CZ6388U1 - Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem - Google Patents

Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem Download PDF

Info

Publication number
CZ6388U1
CZ6388U1 CZ19976580U CZ658097U CZ6388U1 CZ 6388 U1 CZ6388 U1 CZ 6388U1 CZ 19976580 U CZ19976580 U CZ 19976580U CZ 658097 U CZ658097 U CZ 658097U CZ 6388 U1 CZ6388 U1 CZ 6388U1
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
electrode
power semiconductor
semiconductor
molybdenum
nickel
Prior art date
Application number
CZ19976580U
Other languages
English (en)
Inventor
Jaroslav Kábrt
Pavel Ing. Pojman
Zdeněk Daníček
Original Assignee
Polovodiče, A.S.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Polovodiče, A.S. filed Critical Polovodiče, A.S.
Priority to CZ19976580U priority Critical patent/CZ6388U1/cs
Publication of CZ6388U1 publication Critical patent/CZ6388U1/cs

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem
Oblast techniky
Technické řešení se týká výkonové polovodičové součástky s tzv. tvrdým spojem, zejména vhodného pokovení kluzných ploch při dilataci dílů součástky za provozu.
Dosavadní stav techniky
Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem je složena z křemíkové desky spojené slitinou na bázi hliníku s wolframovou nebo molybdenovou dilatační elektrodou, která chrání křemíkovou desku před mechanickým poškozením a zajišťuje dobré tepelné a elektrické vlastnosti součástky. K druhé straně křemíkové desky je kluzně uložena molybdenová distanční elektroda a celý systém je rovněž kluzně uložen mezi elektrodami hermeticky uzavřeného pouzdra. Při spojení křemíkové desky s dilatační elektrodou, které se provádí při teplotách 600° až 750 °C, dochází k bimetalickému jevu, který se projevuje prohnutím soustavy křemík-elektroda. Uvedené prohnutí se velmi negativně projevuje při dilataci dílů součástky za provozu a pro potlačení těchto jevů je nutno vytvořit na kluzných plochách vhodné pokovení. U součástek se zlatým katodovým kontaktem je mezi horní měděnou poniklovanou elektrodou pouzdra s polovodičovým systémem kluzně uložena molybdenová dilatační elektroda oboustranně poniklovaná. Polovodičový systém je tvořen křemíkovou deskou tvrdě napájenou na jednu stranu molybdenové nebo wolframové dilatační elektrody, jejíž druhá strana je opatřena zlatým kontaktem. Druhá strana křemíkové desky je rovněž opatřena zlatým kontaktem. Celý polovodičový systém kluzně dosedá na dolní poniklovanou měděnou elektrodu pouzdra. U součástek s hliníkovým katodovým kontaktem je mezi horní měděnou poniklovanou elektrodou pouzdra s polovodičovým systémem kluzně uložena molybdenová dilatační elektroda, na straně k elektrodě pouzdra pozlacená a na straně ke křemíkové desce poniklovaná. Polovodičový systém je tvořen křemíkovou deskou tvrdě napájenou na jednu stranu molybdenové nebo wolframové dilatační elektrody, jejíž druhá strana je opatřená zlatým kontaktem, který kluzně dosedá na dolní poniklovanou měděnou elektrodu pouzdra. Druhá strana desky je opatřena hliníkovým kontaktem. Používání zlata jako kluzné plochy při dilatačním pnutí zajišťuje dobré vlastnosti jako odolnost a dobrý kontakt zlaté vrstvy. Značnou nevýhodou je však vysoká cena a náročná technologie nanášení.
Podstata technického řešení
Uvedené nedostatky do značné míry odstraňuje výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem, jejíž podstata spočívá v tom, že druhá strana dilatační elektrody je opatřena vrstvou stříbra a druhá strana polovodičové desky je opatřena kontaktem tvořeným vrstvou kovu ze skupiny stříbra Ag, hliníku AI a titanu Ti. Dále je mezi pokovenou polovodičovou desku a poniklovanou měděnou elektrodu kluzně uložena dilatační molybdenová vrstva s drsností povrchu 0,1 až 0,4 μιη. Výhodou tohoto řešení je jednodušší technologie nanášení, neboť zlatou vrstvu nutno napařovat, kdežto stříbrný kontakt je vytvářen galvanickým pokovením. Významná je rovněž úspora zlata. Náklady na vytvoření stříbrného kontaktu
-1CZ 6388 Ul představují vzhledem k jeho tloušťce cca 25 % nákladů na zlatý kontakt.
Přehled obrázků na výkrese
Technické řešení bude dále osvětleno na výkrese, na kterém znázorněno uložení jednotlivých částí součástky včetně nanesených vrstev
Příklady provedeni
Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem je schematicky znázorněna na výkresu. Polovodičový systém 1 je kluzně uložen mezi měděné poniklované elektrody 2 a 3. Polovodičový systém 1 je tvořen polovodičovou deskou 4., která je z jedné strany tvrdě napájena vrstvou 5 slitiny na bázi hliníku na první stranu dilatační elektrody 6 z molybdenu nebo křemíku. Druhá strana dilatační elektrody 6 je opatřena vrstvou 7 stříbra a druhá strana polovodičové desky 4 je opatřena kontaktem tvořeným vrstvou £ kovu ze skupiny stříbro Ag, hliník AI, titan Ti a mezi pokovenou polovodičovou desku 4 a poniklovanou měděnou elektrodu 2 pouzdra je kluzně uložena molybdenová elektroda 9 s drsností povrchu 0,1 až 0,4 μιη.
Průmyslová využitelnost
Technické řešení je možno uplatnit při výrobě výkonových polovodičových součástek, u nichž je křemíková elektroda s alespoň jedním PN přechodem připojena k dilatační elektrodě slitinou na bázi hliníku.

