CS243414B1 - Silicon target for vidicon-type tubes - Google Patents
Silicon target for vidicon-type tubes Download PDFInfo
- Publication number
- CS243414B1 CS243414B1 CS8410094A CS1009484A CS243414B1 CS 243414 B1 CS243414 B1 CS 243414B1 CS 8410094 A CS8410094 A CS 8410094A CS 1009484 A CS1009484 A CS 1009484A CS 243414 B1 CS243414 B1 CS 243414B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- target
- silicon
- layer
- islands
- silicon target
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 abstract 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Řešení se týká křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon ee soustavou avětlocitlivých diod, vytvořenou na základním monokrystalickén křemíku typu N a opatřeného povrchovou svodovou vrstvou, vytvářející nad diodami vsájemně odizolované ostrůvky. Účelem řešení je snížení povrchového odporu svodové vrstvy takovou úpravou, jež ty nevyžadovala tepelné zpracování negativně ovlivňující elektrické parametry terčíku. Uvedeného účelu ae doaáhne tím, že ostrůvky svodové vrstvy jsou na svém povrchu překryty kovovou nebo jinou vodivou vrstvouThe solution relates to a silicon target for vidikon ee vacuum tubes with a light sensitive system diodes, formed on the basic monocrystalline of type N silicon and coated surface leakage layer forming above islands isolated by diodes. The solution is to reduce the surface resistance of the leakage layer by such a treatment that these did not require heat treatment negatively affecting the electrical parameters of the target. This purpose is achieved by the sediment islets are on their surface covered with a metallic or other conductive layer
Description
(54) Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon(54) Silicon target for vidicon tubes
Řešení se týká křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon se soustavou svčtlocitllvých diod, vytvořenou na základním monokryatalickém křemíku typu N a opatřeného povrchovou avodovou vrstvou, vytvářející nad diodami vsdjemng odisolovane ostrůvky.The present invention relates to a silicon target for vidicon tubes with a light-emitting diode array formed on a single N-type monocryatal silicon and provided with a surface and anode layer forming over the diodes all of the insulated islands.
účelem řešení je snížení povrchového odporu svodové vrstvy takovou úpravou, jež ty nevyžadovala tepelné zpracování negativně ovlivňující elektrické parametry terčíku.the purpose of the solution is to reduce the surface resistance of the leakage layer by a treatment that did not require heat treatment adversely affecting the electrical parameters of the target.
Uvedeného účelu ee dosáhne tím, že ostrůvky svodové vrstvy jsou na svém povrchu překryty kovovou nebo jinou voáivou vrstvou.This is achieved by the fact that the islands of the lead layer are covered on their surface by a metal or other free layer.
Vynál·* řeSí křeaíkový terčík pro elektronky typu vidikon, ae eoutavou světlocitlivých diod vytvořenou ne sdklednía aonokryatallckám křemíku typu N a opatřený povrchovou svodovou vrstvou >· slabi vodivého nebo polovodiváho materiálu například * polykryetellckého křešíku, vytvářející nad dlodaal jednotlivá vzájemně odizolovaná ostrůvky překrývající povrch a blízká okolí jednotlivých diod.Involves a silicon target for vidicon tubes with an electrolytic light-emitting diode formed from a non-transparent aonocrystalline N-type and provided with a surface conductive layer> · a weakly conductive or semiconductive material, for example * around each diode.
Křemíková terčíky pro elektronky typu vidikon, se soustavou světlocitlivých diod, jsou v blžnáa provedení zhotoveny tak, Se celý povrch terčíku se strany diod, jejichž hustota se obvykle pohybuje kolss 0,5 milionů diod ne 1 ca1 2, je pokryt souvislou svodovou vrstvou se slabě vodivého nebo polovodiváho Materiálu.Silicon targets for Vidikon type tubes, the plurality of photosensitive diodes, in blžnáa embodiment is constructed so that the entire surface of target parties diodes whose density is usually kolss 0,500,000 diodes no 1 1 2 ca, is covered by a continuous layer of the downcomer a weakly conductive or semiconductive material.
O křeaíkových terčíků, u nichž se požaduje vySěí rozlišení, ee tato souvislé povrchová svodová vrstva nahresuje systáaea ostrůvků překrývajících jednotlivá diody s oo možno největším okolí·, tvořenýa zpravidla kysličník·· křemičitým.For silicon discs for which a higher resolution is required, this continuous surface leakage layer depicts the islet systems overlapping the individual diodes with as large an environment as possible, generally consisting of silica.
Tyto ostrůvky obvykle ve tvaru čtverců se zhotoví rozleptánía souvislé povrchová svodová vrstvy. Pro vytvoření ostrůvků se z technologických i funkčních důvodů zatím používá vrstva saorfaího nebo polykrystalického křemíku.These islands, usually in the form of squares, are made by etching and a continuous surface leakage layer. For the production of islets, for both technological and functional reasons, a layer of saorpha or polycrystalline silicon has so far been used.
Nevýhodou stávajícího uspořádání je to, že vrstva naneseného polykrystalického nebo eaorfního křeaíku né při bSžnS používaných tlouSÍkéch specifický odpor vBtSÍ než 30 kfi/q.A disadvantage of the present arrangement is that the deposited polycrystalline or eaorphous silicon layer does not have a specific resistance in excess of 30 kfi / q at the commonly used thickness.
