und Ätzgeschwindigkeiten sowie der hohe Aufwand für die Konstruktion und den Betrieb von lonenstrahlvorrichtungen haben den effektiven Einsatz dieser Anlagen bislang verhindert.

Ion-plating-Vorrichtungen (DE-AS 1.521.561) bestehen aus dem Dampf- oder Gaserzeuger, beispielsweise einer Verdampfungsvorrichtung, der Ionisierungsvorrichtung und der Substrathalterung mit den Substraten. In der Ionisierungsvorrichtung wird der dampf- oder gasförmige Teilchenstrom durch Blektronenstoßionisation teilweise ionisiert, die entstehenden Ionen werden durch entsprechend angelegte elektrische Felder auf die Substrate beschleunigt und bilden gemeinsam mit den zum Substrat gelangenden Neutralteilchen die Schicht. Der Ionenanteil im Teilchenstrom zu den Substraten ist gering und beträgt 0,01 bis 0,001.

Es ist des weiteren eine planere Vorrichtung zur Ionisierung von Gasen oder Dämpfen vorgeschlagen worden (DD-WP 124859), die aus folgenden vorzugsweise transparent ausgebildeten Elektroden besteht: Spiegelelektrode, Glühkatode, Anode und Extraktionselektrode. Unter der Spiegelelektrode sind wahlweise eine Sperrelektrode und ein Verdampfer angebracht. Die mit Hilfe dieser Vorrichtung beschichtbaren Substratflächen sowie die erzielbare Ionendichte auf den Substraten und die damit verbundene SchichtaufWachsgeschwindigkeit sind begrenzt. Eine Erhöhung der Ionendichte auf den Substraten kann nur durch Erhöhung der Ionendichte im Ionisierungsraum erreicht werden. Des weiteren ist die Beschichtung zylindrischer Körper mit Hilfe dieser Vorrichtung sehr aufwendig, und die Beschichtung von isolierenden Substraten ist erschwert. Die Mängel der bekannten technischen Lösungen sind darauf zurückzuführen, daß auf Grund der vorwiegend planaren Elektrodenanordnung der Ionenanteil im Teilchenstrom zum Substrat und folglich die SchichtaufWachsgeschwindigkeit oder die Dichte des Ionenstrahles und somit die iitzge schwin digkeit bei vorgegebener Ionenenergie nur durch Erhöhung der Ionendichte im Iопізіеrungsraum vergrößert v/erden können, die Vergrößerung der Substratfläche relativ große Vakuumkammern und die Erhöhung der Schichtdickenhomogenität oder der Ätztiefenhomogenität aufwendige mechanische Bewegungsvorrichtungen für die Substrate erfordern und zylindrische oder prismatische Körper nur bei Drehung um ihre Längsachse homogen beschichtet oder geätzt werden können.

Ziel der Erfindung

Es ist das Ziel der Erfindung, die Beschichtungsflächen zu i/eigroßem, die Schichtauf'-vachsgeechwindigkeit oder die Ätzgeschwindigkeit zu erhöhen und gleichzeitig die Qualität der Schichten oder der Ätzstrukturen zu verbessern.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu entwickeln, die die Erzeugung von teilweise ionisierten Teilchenströmen oder von Ionenstrahlen hoher Dichte und großen Querschnittes und die Beschleunigung der ionisierten Teilchen auf vorgegebene einheitliche Energien ermöglicht sowie die Schichtabscheidung auch auf prismatischen und zylindrischen Körpern gestattet. Gleichzeitig sollen die Dickenhomogenität der Schichten und die Atztiefenhomogenität verbessert werden.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß eine Reflexionselektrode, eine Anordnung von Glühkatoden, eine Anode, wahlweise eine Spiegelelektrode, wahlweise eine Beschleunigungselektrode und wahlweise eine Bremselektrode, die vorzugsweise eine hohe und wahlweise verschiedene Transparenz besitzen, zylindermanteiförmig oder prismenmanteiförmig ausgebildet, in der genannten Reihenfolge ineinander angeordnet und stirnseitig von jeweils einer scheibenringförmig ausgebildeten Abschirmelektrode begrenzt sind und die zylinderförmig oder prismatisch ausgebildete Substrathalterung mit den Substraten koaxial umgeben. Als Transparenz wird hier in bekannter Weise das Verhältnis aus der Gesamtfläche der Öffnungen in den Elektroden und der Gesamtelektrodenfläche bezeichnet. Wenn die Anode gegenüber den Glühkatoden, der Reflexionselektrode, den Abschirmelektroden und der Spiegelelektrode, die vorzugsweise

