CS243414B1 - Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon - Google Patents
Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon Download PDFInfo
- Publication number
- CS243414B1 CS243414B1 CS8410094A CS1009484A CS243414B1 CS 243414 B1 CS243414 B1 CS 243414B1 CS 8410094 A CS8410094 A CS 8410094A CS 1009484 A CS1009484 A CS 1009484A CS 243414 B1 CS243414 B1 CS 243414B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- target
- silicon
- layer
- islands
- silicon target
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 abstract 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Řešení se týká křemíkového terčíku pro
elektronky typu vidikon ee soustavou avětlocitlivých
diod, vytvořenou na základním monokrystalickén
křemíku typu N a opatřeného
povrchovou svodovou vrstvou, vytvářející nad
diodami vsájemně odizolované ostrůvky.
Účelem řešení je snížení povrchového
odporu svodové vrstvy takovou úpravou, jež
ty nevyžadovala tepelné zpracování negativně
ovlivňující elektrické parametry terčíku.
Uvedeného účelu ae doaáhne tím, že
ostrůvky svodové vrstvy jsou na svém povrchu
překryty kovovou nebo jinou vodivou vrstvou
Description
(54) Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon
Řešení se týká křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon se soustavou svčtlocitllvých diod, vytvořenou na základním monokryatalickém křemíku typu N a opatřeného povrchovou avodovou vrstvou, vytvářející nad diodami vsdjemng odisolovane ostrůvky.
účelem řešení je snížení povrchového odporu svodové vrstvy takovou úpravou, jež ty nevyžadovala tepelné zpracování negativně ovlivňující elektrické parametry terčíku.
Uvedeného účelu ee dosáhne tím, že ostrůvky svodové vrstvy jsou na svém povrchu překryty kovovou nebo jinou voáivou vrstvou.
Vynál·* řeSí křeaíkový terčík pro elektronky typu vidikon, ae eoutavou světlocitlivých diod vytvořenou ne sdklednía aonokryatallckám křemíku typu N a opatřený povrchovou svodovou vrstvou >· slabi vodivého nebo polovodiváho materiálu například * polykryetellckého křešíku, vytvářející nad dlodaal jednotlivá vzájemně odizolovaná ostrůvky překrývající povrch a blízká okolí jednotlivých diod.
Křemíková terčíky pro elektronky typu vidikon, se soustavou světlocitlivých diod, jsou v blžnáa provedení zhotoveny tak, Se celý povrch terčíku se strany diod, jejichž hustota se obvykle pohybuje kolss 0,5 milionů diod ne 1 ca1 2, je pokryt souvislou svodovou vrstvou se slabě vodivého nebo polovodiváho Materiálu.
O křeaíkových terčíků, u nichž se požaduje vySěí rozlišení, ee tato souvislé povrchová svodová vrstva nahresuje systáaea ostrůvků překrývajících jednotlivá diody s oo možno největším okolí·, tvořenýa zpravidla kysličník·· křemičitým.
Tyto ostrůvky obvykle ve tvaru čtverců se zhotoví rozleptánía souvislé povrchová svodová vrstvy. Pro vytvoření ostrůvků se z technologických i funkčních důvodů zatím používá vrstva saorfaího nebo polykrystalického křemíku.
Nevýhodou stávajícího uspořádání je to, že vrstva naneseného polykrystalického nebo eaorfního křeaíku né při bSžnS používaných tlouSÍkéch specifický odpor vBtSÍ než 30 kfi/q.
Je-li požadován nižSÍ odpor, je nutno k dotaci použít dalží tepelná operace, například dtfuse, číaž ee vSek většinou zhorSÍ zdvSrné vlastnosti diod e tím se také sníží dynamický pracovní rozsah terčíku.
Podstat· křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon spočívá v toa, že ostrůvky svodová vrstvy jsou na svéa povrchu překryty kovovou nebo jinou vodivou vrstvou. Z hlediska funkce ostrůvků a z technologických důvodů je výhodná překrývající vodivá vrstva z chromniklu.
