CS260113B1 - Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem - Google Patents
Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem Download PDFInfo
- Publication number
- CS260113B1 CS260113B1 CS864825A CS482586A CS260113B1 CS 260113 B1 CS260113 B1 CS 260113B1 CS 864825 A CS864825 A CS 864825A CS 482586 A CS482586 A CS 482586A CS 260113 B1 CS260113 B1 CS 260113B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- refining
- induction heating
- silicon ingots
- zonal
- flying
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Účelem řečeni je zpřesnění procesu rafinace křemíkových Ingotů při letmá zonální tavbě s indukčním ohřevem. Podstata spočívá v tom, že rafinace probíhá ve vakuu 5 . IO-* qž 5 · 10“! Pa, přičemž zbytková atmosféra Je tvořena proudem inertního plynu, jenž vytváří v okolí roztavené zóny prostředí, kterg se během rafinace nemění β které zabraňuje pronikání par oleje z difuzní vývěvy a molekul necietot netěsnosti aparatury q desorpcí ze stěn komory do roztavené zóny.
Description
’ Vynález se týká způsobu rafinace křemíkových ingotů při letmé zonální tavbě s indukčním ohřevem.
Polykrystalický křemík, vyrobený rozkladem trichlorsilanu na žhavých křemíkových jádrech, určený k výrobě monokrystalů pro polovodiče, obsahuje vždy dvě elektricky aktivní příměsi v měřitelném množství: fosfor a bór. Z hlediska dalšího zpracování se obě uvedené příměsi zásadně liší tím, že z roztaveného křemíku dochází ve vakuu k účinnému odpařování fosforu, kdežto bóru nikoliv. Této vlastnosti fosforu rozpuštěného v křemíku se využívá při rafinaci křemíkových ingotů, kterou je třeba provádět jednak při výrobě velmi čistýoh, tzv. vysokoohmových monokrystalů křemíku, obsahujících fosfor v koncentraci podstatně nižšjj než je možné zajistit při výrobě polykrystalického křemíky a jednak při hodnocení kvality polykrystalického křemíku, kdy na základě elektrofyzikálních vlastností před a po rafinaci je stanovena koncentrace fosforu a bóru v křemíkovém ingotu.
V současné době se pro rafinaci křemíkových ingotů používá zařízení pro letmou zonální tavbu s indukčním ohřevem ve vertikálním souosém uspořádání, jejichž pracovní komory jsou připojeny k vakuovému systému tvořenému rotační vývěvou a difúzní vývěvou, přičemž rotační vývěva nejprve předčerpává pracovní komoru a po předčerpání vytváří předvakuum difúzní vývěvy. Úroveň dosaženého vakua a stav zbytkové atmosféry jsou přitom dány dokonalostí provedení těsnění aparatury, výkonem rotační a difúzní vývěvy, vakuovým odporem použitých spojovacích dílů, kvalitou použi tého oleje v difúzní vývěvě, kvalitou vnitřního povrchu pracovní komory a způsobem, jakým je provedeno omezení pronikání olejových par z difúzní vývěvy do pracovní komory.
— 2 —
Nevýhodou způsobu rafinace křemíkových ingotů v takto koncipovaném zařízení Je, že odpařování fosforu z roztavené zóny neprobíhá v reprodukovatelných podmínkách, zejména pokud jde o stav zbytkové atmosféry. Tato je totiž nekontrolovatelně ovlivňována pronikajícím vzduchem netěsnostmi aparatury, olejem z difúzní vývěvy a desorpcí nečistot ze stěn pracovní komory. Pro křemíkový ingot jsou tyto vlivy zdrojem nečistot, znemožňujícím reprodukovatelnou přípravu křemíkových ingotů pro vysokoohmové monokrystaly a zkreslujícím výsledky hodnocení kvality polykrystalického křemíku.
Uvedené nedostatky odstraňuje způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem ve vertikálním souosém uspořádání podle vynálezu, jehož podstata spočívá *•2 x v tom, že rafinace probíhá ve vakuu 5 . 10 až 5 . 10^ Pa, přičemž zbytková atmosféra je tvořena inertním plynem protékajícím průtočnou rychlostí 0,01 až 0,5 cm^/min kolem roztavené zóny.