das gleiche Potential erhalten, positiv vorgespannt ist, so wird bei Zuführung eines geeigneten Arbeitsgases in den von der Reflexions-, der Spiegel- und den Abschirmelektroden begrenzten Ionisierungsramm eine teilweise Ionisierung der Gasteilchen durch die von der Glühkatode emittierten und zwischen Reflexions- und Spiegelelektrode in einer Potentialmulde pendelnden Elektronen erreicht· Bei genügend hohem Arbeitsdruck und ausreichender Ionisierungsausbeute kann im Ionisierungsraum eine Plasmaentladung gezündet und aufrechterhalten werden, wobei auf Grund der angelegten Potentiale und der koaxialen Bauweise der Vorrichtung ein geometrischer Einschluß der Elektronen zwischen Reflexions- und Spisgelelektroden ähnlich wie in einer Hohlkatodenentladung stattfindet. Eine Erhöhung der Lebensdauer der Elektronen und somit der- Ionisierungsausbeute und der Ionendichte im Entladungsplasma ist möglich durch parallel oder senkrecht zur Achse der Vorrichtung gerichtete Magnetfelder, die mit Hilfe entsprechend angebrachter Magnetspulen oder Permanentmagneten erzeugt werden. Durch Anlegen einer gegenüber der Spiegelelektrode negativen Spannung an die Beschleunigungselektrode und einer gegenüber der Beschleunigungaelektrode vorzugsweise positiven Spannung an die Bremselektrode und an den Substrathalter mit den Substraten wird ein positiver Ionenstrom aus dem Ionisierungsraum extrahiert und auf die Substrate beschleunigt, der bei Verwendung niedriger Beschleunigungsspannungen und eines Arbeitsgases_r welches das Schichtmaterial enthält, mit dem gleichzeitig auf die Substrate auftreffenden gaskinetischen Teilchenstrom die Schich-tbildung verursacht oder bei Verwendung höherer Beschleunigungsspannungen und inerter oder geeigneter reaktiver Arbeitsgase die Ionenätzung des als Substrat geschalteten Festkörpermaterials gestattet· Ein gegenüber der Вз-schleunigungselektrode positives Potential der Bremselektrode bewirkt, daß die radial nach außen in Richtung der Vorrichtung fliegenden Elektronen, die zum Beispiel durch Restgasionisation (^-Prozeß) entstehen, vor der Besehleuni-

gungselektrode reflektiert werden und die Raumladung des extrahierten Ionenstromes und/oder die Oberflächenladung isolierender Substrate wenigstens teilweise kompensieren. Durch Variation des Potentials der Bremselektrode kann auch die Energie der extrahierten Ionen variiert werden. Da der extrahierte Ionenstrom auf Grund der koaxialen Bauweise radial zur Symmetrieachse der Vorrichtung gerichtet ist, vergrößert sich die Ionenstromdichte am Substratort gegenüber der extrahierten Ionenstromdichte um etwa das Verhältnis aus der Gesamtfläche der Spiegelelektrode zur Gesamtoberfläche der Substrathalterung. Beim Beschichten oder Ionenätzen von wärmeempfindlichen Substraten, beispielsweise von Kunststoffen, werden zwischen der Anordnung von Glühkatoden und der Anode ein oder mehrere Strahlungsschirme angebracht, die vorzugsweise Katodenpotential erhalten und so ausgebildet sind, daß die Wärmestrahlung der Glühkatode die Substrate nicht belastet.

Die Abscheidung von Schichten oder das Ionenätzen von Festkörperoberflächen kann erfindungsgemäß auch mit vereinfachten koaxialen Vorrichtungen erfolgen: Die Bremselektrode kann beispielsweise weggelassen werden, wobei die Substrathalterung mit den Substraten vorzugsweise das Potential der Beschleunigungselektrode erhält. Des weiteren ist es möglich, die Vorrichtung ohne Brems- und Beschleunigungselektrode oder ohne Brems-, Beschleunigungs- und Spiegelelektrode zu betreiben, wobei die Substrathalterung mit den Substraten das zur Extraktion und Beschleunigung der positiven Ionen erforderliche negative Potential erhält. Beim ITichtvorhandensein der Brems-, Beschleunigungs- und Spiegelelektrode wirkt die Substrathalterung mit den Substraten wie eine negative Sonde im Plasma; in diesem Falle kann eine Beschichtung oder Ionenätzung von Substraten auch erreicht werden, wenn die Substrathalterung mit den Substraten elektrisch isoliert angebracht ist.

