CS235909B1 - Varistor z oxidu zineónatého - Google Patents
Varistor z oxidu zineónatého Download PDFInfo
- Publication number
- CS235909B1 CS235909B1 CS829179A CS829179A CS235909B1 CS 235909 B1 CS235909 B1 CS 235909B1 CS 829179 A CS829179 A CS 829179A CS 829179 A CS829179 A CS 829179A CS 235909 B1 CS235909 B1 CS 235909B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- zinc oxide
- okhch
- oxygen
- macroelements
- alloyed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Vynález se týká oblasti elektroniky. Předměty pro které je možno vynález účelně využit jsou varistory z kysličníku zinečnatého používané pro nízká napětí, čilém vynálezu je vytvořit předpoklady pro jednoduchou výrobu varistorů z kysličníku zinečnatého. Podstatou vynálezu je úkol vyrobit varistor z kysličníku zinečnatého, sestávající z legovaného kysličníku zinečnatého jako základního materiálu a z kyslikatokovové fáze, které jsou provedeny jako samostatné makroelementy a jsou spojeny mezifázovým rozhraním s definovaným profilem koncentrací takovým způsobem, aby se na nejmenší míru omezily difuzní a reakční procesy mezi makroelementy. V souladu s vynálezem je tento úkol řešen tak, že kyslikatokovové fáze, nacházející se na legovaném kysličníku zinečnatém je z čistého kysličníku zinečnatého naneseného fyzikálním způsobem vhodným pro nanášeni povlaků.
Description
(54)
Varistor z oxidu zineónatého
Vynález se týká oblasti elektroniky. Předměty pro které je možno vynález účelně využit jsou varistory z kysličníku zinečnatého používané pro nízká napětí, čilém vynálezu je vytvořit předpoklady pro jednoduchou výrobu varistorů z kysličníku zinečnatého. Podstatou vynálezu je úkol vyrobit varistor z kysličníku zinečnatého, sestávající z legovaného kysličníku zinečnatého jako základního materiálu a z kyslikatokovové fáze, které jsou provedeny jako samostatné makroelementy a jsou spojeny mezifázovým rozhraním s definovaným profilem koncentrací takovým způsobem, aby se na nejmenší míru omezily difuzní a reakční procesy mezi makroelementy. V souladu s vynálezem je tento úkol řešen tak, že kyslikatokovové fáze, nacházející se na legovaném kysličníku zinečnatém je z čistého kysličníku zinečnatého naneseného fyzikálním způsobem vhodným pro nanášeni povlaků.
235 909
235909 2
06jiacTb npHMSHSHHH Η3θ6ρθΤβΗΗΗ
Μ3θ0ρετεΗΗβ KacaeTcs ottnacTH aneKTpoHHKH. ΟβΐβκτβΜΗ, ffin κοτοραχ πρΗΜβΗβΗΗβ Η3θβρβτβHHH B03MOJKHO H UeJI6OOOCpa3 HO , HBJIHWTCH BapHCTOptl H3 OKHCH UHHKa ΑΠΗ HH3KHX SKCnnyaTaUHOHHbIX HanpHWeHHB.
XapaRTepHCTHKa HSBeciHux TexHHuecKHX pemeHHft yxe npeunarancH BapHorop na okhch UHHKa, cocTOHiUHň h3 nojiynpoBoaxmero οοηοβηογο okhchoMeTanjiHHecKoro MaTepHana b φορΜβ uonHpoBaHHOft okhch UHHKa h npyroň οκΗΟΗΟΜβτβηπΗΊβοκοβ $a3bi, κοτορΗθ o6a BanojiHeHta xax cenapaTHbie MaKposneMeHTfcj h coeflHHeHH nepea rpaHHuy paauena φβ3 c onpefleneHHUM προφκηεΜ KOHueHTpauHH. 06pa3OBaHHe HenHHeftHOro sneKTPHueoKoro CBOHcTBa. npH 3tom flOOTHraeTCH pacnnasneHHbíM οοοτοηηηθμ uanbHeftmeft OKHOHOMeTannHuecKOft φβ3Κ b xofle npouecca ηβγοτοβπθηηη, PeaKTHBHoe BsaHMoneftcTBHe TBepuoro OKHCHOMeTannHuecKoro οοηοβηογο MaTepnana c pacruiaBneHHOft OKHCHOMeTannHuecKOft φβΒοΚ βεαβτ κ η3μθηθηηημ KOHueHTpauHH $aa Ha noBepxHocTHx pa3nejia. 3aKOHOMepHocTH 3Toro npouecca BcnencTBHe TepMHuecKH oOycnoBneHHbix UH®®y3HOHHHX h peaxuHOHHbix npoueccoB b KonHiecTBeHHOM oTHOiueHHH TpyuHO onpenejiHMii. TexHonorHHeCKHfl npoueco, KOTOpHft Hy»HO npOBeCTH BO ΜΗΟΓΗΧ OTyneHHX, 3THM OcnOXHHeTCfl.
