CZ306854B6 - Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu - Google Patents
Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu Download PDFInfo
- Publication number
- CZ306854B6 CZ306854B6 CZ2016-455A CZ2016455A CZ306854B6 CZ 306854 B6 CZ306854 B6 CZ 306854B6 CZ 2016455 A CZ2016455 A CZ 2016455A CZ 306854 B6 CZ306854 B6 CZ 306854B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- source
- clusters
- low
- low pressure
- deposition
- Prior art date
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 35
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000009429 distress Effects 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 24
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical class COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000168 high power impulse magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu se provádí v zařízení, které je tvořeno vakuovou komorou (1), v jejímž vnitřním prostoru (101) jsou jednak protilehle umístěny zdroj (4) klastrů a držák (5) substrátu (6) propojený s bipolárním zdrojem (7) a jednak bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj (12) a přívod (10) pracovního plynu. Nanočástice vytvořené ve zdroji (4) klastrů jsou ve vnitřním prostoru (101) vakuové komory (1) směrovány do oblasti nízkotlakého vysokofrekvenčního výboje induktivně vázaného ve stejnosměrném magnetickém poli ECWR zdroje (9), kde jsou ionizovány a jsou urychleny směrem k povrchu substrátu (6), kam je v závislosti na polaritě klastrů přiváděno buď kladné, nebo záporné napětí a kde je vytvářena nanokompozitní vrstva z implantovaných klastrů a materiálů matrice odprášeného z nízkotlakého depozičního zdroje (12). Přitom je měřena poměrná frakce ionizovaných klastrů pomocí modifikovaného QCM (14). Podstatou vynálezu je rovněž konstrukce zařízení k provádění tohoto způsobu.
Description
Oblast techniky
Vynález spadá do oblasti nízkotlakého plazmatu, které se používá pro různé aplikace jako je plazmatická depozice tenkých vrstev, plazmové leptání, plazmové iontové zdroje atd., a týká se nového způsobu vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu.
Dosavadní stav techniky
V současné době byla vyvinuta celá řada systémů pro tvorbu a depozici nanočástic, tzv. klastrů, které jsou vytvářeny v pracovní komoře přímo v jejím vnitřním prostoru shlukováním částic. Takto vzniklé nanočástice jsou pak transportovány směrem k substrátu, kde dochází k jejich depozici. Některé příklady zdrojů klastrů jsou uvedeny např. ve statích Haberland, M. Karrais, M. Mail, A new type of cluster and cluster ion source Z. Phys. D Atoms, Molecules and Clusters 20, 413-415 (1991)) a spisech US 4,217,855, US 5,019,712; US 20080142735, US 7,670,964 nebo US 20020036261. Určitou skupinu zdrojů klastrů tvoří systém s nízkoteplotním plazmatem. Shlukování a tvorba klastrů, vzniká v prostoru nízkoteplotního plazmatu. Některé plazmové zdroje klastrů jsou uvedeny ve stati K. Franzreb I, A. Wucher and H. Oechsner, Formation of neutrál and positively charged clusters (Ag, and Ag,+; η I 4) during sputtering of silver, Surface Science Letters 279 (1992) L225-L230. Jedním plazmovým zdrojem klastrů je magnetronový zdroj, který se používá v mnoha případech a je popsán a studován ve stati P. V. Kashtanov, B. M. Smimov and R. Hippler, Efficiency of cluster generation in a magnetron discharge EPL, 91 (2010) 63001.