Zur Abscheidung von Verbindungsschichten und legierten oder dotierten Schichten werden außerhalb der Vorrichtung ein oder mehrere Teilchenqueilen angeordnet, beispielsweise Verdampfungseinrichtungen oder Targetsysteme zur Ionenzerstäubung, die- einen Teilchenstrom aus wenigstens einer Komponente der Verbindung oder des Legierungs- oder des Dotierungsmaterials erzeugen. Der Teilchenstrom gelangt durch die transparent ausgebildeten Elektroden in die Vorrichtung, wird im Ionisierungsraum teilweise ionisiert und ebenfalls auf den Substraten abgeschieden.

In weiterer Ausbildung der Erfindung ist die Ref lexionseleJc-.trade-nicht transparent ausgeführt. Die Absehirmelektroden und/oder die Reflexionselektroden besitzen Zuführungen für den Gas- und/oder Dampfeinlaß. Die Zuleitungen für die Stromversorgung der Glühkatoden und der Anode sind isoliert und gasdicht in der Reflexionseiektrode oder den Abschirmelektroden befestigt. Ferner sind die Reflexionselektrode, die Spiegelelektrode und die Abschirmelektroden gasdicht miteinander verbunden. Die Spiegelelektrode, die Beschleunigungselektrode und die Bremselektrode besitzen Öffnungen gleicher· Geometrie, die aufeinander justiert sind; es entsteht" somit bei reduzierter Transparenz der Spiegelelektrode ein Druckgefälle zwischen dem Ionisierungsraum und der Vakuumkammer. In dieser Ausführung dient die Vorrichtung als Ionenquelle zur Erzeugung eines Ionenstrahles im Hochvakuum, der beispielsweise zur Ionenstrahlablagerung oder zum Ionenstrahlätzen von Pestkörperoberflachen eingesetzt werden kann.

Eine effektive Beschichtung oder Ionenätzung isolierender Substrate mit Hilfe der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann erreicht werden durch zusätzliche Kompensation der von den Ionen verursachten positiven Aufladung der Substrat- oder SchichtOberfläche, beispielsweise durch Einstrahlung von Elektronen gemäß DD-WP 74998.

Des weiteren ist die Substrathalterung um ihre Achse drehbar und axial verschiebbar ausgeführt. Durch axiale Verschie-

bung und Rotation der Substrathalterung während des Beschichtungs- oder Ionenätzprozesses kann die Dickenhomogenität der abgeschiedenen Schichten oder die Itztiefenhomogenität erhöht werden·

Die vorgeschlagene Vorrichtung eignet sich wegen ihrer koaxialen Bauweise insbesondere auch zur Beschichtung und zum Ionenätzen von rohrförmigen, zylindrischen, prismatic sehen und drahtförmigen Substraten· Bei Verwendung von Vakuumschleusen können diese Substrate wahlweise kontinuierlich in die Vakuumkammer ein- und ausgeführt werden·

Ausführungsbeispiel

Nachfolgend wird die !Erfindung an zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert· In den zugehörigen Zeichnungen zeigen

Fig· 1 die Vorrichtung mit hochtransparenten Elektroden

und 5¹Ig. 2 die Vorrichtung als Ionenquelle·

Im ersten Ausführungsbeispiel (Pig· 1) sind die Reflexionselektrode 1, die Anode 2, die Spiegelelektrode 3 und die Beschleunigungselektrode 4· als z^lindermantelförmige Drahtnetze ausgebildet und stirnseitig an Tragringen 5 befestigt· Die stabförmigen Glühkatoden 6 sind als z^lindermantelförmiges Gitter angeordnet und beidseitig in Katodentragringen 7 mittels Klemmverbindung befestigt· Die Tragringe 5» 7 der Elektroden dienen zur Halterung und zur Stromzuführung· Stirnseitig wird die Vorrichtung durch je eine scheibenringförmige Abschirmelektrode 8 begrenzt· Die als sechseckiges Prisma ausgebildete Substrathalterung 9 mit den Substraten 10 ist in der Achse der Vorrichtung angeordnet· Die Reflexionselektrode 1, die Spiegelelektrode 3 und die Abschirmelektrcden 8 erhalten vorzugsweise Katodenpotential» die Anode 2 wird gegenüber den Glühkatoden б positiv vorgespannto Die Heizung der Glühkatoden 6 erfolgt mit Wechseloder Gleichstrom, wobei die Stromeinspeisung über die Katodentragringe 7 erfolgt· Die von der Glühkatode 6 emittierten