IteJIB HBOCpeTeHHH
Uenb H3O6peTeHHH COCTOHT B CO3HaHHH npejjnOObUlOK ΜΠΗ y np OUie H HO ΓΟ Η3ΓΟΤΟΒΛβΗΗΒ BapHCTO— POB H3 OKHCKH UHHKa.
H3JIOXeHHe CymHOCTH Η3θ0ρβΤβΗΗΗ
B ocHOBy H3o6peTeHHH nonoxeHa sajma paspaCOTaTb BapHCTop H3 okhch UHHKa, coctohmhA hi ' uoHHpoBaHHon okhch UHHKa b KauecTBe οοηοβηογο MaTepnana h hs OKHCHOMeTannHwecxoft φβ3Μ, οβ<
H3 kotopux BUnojiHeHU Kax cenapaTHbie MaKposneMeHTU h coeuHHeHu uepes rpaHHuy paauena φβ3 c onpeneneHHUM προφκη'θΜ KOHueHTpauHH, tbkhm oCpa3pM, utoCu MaxcMManbHO orpaHHMHTb αηΦΦΥβηοηHbie h peaKUHOHHbie npoueccu Mexuy MaKpoaneMeHTaMH.
3Ta 3aua<ia peiueHa cornacno Η3οβρβτβΗΗΐο τβκημ o6pa3OM, ίτο Haxojut&ta/icH Ha uoímpoBaKHOA okhch UHHKa οκκοΗΟΜβτβηηΗΜθοκβΗ φβ3β πρββοτβΒηηβτ 0060A uncTyio OKHcb UHHKa, HaHeceHHyn C riOMOlUblO φΗ3ΗΗΘΟΚΗΧ ΟΠΟΟΟβΟΒ ΗΒΗΘΟβΗΗΗ nOKpUTHb. YUKTUBaH HaSHaueHHe ΗΒΟβρβΤΘΗΗΚ, OKKCHOMeTaJinKuecKaB φβΒβ, coctohuuih hs hhctoH okhch UHHKa, BuncuiHeHa xax cnoA tojibhhoA<20 mkm.
Η3θ6ρβτβΗΗβΜ ynpouaioTcx h cTpyKTypa, h HsroTOBneHHe BapncTOpos H3 okhch UHHKa. Tax Kax y paBHCTOpa, coraacHO Η3οβρβτβΗΗΐο, πρημθηηθτοη TonbKo ohhh bhh okhch MeTanna η πρη H3rOTOanehhh HseeraeTcn pacnnaaneHHaH φβ3 3, npaKTHuecKH ycTpaHeHU ηηΦΦυβηοηημθ H peaKUHOHHue npoueccu c peayjibTHpyioiuHMH hs stoto TexHonorHuecKHMH HeuocTaTKaMH.