V tomto systému jsou v magnetronovém výboji pracujícím za vyššího tlaku (10-30 Pa) rozprašovány atomy terče, které se díky zvýšenému tlaku v oblasti výboje shlukují do nanočástic. Tyto vytvořené částice (klastry) se pohybují ve směru kolmém k povrchu magnetronového terče, kde pak prochází kruhovou clonou (diafragmou) do oblasti nízkého tlaku v rozsahu 0,05 až 1 Pa, který je čerpán vakuovou vývěvou s vysokou čerpací rychlostí. Část takto vytvořených klastrů je nabitá záporně, část kladně, ale značná část klastrů bývá neutrální. Ionizace klastrů v uvedených systémech byla popsána ve stati Chuhang Zhang, Hironori Tsunoyama, Hiroki Akatsuka, Hiroki Sekiya, Tomomi Nagase, and Atsushi Nakajima, Advanced Nanocluster Ion Source Based on High-Power Impulse Magnetron Sputtering and Time-Resolved Measurements of Nanocluster Formation, J. Phys. Chem. A 2013, 117, 10211-10217. Aby vytvořené klastry bylo možné lépe využít pro technologické účely, případně řídit jejich energii dopadu na substrát, bylo by výhodné, aby velká část klastrů byla ionizována. Potom by bylo možné vytvořit systém pro depozici kompozitních vrstev, kdy na substrátu z dalšího plazmového zdroje je vytvářena tenká vrstva jako matrice a zdroj klastrů do vrstvy implantuje vlastní klastry. Takovýto systém je popsán ve stati Muhammad Hanif, Raghavendra R. Juluri, Manohar Chirumamilla, Vladimír N. Popok, Poly(methyl methacrylate) Composites with Size-selected Silver Nanoparticles Fabricated Using Cluster Beam Technique, JOURNAL OF POLYMER SCIENCE, PART B: POLYMER PHYSICS 2016, 54, 1152-1159. Pokud bychom dosáhli toho, že by velká část klastrů byla ionizována s jedním znaménkem, bylo by možné klastry k substrátu urychlovat elektrickým polem a dosáhnout tak jejich řízené implantace do deponované vrstvy. Metoda dodatečné ionizace klastrů byla dosažena např. pomocí výboje v duté katodě, jejímž prostorem klastry procházely a byly ionizovány. Tento způsob ionizace klastrů je uveden ve stati Amir Mohammad Ahadi, Alexander Hinz, Oleksandr Polonskyi, Thomas Trottenberg, Thomas Strunskus, Holger Kersten, and Franz Faupel Modifícation of a metal nanoparticle beam by a hollow electrode discharge Joumal of Vacuum Science & Technology A 34, 021301 (2016).
- 1 CZ 306854 B6
Ve statích Pfeiffer BJ. Skin Effect in Anisotropic Plasmas and Resonance Excitation of ElectronCyclotron Waves. I. TheoryAppl Phys 1966;7:1624-8.; B. Pfeiffer, Skin Effect in Anisotropic Plasmas and Resonance Excitation of Electron-Cyclotron Waves. II. Experiments, Joumal of Applied Physics 37, 1628 (1966); H. Qechsner, Electron Cyclotron Wawe Resonances and Power Absorption Effects in Electrodelles Low Pressure H.F. Plasmas with a Superimposed Static Magnetic Field, Plasma Physics, Vol. 16, (1974) pp. 835 to 844. je popsán ECWR (ElectronCyclotron Waves Resonance) nízkotlaký výboj, který ke své činnosti využívá vlnovou rezonanci elektronové cyklotronové vlny v plazmatu v prostoru závitu pro vysokofrekvenční induktivní excitaci plazmatu. Frekvence buzení ECWR výboje se pohybuje typicky v rozsahu 13,56 až 27,12 MHz. Jeho výhodou je to, že vytváří plazma s velmi vysokou hustotou plazmatu za velmi nízkého tlaku až 0,05 Pa. Ve spise CZ 23845 U1 je popsán plazmový systém určený pro depozici perovskitových tenkých vrstev, využívající modifikovaného křemenného krystalového monitoru (QCM - Quartz Crystal Monitor), který umožňuje měřit ionizační frakce depozičních částic při využití magnetického filtru pro elektrony s možností přikládat na měřicí elektrodu stejnosměrné kladné nebo záporné předpětí. Tento QCM monitor má pak využití v jiných oblastech aplikací nízkotlakého plazmatu.