Claims (2)

  1. NÁROKY NA OCHRANU
    1. Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem, obsahující mezi dvěma poniklovanými měděnými elektrodami kluzně uložený polovodičový systém tvořený polovodičovou deskou s alespoň jedním PN přechodem, z jedné strany tvrdě napájenou slitinou na bázi hliníku na první stranu dilatační elektrody z molybdenu nebo křemíku, vyznačující se tím, že druhá strana dilatační elektrody (6) je opatřena vrstvou (7) stříbra a druhá strana polovodičové desky (4) je opatřena kontaktem tvořeným vrstvou (8) kovu ze skupiny stříbro Ag, hliník AI, titan Ti.
  2. 2. Výkonová polovodičová součástka podle nároku 1, vyznačující se tím, že mezi pokovenou polovodičovou desku (4) a poniklovanou měděnou elektrodu (2) pouzdra je kluzně uložena molybdenová elektroda (9) s drsností povrchu 0,1 až 0,4 μπι.
CZ19976580U 1997-04-18 1997-04-18 Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem CZ6388U1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ19976580U CZ6388U1 (cs) 1997-04-18 1997-04-18 Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ19976580U CZ6388U1 (cs) 1997-04-18 1997-04-18 Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ6388U1 true CZ6388U1 (cs) 1997-07-23

Family

ID=38827707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ19976580U CZ6388U1 (cs) 1997-04-18 1997-04-18 Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem

Country Status (1)

Country Link
CZ (1) CZ6388U1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3196929B1 (en) Method of manufacturing bonded body, method of manufacturing power module substrate with heat sink, and method of manufacturing heat sink
US8593817B2 (en) Power semiconductor module and method for operating a power semiconductor module
US9673163B2 (en) Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device
EP3196930B1 (en) Bonded body, power module substrate with heat sink, use of the bonded body as a heat sink, method for manufacturing bonded body
EP3041043A1 (en) Assembly and power-module substrate
US10727167B2 (en) Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device
WO2004030093A1 (en) Press pack power semiconductor module
EP3236495B1 (en) Circuit substrate and electronic device
KR20140011686A (ko) 전력 소자 및 전력 소자 모듈
JP2000200865A (ja) 絶縁基板及び半導体装置
US20070025684A1 (en) Connection Structure Semiconductor Chip and Electronic Component Including the Connection Structure and Methods for Producing the Connection Structure
EP0915512B1 (en) Ceramic substrate having a metal circuit
JP4104429B2 (ja) モジュール構造体とそれを用いたモジュール
CN106488663B (zh) 使用间距保持器将第一焊接件焊接在第二焊接件上的方法
US6534792B1 (en) Microelectronic device structure with metallic interlayer between substrate and die
US20210210406A1 (en) Method for producing a circuit carrier, circuit carrier, method for producing a semiconductor module and semiconductor module
US11538734B2 (en) Power semiconductor package with highly reliable chip topside
RU2345444C1 (ru) Способ изготовления корпуса для полупроводникового прибора свч
CZ6388U1 (cs) Výkonová polovodičová součástka s tvrdým spojem
CN112086372B (zh) 一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法
US8188592B2 (en) Apparatus and method configured to lower thermal stresses
CN100394591C (zh) 短路失效模式预制件的功能涂层
CN114406460B (zh) 一种激光巴条封装结构及焊接夹具与方法
JP2008147309A (ja) セラミックス基板およびこれを用いた半導体モジュール
CS270365B1 (cs) Výkonová polovodičová součástka