ÍIpHMep OCymeCBUeHHH Η3θβρβΤβΗΗΗ
ΠρΗΜβρ KacaeTCH BapHCTOpa, cocTOHinero hs cneueHHoro UHcxa H3 nonynpoBOflHiftero οοηοβηογο MaTepHana b BHue ηοπηροββηηοΑ okhch UHHKa, Ha ohhoíI οτοροΗβ κοτοροΓΟ ηβχοηητοη bucokoomhuA cnoA H3 uhctoa okhch UHHKa. OchobhoA MaTepnan «orapOBaH 1 moji. % CoF2, 0,8 mojí, % Ulij h 0,4 Mon. % Cr^O^. CnoA H3 mhotoA okhch UKHxa ΗΜββτ TontuHHy b 2 mkm h Oun HaHeceH bucokouacTOTHUM pacnuneHHeM. CTopoHa UHcxa 6es ποκρμτηη η csmo ποκρυτΗβ ΗΜβιοτ no OflHOMy κοΗτβκτγ H3 HHuHK-rajinHH. BapHcTOp ΗΜββτ HenHHeAHyn BonbTaMnepHyn xapaxTepHCTHxy co cneuyuapiMH 3HaUeHHHMH:
| Tok /A/ | ΙΟ’6 | IQ-5 | 10~4 | ÍO-3 |
| HanpHXeHHe/nOAHpHOCTb A | 1,21 | 1,77 | 2,70 | 3,99 |
| HanpHHteHHe/nOJIHpHOCTB B | 1,17 | 1,87 | 2,87 | 4,08 |
ΦΟΡΜΉΙλ H3OEPETEHHH
1. BapHCTOP ΗΒ OKHCH AHHKa, COCTOHOtHft H3 JlerKpOBaHHOft OKHCH AHHKa B KaaeCTBe OCHOBHOrO MaTepaajia h hs oKHCHOMeTajuiHwecKoB ,asu, o6e BunojiHenu xax cenapaTHUe MaxposjíeMeHTH h cbkaaHH íipyr c apyroM xepe3 noaepxHocTB pa3.3e.na $aa c οηρβΑβηβΗΗΜΜ προφκηβΜ κοηαβητροαηΑ, ΟΤΛΜnaioinn«c(i τθμ, <ito OKMCHOMeTannHAecxa» <t>asa npeflCTaBjmeT coOoft vHCTyto okhcb AHHKa, HaHeceHHyn φΗ3ΗΑβΟΧΗΜΗ CAOCOCaMH HaHeceHHH ΠΟΚΡΒΙΤΗβ.
2. BapacTop «3 okhch AHHKa no nyHXTy 1, OTjtHvajontHňcH τθμ, ντο OKHCHOMeTajuiHAecKM *asa H3 AHCTOft OKHCH AHHXa BbinOTtHeHa B KaVecTBe cnOM ΤΟσηΚΗΗΟβ <20 MXM.
AHHOTAUJM
Μ3ο6ρθτθΗΗθ xacaeTCH oOnacTH 3πβκτροΗΗΧΗ, OCtexTaMH, απλ κοτορυχ γτρημθηθηηθ Η3θ0ρβτθΗΗΚ BO3MOXHO H UejieCOO6pa3HO, HBJIHBTCH H3 OKHCH AHHKa ΑΠΗ HH3KHX 3KcnTjyaTaAHOHHUX ΗΒΠρΗΧΘΗΚΑ. ΜιοΟρβτθΗΗθ HMeeT ΑβΠΜΟ cosflaTh npeflnocwiKH απη ynpotseHHoro HSroTOBneHHH BapHCTopoB hs okhch AHHKa. B ocHOBy Η3ο6ρβτβΗΗΧ nonoxeHa 3anava cxOHCTpyKpoBaTB BapncTop Ha okhch AHHKa, coctoKtSHft H3 ΠβΓΗρΟΒβΗΗΟβ OKHCH AHHKa B KaveCTBe OCHOBHOrO MaTepHajia Η H3 OKHCHOMeTaAJIHAeCKOft **9Η« ΒΗΠΟΠΗΘΗΗΗΧ K3K CenapaTHUe MaKPOaJteMeHTM H CBHSaHHUX ΑΡΥΓ c APyTOM Ίβρθ3 nOBepXHOCTb pasAena φβ3 c onpeneneHHMM προφκηβΜ KOHAeHTpauHft, tbkhm ofipaaoM, ντοβϋ coxpaTHTb no xtHHMyxa BoaHHKHOBeHHe αηΦΦΥ3Ηοηηηχ h peaKAHOHWX npoAeccoe MexAy MaxpoaneMeHTaMH. CornacHO HaoOpeTehhk> 3Ta aaAana peuteHa tbkhm oOpaaoM, ντο oxHCHOMeTaAAHwecxaft φβ38, HaxonnwaHCH Ha nempoBa·HOft okhch AHHxa , npeACTaaAHeT coeoft VHCTyn okhch UHHKa, HaHeceHHyn φη3ηαθοκημη cnocoOaMH HaHeceHHH noxpHTHft.
Claims (2)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU1, Varistor z oxidu zinečnatého, sestávající z legovaného oxidu zinečnatého jako 'základního materiálu a z kyslíkatokovové fáze, oba materiály jsou použity jako samostatné makročlánky a jsou spojeny jeden s druhým povrchovým mezifázovým rozhraním definovaným profilem koncentrací, vyznačující se tím, že kyslíkatokovové fáze představuje čistý oxid zinečnatý, nanesený fyzikálními způsoby nanášení povlaků.
