CS233163B1 - Způsob repase polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách - Google Patents

Způsob repase polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách Download PDF

Info

Publication number
CS233163B1
CS233163B1 CS592883A CS592883A CS233163B1 CS 233163 B1 CS233163 B1 CS 233163B1 CS 592883 A CS592883 A CS 592883A CS 592883 A CS592883 A CS 592883A CS 233163 B1 CS233163 B1 CS 233163B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
parts
refurbishing
plastics
encapsulated
sulfuric acid
Prior art date
Application number
CS592883A
Other languages
English (en)
Inventor
Petr Svab
Timotej Simko
Vladimir Jirutka
Original Assignee
Petr Svab
Timotej Simko
Vladimir Jirutka
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Petr Svab, Timotej Simko, Vladimir Jirutka filed Critical Petr Svab
Priority to CS592883A priority Critical patent/CS233163B1/cs
Publication of CS233163B1 publication Critical patent/CS233163B1/cs

Links

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Podstata způsobu repase dílů polo- , vodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách podle vynálezu spočívá v tom, že plastická hmota se rozpouští ' V koncentrované kyselině sírové při teplotě 15 až 45 °C za přítomnosti redukčního činidla, např. íosfornanu sodného, v množství max. 15g/l.

Description

Vynález se týká způsobu repase dílů polovodičových součástek zapouzdřených úplně nebo částečně do pouzdra z umělé hmoty, obvykle na bázi epoxidových pryskyřic*
Pro pouzdra polovodičových součástek, zvláště výkonových, · se nejčastěji využívá plastických hmotná to jak pro vnější část pouzdra/tak i pro vnitřní zalití vlastních PN systémů* Celkovým zalitím jsou zachovány vlastnosti součástky i za provozu v nepříznivém prostředí, např* vlhkém nebo prašném. Využití plastických hmot je dále motivováno i ekonomickými faktory, z nichž nejdůležitějším je úspora barevných kovů* Díly pouzdra/vyráběné klasickou strojní technologií/bývají časově i materiálově náročné a proto značně drahé. Součástky, u kterých dojde v průběhu technologie zapouzdřování k závadám, vážou značná množství dílů, které by bylo možno při vhodné technologii rozpouzdření opět pour· žít* Dosud užívané způsoby jsou převážně založeny pouze na mechanických operacích rozlisování, odbroušení, soustružení apod*
Při těchto operacích dochází vždy k porušení některé kovové části pouzdra, případně k jejímu úplnému znehodnocení* U součástek, kde je plastická hmota užita jako výplň vnitřního prostoru, je repase dílů prováděna' mechanicky prakticky nemožná.
Při rozpouštění plastické hmoty organickými látkami nedochází sice k porušení kovových částí,'ale tento postup přináší problémy spojené s nutným náročným vybavením, bezpečností práce a pod*
233 163
Úkolem vynálezu je vyřešit způsob odstranění plastické hmoty z polovodičových součástek bez výše poOpsaných nedostatků.
Podstata způsobu repase dílů polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách podle vynálezu spoěívá v tom, že plastická hmota se rozpouští v koncentrované kyselině sírové při teplotě 15 až 45°C za přítomnosti redukčního činidla^ např, fosfornanu sodnéhOjV množství max, 15g/l*
S výhodou se do roztoku koncentrované kyseliny sírové přidají inhibitory rozpouštění kovů, např, pro měS fosforečnanové anionty, v množství max, 2g/l.
Alternativně se kovové části polovodičové součástky spojí s kovem o nižším elektrochemickém potenciálu.
Způsob repase dílů polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách je minimálně náročný na vybavení technologickým zařízením a další výhodou je jeho energetická nenáročnost.
Příklad provedení č,l
Z výkonového polovodičového modulu/zapouzdřeného do epoxidové pryskyřice a osazeného dvěma diodovými systémy, zalitými rovněž do epoxidové pryskyřicejse nejprve odstraní všechny kovové, případně jiné díly, které jsou snadno oddělitelné a slouží jako přívody elektrického proudu.
Polovodičový modul se poté vloží do skleněná nádoby s koncentrovanou kyselinou sírovou tak, aby hladina byla minimálně 5 mm nad povrchem součástky a přidá se 10 g/l fosfornanu sodného jako redukční činidlo. Rozpouštění probíhá při teplotě 25°C· Po rozpuštění epoxidové pryskyřice se součástka vyjme, opláchne silným proudem vody, vysuší a předá na další operace.
Příklad provedení o, 2
Z výkonového polovodičového modulu/ popsaného v příkladu č, 1/ se odstraní snadno oddělitelné části a součástka se ponoří nimimálně 5 mm pod hladinu koncentrované kyseliny sírové ve skleněné nádobě, do které se přidá 10 g/l fosfornanu sodného a 5 ml/1 H^PO^ jako inhibitoru rozpouštění měděných dílů. Rozpouštění probíhá při 25°C, Po rozpuštění epoxidové pryskyřice se součástka vyjme, opláchne silným proudem vody, vysuší a předá k dalšímu zpracování.
Příklad provedení č. 3 4
Výkonový polovodičový moduly zapouzdřený do epoxidové pryskyřice, osazený dvěma tyristoryz se ponoří do skleněné nádoby s koncentrovanou kyselinou sírovou, do které se přidá 10 g/1 fosfornanu sodného jako redukční činidlo* Kovové díly nechráněné epoxidovou pryskyřicí se navzájem propojí železným drátem neb© páskem, který slouží jako obětovaná anoda a v průběhu procesu se zvolna rozpouští* Rozpouštění probíhá při teplotě 25 C* Po rozpuštění epoxidové pryskyřice se součástka důkladně opláchne vodou, vysuší a předá k dalšímu zpracování*