Výhoda navrženého způsobu spočívá v tom, že proud inertního plynu vytváří v okolí roztavené zóny prostředí, které se během procesu rafinace nemění a které lze reprodukovatelně připravit. Proud/ inertního plynu znemožňuje přístup olejových par z difúzní vývěvy k tavenině a současně strhává molekuly nečistot pronikajících k roztavené zóně netěsnostmi aparatury a desorpcí ze stěn pracovní komory.
Při rafinaci křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem ve vertikálním souosém uspořádání v pracovní komoře, jejíž horní část je připojena k difúzní vývěvě s.čerpaoí rychlostí 1000 l/min, je do spodní části pracovní komory přiváděn proud argonu průtočnou rychlostí 0,1 cm?/min, jenž v okolí roztaO vené zóny vytváří vakuum 10 Pa, jehož zbytková atmosféra je průtočná a inertní.
Využití vynálezu umožní reprodukovatelně provádění rafinace křemíkových ingotů při výrobě vysokoohmových monokrystalů křemíku a při hodnocení kvality polykrystalického křemíku.
Claims (1)
- Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem ve vertikálním souosém uspořádání ^vyznačený tím, Že rafinace probíhá ve vakuu 5 . 10“2 až 5 · 10”^ Pa, přičemž zbytková atmosféra je tvořena inertním plynem protékajícím, průtočnou rychlostí 0,01 až 0,5 cfflVmin kolem roztavené zóny.Užgorodský výrobně-poligrafický podnik Patent”, Gagarina 101, Ν' 2331 , Cena 2,40 KČs
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS864825A CS260113B1 (cs) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS864825A CS260113B1 (cs) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS482586A1 CS482586A1 (en) | 1988-04-15 |
| CS260113B1 true CS260113B1 (cs) | 1988-12-15 |
Family
ID=5391863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS864825A CS260113B1 (cs) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS260113B1 (cs) |
-
1986
- 1986-06-27 CS CS864825A patent/CS260113B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS482586A1 (en) | 1988-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008037748A (ja) | 低下されたドーパント含量を有する高純度多結晶シリコンを製造するための方法及び装置 | |
| JP5259805B2 (ja) | シリコン中の不純物の測定方法 | |
| US5041186A (en) | Method for manufacturing compound semiconductor single crystals using a hydrogen monitor gas | |
| DE112019006305T5 (de) | Verfahren zum produzieren eines einkristallsiliziumingots und siliziumeinkristallzieheinrichtung | |
| JPS61158891A (ja) | 結晶成長方法 | |
| CS260113B1 (cs) | Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem | |
| CN114599826A (zh) | 单晶提拉方法和单晶提拉装置 | |
| Weiner et al. | Liquid encapsulated Czochralski growth of GaAs | |
| CN113846378A (zh) | 用于制造氮掺杂的单晶硅的方法 | |
| US3226270A (en) | Method of crucible-free production of gallium arsenide rods from alkyl galliums and arsenic compounds at low temperatures | |
| DE3227785C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines stab- oder rohrförmigen Quarzglaskörpers | |
| JP3832536B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法および引上げ機 | |
| US4399116A (en) | Zone purification of silicon in a reactive plasma | |
| Bilgram et al. | Perfection of zone refined ice single crystals | |
| FI4060097T3 (fi) | Laite ja menetelmä seostetun yksikiteisen piitangon valmistamiseksi | |
| US3021198A (en) | Method for producing semiconductor single crystals | |
| CN111676512A (zh) | 一种降低上排气方式单晶炉的晶棒中氧含量的方法 | |
| CN109943889A (zh) | 超高纯度锗多晶的制备方法 | |
| CN109722548A (zh) | 一种提高区熔锗锭合格率生产新工艺 | |
| CN213977956U (zh) | 石英表面熏碳装置 | |
| TWI682077B (zh) | 矽單結晶的製造方法 | |
| US4057395A (en) | Process for determining the donor content of polycrystalline silicon of high purity to be used in the semiconductor industries | |
| JP3198897B2 (ja) | GaAs単結晶の製造方法 | |
| JPH1129399A (ja) | GaAs単結晶の製造方法及びその装置 | |
| CN104928761B (zh) | 一种硅片母合金的制备方法 |