CS252111B1

CS252111B1 - Způsob čiitiní součástek

Info

Publication number: CS252111B1
Application number: CS841294A
Authority: CS
Inventors: Jindrich Peterka
Original assignee: Jindrich Peterka
Priority date: 1984-02-24
Filing date: 1984-02-24
Publication date: 1987-08-13
Also published as: CS129484A1

Abstract

Způsob čištění součástek zejméne v průmyslu elektroniky a elektrotechniky. Navržená směs rozpouštědel umožňuje rychlejší, kvalitativně i kvantitativně lepší odstranění nečistot s povrchu součástek, než tomu bylo u dosavadních způsobů čištění. Je možno pracovat i v parách směsi rozpouštědel. V případě požadavku ne dosažení vysokého stupně čistoty se odstraní poslední zbytky rozpouštědel i nečistot v nich rozpuštěných za vakue a zvýšené teploty. Popsaného způsobu čištění lze použít všude tam, kde se dosud používalo k čištění rozpouštědel

Description

Vynález řeší zlepšení čištění součástek a jejich souborů, jako. jsou například desky s plošnými spoji, osazená součástkami. Podmínkou dobré funkce všech druhů povrchové ochrany je obecně dostatečné očištění upravovaných součástek před nanášením prostředků povrchové ochrany. Povrchové ochrana se tedy rozpadá na dvě hlavní operace, z nichž prvou operací je čištění a to rozhoduje o kvalitě celé povrchové ochrany. Neexistuje totiž povrchová ochrana, které by byla schopna dobře chránit špatně očištěné desky s plošnými spoji. Jedním ze základních problémů výroby elektronických součástek a zařízení, například součástkami osazených desek s plošnými spoji, jsou výpadky jejich,činnosti, k nimž dochází za jejich provozu. Výpadky jsou důsledkem degradačních procesů, které jsou vyprovokovány zejména vlhkostí s náhlými změnami teploty. Proto je nutno desky s plošnými spoji chránit, což se děje povrchovou ochranou. Čistota desky s plošnými spoji je v moderní elektronice považována za prvořadou podmínku pro dodržení vyhovující kvality povrchové ochrany. Naopak nedostatky v Čistotě desek jsou nejčastější příčinou závad ve funkci desek, o čemž jsou obecně známa vyjádření řady odborníků. Nečistoty, například soli přítomné na povrchu desek s plošnými spoji, reagují s vlhkostí za vzniku elektrolytu.

V ČSSR se ve strojírenství běžně používá odmašťování v parách trichlorethylénu, dnes častěji perchlorethylénu. Dřívější zkoušky autora vynálezu prokázaly, že takové zpracování nedává záruku dobrého vyčištění ani odmaštění, protože nedochází v mnoha případech ani k úplnému smočení povrchu vodou. V elektrotechnice se pak používají postupy, shrnuté v tab 1.

Tabulka. Přehled způsobů čištění desek s plošnými spoji, obvyklých v ČSSR:

Odmaštění v parách trichlorethylénu nebo PK 3000, perchlorethylénu. 0011/001

Ultrazvukem v perchlorethylénu či freonu, PK 3000.

nebo freonu + ethylalkohol. 0014/003

Ponor neb místní odmaštění v a) psrchlor, PK 3000

b) perchlor-freon, c) ethylslkohol-freon. 0012/002

Odmaštování ve směsi freonu 11 a děnatur.

lihu + omytí isopropylalkoholem.

Omytí vodou, destilovanou vodou a isopropylalkoholem.

Kartáčování ethylalkoholem, deneturovaným etherem, čištění v roztoku NaHCO^I emulgátor ..

T + destilovaná voda, oplach vodovodní vodou, oplach destilovanou vodou, ofoukání vzduchem, oplaeh ethylalkoholem, denaturoveným etherem.

Postupy čištění u ostatních výrobců v ČSSR i ve světě se podle dostupných informací podstatně neliší. Nevýhodou současných způsobů čištění desek s plošnými spoji je malá účinnost čištění, takže se toto musí často opakovat, je zdlouhavé a jeho závady jsou nejčastější příčinou závad desek s plošnými spoji. Další nevýhodou stávajících způsobů čištění v oblasti elektroniky je absorpce malých zbytků rozpouštědel s nečistotami v nich obsaženými v laminátu desek s plošnými spoji a nedokonalost odstranění obou těchto eložek.

