CS243413B1 - Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon - Google Patents

Abstract

Řeěení ee týká křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon ee soustavou avětlocltlivých diod, vytvořenou na základním monokrystalickém křemíku typu N a opatřeného povrchovou svodovou vrstvou. Účelem řeěení je takové uspořádání povrchové svodové vrstvy, které by umoSnilo přesnější geometrii jejího rozčlenění a možnost spolehlivější reprodukce při výrobě. Uvedeného učelu ee dosáhne tím, že křemíkový terčík podle vynálezu má na svém povrchu ze atrany diod mříž, oddělující geometricky každou diodu od ostatních, přičemž tato mříž je ee stran podleptáne tak, ae povrchová svodová vratva nanesená na celou ploehu terčíku tvoří nad každou diodou ostrůvek, od Okolí elektricky odizolovaný. Mříž může být například z kysličníku křemičitého, z amorfního nobo polykryetolického křemíku nebo z borsilikátového skla. S

Description

(54) Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon

Řeěení ee týká křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon ee soustavou avětlocltlivých diod, vytvořenou na základním monokrystalickém křemíku typu N a opatřeného povrchovou svodovou vrstvou.

Účelem řeěení je takové uspořádání povrchové svodové vrstvy, které by umoSnilo přesnější geometrii jejího rozčlenění a možnost spolehlivější reprodukce při výrobě.

Uvedeného učelu ee dosáhne tím, že křemíkový terčík podle vynálezu má na svém povrchu ze atrany diod mříž, oddělující geometricky každou diodu od ostatních, přičemž tato mříž je ee stran podleptáne tak, ae povrchová svodová vratva nanesená na celou ploehu terčíku tvoří nad každou diodou ostrůvek, od Okolí elektricky odizolovaný. Mříž může být například z kysličníku křemičitého, z amorfního nobo polykryetolického křemíku nebo z borsilikátového skla. Svodová vrstva může být například z Cd To.

Vynález řeší křemíkový terčík pro elektronky typu vldlkon ee soustavou světlocitllvých diod, vytvořenou na základním monokrystelickém křemíku typu N a opatřený povrchovou svodovou vrstvou.

NynějSÍ křemíkové terěíky pro elektronky typu vldlkon se soustavou světlocitllvých diod jsou zpravidla vytvořeny tak, že povrch diod, jejichž hustotě se pohybuje obvykle kolem 0,5 milionů diod na 1 cm², je spolu a povrchem okolí diod tvořeným lsolaSní vrstvou, zpravidla z kysličníku křemičitého, pokryt souvislou povrchovou svodovou vrstvou, vytvořenou obvykle vakuovým napařovínía kysličníků kovů, nebo vhodných sloučenin.

Pro zvýSení rozlišení se místo této souvislé povrchové vrstvy překrývají jednotlivé diody s jejich nejbllžSím okolím, odizolovanými ostrůvky povrehové svodové vrstvy, spravidla o větší vodivosti. Toho ee dosahuje vyleptáním mezer ve svodové vrstvě mezi diodami.

Náročnost tohoto řeSení je dána potížemi při fotolitogreflckém maskování, kde vznikající interferenční efekty často způsobují naruSení geometrie ostrůvků, eventuelně jejich lokální propojení.

Poměrně Široké mezery obnažené izolační vrstvy mezi ostrůvky vyžadují při stávajícím uspořádání vysoké hodnoty napětí, při němž dochází k ochuzení povrchu, což má ze následek snížení citlivosti, v důsledku nutnosti volit nižěí pracovní napětí, než odpovídá napětí potřebnému k ochuzení povrchu.

Podstata křemíkového terčíku pro elektronky typu vldlkon podle vynálezu spočívá v tom, že na povrchu terčíku je v mezerách mezi diodami vytvořena mříž, oddělující geometricky každou diodu od ostatních diod, přičemž tato mříž je se stran podlepténa tak, že povrchové svodové vrstva nanesené ns celou plochu terčíku tvoří nad každou diodou ostrůvek elektricky oddělený od svodové vrstvy na mříži.