Cílem předkládaného vynálezu je představit nový způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu, který využívá veškeré známé poznatky z této oblasti pro zajištění efektivní ionizace klastrů a jejich deponování v ionizovaném stavu na substrát.
Podstata vynálezu
Stanoveného cíle je dosaženo vynálezem, kterým je způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu v zařízení, které je tvořeno vakuovou komorou, v jejímž vnitřním prostoru jsou jednak protilehle umístěny zdroj klastrů a držák substrátu propojený s bipolámím zdrojem a jednak bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj a přívod pracovního plynu, kde podstata vynálezu spočívá v tom, že nanočástice vytvořené ve zdroji klastrů jsou ve vnitřním prostoru vakuové komory směrovány do oblasti nízkotlakého vysokofrekvenčního výboje induktivně vázaného ve stejnosměrném magnetickém poli ECWR zdroje, kde jsou ionizovány a jsou urychleny směrem k povrchu substrátu, kam je v závislosti na polaritě klastrů přiváděno buď kladné nebo záporné napětí a kde je vytvářena nanokompozitní vrstva z implantovaných klastrů a materiálů matrice odprášeného z nízkotlakého depozičního zdroje, přičemž je měřena poměrná frakce ionizovaných klastrů pomocí modifikovaného QCM.
Dále je podstatou vynálezu zařízení pro vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu, které je tvořeno vakuovou komorou, v jejímž vnitřním prostoru jsou jednak protilehle umístěny zdroj klastrů a držák substrátu propojený s bipolámím zdrojem a jednak bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj a přívod pracovního plynu, kde mezi zdrojem klastrů, do něhož je zaveden přívod pracovního plynu a který je s vnitřním prostorem komory propojen clonou, a mezi držákem substrátu je v oblasti nízkého tlaku uložen ECWR zdroj, který je tvořen páskovým prstencovým závitem propojeným s vnějším vysokofrekvenčním zdrojem, přičemž jednak vně prstencového závitu jsou umístěny dvě Helholtzovy cívky, jednak jsou do vnitřního prostoru komory bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj a přívod reaktivního plynu, a jednak je bočně vedle substrátu umístěn modifikovaný QCM vybavený magnetickým elektronovým filtrem, měřicí elektrodou a napájený vysokofrekvenčním pomocným zdrojem.
Ve výhodných provedeních je nízkotlaký depoziční zdroj tvořen rozprašovacím magnetronem nebo PECVD depozičním zdrojem nebo PVD depozičním zdrojem.
Novým vynálezem se dosahuje vyššího účinku v tom, že ionizované klastry jsou implantovány do deponované vrstvy definovanou energií, jejíž velikost je rovna urychlujícímu napětí substrátu, čímž je dosaženo vyšší adheze a koheze vrstvy vytvořené z klastrů nebo nanokompozitní vrstvy
-2CZ 306854 B6 tvořené matricí a klastry. Účinek urychlení klastrů a jejich energetická implantace a depozice na substrát nebo do vrstvy je v novém způsobu ionizace klastrů vyšší oproti stávajícím metodám díky faktu, že je ionizována, a tak urychlena velká poměrná část použitých klastrů a jenom malá poměrná část klastrů je neutrální. Nový způsob ionizace a implantace klastrů umožňuje také vytvořit definované rozhraní mezi substrátem a vrstvou nebo mezi dvěma různými vrstvami, kde jsou klastry definovaně implantovány a rozloženy v okolí rozhraní substrátu a vrstvy případně pod povrchem substrátu, kdy prostorové rozdělení klastrů je funkcí vzdálenosti od povrchu substrátu nebo rozhraní mezi dvěma vrstvami.
Objasnění výkresu
Konkrétní příklad provedení vynálezu je znázorněn na připojeném výkrese zobrazujícím základní schéma depozičního zařízení.
Výkres, který znázorňuje představovaný vynález, a následně popsaný příklad konkrétního provedení v žádném případě neomezují rozsah ochrany uvedený v definici, ale jen objasňují podstatu vynálezu.