Podstata vynálezu spočívá v navržení nového způsobu čištění součástek a souborů součástek, jako jsou například desky s tištěnými spoji, osazané součástkami vyznačený tím, že se k čištění používá nově navržené směsi rozpouštědel, sestávající z 25 až 40 obj. % chlorovaného uhlovodíku o počtu uhlíkových atomů 1 a? 4, odlišného od sloučeniny vzorce

R - CC1₃ kúe R je vodík, alkyl Ci halogenovaný alkyl; 25 až 40 obj. % esteru.alifatické monokarboxylové kyseliny, jehož kyselina má počet atomů uhlíku 1 až 2 a alkohol má počet atomů uhlíku 1 až 5; 10 až 25 obj. % sloučeniny vzorce

R - CC1₃ kdy R je vodík, alkyl či halogenovaný alkylJ 10 až 25 obj. % nasyceného alifatického alkoholu a počtu atomů uhlíku 1 až 5 a že se po čiSténí a suSení běžným způsobem odstraní poslední zbytky roztoku vakuovým sušením za laboratorní nebo zvýěené teploty, přičemž hodnoty vakua a zvýěené teploty jsou zcela závislé na odolnosti součástek, které jsou čištěny.

Navržená směs rozpouštědel umožňuje rychlejší rozpouštění nečistot a protože zavádí do procesu čištění další vhodné složky, je rozpouštěna i širší paleta nečistot. Prakticky zcela odpadá dříve dosti častá nutnost čištění opakovat. Pokud se směs aplikuje jako odmaštování v parách, pak se mohou uplatnit i azeotropické vlastnosti směsi. Je-li požadována vysoké čistota součástek, umožňuje navržené odstranění posledních zbytků rozpouštědel - včetně nečistot v nich obsažených - za vhodného ještě přípustného vakua a teploty kvalitativně i kvantitativně lepší stupeň vyčištění. Nová je skutečnost, že v tomto případě dochází při sušení nejen k vytékání posledních zbytků rozpouštědel, což je při zahřívání roztoků za vakua*i bez něj zcela běžné, ale že jsou za těchto podmínek, při stávajícím podstatném poklesu koncentrace nečistot, spolu se zbytky rozpouštědel strhávány i poslední zbytky nečistot, což přináší výrazný zlepšující účinek.

Popsaný způsob čištění se používá při čištění desek s plošnými spoji i při čištění jiných součástek v elektronice. Tak byly například s úspěchem aplikovány tyto směsy:

obj. % dichlorethanu 1,2; 25 obj. % methylesteru kyseliny propionové; 10 obj. % pentachlorethanu a 40 obj. % ethylalkoholu - nebo 40 obj. % 1,2 dichlorethanu, 25 obj. % methylesteru kyseliny propionové, 25 obj. % chloroformu e 10 obj. % ethylalkoholu - nebo 25 obj. % 1,2 dichlorethanu, 40 obj. % methylesteru kyseliny propionové, 10 obj. % methylchloroformu a 25 obj. % ethylalkoholu. Čištěno bylo štětečkem. Po odtékání rozpouštědel za laboratorních podmínek bylo sušeno při 50 kPa a 40 °C. Potvrdily se všechny předpoklady, popsané v předcházejících odstavcích. Čištění bylo rychlejší a kvalitnější, než u dříve popsaných postupů, nebylo ho nutno opakovat.

Navrhovaný postup čištění se dá použít v elektrotechnice, v elektronice, ale i všude tam, kde byla až dosud používána k čištění rozpouštědla buč samotná, nebo tato s příměsí dalších látek. Krom strojírenství lze popsaný postup čištění použít i v dalších průmyslových odvětvích, nakonec i v oblasti spotřebního průmyslu a jinde.

Claims

PŘEDMĚT VYNÁLEZU

Způsob ČiětŠní součástek a souborů součástek, jako jsou například desky s tištěnými spoji, osazené součástkami vyznačené tím, že se k čištění používá směsi rozpouštědel, sestávající z

25 až 40 obj. % chlorovaného uhlovodíku o počtu uhlíkových atomů 1 až 4, odlišného od sloučeniny vzorce

R - CC1₃ kde R je vodík, alkyl či halogenovaný alkyl; 25 až 40 obj. % esteru alifatické monokarboxylové kyseliny, jehož kyselina má počet atomů uhlíku 1 až 2 a alkohol má počet atomů uhlíku , až 5;

10 až 25 obj. % sloučeniny vzorce R - CC1₃ kde B je vodík, alkyl či halogenovaný alkyl; 10 až 25 obj. % nasyceného alifatického alkoholu o počtu atomů uhlíku 1 až 5 a že ee po čištění a sušení běžným způsobem odstraní poslední zbytky roztoku vakuovým sušením za laboratorní nebo zvýšené teploty, přičemž hodnoty vakua a zvýšené teploty jsou určeny hodnotami, které jsou ještě pro čištěné součástky přípustné.