CS248397B1 - Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek - Google Patents

Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek Download PDF

Info

Publication number
CS248397B1
CS248397B1 CS815385A CS815385A CS248397B1 CS 248397 B1 CS248397 B1 CS 248397B1 CS 815385 A CS815385 A CS 815385A CS 815385 A CS815385 A CS 815385A CS 248397 B1 CS248397 B1 CS 248397B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
power semiconductor
cathode contact
forming
semiconductor devices
silver
Prior art date
Application number
CS815385A
Other languages
English (en)
Inventor
Pavel Stejskal
Jaroslav Zamastil
Pavel Pojman
Original Assignee
Pavel Stejskal
Jaroslav Zamastil
Pavel Pojman
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pavel Stejskal, Jaroslav Zamastil, Pavel Pojman filed Critical Pavel Stejskal
Priority to CS815385A priority Critical patent/CS248397B1/cs
Publication of CS248397B1 publication Critical patent/CS248397B1/cs

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)

Abstract

Řešení se týká spůaobu vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek na bázi křemíku např. diod, tyristorů nebo transistorů. Křemíková deska ee po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvou stříbra tlouětky maximálně 1 <u»f dále vrstvou hliníku tlouětky maximálně i /ns s následným zesílením vrstvou stříbra případně hliníku tlouětky maximálně 10 fm.

Description

Vynález se týká způsobu vytvoření katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek na bázi křemíku např. diod, tyristorů nebo tranzistorů.
a*
Při výrobč tčchto součástek se křemíková deska a vytvořenými PN přechody, vBtSinou nejprve připájí slitinami na bázi hliník-olovo k molybdenová nebo wolframová dilatační elektrodě . Potom následuje pokoveni druhá strany křemíková desky, tzv. katody či emitoru, která se provádí nejčaatěji vakuovým napařováním hliníku, zlata, niklu a pod.
Z technologických důvodů by bylo výhodnější toto pokoveni provést před připájením křemíková desky k molybdenové (wolframové) elektrodě. Znamenalo by to vSak, zajistit pro katodový (emitorový) kontakt strukturální odolnost proti teplotě připájení křemíková desky k dilatační elektrodě což v případě pájky na bázi hliník-olovo je cca 700 °C. Běžně užívaná kontaktní materiály tuto odolnost nemají vzhledem k nízkým teplotám taveni (hliník, zlato) případně vzhledem ke vzniku intermetalických fází s křemíkem (nikl).
Tento problém řeěí Způsob vytvoření katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že křemíkové deska se po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvou stříbra tlouSlky maximálně 1 pm, dále vrstvou hliníku tlouSlky maximálně ' pm s následným zesílením vrstvou stříbra případně hliníku tlouělky maximálně 10 pm.
S výhodou se až 95 % tlouělky třetí vrstvy stříbra vyloučí elektrochemicky. t
Přínosem aplikace vynálezu v sériová výrobě výkonových polovodičových součástek je úspora pracnosti a materiálů, zejména drahých kovů.
Při teplotě pájení křemíku k dilatační elektrodě 700 °C sice dojde k roztavení kontaktních kovů, ale pouze ve velmi úzká oblasti ze strany křemíková desky. Vnějěl oblast kontaktu zůstane strukturálně nezměněna. Při požadavku teplotní odolnosti kontaktu pouze do 550 °C je možná třetí vrstvu stříbra nahradit hliníkem. Takto vytvořené katodová kontakty se vyznačují velmi dobrou ohmičností a spolehlivostí.
Příklad provedení č. 1
Křemíková deska 0 28 mm pro výkonovou diodu se po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvami stříbra 0,2 pm, hliníku 0,5 um a opět stříbra 0,2/um. Po skončeni napařovacího procesu se třetí vrstva zesílí galvanicky stříbrem na celkovou tlouělku kontaktu 4 pm.
Příklad provedení č. 2
Křemíková deska 0 40 mm pro středofrekvenční tyristor se po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvou stříbra tloušlky 0,2 pm a dále vrstvou hliníku tlouSlky 0,2/um, která se následně zesílí na celkovou tlouSlku kontaktu 8 pm.

Claims (2)

  1. PfiEDMĚT V ΪΗ (LÍZ U
    1· Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek, vyznačený tím, že křemíková deska se po běžném očistění napaří ve vakuu vrstvou stříbra tloušlky maximálně 1 pm, dále vrstvou hliníku tloušlky maximálnS 1 /um s následným zesílením vrstvou stříbra, případnS hliníku tlouSlky maximálnS lOpm.
  2. 2. Způsob vytvoření katodového kontaktu podle bodu 1, vyznačený tím, Se až 95 % tlouSlky Zřetí vrstvy stříbra se vyloučí elektrochemicky.
CS815385A 1985-11-13 1985-11-13 Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek CS248397B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS815385A CS248397B1 (cs) 1985-11-13 1985-11-13 Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS815385A CS248397B1 (cs) 1985-11-13 1985-11-13 Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS248397B1 true CS248397B1 (cs) 1987-02-12

Family

ID=5431729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS815385A CS248397B1 (cs) 1985-11-13 1985-11-13 Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS248397B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8710678B2 (en) Device and method including a soldering process
US20220059484A1 (en) Designs and methods for conductive bumps
US7022548B2 (en) Method for making a semiconductor die package
US3480412A (en) Method of fabrication of solder reflow interconnections for face down bonding of semiconductor devices
US20210225795A1 (en) Power Semiconductor Device and Method for Fabricating a Power Semiconductor Device
US20240373548A1 (en) Pre-Plating of Solder Layer on Solderable Elements for Diffusion Soldering
US5106009A (en) Methods of joining components
US3522087A (en) Semiconductor device contact layers
US3159462A (en) Semiconductor and secured metal base and method of making the same
CN100508147C (zh) 电镀方法和接触凸起装置
US6468413B1 (en) Electrochemical etch for high tin solder bumps
GB2221570A (en) Bonding a semiconductor to a heat sink
JP2017188544A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
CS248397B1 (cs) Způsob vytvořeni katodového kontaktu výkonových polovodičových součástek
US3942244A (en) Semiconductor element
JP3412969B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US3093882A (en) Method for producing a silicon semiconductor device
JP2022523791A (ja) パターン化されたウェハハンダ拡散障壁
US5760482A (en) Semiconductor device of the type sealed in glass comprising a semiconductor body connected to slugs by means of a silver-aluminum bonding layer
US4806818A (en) Method of providing electrical contact to a semiconductor cathode, cathode so produced, and electron tube provided with such cathode
JPS59189625A (ja) 半導体装置の製造方法
RU2564685C1 (ru) Способ сплавления
US20060266446A1 (en) Whisker-free electronic structures
JPH05335309A (ja) 半導体装置
JP3466498B2 (ja) 配線基板及びその製造方法