CS248397B1 - Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek - Google Patents
Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek Download PDFInfo
- Publication number
- CS248397B1 CS248397B1 CS815385A CS815385A CS248397B1 CS 248397 B1 CS248397 B1 CS 248397B1 CS 815385 A CS815385 A CS 815385A CS 815385 A CS815385 A CS 815385A CS 248397 B1 CS248397 B1 CS 248397B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- power semiconductor
- cathode contact
- forming
- semiconductor devices
- silver
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
Řešení se týká spůaobu vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek na bázi křemíku např. diod, tyristorů nebo transistorů. Křemíková deska ee po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvou stříbra tlouětky maximálně 1 <u»f dále vrstvou hliníku tlouětky maximálně i /ns s následným zesílením vrstvou stříbra případně hliníku tlouětky maximálně 10 fm.
Description
Vynález se týká způsobu vytvoření katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek na bázi křemíku např. diod, tyristorů nebo tranzistorů.
a*
Při výrobč tčchto součástek se křemíková deska a vytvořenými PN přechody, vBtSinou nejprve připájí slitinami na bázi hliník-olovo k molybdenová nebo wolframová dilatační elektrodě . Potom následuje pokoveni druhá strany křemíková desky, tzv. katody či emitoru, která se provádí nejčaatěji vakuovým napařováním hliníku, zlata, niklu a pod.
Z technologických důvodů by bylo výhodnější toto pokoveni provést před připájením křemíková desky k molybdenové (wolframové) elektrodě. Znamenalo by to vSak, zajistit pro katodový (emitorový) kontakt strukturální odolnost proti teplotě připájení křemíková desky k dilatační elektrodě což v případě pájky na bázi hliník-olovo je cca 700 °C. Běžně užívaná kontaktní materiály tuto odolnost nemají vzhledem k nízkým teplotám taveni (hliník, zlato) případně vzhledem ke vzniku intermetalických fází s křemíkem (nikl).
Tento problém řeěí Způsob vytvoření katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že křemíkové deska se po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvou stříbra tlouSlky maximálně 1 pm, dále vrstvou hliníku tlouSlky maximálně ' pm s následným zesílením vrstvou stříbra případně hliníku tlouělky maximálně 10 pm.
S výhodou se až 95 % tlouělky třetí vrstvy stříbra vyloučí elektrochemicky. t
Přínosem aplikace vynálezu v sériová výrobě výkonových polovodičových součástek je úspora pracnosti a materiálů, zejména drahých kovů.
Při teplotě pájení křemíku k dilatační elektrodě 700 °C sice dojde k roztavení kontaktních kovů, ale pouze ve velmi úzká oblasti ze strany křemíková desky. Vnějěl oblast kontaktu zůstane strukturálně nezměněna. Při požadavku teplotní odolnosti kontaktu pouze do 550 °C je možná třetí vrstvu stříbra nahradit hliníkem. Takto vytvořené katodová kontakty se vyznačují velmi dobrou ohmičností a spolehlivostí.
Příklad provedení č. 1
Křemíková deska 0 28 mm pro výkonovou diodu se po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvami stříbra 0,2 pm, hliníku 0,5 um a opět stříbra 0,2/um. Po skončeni napařovacího procesu se třetí vrstva zesílí galvanicky stříbrem na celkovou tlouělku kontaktu 4 pm.
Příklad provedení č. 2
Křemíková deska 0 40 mm pro středofrekvenční tyristor se po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvou stříbra tloušlky 0,2 pm a dále vrstvou hliníku tlouSlky 0,2/um, která se následně zesílí na celkovou tlouSlku kontaktu 8 pm.
Claims (2)
- PfiEDMĚT V ΪΗ (LÍZ U1· Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek, vyznačený tím, že křemíková deska se po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvou stříbra tloušlky maximálně 1 pm, dále vrstvou hliníku tloušlky maximálnS 1 /um s následným zesílením vrstvou stříbra, případnS hliníku tlouSlky maximálnS lOpm.
- 2. Způsob vytvoření katodového kontaktu podle bodu 1, vyznačený tím, Se až 95 % tlouSlky Zřetí vrstvy stříbra se vyloučí elektrochemicky.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS815385A CS248397B1 (cs) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS815385A CS248397B1 (cs) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS248397B1 true CS248397B1 (cs) | 1987-02-12 |
Family
ID=5431729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS815385A CS248397B1 (cs) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS248397B1 (cs) |
-
1985
- 1985-11-13 CS CS815385A patent/CS248397B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8710678B2 (en) | Device and method including a soldering process | |
| US20220059484A1 (en) | Designs and methods for conductive bumps | |
| US7022548B2 (en) | Method for making a semiconductor die package | |
| US3480412A (en) | Method of fabrication of solder reflow interconnections for face down bonding of semiconductor devices | |
| US20210225795A1 (en) | Power Semiconductor Device and Method for Fabricating a Power Semiconductor Device | |
| US20240373548A1 (en) | Pre-Plating of Solder Layer on Solderable Elements for Diffusion Soldering | |
| US5106009A (en) | Methods of joining components | |
| US3522087A (en) | Semiconductor device contact layers | |
| US3159462A (en) | Semiconductor and secured metal base and method of making the same | |
| CN100508147C (zh) | 电镀方法和接触凸起装置 | |
| US6468413B1 (en) | Electrochemical etch for high tin solder bumps | |
| GB2221570A (en) | Bonding a semiconductor to a heat sink | |
| JP2017188544A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| CS248397B1 (cs) | Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek | |
| US3942244A (en) | Semiconductor element | |
| JP3412969B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US3093882A (en) | Method for producing a silicon semiconductor device | |
| JP2022523791A (ja) | パターン化されたウェハハンダ拡散障壁 | |
| US5760482A (en) | Semiconductor device of the type sealed in glass comprising a semiconductor body connected to slugs by means of a silver-aluminum bonding layer | |
| US4806818A (en) | Method of providing electrical contact to a semiconductor cathode, cathode so produced, and electron tube provided with such cathode | |
| JPS59189625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU2564685C1 (ru) | Способ сплавления | |
| US20060266446A1 (en) | Whisker-free electronic structures | |
| JPH05335309A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3466498B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 |