CS243413B1 - Silicon target for vidicon-type tubes - Google Patents
Silicon target for vidicon-type tubes Download PDFInfo
- Publication number
- CS243413B1 CS243413B1 CS8410093A CS1009384A CS243413B1 CS 243413 B1 CS243413 B1 CS 243413B1 CS 8410093 A CS8410093 A CS 8410093A CS 1009384 A CS1009384 A CS 1009384A CS 243413 B1 CS243413 B1 CS 243413B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon
- target
- diode
- layer
- diodes
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100016026 Drosophila melanogaster GstE14 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Řeěení ee týká křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon ee soustavou avětlocltlivých diod, vytvořenou na základním monokrystalickém křemíku typu N a opatřeného povrchovou svodovou vrstvou. Účelem řeěení je takové uspořádání povrchové svodové vrstvy, které by umoSnilo přesnější geometrii jejího rozčlenění a možnost spolehlivější reprodukce při výrobě. Uvedeného učelu ee dosáhne tím, že křemíkový terčík podle vynálezu má na svém povrchu ze atrany diod mříž, oddělující geometricky každou diodu od ostatních, přičemž tato mříž je ee stran podleptáne tak, ae povrchová svodová vratva nanesená na celou ploehu terčíku tvoří nad každou diodou ostrůvek, od Okolí elektricky odizolovaný. Mříž může být například z kysličníku křemičitého, z amorfního nobo polykryetolického křemíku nebo z borsilikátového skla. SSolution ee refers to the silicon target for vidikon ee vacuum tubes with a system of viscous diodes, formed on the basic monocrystalline of type N silicon and coated surface leakage layer. The purpose of the solution is such an arrangement surface leakage layer that would allow more precise geometry of its division and possibility more reliable reproduction in production. The aforementioned ee objective is achieved by having silicon the target according to the invention has on its surface from an atrane diode lattice separating geometrically each diode from the other, taking this lattice the ee of the sides is questioned, and it is superficial leakage return applied to the entire surface of the target forms an island above each diode, from Surroundings electrically insulated. The grille can be for example, silica, amorphous or polycrystalline silicon or of borsilicate glass. WITH
Description
(54) Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon(54) Silicon target for vidicon tubes
Řeěení ee týká křemíkového terčíku pro elektronky typu vidikon ee soustavou avětlocltlivých diod, vytvořenou na základním monokrystalickém křemíku typu N a opatřeného povrchovou svodovou vrstvou.The solution ee relates to a silicon target for vidicon ee tubes by a system of light-emitting diodes formed on a single N-type monocrystalline silicon and provided with a surface leakage layer.
Účelem řeěení je takové uspořádání povrchové svodové vrstvy, které by umoSnilo přesnější geometrii jejího rozčlenění a možnost spolehlivější reprodukce při výrobě.The purpose of the solution is to arrange the surface leakage layer, which would allow a more precise division geometry and the possibility of more reliable reproduction during production.
Uvedeného učelu ee dosáhne tím, že křemíkový terčík podle vynálezu má na svém povrchu ze atrany diod mříž, oddělující geometricky každou diodu od ostatních, přičemž tato mříž je ee stran podleptáne tak, ae povrchová svodová vratva nanesená na celou ploehu terčíku tvoří nad každou diodou ostrůvek, od Okolí elektricky odizolovaný. Mříž může být například z kysličníku křemičitého, z amorfního nobo polykryetolického křemíku nebo z borsilikátového skla. Svodová vrstva může být například z Cd To.This object is achieved by the fact that the silicon target according to the invention has a grid on its surface from the edge of the diodes, separating geometrically each diode from the others, the grid being etched sideways so that the surface leakage gate applied to the entire area , from the surroundings electrically insulated. For example, the lattice may be of silicon dioxide, of amorphous nobo polycryetolic silicon, or of borsilicate glass. The lead layer may be, for example, of Cd To.
Vynález řeší křemíkový terčík pro elektronky typu vldlkon ee soustavou světlocitllvých diod, vytvořenou na základním monokrystelickém křemíku typu N a opatřený povrchovou svodovou vrstvou.The invention solves a silicon target for electron-type tubes with an array of light-emitting diodes formed on a basic monocrystalline silicon of type N and provided with a surface leakage layer.
NynějSÍ křemíkové terěíky pro elektronky typu vldlkon se soustavou světlocitllvých diod jsou zpravidla vytvořeny tak, že povrch diod, jejichž hustotě se pohybuje obvykle kolem 0,5 milionů diod na 1 cm2, je spolu a povrchem okolí diod tvořeným lsolaSní vrstvou, zpravidla z kysličníku křemičitého, pokryt souvislou povrchovou svodovou vrstvou, vytvořenou obvykle vakuovým napařovínía kysličníků kovů, nebo vhodných sloučenin.Nowadays, silicon dots for VDL tubes with a set of light-emitting diodes are generally designed such that the surface of the diodes, typically having a density of about 0.5 million diodes per cm 2 , is together with the surface of the diodes formed by a caulking layer, typically silica , covered by a continuous surface leakage layer, typically formed by vacuum vapor deposition of metal oxides, or suitable compounds.