- 2. Variator z kysličníku zinečnatého podle bodu 1, vyznačující se tím, že kyslíkatokovová fáze z čistého oxidu zinečnatého je nanesena jako vrstva o síle menší než 20 pn,Uznáno vynálezem na základě výsledků expertizy, provedené Úřadem pro vynálezectví a patentnictví, Berlín, DD
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD20944278A DD140306A1 (de) | 1978-12-01 | 1978-12-01 | Zinkoxidvaristor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS235909B1 true CS235909B1 (cs) | 1985-05-15 |
Family
ID=5515585
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS747979A CS222982B1 (cs) | 1978-12-01 | 1979-11-02 | Rýpací zařízení kolesového rýpadla |
| CS829179A CS235909B1 (cs) | 1978-12-01 | 1979-11-30 | Varistor z oxidu zineónatého |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS747979A CS222982B1 (cs) | 1978-12-01 | 1979-11-02 | Rýpací zařízení kolesového rýpadla |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (2) | CS222982B1 (cs) |
| DD (1) | DD140306A1 (cs) |
| SU (1) | SU1336124A1 (cs) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2474901C1 (ru) * | 2011-09-06 | 2013-02-10 | Закрытое акционерное общество "Завод энергозащитных устройств" | Способ изготовления оксидно-цинковых варисторов |
-
1978
- 1978-12-01 DD DD20944278A patent/DD140306A1/de not_active IP Right Cessation
-
1979
- 1979-11-02 CS CS747979A patent/CS222982B1/cs unknown
- 1979-11-30 SU SU797770955A patent/SU1336124A1/ru active
- 1979-11-30 CS CS829179A patent/CS235909B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DD140306A1 (de) | 1980-02-20 |
| SU1336124A1 (ru) | 1987-09-07 |
| CS222982B1 (cs) | 1983-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3566274D1 (en) | Process for the deposit of silicon compound optical layers by cathodic sputtering, and sputter cathode for this process | |
| MX172033B (es) | Un procedimiento mejorado para la produccion de un revestimiento con baja capacidad de emision, sobre un substrato transparente de vidrio o de plastico, y producto resultante | |
| SE8604949D0 (sv) | Titanium composite having a porous surface and process for producing the same | |
| ES450687A1 (es) | Procedimiento para mejorar la durabilidad de capas protecto-ras vaporizadas. | |
| WO1996013063A1 (en) | A method of manufacturing thin-film solar cells | |
| HUP9903519A2 (hu) | Napfényszabályozó bevonattal ellátott üveg | |
| ATE370518T1 (de) | Verfahren auf oxyd-basis zur herstellung von dünnen schichten von verbindungshalbleitern und von entsprechenden elektronischen vorrichtungen | |
| JP2011052304A (ja) | Ｃｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材 | |
| JP6518264B2 (ja) | 時計ケースにガラスを取り付けるための方法 | |
| GB1532616A (en) | Photo-voltaic power generating means and methods | |
| JPS5516554A (en) | Manufacture of thin film of zinc oxide | |
| CS235909B1 (cs) | Varistor z oxidu zineónatého | |
| SU677648A3 (ru) | Способ создани на поверхности известково-натриевого стекла непрерывной металлической дисперсии | |
| DE2535507A1 (de) | Verfahren zur schnellen herstellung fotoleitender schichten fuer integrierte schaltungen | |
| GB1324576A (en) | Method of producing a solar cell | |
| CN210438828U (zh) | 一种膜层结构和触控屏 | |
| JPS5313696A (en) | Solventless and curable composition | |
| GB1300193A (en) | Improvements in recording carriers | |
| JP2526632B2 (ja) | 透明導電性酸化亜鉛膜の製造方法 | |
| SE9900994D0 (sv) | Förfarande för beläggning av substrat | |
| FR2280924A1 (fr) | Procede de protection de masques de photogravure et masques obtenus | |
| GB1367180A (en) | Magneto-optical storage layers | |
| GB2016049A (en) | A method of producing large area semiconductor components by electrolytic deposition | |
| SE7909584L (sv) | Solcell med grund homoovergang | |
| US4226017A (en) | Method for making a semiconductor device |