CS270365B1 - Výkonová polovodičová součástka - Google Patents
Výkonová polovodičová součástka Download PDFInfo
- Publication number
- CS270365B1 CS270365B1 CS878335A CS833587A CS270365B1 CS 270365 B1 CS270365 B1 CS 270365B1 CS 878335 A CS878335 A CS 878335A CS 833587 A CS833587 A CS 833587A CS 270365 B1 CS270365 B1 CS 270365B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor
- aluminum
- silver
- molybdenum
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Výkonová polovodičová součástka obsahuje polovodičový eyetáa (1); kluzné uložený mezi dvčme poniklovanými mčdénými elektrodami (2, 3). Polovodičový systém (1) Je^tvořen polovodičovou deskou (4) a alespoň jedním PN přechodem z Jedná strany tvrdé napájenou vrstvou (5) slitiny na bázi hliníku ne první stranu dilatační elektrody (6) z molybdenu nebo křemíku. Druhá etrana dilatační elektrody (6) je opatřena vrstvou (71 etřibra a druhá strana polovodičová desky (4) je opatřena kontaktem » tvořeným vrstvou (8) kovu ze ekuptny stříbro, hliník; titan. Využiti výkonových diodových a tyrietorových polovodičových systémů umožni sníženi technologické nák ročnoetl a úsporu drahých kovů.
Description
Vynález ee týká výkonové polovodičové součástky,' obsahující křemíkovou desku e alespoň jedním PN přechode· s alespoň jednou dilatační elektrodou.
Výkonová polovodičová součástka e tzv. tvrdým spojen je v podstatě složena ze křemíkové desky spojené slitinou na bázi hliníku · wolframovou nebo molybdenovou dilatační elektrodou, která chrání křemíkovou deeku před mechanickým poškozením a zajišťuje dobré tepelné a elektrické vlastnosti součástky. K druhé stranš křemíkové desky je kluzně uložens molybdenová dilatační elektroda. Celý systém je rovněž kluzně uložen mezi elektrodami hermeticky uzavřeného pouzdra. Při spojeni křemíkové desky e dilatační elektrodou^ které ss provádí při teplotách 600 až 750 °c; dochází k bimetalickému jevu, jež ee projevuje prohnutím soustavy křemík-elsktroda. Zmíněné prohnutí soustavy as napříz- f nivě projevuje při dilated dílů součástky ze provozu. Pro potlačení těchto jevů je nutné vytvořit na kluzných plochách vhodné pokoveni.
Současný stav využívaný u výkonových polovodičových součástek s tvrdě pájenou křemíkovou deskou slitinou na bázi hliníku k dilatační elektrodě je následující:
U součástek se zlatým katodovým kontaktem je mezi horní měděnou poniklovanou elektrodou pouzdra a polovodičovým systémem kluzně uložena molybdenová dilatační elektroda obouatranně poniklované. Polovodičový systé· je tvořen křemíkovou deskou tvrdě napájenou na jednu střeny molybdenové nebo wolframové dilatační elektrody, jejíž druhá strana je opatřena zlatým kontaktem. Druhá etrana křemíkové deeky je rovněž opatřena zlotým kontakte·. Celý polovodičový systém kluzně dosedá ne dolní poniklovanou měděnou elektrodu pouzdra.
U součástek e hliníkovým katodovým kontaktem je mezi horní měděnou poniklovanou elektrodou pouzdra a polovodičový· ayeténe· kluzně uložena nolybdenová dilatační elektroda, na otřeně k elektrodě pouzdro pozlecená a na atraně ke křemíkové desce poniklované. Polovodičový oyotén je tvořen křemíkovou deekou tvrdě napájenou ne jednu stranu ·. Molybdenové nebo wolframové dilatační elektrody. Jejíž druhá etrana je opetřeno zlatým kontaktem; který kluzně dosedá ne dolní poniklovenou Měděnou elektrodou pouzdra. Druhá strana křemíkové desky je opetřeno hliníkový· kontaktem.
