CS240039B1 - Způsob výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur - Google Patents
Způsob výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur Download PDFInfo
- Publication number
- CS240039B1 CS240039B1 CS846549A CS654984A CS240039B1 CS 240039 B1 CS240039 B1 CS 240039B1 CS 846549 A CS846549 A CS 846549A CS 654984 A CS654984 A CS 654984A CS 240039 B1 CS240039 B1 CS 240039B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- production
- semiconductor structures
- aluminum
- temperature
- silicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Řešeni přináší snížení výrobních nákladů, kterého se dosahuje tím, že do křemíkové desky se nadifunduje fosfor při teplotě 1230 az 1250 °C po dobu 0,5 až 2 hod. V některé z dalších operaci se provede slitinový spoj struktury s molybdenovou nebo wolframovou dilatační elektrodou pomocí hliníkové fólie nebo fólie ze slitiny hliník-křemik tloušťky 40 až 90 A® při teplotě 650 až 850 °C ve vakuu nebo ochranné atmosféře.
Description
Vynález se týká výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur, obsahujících alespoň jeden vysokcnapěíový PN přechod®
Vzhledem k rostoucím potřebám výkonových polovodičových součástek vzrůstá potřeba zvyšovat ekonomičnost výroby součástek především s nižší úrovní parametrů® Jsou vyvíjeny technologické postupy s minimální pracností, s malým počtem vysokoteplotních operací, s vyloučením nebo zmenšením počtu maskovacích operací z důvodu úspory času, energie a technologických zařízení.
Při výrobě výkonových diod, tyristorů a tranzistorů se vychází z monokrystalické křemíkové desky typu lí, načež v dalších operacích se vytvoří NP nebo PUP struktura® Následuje vytvoření N+NP struktury pro diody nebo N+PNP struktury pro tyristory® Vzhledem k tomu, že N+ vrstva /případně plošně rozčleněná/ je pouze na jedné straně křemíkové desky, je nutné před difúzí N+ maskovat druhou stranu vrstvou oxidu standartním fotolitografickým postupem® Případně je možné oboustranně nadifun dovánou N+ vrstvu jednostranně oleptat, přičemž je nutné druhou stranu překrýt alespoň fotorezistem® Oba způsoby jsou značně pracné®
Tuto nevýhodu odstraňuje způsob výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur podle vynálezu, jehož podstatou je, že do křemíkové vrstvy se nadifunduje fosfor při teplotě 1230 až
240 039
1250° C po dobu 0,5 až 2 hod·, načež v některé z dalších operací se provede slitinový spoj struktury s molybdenovou nebo wolframovou dilatační elektrodou pomocí hliníkové folie nebo fólie ze slitiny hliník-křemík tlouštíky 40 až 90<Aun při teplotě 650 až 850° C ve vakuu nebo ochranné atmosféře.
Postupem dle vynálezu se rozpustí na přitavované ploše křemíkové desky vrstva N+ do taveniny a při chladnutí slitiny se vytvoří rekrystalováná vrstva obohacená hliníkemjtedy vodivosti typu P.
Využitím způsobu výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur podle vynálezu u diodových, tyristorových a tranzistorových systémů se dosáhne snížení výrobní nákladů.
Příklad
V diodovém systému se provede difúze fosforu po dobu jedné hodiny při teplotě 1230° C/načež se provede slitinový spoj křemíkové desky s molybdenovou dilatační elektrodou pomocí fólie ze slitiny hliník-křemík tloušťky 60,/uin ve vakuu při teplotě 770°C.
Claims (1)
- Předmět vynálezu240 039Způsob výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur, vyznačený tím , že do křemíkové desky se nadifunduje fosfor při teplotě 1230° až 1250° C po dobu 0,5 až 2 hod., načež se v některé z dalších operací provede slitinový spoj struktury s molybdenovou nebo wolframovou dilatační elektrodou pomocí hliníkové fólie nebo folie ze slitiny hliník-křemík tlouš-ficy 40 až 90<4im při teplotě 650 až 850° C ve vakuu nebo ochranné atmosféře.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS846549A CS240039B1 (cs) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | Způsob výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS846549A CS240039B1 (cs) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | Způsob výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS654984A1 CS654984A1 (en) | 1985-06-13 |
| CS240039B1 true CS240039B1 (cs) | 1986-02-13 |
Family
ID=5412811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS846549A CS240039B1 (cs) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | Způsob výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS240039B1 (cs) |
-
1984
- 1984-08-30 CS CS846549A patent/CS240039B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS654984A1 (en) | 1985-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Werner et al. | From polycrystalline to single crystalline silicon on glass | |
| US8324044B2 (en) | Method of producing a semiconductor device with an aluminum or aluminum alloy electrode | |
| JPS5951743B2 (ja) | 半導体集積装置 | |
| JPS6445166A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5763854A (en) | Semiconductor device | |
| US3341377A (en) | Surface-passivated alloy semiconductor devices and method for producing the same | |
| CS240039B1 (cs) | Způsob výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur | |
| US8610257B2 (en) | Semiconductor device and method for producing such a device | |
| EP0044048A1 (en) | Glass passivated high power semiconductor devices | |
| JPS5643754A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP3310326B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
| CA1127322A (en) | Method of fabricating semiconductor device by bonding together silicon substrate and electrode or the like with aluminum | |
| CN111668100B (zh) | 一种快恢复二极管及其制备方法和应用 | |
| CN115831728B (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
| US3988763A (en) | Isolation junctions for semiconductors devices | |
| JPH0249732Y2 (cs) | ||
| US3384518A (en) | Method for making semiconductor devices | |
| JPS6431452A (en) | Semiconductor integrated circuit containing current mirror | |
| Hurley et al. | Some recent advances in silicon microtechnology and their dependence on processing technique | |
| JPS5633852A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5748258A (en) | Semiconductor memory | |
| CS240040B1 (cs) | Způsob výroby výkonové diodové struktury | |
| JPS57124427A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| UA56001A (uk) | Спосіб локальної дифузії алюмінію | |
| JPS57143873A (en) | Manufacture of solar cell |