CS228455B1 - Method of protecting surface of semiconductor pn junctions - Google Patents
Method of protecting surface of semiconductor pn junctions Download PDFInfo
- Publication number
- CS228455B1 CS228455B1 CS426478A CS426478A CS228455B1 CS 228455 B1 CS228455 B1 CS 228455B1 CS 426478 A CS426478 A CS 426478A CS 426478 A CS426478 A CS 426478A CS 228455 B1 CS228455 B1 CS 228455B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- polyvinyl
- semiconductor
- carbazole
- treated
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
(54) Způsob povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů(54) Surface protection of semiconductor PN junction outputs
Vynález se týká. způsobu povrchové ochrany výstupů polovodičových PN přechodů na povrch polovodičové součástky, například diody, tranzistoru nebo tyristoru.The invention relates. a method of surface protecting the outputs of semiconductor PN transitions to the surface of a semiconductor component, such as a diode, transistor, or thyristor.
K povrchové ochraně PN přechodů se používá silikonových kaučuků, silikonových laků, pryskyřice a jiných izolačních materiálů. Kvalita povrchové ochrany má totiž značný vliv na důležité parametry diod, tyristorů apod. Ovlivňuje teplotní závislost blokovacího spínacího; napětí, teplotní závislost závěrných proudů na PN přechodech, dlouhodobou časovou stabilitu blokovacího spínacího napětí, teplotní závislost závěrných proudů na PN přechodech, dlouhodobou časovou stabilitu blokovací a závěrné charakteristiky a další parametry diod a tyristorů.Silicone rubbers, silicone lacquers, resin and other insulating materials are used for surface protection of PN transitions. The quality of surface protection has a significant influence on the important parameters of diodes, thyristors, etc. It affects the temperature dependence of the blocking switching ; voltage, temperature dependence of reverse currents on PN transitions, long-term stability of blocking switching voltage, temperature dependence of reverse currents on PN transitions, long-term stability of blocking and closing characteristics and other diode and thyristor parameters.
Dosud se povrchová ochrana výstupů napěťových PN přechodů na povrch provádí většinou silikonovým kaučukem. Nevýhodou tohoto způsobu je špatná časová stabilita závěrných vlastností, nižší provozní teplota a tomu odpovídající vyšší proudy.So far, the surface protection of the outputs of the voltage PN transitions to the surface is done mostly by silicone rubber. The disadvantage of this method is the poor time stability of the sealing properties, lower operating temperature and correspondingly higher currents.
Uvedené nevýhody podstatně snižuje způsob povrchové ochrany PN přechodů podle vynálezu.These disadvantages substantially reduce the surface protection method of the PN junction according to the invention.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že na povrch polovodičového materiálu, například křemíku se nanese vrstva polyvinyl-N-car2 bazolu (dále jen PVK). PVK se na povrch polovodičové součástky nanáší v roztoku rozpouštědla benzenu, toluenu, cyklohexanonu apod. Vrstva PVK se tepelně zpracovává při teplotách vyšších než 270 °C.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is based on the application of a layer of polyvinyl-N-car 2 bazol (PVK) to the surface of a semiconductor material such as silicon. The PVK is applied to the surface of the semiconductor component in a solvent solution of benzene, toluene, cyclohexanone, etc. The PVK layer is heat treated at temperatures above 270 ° C.
Alternativně se na vrstvu PVK nanese další ochranná vrstva, například vrstva silikonového kaučuku. Nanesením PVK rozpuštěném v některém z uvedených rozpouštědel vznikne tenká vrstva o tloušťce několika μπι. Dokonalé adheze na povrchu polovodičové součástky se dosáhne tepelným zpracováním.Alternatively, an additional protective layer, for example a silicone rubber layer, is applied to the PVK layer. Applying PVK dissolved in any of the above solvents results in a thin layer of several µπι thickness. Perfect adhesion to the surface of the semiconductor component is achieved by heat treatment.
