CZ2016455A3 - Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu - Google Patents

Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu

Info

Publication number
CZ2016455A3
CZ2016455A3 CZ2016-455A CZ2016455A CZ2016455A3 CZ 2016455 A3 CZ2016455 A3 CZ 2016455A3 CZ 2016455 A CZ2016455 A CZ 2016455A CZ 2016455 A3 CZ2016455 A3 CZ 2016455A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
source
low pressure
clusters
forming thin
pressure plasma
Prior art date
Application number
CZ2016-455A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ306854B6 (cs
Inventor
Zdeněk Hubička
Martin Čada
Jiří Olejníček
Štěpán Kment
Vítězslav Straňák
Petr Adámek
Lubomír Jastrabík
Original Assignee
Univerzita Palackého
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univerzita Palackého filed Critical Univerzita Palackého
Priority to CZ2016-455A priority Critical patent/CZ2016455A3/cs
Publication of CZ306854B6 publication Critical patent/CZ306854B6/cs
Publication of CZ2016455A3 publication Critical patent/CZ2016455A3/cs

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev nízkotlakého plazmatu se provádí v zařízení, které je tvořeno vakuovou komorou (1), v jejímž vnitřním prostoru (101) jsou jednak protilehle umístěny zdroj (4) klastrů a držák (5) substrátu (6) propojený s bipolárním zdrojem (7) a jednak bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj (12) a přívod (10) pracovního plynu. Nanočástice vytvořené ve zdroji (4) klastrů jsou ve vnitřním prostoru (101) vakuové komory (1) směrovány do oblasti nízkotlakého vysokofrekvenčního výboje induktivně vázaného ve stejnosměrném magnetickém poli ECWR zdroje (9), kde jsou ionizovány a jsou urychleny směrem k povrchu substrátu (6), kam je v závislosti na polaritě klastrů přiváděno buď kladné nebo záporné napětí a kde je vytvářena nanokompozitní vrstva z implantovaných klastrů a materiálů matrice odprášeného z nízkotlakého depozičního zdroje (12). Při tom je měřena poměrná frakce ionizovaných klastrů pomocí modifikovaného QCM (14). Podstatou vynálezu je rovněž konstrukce zařízení k provádění tohoto způsobu.
CZ2016-455A 2016-07-27 2016-07-27 Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu CZ2016455A3 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2016-455A CZ2016455A3 (cs) 2016-07-27 2016-07-27 Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ2016-455A CZ2016455A3 (cs) 2016-07-27 2016-07-27 Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ306854B6 CZ306854B6 (cs) 2017-08-09
CZ2016455A3 true CZ2016455A3 (cs) 2017-08-09

Family

ID=59519980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2016-455A CZ2016455A3 (cs) 2016-07-27 2016-07-27 Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu

Country Status (1)

Country Link
CZ (1) CZ2016455A3 (cs)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU100893B1 (en) * 2018-05-02 2019-11-05 Fyzikalni Ustav Av Cr V V I Method of low-temperature plasma generation, method of an electrically conductive or ferromegnetic tube coating using pulsed plasma and devices for providing the methods thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10008482A1 (de) * 2000-02-24 2001-09-13 Ccr Gmbh Beschichtungstechnolo Hochfrequenz-Plasmaquelle
DE10331926A1 (de) * 2003-07-15 2005-02-24 Leybold Optics Gmbh Hochfrequenzquelle zur Erzeugung eines durch Magnetfelder geformten Plasmastrahls und Verfahren zum Bestrahlen einer Oberfläche
DE102006043943A1 (de) * 2006-09-14 2008-03-27 Leybold Optics Gmbh Verfahren zum Aufbringen von Schichten auf Substraten mit gekrümmten Oberflächen
CZ29519U1 (cs) * 2016-04-18 2016-06-07 Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. Vysokofrekvenční aparatura pro měření parametrů plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU100893B1 (en) * 2018-05-02 2019-11-05 Fyzikalni Ustav Av Cr V V I Method of low-temperature plasma generation, method of an electrically conductive or ferromegnetic tube coating using pulsed plasma and devices for providing the methods thereof
WO2019210891A1 (en) * 2018-05-02 2019-11-07 Fyzikalni Ustav Av Cr, V.V.I. Method of low-temperature plasma generation, method of an electrically conductive or ferromagnetic tube coating using pulsed plasma and corresponding devices
US11651937B2 (en) 2018-05-02 2023-05-16 Fyzikalini Ustav Av Cr, V.V.I. Method of low-temperature plasma generation, method of an electrically conductive or ferromagnetic tube coating using pulsed plasma and corresponding devices

Also Published As

Publication number Publication date
CZ306854B6 (cs) 2017-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SG10201906712PA (en) Improved defect control and stability of dc bias in rf plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas
JP2016092342A5 (cs)
TW201612346A (en) Film-forming device and manufacturing method for a film-forming substrate
JP2016213358A5 (cs)
TW200802549A (en) Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process
GB201212808D0 (en) Surface coatings
WO2010144761A3 (en) Ionized physical vapor deposition for microstructure controlled thin film deposition
SA519401365B1 (ar) ركائز مطبوعة
WO2017029771A1 (ja) スパッタリング装置及びその状態判別方法
CZ2016455A3 (cs) Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu
WO2018132253A3 (en) Systems and methods for wetting substrates
CN103628032B (zh) 一种在导电基体材料上制备纳米氮化钛层的方法
RU2010114072A (ru) Способ нанесения нанокомпозитного покрытия на поверхность изделий
Kim et al. Simple atmospheric-pressure nonthermal plasma-jet system for poly (dimethylsiloxane) bonding process
CN105492650A (zh) 溅射成膜装置以及溅射成膜方法
JP2007031817A5 (cs)
RU2013130575A (ru) Способ нанесения защитного покрытия на поверхность стального изделия
WO2009104919A3 (en) Apparatus and method for processing substrate
JP2013189707A5 (ja) 成膜装置
MX360902B (es) Proceso y dispositivo para generar un plasma energizado mediante una energia de microondas en el campo de una resonancia ciclotronica electronica (rce) para ejecutar un tratamiento de superficie o aplicar un recubrimiento alrededor de un componente filiforme.
CN106795626A (zh) 成膜装置
RU2013145838A (ru) Способ формирования жаростойкого нанокомпозитного покрытия на поверхности изделий
TWI394213B (zh) Plasma processing device and plasma processing method
TW201708580A (zh) 高頻濺鍍裝置及濺鍍方法
RU2013130574A (ru) Способ формирования нанокомпозитного покрытия на поверхности изделия

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20240727