Příklady uskutečnění vynálezu
Zařízení pro realizaci vynálezu je tvořeno vakuovou komorou 1, jejíž vnitřní prostor 101 je přes regulační ventil 2 propojen s vakuovou vývěvou 3. Ve vnitřním prostoru 101 pláště jsou protilehle umístěny zdroj 4 klastrů a držák 5 substrátu 6, na který je deponována nanokompozitní vrstva a který je propojen s vnějším bipolámím zdrojem 7 stejnosměrného předpětí. Zdroj 4 klastrů je napájen magnetronovým zdrojem 8 umístěným vně komory 1, je s vlastním vnitřním prostorem 101 vakuové komory 1 propojen clonou 41 a je do něj zaveden přívod 10 pracovního plynu. Mezi zdrojem 4 klastrů a držákem 5 substrátu 6 je v oblasti nízkého tlaku uložen ECWR zdroj 9, který je tvořen páskovým prstencovým závitem 91 propojeným s vysokofrekvenčním zdrojem 92 umístěným vně komory, přičemž vně prstencového závitu 91 jsou umístěny dvě Helholtzovy cívky 11 za účelem zajištění vytvoření stejnosměrného magnetického pole. Do vnitřního prostoru 101 komory 1 je dále bočně zaveden jednak nízkotlaký depoziční zdroj 12, tvořený rozprašovacím magnetronem, který je napájený přídavným zdrojem 121, a jednak přívod 13 reaktivního plynu. Pro umožnění měření ionizace klastrů je bočně vedle substrátu 6 umístěn modifikovaný QCM 14 vybavený magnetickým elektronovým filtrem 141, měřicí elektrodou 142 a napájený vysokofrekvenčním pomocným zdrojem 143.
Při činnosti zařízení vystupují nanočástice vytvořené ve zdroji 4 klastrů přes clonu 41 do vnitřního prostoru 101 komory 1 a po vstupu do oblasti nízkotlakého vysokofrekvenčního výboje induktivně vázaného ve stejnosměrném magnetickém poli ECWR zdroje 9 jsou ve vnitřním prostoru závitu 91 ionizovány a jsou urychleny směrem k povrchu substrátu 6, kde se vytváří nanokompozitní vrstva z implantovaných klastrů a materiálů matrice odprášeného z nízkotlakého depozičního zdroje 12, tedy rozprašovacího magnetronu. Na substrát je připojeno z bipolámího zdroje 7 buď kladné napětí v případě záporných klastrů, nebo záporné napětí v případě kladných klastrů. Klastry tak jsou implantovány do deponované vrstvy definovanou energií rovné urychlujícímu napětí substrátu. Poměrná frakce ionizovaných klastrů se měří pomocí modifikovaného QCM E4.
Popsané řešení není jediným možným provedením podle vynálezu, ale v alternativním řešení může být místo rozprašovacího magnetronu pro depozici matrice nanokompozitní vrstvy použit jiný nízkotlaký depoziční zdroj 12 této matrice, například PECVD depoziční zdroj (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), který využívá nízkoteplotního plazmatu k rozkladu par chemických prekurzorů pro depoziční proces, nebo jiný PVD nízkotlaký depoziční zdroj pro depozici matrice, který využívá k depozici matrice tepelné odpařování par pevného materiálu.
-3CZ 306854 B6
Průmyslová využitelnost
Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu jsou využitelné pro depozice nanokompozitních materiálů ve formě tenkých vrstev s vysokou hustotou a vysokou adhezí k použitému substrátu. Tyto kompozitní vrstvy jsou vhodné zejména pro optické aplikace.