Je-li požadován nižSÍ odpor, je nutno k dotaci použít dalží tepelná operace, například dtfuse, číaž ee vSek většinou zhorSÍ zdvSrné vlastnosti diod e tím se také sníží dynamický pracovní rozsah terčíku.If a lower resistance is required, an additional heat operation, such as diffusion, must be used for the subsidy, which in turn will usually deteriorate the diode properties and thus reduce the dynamic working range of the target.
Podstat· křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon spočívá v toa, že ostrůvky svodová vrstvy jsou na svéa povrchu překryty kovovou nebo jinou vodivou vrstvou. Z hlediska funkce ostrůvků a z technologických důvodů je výhodná překrývající vodivá vrstva z chromniklu.The essence of the silicon target for vidicon tubes is that the islands of the lead layer are covered on their surface by a metal or other conductive layer. From the point of view of the island function and for technological reasons, an overlapping conductive layer of chromium-nickel is preferred.
Kažení podle vynálezu odstraňuje nevýhody současného uspořádání terčíku s ostrůvky tía, že uaožňuje dosáhnout požadovaného snížení povrchového odporu ostrůvků, a to pomSrnS jednoduchou technologickou operaoí, například vakuovým napařením kovu, jež neovlivňuje negativní elektrické vlastnosti terčíku.The spoilage of the present invention eliminates the disadvantages of the present arrangement of the target with islets that makes it possible to achieve the desired reduction in surface resistance of the islands by a simple technological operation, for example by vacuum metal vapor deposition, which does not affect the negative electrical properties of the target.
Příklad provedení terčíku podle vynálezu je ne připojených obrázcích. Na obr. i je řez aktivní částí terčíku a na obr. 2 je nérys části vrchní strany terčíku.An exemplary embodiment of a target according to the invention is shown in the accompanying drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of the active portion of the target; and FIG.
V uvedením provedení je základním materiálem terčíku kruhové deska monokrystelického křeaíku 1 typu N o průměru 22 mm. Na vrchní stranS této desky jsou ve vyleptaných otvorech izolační vrstvy 2 * kysličníku křemičitého nadifundované oblasti typu P vytvářející soustavu světlocitlivých diod Z·In an embodiment, the base material of the target is a circular N-type monocrystalline 1 plate having a diameter of 22 mm. On the upper side of this plate, there are etched holes of the insulating layer 2 * of silica in the etched areas of the P-type region forming a set of light-sensitive diodes.
Na izolační vretvS 2 jsou vytvořeny čtvercové ostrůvky svodová vrsvy í vytvořené z polykrystalickáho křemíku. Tyto ostrůvky jsou ne svém povrchu překryty vodivou vrstvou 2 z chromniklu.On the insulating layer S2, square islets of leakage layers 1 formed of polycrystalline silicon are formed. These islands are covered by a chromium-nickel conductive layer 2 on their surface.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS8410094A CS243414B1 (en) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | Silicon target for vidicon-type tubes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS8410094A CS243414B1 (en) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | Silicon target for vidicon-type tubes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS1009484A1 CS1009484A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS243414B1 true CS243414B1 (en) | 1986-06-12 |
Family
ID=5447928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS8410094A CS243414B1 (en) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | Silicon target for vidicon-type tubes |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS243414B1 (en) |
-
1984
- 1984-12-20 CS CS8410094A patent/CS243414B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS1009484A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4280273A (en) | Manufacture of monolithic LED arrays for electroluminescent display devices | |
| US3189973A (en) | Method of fabricating a semiconductor device | |
| US4335501A (en) | Manufacture of monolithic LED arrays for electroluminescent display devices | |
| US3932226A (en) | Method of electrically interconnecting semiconductor elements | |
| US3607466A (en) | Method of making semiconductor wafer | |
| US4899199A (en) | Schottky diode with titanium or like layer contacting the dielectric layer | |
| US3916509A (en) | Method of manufacturing a semi-conductor target for a camera tube having a mosaic of p-n junctions covered by a perforated conductive layer | |
| US3546542A (en) | Integrated high voltage solar cell panel | |
| GB1476585A (en) | Method for manufacturing semiconductor devices | |
| US3820235A (en) | Guard ring structure for microwave schottky diode | |
| US3930912A (en) | Method of manufacturing light emitting diodes | |
| US4126496A (en) | Method of making a single chip temperature compensated reference diode | |
| US3716765A (en) | Semiconductor device with protective glass sealing | |
| GB1224801A (en) | Methods of manufacturing semiconductor devices | |
| DK179383A (en) | DIODE FOR MONOLITIC INTEGRATED CIRCUIT | |
| CS243414B1 (en) | Silicon target for vidicon-type tubes | |
| JPS55102267A (en) | Semiconductor control element | |
| US3569758A (en) | Semiconductor photo-electric converting devices having depressions in the semiconductor substrate and image pickup tubes using same | |
| US3457631A (en) | Method of making a high frequency transistor structure | |
| US4011578A (en) | Photodiode | |
| US4868636A (en) | Power thyristor | |
| US3956820A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a lead bonded to a surface thereof | |
| US3328651A (en) | Semiconductor switching device and method of manufacture | |
| US4672415A (en) | Power thyristor on a substrate | |
| US3667004A (en) | Electroluminescent semiconductor display apparatus |