Uvedené konstrukce zaručuji dobré elektrické a tepelné vlostnoeti součástek při zachování jejich dlouhodobé životnosti. Používání zlatého kontaktu na dilatačních elektrodách u tvrdě pájených eyeténO je nezbytné z důvodu zajištěni vysoké odolnosti tohoto kontaktu při kyaelén leptáni fazety. Spolu e druhou vrstvou zlaté vo styku s nikle·, tj. zlatého katodového kontaktu nebo vretvy zlaté na molybdenové dileteční elektrodě u hliníkového katodového kontaktu, tak byly zajištěny i potřebná adhezní vlastnosti při tepolné dilataci celé soustavy. Nevýhodou tohoto zpúaobu je vysoká cena a značná technologická náročnost.
Uvedenou nevýhodu stávejiciho provedení řeší výkonová polovodičová součástks podle * vynálezu,' Jehož podstato spočívá v ton, že druhá strana dilatační elektrody je opatřena vratvou stříbra o druhá etrana polovodičové desky Je opatřena kontakte· tvořený· vratvou kovu ze skupiny stříbře, hliník, titsn.
Dále je s výhodou nozi pokovenou polovodičovou desku s poniklovanou měděnou elektrodu kluzně uložena dilatační molybdenová elektroda s drsnosti povrchu 0,1 až 0,4/um.
Výhodou vynálezu jo eniženl technologické náročnosti. Zatímco zlatý kontakt Je technologicky vytvářen napeřenln vrstvy zlato na dilatační elektrodu a následným tepelným zažíhnutí·, stříbrný kontakt je vytvářen galvanickým pokovením; což je technologická operace úspornější z hlediska časové náročnosti a nevyžaduje použití vakuových napařovacích a zažihávacích zařízeni.
Vyšší účinky vynálezu spočívají dálo vo 100% úspoře zlata při výrobě výkonových polovodičových součástek podle vynálezu. Náklady na vytvářeni stříbrného kontaktu před2 CS 270 365 Bl stavuji vzhledán k jeho tloušťce cca 25 % nákladů zlatého kontaktu.
Výkonová polovodičová součástka podle vynálezu jo sohsmatioky znázorněna na výkrseu. Polovodičový eyetán JL je kluzně uložen nozi měděné poniklované elektrody 2 o 3. Polovodičový eyotén ,1 je tvořen polovodičovou dečkou 4; které je z jedné otřeny tvrdě napájena vretvou 5 alitiny na bázi hliníku na první stranu dilatační elektrody 6 z molybdenu nebo křemíku. Druhá etrana dilatační elektrody 6 je opatřena vretvou 7 stříbra,' a druhá etrana polovodičové desky 4 js opatřena kontaktem tvořeným vrstvou 8 kovu ze skupiny stříbro, hliník; titan.
Řešeni výkonové polovodičové ooučéetky podle vynálezu zcela odetraňuje zlatý kontakt na dilatační elektrodě, k niž je tvrdě napájena křemíkový deska a nahrazuje jej kontaktem stříbrným, zaručujícím lapěl adhezní vlaetnoati a zajišťujícím i vysokou odolnost při použiti změněného způsobu leptání fázety.
Za provozu výkonové polovodičové ooučéetky dochází vlivem tepelných změn k dilatacl soustavy, z níž se součástka skládá. Využiti postříbřené dilatační elektrody z molybdenu nebo křemíku; na které je napájena polovodičová deaka a aleepoň jedním PN přechodem; je podmíněno eoučaeným použitím katodového kontaktu křemíkové desky zo skupiny stříbra, hliníku nebo titanu. Tím jeou po uložení této eouotevy mezi dvě měděné elektrody pouzdra pokovené niklem zaručeny potřebné adhezní vlaatnoati celé soustavy za provozu a vhodné tepelné a elektrické vlaatnoati eoučáetky. U velkoplošných eoučáatek nebo eoučáetek ee složitou vertikálně i horizontálně členěnou strukturou přispívá ks zlepšení adhezních vlaetnoetí vloženi kluzné molybdenové elektrody e dranoatí povrchu meněi než 0,4jum mezi kontakt polovodičové deeky a elektrodu pouzdra.