Claims (3)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu v zařízení, které je tvořeno vakuovou komorou (1), v jejímž vnitřním prostoru (101) jsou jednak protilehle umístěny zdroj (4) klastrů a držák (5) substrátu (6) propojený s bipolámím zdrojem (7) a jednak bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj (12) a přívod (10) pracovního plynu, vyznačující se tím, že nanočástice vytvořené ve zdroji (4) klastrů jsou ve vnitřním prostoru (101) vakuové komory (1) směrovány do oblasti nízkotlakého vysokofrekvenčního výboje induktivně vázaného ve stejnosměrném magnetickém poli ECWR zdroje (9), kde jsou ionizovány a jsou urychleny směrem k povrchu substrátu (6), kam je v závislosti na polaritě klastrů přiváděno buď kladné nebo záporné napětí a kde je vytvářena nanokompozitní vrstva z implantovaných klastrů a materiálů matrice odprášeného z nízkotlakého depozičního zdroje (12), přičemž je měřena poměrná frakce ionizovaných klastrů pomocí modifikovaného QCM (14).
- 2. Zařízení pro vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu, které je tvořeno vakuovou komorou (1), v jejímž vnitřním prostoru (101) jsou jednak protilehle umístěny zdroj (4) klastrů a držák (5) substrátu (6) propojený s bipolámím zdrojem (7) a jednak bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj (12) a přívod (10) pracovního plynu, vyznačující se tí m , že mezi zdrojem (4) klastrů, do něhož je zaveden přívod (10) pracovního plynu a který je s vnitřním prostorem (101) komory (1) propojen clonou (41), a mezi držákem (5) substrátu (6) je v oblasti nízkého tlaku uložen ECWR zdroj (9), který je tvořen páskovým prstencovým závitem (91) propojeným s vnějším vysokofrekvenčním zdrojem (92), přičemž jednak vně prstencového závitu (91) jsou umístěny dvě Helholtzovy cívky (11), jednak jsou do vnitřního prostoru (101) komory (1) bočně zavedeny nízkotlaký depoziční zdroj (12) a přívod (13) reaktivního plynu, a jednak je bočně vedle substrátu (6) umístěn modifikovaný QCM (14) vybavený magnetickým elektronovým filtrem (141), měřicí elektrodou (142) a napájený vysokofrekvenčním pomocným zdrojem (143).
- 3. Zařízení podle nároku 2, vyznačující se tím, že nízkotlaký depoziční zdroj (12) je tvořen rozprašovacím magnetronem nebo PECVD depozičním zdrojem nebo PVD depozičním zdrojem.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2016-455A CZ2016455A3 (cs) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CZ2016-455A CZ2016455A3 (cs) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ306854B6 true CZ306854B6 (cs) | 2017-08-09 |
| CZ2016455A3 CZ2016455A3 (cs) | 2017-08-09 |
Family
ID=59519980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ2016-455A CZ2016455A3 (cs) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CZ (1) | CZ2016455A3 (cs) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ2018206A3 (cs) * | 2018-05-02 | 2019-06-12 | Fyzikální Ústav Av Čr, V. V. I. | Způsob generování nízkoteplotního plazmatu, způsob povlakování vnitřního povrchu dutých elektricky vodivých nebo feromagnetických trubic a zařízení pro provádění těchto způsobů |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10008482A1 (de) * | 2000-02-24 | 2001-09-13 | Ccr Gmbh Beschichtungstechnolo | Hochfrequenz-Plasmaquelle |
| WO2005008717A2 (de) * | 2003-07-15 | 2005-01-27 | Leybold Optics Gmbh | Hochfrequenzquelle zur erzeugung eines durch magnetfelder geformten plasmastrahls und verfahren zum bestrahlen einer oberfläche |
| WO2008031604A1 (de) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Leybold Optics Gmbh | Verfahren zum aufbringen von schichten auf substrate mit gekrümmten oberflächen |
| CZ29519U1 (cs) * | 2016-04-18 | 2016-06-07 | Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. | Vysokofrekvenční aparatura pro měření parametrů plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny |
-
2016
- 2016-07-27 CZ CZ2016-455A patent/CZ2016455A3/cs not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10008482A1 (de) * | 2000-02-24 | 2001-09-13 | Ccr Gmbh Beschichtungstechnolo | Hochfrequenz-Plasmaquelle |
| WO2005008717A2 (de) * | 2003-07-15 | 2005-01-27 | Leybold Optics Gmbh | Hochfrequenzquelle zur erzeugung eines durch magnetfelder geformten plasmastrahls und verfahren zum bestrahlen einer oberfläche |