Pro zvýSení rozlišení se místo této souvislé povrchové vrstvy překrývají jednotlivé diody s jejich nejbllžSím okolím, odizolovanými ostrůvky povrehové svodové vrstvy, spravidla o větší vodivosti. Toho ee dosahuje vyleptáním mezer ve svodové vrstvě mezi diodami.In order to increase the resolution, instead of this continuous surface layer, the individual diodes overlap with their closest surroundings, insulated islands of the surface leakage layer, usually of higher conductivity. This is achieved by etching the gaps in the lead layer between the diodes.
Náročnost tohoto řeSení je dána potížemi při fotolitogreflckém maskování, kde vznikající interferenční efekty často způsobují naruSení geometrie ostrůvků, eventuelně jejich lokální propojení.The difficulty of this solution is given by the difficulty of photolithographic masking, where the resulting interference effects often cause disturbance of the geometry of the islands or their local connection.
Poměrně Široké mezery obnažené izolační vrstvy mezi ostrůvky vyžadují při stávajícím uspořádání vysoké hodnoty napětí, při němž dochází k ochuzení povrchu, což má ze následek snížení citlivosti, v důsledku nutnosti volit nižěí pracovní napětí, než odpovídá napětí potřebnému k ochuzení povrchu.Relatively wide gaps between the exposed insulation layer between the islands require, in the present arrangement, high stress-relieving stresses, resulting in a decrease in sensitivity, due to the need to select a lower working stress than the stress required for surface depletion.
Podstata křemíkového terčíku pro elektronky typu vldlkon podle vynálezu spočívá v tom, že na povrchu terčíku je v mezerách mezi diodami vytvořena mříž, oddělující geometricky každou diodu od ostatních diod, přičemž tato mříž je se stran podlepténa tak, že povrchové svodové vrstva nanesené ns celou plochu terčíku tvoří nad každou diodou ostrůvek elektricky oddělený od svodové vrstvy na mříži.The essence of the silicon target for the vldlkon vacuum tubes according to the invention is that a grating is formed on the surface of the target in the gaps between the diodes, separating geometrically each diode from the other diodes. The target is formed by an island above each diode electrically separated from the lead layer on the grid.
Tato mříž může být vytvořena pomocí fotolitografiokého maskování například přímo ze souvislé izolační vrstvy, například z SiOg, nebo ze souvislé vrstvy deponovaného nebo polykrystalického, případně amorfního křemíku, naneseného bezprostředně na izolační vrstvu tvořenou například kysličníkem křemičitým, nebo na bcrsilikétové sklo vzniklé po difúzi bóru, případně na jiné izolační vrstvě.This lattice can be formed by photolithographic masking, for example, directly from a continuous insulating layer, for example SiOg, or from a continuous layer of deposited or polycrystalline or amorphous silicon, applied directly to an insulating layer of, for example, silica or borosilicate glass formed after boron diffusion. optionally on another insulation layer.
Podle toho pek je podlepténa buáto boční část nad povrch vystouplé mříže, nebo je podlepténa spodní izolační vrstva při styčných hranách s mříží. Toto podlepténí pak «působí oddělení ostrůvků polovodivé vrstvy po nanesení povrchové svodové vrstvy, vytvořené zpravidla kolmým vakuovým napařovénlm na celý povrch terčíku.Accordingly, the undercut is either a lateral portion above the surface of the raised lattice, or the bottom insulating layer is underlined at the contact edges with the lattice. This adherence then acts to separate the islands of the semiconductive layer after application of the surface lead layer, which is generally formed by perpendicular vacuum vapor deposition over the entire surface of the target.
Výhodou řeSení terčíku podle vynálezu je to, že při podleptévání mříže dochází k zúžení mezer mezi ostrůvky a nikoliv k jejich rozšíření, jak tomu je při jiných řeěenlch. Další výhodou je odstranění poruch způsobených interferenčními efekty v mezerách, při fotolitografickém maskování.The advantage of the solution according to the invention is that when the lattice is adhered to, the gaps between the islands are narrowed and not widened, as is the case with other solutions. Another advantage is the elimination of disturbances caused by interference effects in the gaps in photolithographic masking.
Řešení podle vynálezu vede též ke zvýšení citlivosti vidlkonu na osvětlení, vzhledem k tomu, že napětí při němž dochází k ochuzení celého objemu terčíku může být nižší než pracovní napětí ve vidlkonu.The solution according to the invention also leads to an increase in the sensitivity of the fork to the illumination, since the voltage at which the entire volume of the target is depleted may be lower than the working voltage in the fork.
