CS228455B1 - Způsob povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů - Google Patents
Způsob povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů Download PDFInfo
- Publication number
- CS228455B1 CS228455B1 CS426478A CS426478A CS228455B1 CS 228455 B1 CS228455 B1 CS 228455B1 CS 426478 A CS426478 A CS 426478A CS 426478 A CS426478 A CS 426478A CS 228455 B1 CS228455 B1 CS 228455B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- polyvinyl
- semiconductor
- carbazole
- treated
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
(54) Způsob povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů
Vynález se týká. způsobu povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů na povrch polovodičové součástky, například diody, tranzistoru nebo tyristoru.
K povrchové ochraně PN přechodů se používá silikonových kaučuků, silikonových laků, pryskyřice a jiných izolačních materiálů. Kvalita povrchové ochrany má totiž značný vliv na důležité parametry diod, tyristorů apod. Ovlivňuje teplotní závislost blokovacího spínacího; napětí, teplotní závislost závěrných proudů na PN přechodech, dlouhodobou časovou stabilitu blokovacího spínacího napětí, teplotní závislost závěrných proudů na PN přechodech, dlouhodobou časovou stabilitu blokovací a závěrné charakteristiky a další parametry diod a tyristorů.
Dosud se povrchová ochrana výstupů napěťových PN přechodů na povrch provádí většinou silikonovým kaučukem. Nevýhodou tohoto způsobu je špatná časová stabilita závěrných vlastností, nižší provozní teplota a tomu odpovídající vyšší proudy.
Uvedené nevýhody podstatně snižuje způsob povrchové ochrany PN přechodů podle vynálezu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že na povrch polovodičového materiálu, například křemíku se nanese vrstva polyvinyl-N-car2 bazolu (dále jen PVK). PVK se na povrch polovodičové součástky nanáší v roztoku rozpouštědla benzenu, toluenu, cyklohexanonu apod. Vrstva PVK se tepelně zpracovává při teplotách vyšších než 270 °C.
Alternativně se na vrstvu PVK nanese další ochranná vrstva, například vrstva silikonového kaučuku. Nanesením PVK rozpuštěném v některém z uvedených rozpouštědel vznikne tenká vrstva o tloušťce několika μπι. Dokonalé adheze na povrchu polovodičové součástky se dosáhne tepelným zpracováním.
Pokud je použito pro povrchovou ochranu výstupů polovodičových PN přechodů dvojvrstvy, tj. na vrstvu PVK je nanesena například vrstva silikonového kaučuku, je tato druhá vrstva vytvrzena v teplotním cyklu předepsaném pro ten který použitý silikonový kaučuk výrobcem.
Srovnáním dosud známé kaučukové povrchové ochrany a povrchové ochrany vytvořené pomocí PVK, popřípadě v kombinaci se silikonovým kaučukem, bylo zjištěno, že povrchová vrstva podle vynálezu zvyšuje dlouhodobou stabilitu závěrných a blokovacích charakteristik, zlepšuje teplotní závislost blokovacího spínacího napětí, přináší zvýšení opakovatelných napětí o 10 až 15 % a u diod snižuje závěrné proudy při
228 vysokých teplotách přibližně na polovinu, čímž lze zvýšit pracovní teplotu součástky.
Výše uvedené vlastnosti povrchové ochrany umožňují podstatné zvýšení provozních napětí a polovodičové součástky pak vykazují dlouhodobou časovou stabilitu.
Vzhledem k nepatrnému množství PVK, kterého je při provádění povrchové ochrany zapotřebí, jsou náklady minimální. Ekonomické zvýhodnění polovodičových součástek je tak evidentní.
Claims (4)
- předmEt1. Způsob povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů na povrch polovodičové součástky, například diody, tranzistoru nebo tyrlstoru, vyznačený tím, že na povrch polovodičového materiálu, například křemíku se nanese vrstva polyvinyl-N-car1 bazolu.
- 2. Způsob povrchové ochrany podle bodu 1, vyznačený tím, že polyvinyl-N-carbazol se na povrch polovodičové součástky nanáší : 5 51. Příklad provedeníNa povrch výkonového tyristoru je nanesena vrstva polyvinyl-N-carbazolu v roztoku cyklohexanonu, která se po nanesení tepelně zpracuje na vzduchu při teplotě 280 °C po dobu 20 minut.2. Příklad provedeníNa tepelně zpracovanou vrstvu polyvinyl-N-carbazolu nanesenou na povrchu tyristoru se nanese vrstva silikonového kaučuku, která se následně tepelně zpracuje.íynAlezu v roztoku rozpouštědla benzenu, toluenu, cyklohexanonu apod.
- 3. Způsob povrchové ochrany podle bodů 1 a 2, vyznačený tím, že vrstva polyvinyl-N-carbazolu se tepelně zpracovává při teplotách vyšších než 270 °C.
- 4. Způsob povrchové ochrany podle bodů 1 až 3, vyznačený tím, že na vrstvu polyvinyl-N-carbazolu se nanese další ochranná vrstva, například vrstva silikonového kaučuku.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS426478A CS228455B1 (cs) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Způsob povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS426478A CS228455B1 (cs) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Způsob povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS228455B1 true CS228455B1 (cs) | 1984-04-16 |
Family
ID=5384965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS426478A CS228455B1 (cs) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Způsob povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS228455B1 (cs) |
-
1978
- 1978-06-29 CS CS426478A patent/CS228455B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3590471A (en) | Fabrication of insulated gate field-effect transistors involving ion implantation | |
| KR980007941A (ko) | 절연성 접착테이프를 사용한 리드프레임 | |
| US2758261A (en) | Protection of semiconductor devices | |
| US3684592A (en) | Passivated surfaces and protective coatings for semiconductor devices and processes for producing the same | |
| GB1010064A (en) | Elastomeric products and process for their manufacture | |
| Mizutani et al. | Anomalous transient currents in high-density polyethylene around 50–70° C | |
| DE112012000238T5 (de) | Reversibel klebendes Wärmegrenzflächenmaterial | |
| KR0157844B1 (ko) | 수지봉지형 반도체장치 및 제조방법 | |
| CS228455B1 (cs) | Způsob povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů | |
| US2807558A (en) | Method of sealing a semi-conductor device | |
| US10796998B1 (en) | Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices | |
| KR960007653A (ko) | 표면보호막 및 그것을 갖는 수지봉지형 반도체 장치와 그 제조방법 | |
| Kaminski | Reliability challenges for SiC power devices in systems and the impact on reliability testing | |
| JPS648633A (en) | Semiconductor device | |
| FR2181017B1 (cs) | ||
| IE33422B1 (en) | Semiconductor device with shock absorbing and passivation means | |
| US2963630A (en) | Surface treatment of semiconductive devices | |
| US3745082A (en) | Semiconductor surface protection material | |
| Furukawa et al. | bipolar carrier behavior in a near ultraviolet electroluminescent silicon polymer: Poly [Bis (pn-butylphenyl) silane] | |
| JPS6467966A (en) | Semiconductor device | |
| Wu et al. | The effect of γ-irradiation on the electrical properties of epoxy resin systems | |
| ES342647A1 (es) | Procedimiento para preparar cintas aislantes. | |
| RU2069027C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| KR900000692B1 (ko) | Pn 접합 반도체 소자 제조방법 | |
| JPS6348424B2 (cs) |