Claims (3)

  1. Předmět vynálezu 233 1B3
    1« Způsob repase dílů polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách, zejména na bázi epoxidových pryskyřic, vyznačený tím , že plastická hmota polovodičové součástky se rozpouští v koncentrované kyselině sírové při teplotě 15 až 45°C za přítomností redukčního činidla^ např„ fosfornanu sodného^v množství max* 15 g/1· ř
  2. 2„ Způsob repase dílů polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách podle bodu 1 , vyznačený tím , že do roztoku koncentrované kyseliny sírové ae přidají inhibitory rozpouštění kovů, napře pro měň fosforečnanové anionty, v množství maxe 2 g/l<
  3. 3· Způsob repase dílů polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách podle bodu 1 a 2 , vyznačený tím , že kovové části polovodičové součástky se spojí s kovem o nižším elektrochemickém potenci álue
CS592883A 1983-08-11 1983-08-11 Způsob repase polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách CS233163B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS592883A CS233163B1 (cs) 1983-08-11 1983-08-11 Způsob repase polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS592883A CS233163B1 (cs) 1983-08-11 1983-08-11 Způsob repase polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS233163B1 true CS233163B1 (cs) 1985-02-14

Family

ID=5405190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS592883A CS233163B1 (cs) 1983-08-11 1983-08-11 Způsob repase polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS233163B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104562019B (zh) 一种环保型酸性化学抛光液及化学抛光方法
JPH045267B2 (cs)
US6602555B1 (en) Tobacco extract composition and method
CN103934536B (zh) 一种对废弃印刷电路板焊接元器件进行拆解的方法
CN105177578B (zh) 用于铜基钯镍合金镀层退镀的退镀液及退镀方法
CN104862705A (zh) 一种铝及铝合金化学抛光废液零排放及回收工艺
CS233163B1 (cs) Způsob repase polovodičových součástek zapouzdřených v plastických hmotách
US4781804A (en) Electrolytic organic mold flash removal
SG52756A1 (en) Method for the electrolytic removal of plastic mold flash or blled from the metal surfaces of semiconductor devices or similar electronic components and the solution composition to be used
CN104928667A (zh) 一种基于功能化离子液体的印制电路板处理用棕化液
CN106011993B (zh) 一种电解去溢料溶液及其制备方法
CN100567453C (zh) 一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液
CN112899765A (zh) 一种中性去溢料电解液及其制备工艺、使用方法
CN104582279B (zh) Pcb板沉金工艺
JPS61292350A (ja) 改良されたはんだめつき法およびこの方法によつて製造された半導体製品
US2408220A (en) Stripping of copper from zinc
CN103909588B (zh) 金属化聚丙烯电工薄膜废膜的回收利用方法
KR960041426A (ko) 은의 전해박리제 및 전해박리방법
CN101144968A (zh) 负性电泳涂料在印制板的图形转移上的电泳涂装方法及成套设备
CN105567445A (zh) 一种半导体硅片机械抛光清洗液及其制备方法
TWM587661U (zh) 乾膜膜渣析出機構
CN103525585A (zh) 一种缓蚀电路板清洗剂及其制备方法
CN101144967B (zh) 正性电泳涂料在印制板的图形转移上的电泳涂装方法及成套设备
CN118241211A (zh) 一种嵌入塑料的金属件退银方法及退银液
KR20200012910A (ko) 본딩 표면상의 구리 표면을 위한 부식 억제제 층 및 부식 억제제 층을 사용하여 와이어 본딩에 제공된 구리 표면을 보호하기 위한 방법