CS260113B1 - Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem - Google Patents
Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem Download PDFInfo
- Publication number
- CS260113B1 CS260113B1 CS864825A CS482586A CS260113B1 CS 260113 B1 CS260113 B1 CS 260113B1 CS 864825 A CS864825 A CS 864825A CS 482586 A CS482586 A CS 482586A CS 260113 B1 CS260113 B1 CS 260113B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- refining
- induction heating
- silicon ingots
- zonal
- flying
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Účelem řečeni je zpřesnění procesu rafinace křemíkových Ingotů při letmá zonální tavbě s indukčním ohřevem. Podstata spočívá v tom, že rafinace probíhá ve vakuu 5 . IO-* qž 5 · 10“! Pa, přičemž zbytková atmosféra Je tvořena proudem inertního plynu, jenž vytváří v okolí roztavené zóny prostředí, kterg se během rafinace nemění β které zabraňuje pronikání par oleje z difuzní vývěvy a molekul necietot netěsnosti aparatury q desorpcí ze stěn komory do roztavené zóny.
Description
’ Vynález se týká způsobu rafinace křemíkových ingotů při letmé zonální tavbě s indukčním ohřevem.
Polykrystalický křemík, vyrobený rozkladem trichlorsilanu na žhavých křemíkových jádrech, určený k výrobě monokrystalů pro polovodiče, obsahuje vždy dvě elektricky aktivní příměsi v měřitelném množství: fosfor a bór. Z hlediska dalšího zpracování se obě uvedené příměsi zásadně liší tím, že z roztaveného křemíku dochází ve vakuu k účinnému odpařování fosforu, kdežto bóru nikoliv. Této vlastnosti fosforu rozpuštěného v křemíku se využívá při rafinaci křemíkových ingotů, kterou je třeba provádět jednak při výrobě velmi čistýoh, tzv. vysokoohmových monokrystalů křemíku, obsahujících fosfor v koncentraci podstatně nižšjj než je možné zajistit při výrobě polykrystalického křemíky a jednak při hodnocení kvality polykrystalického křemíku, kdy na základě elektrofyzikálních vlastností před a po rafinaci je stanovena koncentrace fosforu a bóru v křemíkovém ingotu.
V současné době se pro rafinaci křemíkových ingotů používá zařízení pro letmou zonální tavbu s indukčním ohřevem ve vertikálním souosém uspořádání, jejichž pracovní komory jsou připojeny k vakuovému systému tvořenému rotační vývěvou a difúzní vývěvou, přičemž rotační vývěva nejprve předčerpává pracovní komoru a po předčerpání vytváří předvakuum difúzní vývěvy. Úroveň dosaženého vakua a stav zbytkové atmosféry jsou přitom dány dokonalostí provedení těsnění aparatury, výkonem rotační a difúzní vývěvy, vakuovým odporem použitých spojovacích dílů, kvalitou použi tého oleje v difúzní vývěvě, kvalitou vnitřního povrchu pracovní komory a způsobem, jakým je provedeno omezení pronikání olejových par z difúzní vývěvy do pracovní komory.
— 2 —
Nevýhodou způsobu rafinace křemíkových ingotů v takto koncipovaném zařízení Je, že odpařování fosforu z roztavené zóny neprobíhá v reprodukovatelných podmínkách, zejména pokud jde o stav zbytkové atmosféry. Tato je totiž nekontrolovatelně ovlivňována pronikajícím vzduchem netěsnostmi aparatury, olejem z difúzní vývěvy a desorpcí nečistot ze stěn pracovní komory. Pro křemíkový ingot jsou tyto vlivy zdrojem nečistot, znemožňujícím reprodukovatelnou přípravu křemíkových ingotů pro vysokoohmové monokrystaly a zkreslujícím výsledky hodnocení kvality polykrystalického křemíku.
Uvedené nedostatky odstraňuje způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem ve vertikálním souosém uspořádání podle vynálezu, jehož podstata spočívá *•2 x v tom, že rafinace probíhá ve vakuu 5 . 10 až 5 . 10^ Pa, přičemž zbytková atmosféra je tvořena inertním plynem protékajícím průtočnou rychlostí 0,01 až 0,5 cm^/min kolem roztavené zóny.