Příkladem využiti vynálezu jo např. tyrietor na křemíkové desce o průměru 28 mm, která je slitinou A1S1 12 připájenik molybdenové elektrodě no etraně k pouzdru pokovené vretvou atřiba o tloušťce Ijum. Katodový kontakt křemíkové deeky je hliníkový, a kluzně na něj dosedá nepokovená molybdenová dilatační elektroda e dranoatí povrchu 0,20 Aim. Celá teto aouatava je kluzně uložena mezi dvě měděné elektrody pouzdra pokovené niklem o a lie vrat vy 3>um·
Vynález nalezne uplatněni při výrobě výkonových polovodičových součástek, u nichž je křemíková deeka a alespoň jedním PN přechodem připojena k dilatační elektrodě elitinou na bázi hliníku. Využití vynálezu přineeo úsporu kovů o pracnosti při výrobě výkonových polovodičových součástek.
Claims (2)
1. Výkonová polovodičová součástka, obaahujicí mezi dvěma poniklovanými měděnými elektrodami kluzně uložený polovodičový aystém tvořený polovodičovou deskou s alospoň «i jedním PN přechodem; z jedné atrany tvrdě napájenou elitinou na bázi hliníku na první stranu dilatační elektrody z molybdenu nebo křemíku,1 vyznačující ae tím, že druhá strana dilatační elektrody (6) jo opatřena vretvou (7) stříbra a druhá etrana polovodičové deeky (4) je opatřena kontaktem tvořeným vretvou (8) kovu zo okupiny stříbro,hliník, titan.
2. Výkonová polovodičová eoučáetka podle bodu 1/ vyznačená tím,' že mezi pokovenou polovodičovou deekou (4) a poniklovanou měděnou elektrodou (2) pouzdra je kluzně uloženo molybdenová elektroda a dranoatí povrchu 0,'l až 0/4 um.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS878335A CS270365B1 (cs) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | Výkonová polovodičová součástka |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS878335A CS270365B1 (cs) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | Výkonová polovodičová součástka |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS833587A1 CS833587A1 (en) | 1989-11-14 |
| CS270365B1 true CS270365B1 (cs) | 1990-06-13 |
Family
ID=5433762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS878335A CS270365B1 (cs) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | Výkonová polovodičová součástka |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS270365B1 (cs) |
-
1987
- 1987-11-19 CS CS878335A patent/CS270365B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS833587A1 (en) | 1989-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100589243C (zh) | 半导体器件 | |
| US8030744B2 (en) | Arrangement for electrically connecting semiconductor circuit arrangements to an external contact device and method for producing the same | |
| EP0935286A4 (en) | COPPER CIRCUIT CONNECTING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURE | |
| EP3196929B1 (en) | Method of manufacturing bonded body, method of manufacturing power module substrate with heat sink, and method of manufacturing heat sink | |
| CN101013683A (zh) | 半导体集成电路器件 | |
| US20240373548A1 (en) | Pre-Plating of Solder Layer on Solderable Elements for Diffusion Soldering | |
| US4719500A (en) | Semiconductor device and a process of producing same | |
| JPH0936186A (ja) | パワー半導体モジュール及びその実装方法 | |
| EP2693465A1 (en) | Electronic device and method of manufacturing such device | |
| US3522087A (en) | Semiconductor device contact layers | |
| US10651109B2 (en) | Selective plating of semiconductor package leads | |
| EP4145495A1 (en) | Method of manufacturing an electrical interconnect for a semiconductor device as well as the corresponding device having the same | |
| EP0538019A2 (en) | Lead frame for a semiconductor device | |
| CS270365B1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka | |
| US20160126216A1 (en) | Method of forming an interconnection and arrangement for a direct interconnect chip assembly | |
| US4862248A (en) | Contacting system for bipolar electronic circuit elements, more particularly semiconductor circuit elements | |
| CN112086372B (zh) | 一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法 | |
| US7582919B2 (en) | Functional coating of the SCFM preform | |
| CN217468417U (zh) | 串联式肖特基二极管封装组件 | |
| CZ6388U1 (cs) | Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem | |
| CN213752692U (zh) | 封装基座和封装基座组合板 | |
| US3280385A (en) | Semiconductor device with pressure maintained non-bonded connectors | |
| CN120809705A (zh) | 复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法 | |
| WO1996029735A1 (en) | Semiconductor device of the type sealed in glass comprising a semiconductor body connected to slugs by means of a silver-aluminium bonding layer | |
| EP3809453A1 (en) | Method of forming an interconnection between metallic layers of an electric component and an electronic component with removal of oxide layers from the metallic layers by a reducing agent as well as a corresponding arrangement |