Elektronen pendeln in einer Potentialmulde zwischen Reflexions1 und Spiegelelektrode 3 tmd ionisieren das in den Ionisierungsraüm eingebrachte Arbeitsgas· Beim Anlegen eines gegenüber der Spiegelelektrode 3 negativen Potentials an die Beschleunigungselektrode 4 und die Substrathalterung 9 mit den Substraten 10 werden positive Ionen aus dem Ionisierungsraum extrahiert und auf die Substrate beschleunigt· Betragen die Heizleistungen der Katoden je Ug . Ig = 50 W, die Anodenspannung TJ^ = 100 V, die Beschleunigungsspannung U-n = 300 V und wird beispielsweise Benzol als Arbeitsgas verwendet, so erfolgt auf den Substraten 10 bei einem Druck von

5 · 10 Pascal die Abscheidung von harten Kohlenstoffschichten mit einer Aufwachsgeschwindigkeit von 30 nm/min· Durch axiale Drehung und Verschiebung der Substrathalterung 9 während des Beschichtungsprozesses kann eine Schichtdickenhomogenität über die gesamte Charge von besser 2 % erreicht werden· Die Haftfestigkeit der Schichten kann erhont werden, durch lonenätzen der Substrate vor der Beschichtung bei Verwendung von inerten Arbeitsgasen, vorzugsweise Krypton, und Beschleunigungsspannung von 3 kV, wobei der Übergang vom lonenätrzen zum Beschichten durch kontinuierlichen Arbeitsgaswechsel und Verringerung der Beschleunigungsspannung kontinuierlich erfolgt·

Sine Vereinfachung der Betriebsweise der Vorrichtung kann beim Beschichten von leitenden oder halbleitenden Substraten durch Weglassen der Beschleunigungselektrode 4 erreicht werden. Auch ohne Besehleunigungs- 4 und Spiegelelektrode 3 ist die Beschichtung möglich? in diesem Falle erfüllt die Substrathalterung 9 mit den Substraten 10 die Funktionen der Beschleunigungselektrode Ц- für die Ionen und der Spiegel— elektrode 3 für die Elektronenpendelungj Ionenstromdichte und Ionenenergie können ,jedoch nicht mehr unabhängig voneinander variiert werden·

zweiten Ausführungsbeispiel (Fig· 2) ist die Reflesionselektrode 1 nicht transparent ausgeführt und die Abschirmelektroden 8 besitzen Zuführungen für den Gaseinlaß 11 und

für die Stromversorgung 12 der Glühkatoden 6 und der Anode Die Refiexionselektrode 1, die Spiegelelektrode 3 und die Abschirmelektröden 8 sind gasdicht miteinander verbunden» Des weiteren besitzen die Spiegelelektrode 3, die Beschleunigungseiektrode 4 und die wahlweise angeordnete Bremselekirode 13 Bohrungen gleicher Geometrie, die aufeinander justiert sind, so daß bei reduzierter Transparenz in Abhängigkeit von der Saugleistung des Vakuumpumpe:?stems zwischen lonisierungsraum und Substratraum ein Druckgefälle von wenigstens einer Größenordnung entsteht· Die elektrische Verschaltung der Elektroden ist prinzipiell die gleiche wie im ersten Ausführungsbeispiel mit dem Unterschied, da£ beim Einsatz der Bremselektrode 13 auch die Substrathalterung 9 mit den Substraten 10 das Potential der Bremselektrode 13 erhalten·

Betragen die Heizleistung der Glühkatoden I^ . Ü_H = 50 W, die Anodenspannung- TJ_л = 80 V, die Beschleunigungsspannung U₃ = 2,0 kV, die Bremsspannung TJq = 400 V und wird Krypton als Arbeitsgas verwendet, se kennen bei einer Transparenz der Spiegelelektrode von 0,4· Kryptonionenstrahlen mit Stromdichten bis zu 2,5 mA · cm extrahiert werden·