Kažení podle vynálezu odstraňuje nevýhody současného uspořádání terčíku s ostrůvky tía, že uaožňuje dosáhnout požadovaného snížení povrchového odporu ostrůvků, a to pomSrnS jednoduchou technologickou operaoí, například vakuovým napařením kovu, jež neovlivňuje negativní elektrické vlastnosti terčíku.
Příklad provedení terčíku podle vynálezu je ne připojených obrázcích. Na obr. i je řez aktivní částí terčíku a na obr. 2 je nérys části vrchní strany terčíku.
V uvedením provedení je základním materiálem terčíku kruhové deska monokrystelického křeaíku 1 typu N o průměru 22 mm. Na vrchní stranS této desky jsou ve vyleptaných otvorech izolační vrstvy 2 * kysličníku křemičitého nadifundované oblasti typu P vytvářející soustavu světlocitlivých diod Z·
Na izolační vretvS 2 jsou vytvořeny čtvercové ostrůvky svodová vrsvy í vytvořené z polykrystalickáho křemíku. Tyto ostrůvky jsou ne svém povrchu překryty vodivou vrstvou 2 z chromniklu.
Claims (2)
- p Sedm St vynálezu1. Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon se soustavou světlocitlivých diod, vytvořenou na základním monokryetalickém křemíku typu N e opatřený povrchovou svodovou vrstvou ze slabS vodivého nebo polovodiváho materiálu například z polykryatallckého křemíku vytvářející nad diodami jednotlivá, vzájemně odizolované ostrůvky překrývající povrch a blízké okolí jednotlivých diod, vyznačený tím, že ostrůvky svodové vrstvy (4) jsou na svém povrchu překryty kovovou nebo jinou vodivou vrstvou (5).
- 2. Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon podle bodu 1, vyznačený tím, 4e vodivé vrstvě (5) překrývající ostrůvky svodové vrstvy (4) je vytvořena z chroaniklu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS8410094A CS243414B1 (cs) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS8410094A CS243414B1 (cs) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS1009484A1 CS1009484A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS243414B1 true CS243414B1 (cs) | 1986-06-12 |
Family
ID=5447928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS8410094A CS243414B1 (cs) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS243414B1 (cs) |
-
1984
- 1984-12-20 CS CS8410094A patent/CS243414B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS1009484A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4280273A (en) | Manufacture of monolithic LED arrays for electroluminescent display devices | |
| US3189973A (en) | Method of fabricating a semiconductor device | |
| US4335501A (en) | Manufacture of monolithic LED arrays for electroluminescent display devices | |
| US3932226A (en) | Method of electrically interconnecting semiconductor elements | |
| US3607466A (en) | Method of making semiconductor wafer | |
| US4899199A (en) | Schottky diode with titanium or like layer contacting the dielectric layer | |
| US3916509A (en) | Method of manufacturing a semi-conductor target for a camera tube having a mosaic of p-n junctions covered by a perforated conductive layer | |
| US3546542A (en) | Integrated high voltage solar cell panel | |
| GB1476585A (en) | Method for manufacturing semiconductor devices | |
| US3820235A (en) | Guard ring structure for microwave schottky diode | |
| US3930912A (en) | Method of manufacturing light emitting diodes | |
| US4126496A (en) | Method of making a single chip temperature compensated reference diode | |
| US3716765A (en) | Semiconductor device with protective glass sealing | |
| GB1224801A (en) | Methods of manufacturing semiconductor devices | |
| DK179383A (da) | Diode til monolitisk integreret kreds | |
| CS243414B1 (cs) | Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon | |
| JPS55102267A (en) | Semiconductor control element | |
| US3569758A (en) | Semiconductor photo-electric converting devices having depressions in the semiconductor substrate and image pickup tubes using same | |
| US3457631A (en) | Method of making a high frequency transistor structure | |
| US4011578A (en) | Photodiode | |
| US4868636A (en) | Power thyristor | |
| US3956820A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a lead bonded to a surface thereof | |
| US3328651A (en) | Semiconductor switching device and method of manufacture | |
| US4672415A (en) | Power thyristor on a substrate | |
| US3667004A (en) | Electroluminescent semiconductor display apparatus |