Podle vynálezu zhotovené terčíky umožňují též zjednodušení technologie výroby samotného vidlkonu vzhledem k necitlivosti terčíku k povrchovému nanesení vodivých vrstev, které mohou vznikat například při vyžíhávánl systému elektronky, nebo při rozprášeni getrů.The discs produced according to the invention also make it possible to simplify the technology of the production of the fork itself, due to the insensitivity of the disc to the surface application of conductive layers, which may arise, for example, during annealing of the vacuum tube system or when the getter is sprayed.
U terčíků podle vynálezu se dosahuje též většího rozlišení, umožněného danou roztečí diod e tloušťkou terčíku.In the discs according to the invention, a higher resolution is also possible, due to the diode spacing and the thickness of the disc.
Přiklaď jednoho z možných provedení terčíku podle vynálezu je znázorněn na připojených obrázcích, kde ne obr. 1 je řez aktivní částí terčíku a na obr. 2 je nárys části vrchní strany terčíku.An example of one embodiment of a target according to the invention is shown in the accompanying drawings, wherein not Figure 1 is a cross-section of the active portion of the target and Figure 2 is a front view of a portion of the top side of the target.
V uvedeném provedeni je základním materiálem terčíku kruhová deska monokiyetalickáho křemíku £ typu N o průměru 22 mm. Na vrchní straně táto desky jeou ve vyleptaných otvorech izolační vrstvy £ nadifundované oblasti typu P, vytvářející soustavu evětlocitlivých diod £·In said embodiment, the base material of the target is a circular plate of monociyetallic type N silicon having a diameter of 22 mm. On the upper side of the plate there is an overfused P-type region in the etched openings of the insulating layer 6 forming an array of light-sensitive diodes.
Ne izolační vrevě £ z kysličníku křemičitého je vytvořena čtvercová mříž £ z polykrystalického křemíku. Na vrchní straně této mříže £ a zároveň ne povrchu ploěek ve tvaru čtverce nad diodami je nenesena svodová vrstva í, vytvářející samostatné čtvercové ostrůvky £, které jsou jednotlivě od okolí odizolované díky podleptání mříže g.A square lattice of polycrystalline silicon is formed on the silica insulation vessel. On the upper side of this lattice 6 and at the same time not on the surface of the square shaped surfaces above the diodes, there is no leakage layer 1, forming separate square islands 6, which are individually insulated from the surroundings due to the etching of the lattice g.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS8410093A CS243413B1 (en) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | Silicon target for vidicon-type tubes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS8410093A CS243413B1 (en) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | Silicon target for vidicon-type tubes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS1009384A1 CS1009384A1 (en) | 1985-08-15 |
| CS243413B1 true CS243413B1 (en) | 1986-06-12 |
Family
ID=5447924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS8410093A CS243413B1 (en) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | Silicon target for vidicon-type tubes |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS243413B1 (en) |
-
1984
- 1984-12-20 CS CS8410093A patent/CS243413B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS1009384A1 (en) | 1985-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110224006B (en) | OLED display panel and preparation method thereof | |
| US4280273A (en) | Manufacture of monolithic LED arrays for electroluminescent display devices | |
| EP0987768B1 (en) | Solar cell | |
| JP2011507246A (en) | Back electrode type solar cell having wide backside emitter region and method for manufacturing the same | |
| JPS6140151B2 (en) | ||
| JP2005229071A (en) | Schottky barrier diode | |
| GB1224801A (en) | Methods of manufacturing semiconductor devices | |
| US4182025A (en) | Manufacture of electroluminescent display devices | |
| CS243413B1 (en) | Silicon target for vidicon-type tubes | |
| KR100326487B1 (en) | Support Lead Frame for Supporting Semiconductor Chip | |
| US4868636A (en) | Power thyristor | |
| US3457631A (en) | Method of making a high frequency transistor structure | |
| KR20230041782A (en) | Components and methods for manufacturing components with improved connection structures | |
| CN112510004B (en) | Semiconductor packaging structure and manufacturing method thereof | |
| JP2827795B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
| GB1445586A (en) | Charge storage targets | |
| KR940010243A (en) | Manufacturing Method of Semiconductor Device | |
| JPS6237554B2 (en) | ||
| JP2672544B2 (en) | Semiconductor device | |
| SU824313A1 (en) | Semiconductor storage element for fixed storage | |
| JP3157595B2 (en) | Dielectric separation substrate | |
| CS243414B1 (en) | Silicon target for vidicon-type tubes | |
| JPH0428144B2 (en) | ||
| EP0200531A1 (en) | Photoelectric conversion device | |
| JPS6244430B2 (en) |