Claims

- 11 Srfindungsanspruch

1. Vorrichtung zum ionengestützten Beschickten und Ionenätzen von Substraten unter Verwendung von Mitteln zur Vakuumerzeugung, zum Gas- und/oder Dampfeinlaß und zur Strom- und Spannungsversorgung, gekennzeichnet dadurch, daß eine Reflexionselektrode (1), eine Anordnung von Glühkatoden (6), eine Anode (2), wahlweise eine Spiegelelektrode (3), wahlweise eine Beschleunigungselektrode (4) und wahlweise eine Bremselektrode (13)> die vorzugsweise eine hohe und wahlweise verschiedene Transparenz besitzen, zylindermantelförmig oder prismenmantelförmig ausgebildet, in der genannten Reihenfolge ineinander angeordnet und stirnseitig von jeweils einer scheibenringförmig ausgebildeten Abschirmelektrode (8) begrenzt sind und die zylinderförmig oder prismatisch ausgebildete Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) koaxial umgeben.
2. Vorrichtung nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Anode (2) gegenüber den Glühkatoden (6), der ReflexionseLektrode (1), der Spiegelelektrode (3) und der Abschirmelektrode (8) , die vorzugsweise das gleiche Potential erhalten, positiv vorgespannt ist, daß die Beschleunigungselektrode (4) zur Extraktion positiver Ionen ein negatives Potential gegenüber der Spiegelelektrode (3) erhält, daß die Bremselektrode (13) vorzugsweise positiv gegen die Beschleunigungselektrode (4) vorgespannt ist und daß die Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) vorzugsweise das Potential der Bremselektrode (13) besitzt.
3. Vorrichtung nach Punkt 1 und 2, gekennzeichnet dadurch, daß zur Erzeugung von parallel oder senkrecht zur Achse der Vorrichtung gerichteten Magnetfeldern Magnetspulen oder Permanentmagneten angeordnet sind.
4. Vorrichtung nach. Punkt 1 bis 3, gekennzeichnet dadurch, daß zwischen der Anordnung von Glühkatoden (6) und der Anode (2) Strahlungsschirme angebracht sind, die vorzugsweise Katodenpotential ernalten.
5. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 4 ohne Bremselektrode (13), gekennzeichnet dadurch, daß die Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) das Potential der Beschleunigungselektrode (4) erhält.
6. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 4 ohne Bremselektrode (13) und Beschleunigungselektrode (4), gekennzeichnet dadurch, daß die Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) negativ gegen die Spiegelelektrode (3) vorgespannt ist.
7. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 4 ohne Bremselektrode (13), Beschleunigungselektrode (4) und Spiegelelektrode (3)» gekennzeichnet dadurch, daß die Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) negativ gegen die Anode (2) vorgespannt oder elektrisch isoliert angebracht ist.
8. Vorrichtung nach Punkt i bis 7, gekennzeichnet dadurch, daß außerhalb der Vorrichtung ein oder mehrere Teilchenauellen, beispielsweise Verdampfungseinrichtungen oder Targetsysteme zur lonenzerstäubung, angeordnet sind.
9. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß die Reflexionselektrode (1) nicht transparent ausgebildet ist, daß die Abschirmelektroden (8) und/oder die Reflexionselektrode (1) Zuführungen (11) für den Gas- und/oder Dampfeiniaß besitzen, daß die Reflexionselektrode (1), die Abschirmelektroden (8) und die Spiegelelektrode (3) gasdicht miteinander verbunden sind und daß die Spiegelelektrode (3), die Beschleunigungselektrode (4) und die Bremselektrode (13) öffnungen gleicher Geometrie besitzen, die aufeinander justiert sind.
10. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 9, gekennzeichnet dadurch, daß bei Verwendung isolierender Substrate (10) in der Nähe der Sube+rp.tbni te rung (9) wahlweise Elektronenstrahlquellen angeordnet sind.
11. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 10, gekennzeichnet dadurch, daß die Substrathalterung (9) um ihre Achse drehbar und axial verschiebbar ausgeführt ist.
12. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 11, gekennzeichnet dadurch, daß als Substrate (10) drahtförmige, zylindrische, prismatische oder rohrförmige Körper Verwendung finden, die wahlweise kontinuierlich mittels Vakuumschleusen in die Vakuumkammer ein- und ausgeführt werden.

Hierzu ;£. Seiten Zeichnungen