Výhoda navrženého způsobu spočívá v tom, že proud inertního plynu vytváří v okolí roztavené zóny prostředí, které se během procesu rafinace nemění a které lze reprodukovatelně připravit. Proud/ inertního plynu znemožňuje přístup olejových par z difúzní vývěvy k tavenině a současně strhává molekuly nečistot pronikajících k roztavené zóně netěsnostmi aparatury a desorpcí ze stěn pracovní komory.
Při rafinaci křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem ve vertikálním souosém uspořádání v pracovní komoře, jejíž horní část je připojena k difúzní vývěvě s.čerpaoí rychlostí 1000 l/min, je do spodní části pracovní komory přiváděn proud argonu průtočnou rychlostí 0,1 cm?/min, jenž v okolí roztaO vené zóny vytváří vakuum 10 Pa, jehož zbytková atmosféra je průtočná a inertní.
Využití vynálezu umožní reprodukovatelně provádění rafinace křemíkových ingotů při výrobě vysokoohmových monokrystalů křemíku a při hodnocení kvality polykrystalického křemíku.
Claims (1)
- Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem ve vertikálním souosém uspořádání ^vyznačený tím, Že rafinace probíhá ve vakuu 5 . 10“2 až 5 · 10”^ Pa, přičemž zbytková atmosféra je tvořena inertním plynem protékajícím, průtočnou rychlostí 0,01 až 0,5 cfflVmin kolem roztavené zóny.Užgorodský výrobně-poligrafický podnik Patent”, Gagarina 101, Ν' 2331 , Cena 2,40 KČs
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS864825A CS260113B1 (cs) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS864825A CS260113B1 (cs) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS482586A1 CS482586A1 (en) | 1988-04-15 |
| CS260113B1 true CS260113B1 (cs) | 1988-12-15 |
Family
ID=5391863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS864825A CS260113B1 (cs) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | Způsob rafinace křemíkových ingotů metodou letmé zonální tavbv s indukčním ohřevem |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS260113B1 (cs) |
-
1986
- 1986-06-27 CS CS864825A patent/CS260113B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS482586A1 (en) | 1988-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Behr et al. | Preparation and properties of high‐purity β‐FeSi2 single crystals | |
| JP5259805B2 (ja) | シリコン中の不純物の測定方法 | |
| US5041186A (en) | Method for manufacturing compound semiconductor single crystals using a hydrogen monitor gas | |
| US4097329A (en) | Process for the production of monocrystalline silicon rods | |
| CN114599826A (zh) | 单晶提拉方法和单晶提拉装置 | |
| DE112019006305T5 (de) | Verfahren zum produzieren eines einkristallsiliziumingots und siliziumeinkristallzieheinrichtung | |
| US5270020A (en) | Apparatus for manufacturing silicon single crystals | |
| Weiner et al. | Liquid encapsulated Czochralski growth of GaAs | |
| US3226270A (en) | Method of crucible-free production of gallium arsenide rods from alkyl galliums and arsenic compounds at low temperatures | |
| DE3227785C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines stab- oder rohrförmigen Quarzglaskörpers | |
| JP3832536B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法および引上げ機 | |
| Bilgram et al. | Perfection of zone refined ice single crystals | |
| EP0625595A2 (en) | Control of oxygen concentration in single crystal pulled up from melt containing group-V element | |
| US3501406A (en) | Method for producing rod-shaped silicon monocrystals with homogeneous antimony doping over the entire rod length | |
| CN111676512A (zh) | 一种降低上排气方式单晶炉的晶棒中氧含量的方法 | |
| CN109943889A (zh) | 超高纯度锗多晶的制备方法 | |
| CN109722548A (zh) | 一种提高区熔锗锭合格率生产新工艺 | |
| TWI682077B (zh) | 矽單結晶的製造方法 | |
| CN117758094A (zh) | 一种大吨位轻合金熔体实时净化方法及系统 | |
| US4111742A (en) | Process for producing crucible-drawn silicon rods containing volatile doping agents | |
| JPH1129399A (ja) | GaAs単結晶の製造方法及びその装置 | |
| CN104928761B (zh) | 一种硅片母合金的制备方法 | |
| Jacob et al. | A Study on Carbon Incorporation in Semi‐Insulating GaAs Crystals Grown by the Vapor Pressure Controlled Czochralski Technique (VCz) Part I: Experiments and Results | |
| JP3709307B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法および製造装置 | |
| Sakai et al. | Development of a sessile drop method concerning Czochralski Si crystal growth |