Tato mříž může být vytvořena pomocí fotolitografiokého maskování například přímo ze souvislé izolační vrstvy, například z SiOg, nebo ze souvislé vrstvy deponovaného nebo polykrystalického, případně amorfního křemíku, naneseného bezprostředně na izolační vrstvu tvořenou například kysličníkem křemičitým, nebo na bcrsilikétové sklo vzniklé po difúzi bóru, případně na jiné izolační vrstvě.

Podle toho pek je podlepténa buáto boční část nad povrch vystouplé mříže, nebo je podlepténa spodní izolační vrstva při styčných hranách s mříží. Toto podlepténí pak «působí oddělení ostrůvků polovodivé vrstvy po nanesení povrchové svodové vrstvy, vytvořené zpravidla kolmým vakuovým napařovénlm na celý povrch terčíku.

Výhodou řeSení terčíku podle vynálezu je to, že při podleptévání mříže dochází k zúžení mezer mezi ostrůvky a nikoliv k jejich rozšíření, jak tomu je při jiných řeěenlch. Další výhodou je odstranění poruch způsobených interferenčními efekty v mezerách, při fotolitografickém maskování.

Řešení podle vynálezu vede též ke zvýšení citlivosti vidlkonu na osvětlení, vzhledem k tomu, že napětí při němž dochází k ochuzení celého objemu terčíku může být nižší než pracovní napětí ve vidlkonu.

Podle vynálezu zhotovené terčíky umožňují též zjednodušení technologie výroby samotného vidlkonu vzhledem k necitlivosti terčíku k povrchovému nanesení vodivých vrstev, které mohou vznikat například při vyžíhávánl systému elektronky, nebo při rozprášeni getrů.

U terčíků podle vynálezu se dosahuje též většího rozlišení, umožněného danou roztečí diod e tloušťkou terčíku.

Přiklaď jednoho z možných provedení terčíku podle vynálezu je znázorněn na připojených obrázcích, kde ne obr. 1 je řez aktivní částí terčíku a na obr. 2 je nárys části vrchní strany terčíku.

V uvedeném provedeni je základním materiálem terčíku kruhová deska monokiyetalickáho křemíku £ typu N o průměru 22 mm. Na vrchní straně táto desky jeou ve vyleptaných otvorech izolační vrstvy £ nadifundované oblasti typu P, vytvářející soustavu evětlocitlivých diod £·

Ne izolační vrevě £ z kysličníku křemičitého je vytvořena čtvercová mříž £ z polykrystalického křemíku. Na vrchní straně této mříže £ a zároveň ne povrchu ploěek ve tvaru čtverce nad diodami je nenesena svodová vrstva í, vytvářející samostatné čtvercové ostrůvky £, které jsou jednotlivě od okolí odizolované díky podleptání mříže g.

Claims (4)

PŘEDMÉT VYNÁLEZU

1. Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon ee soustavou světlocitlivých diod vytvořenou ne základním monokrystalickém křemíku typu N a opatřený povrchovou svodovou vrstvou, vyznačený tím, že na povrchu terčíku je v mezerách mezi diodami (2) mříž (4), oddělující geometricky každou diodu (2) od ostatních diod (2), přičemž tato mříž (4) je se stran podleptána tak, že povrchová svodová vrstva .'(5) nanesená na celou plochu terčíku tvoří nad každou diodou (2) oarůvek (6), elektricky oddělený od svodová vrstvy (5) na mříži (4).

2. Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon podle hodu 1,'‘vyznačený tlm, že mříž (4) je z polykrystelického křemíku.

3. Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon podle bodu 1, vyznačený tím, že mříž (4) je vytvořena z amorfního křemíku.

4. Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon podle bodu i, vyznačený tím, že svodová vrstva (5) je z CdTe.