| WO2008031604A1 (de) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Leybold Optics Gmbh | Verfahren zum aufbringen von schichten auf substrate mit gekrümmten oberflächen |
| CZ29519U1 (cs) * | 2016-04-18 | 2016-06-07 | Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. | Vysokofrekvenční aparatura pro měření parametrů plazmatu s využitím vlnové rezonance elektronové cyklotronové vlny |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| H. Oechsner, M. Scheib, H. Goebel, ECWR-Plasma CVD as a novel technique for phase controlled deposition of semiconductor films, Thin Solid Films, Volume 341, Issues 1-2, Pages 101-104, 12.03.1999 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609098015478 * |
| Hans Oechsner, Theoretical background and some applications of ECWR-plasmas, Vacuum, Volume 83, Issue 4, Pages 727-731, 26.11.2008 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X08003278 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CZ2016455A3 (cs) | 2017-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2504042C2 (ru) | Способ обработки поверхности, по меньшей мере, одного конструктивного элемента посредством элементарных источников плазмы путем электронного циклотронного резонанса | |
| EP3711078B1 (en) | Linearized energetic radio-frequency plasma ion source | |
| Kersten et al. | Examples for application and diagnostics in plasma–powder interaction | |
| US20220127726A1 (en) | Methods and apparatuses for deposition of adherent carbon coatings on insulator surfaces | |
| Zeng et al. | Design and experimental testing of a gas cluster ion accelerator | |
| Berger et al. | Electron dynamics in planar radio frequency magnetron plasmas: III. Comparison of experimental investigations of power absorption dynamics to simulation results | |
| US20140314968A1 (en) | Ionisation device | |
| CZ306854B6 (cs) | Způsob vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu a zařízení k provádění tohoto způsobu | |
| JP2010248576A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| CZ29907U1 (cs) | Zařízení k vytváření tenkých depozičních vrstev pomocí nízkotlakého plazmatu | |
| Rane et al. | Understanding the effect of pulsed power delivery modes on reactive sputter deposition process and coating properties through experimental and plasma simulation studies | |
| Ohtsu et al. | Sustaining mechanism and spatial structure of high-density ring-shaped hollow cuspate magnetized rf plasma for low-pressure plasma processing | |
| Maoyang et al. | Effects of power on ion behaviors in radio-frequency magnetron sputtering of indium tin oxide (ITO) | |
| Oh et al. | Mass spectrometry analysis of the real-time transport of plasma-generated ionic species through an agarose tissue model target | |
| Baranov et al. | TiN deposition and morphology control by scalable plasma-assisted surface treatments | |
| Stepanov et al. | Tangential cathode magnetic field and substrate bias influence on copper vacuum arc macroparticle content decreasing | |
| Han et al. | Spatially-resolved spectroscopic investigation of the inhomogeneous magnetic field effects on a low-pressure capacitively-coupled nitrogen plasma | |
| RU2601903C2 (ru) | Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления | |
| Dudin et al. | Design and research of combined magnetron-ion-beam sputtering system | |
| Baars-Hibbe et al. | Micro-structured electrode arrays:: high-frequency discharges at atmospheric pressure—characterization and new applications | |
| Wang et al. | Effect of RF on RF nitrogen discharge with induced argon plasma at high pressure | |
| Xiao et al. | A novel capacitively coupled plasma driven by hollow cathode radio-frequency discharges | |
| Gekelman et al. | Correlation analysis of waves above a capacitive plasma applicator | |
| Yukimura et al. | Metal ionization in a high-power pulsed sputtering penning discharge | |
| Kalandiia et al. | Cleaning substrates and subsequent deposition of coatings with coaxial magnetron discharge |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20240727 |