Pokud je použito pro povrchovou ochranu výstupů polovodičových PN přechodů dvojvrstvy, tj. na vrstvu PVK je nanesena například vrstva silikonového kaučuku, je tato druhá vrstva vytvrzena v teplotním cyklu předepsaném pro ten který použitý silikonový kaučuk výrobcem.When used for surface protection of the semiconductor PN transitions of the bilayer, i.e. a layer of silicone rubber is applied to the PVK layer, this second layer is cured in the temperature cycle prescribed for the particular silicone rubber used by the manufacturer.
Srovnáním dosud známé kaučukové povrchové ochrany a povrchové ochrany vytvořené pomocí PVK, popřípadě v kombinaci se silikonovým kaučukem, bylo zjištěno, že povrchová vrstva podle vynálezu zvyšuje dlouhodobou stabilitu závěrných a blokovacích charakteristik, zlepšuje teplotní závislost blokovacího spínacího napětí, přináší zvýšení opakovatelných napětí o 10 až 15 % a u diod snižuje závěrné proudy přiBy comparing the known rubber surface protection and the surface protection formed by PVK, possibly in combination with silicone rubber, it was found that the surface layer according to the invention increases the long-term stability of the closing and blocking characteristics, improves the temperature dependence of the blocking switching voltage 15% au diodes reduce the reverse currents at
228 vysokých teplotách přibližně na polovinu, čímž lze zvýšit pracovní teplotu součástky.228 high temperatures, which can increase the working temperature of the component.
Výše uvedené vlastnosti povrchové ochrany umožňují podstatné zvýšení provozních napětí a polovodičové součástky pak vykazují dlouhodobou časovou stabilitu.The above-mentioned surface protection properties allow a substantial increase in operating voltages, and the semiconductor components exhibit long-term stability over time.
Vzhledem k nepatrnému množství PVK, kterého je při provádění povrchové ochrany zapotřebí, jsou náklady minimální. Ekonomické zvýhodnění polovodičových součástek je tak evidentní.Due to the small amount of PVK required for surface protection, costs are minimal. The economic advantage of semiconductor devices is thus evident.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS426478A CS228455B1 (en) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Method of protecting surface of semiconductor pn junctions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS426478A CS228455B1 (en) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Method of protecting surface of semiconductor pn junctions |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS228455B1 true CS228455B1 (en) | 1984-04-16 |
Family
ID=5384965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS426478A CS228455B1 (en) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Method of protecting surface of semiconductor pn junctions |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS228455B1 (en) |
-
1978
- 1978-06-29 CS CS426478A patent/CS228455B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3590471A (en) | Fabrication of insulated gate field-effect transistors involving ion implantation | |
| KR980007941A (en) | Lead frame using insulating adhesive tape | |
| US2758261A (en) | Protection of semiconductor devices | |
| US3684592A (en) | Passivated surfaces and protective coatings for semiconductor devices and processes for producing the same | |
| GB1010064A (en) | Elastomeric products and process for their manufacture | |
| Mizutani et al. | Anomalous transient currents in high-density polyethylene around 50–70° C | |
| DE112012000238T5 (en) | Reversible adhesive thermal interface material | |
| KR0157844B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method | |
| CS228455B1 (en) | Method of protecting surface of semiconductor pn junctions | |
| US2807558A (en) | Method of sealing a semi-conductor device | |
| US10796998B1 (en) | Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices | |
| KR960007653A (en) | Surface protective film, resin encapsulated semiconductor device having same, and manufacturing method thereof | |
| Kaminski | Reliability challenges for SiC power devices in systems and the impact on reliability testing | |
| JPS648633A (en) | Semiconductor device | |
| FR2181017B1 (en) | ||
| IE33422B1 (en) | Semiconductor device with shock absorbing and passivation means | |
| US2963630A (en) | Surface treatment of semiconductive devices | |
| US3745082A (en) | Semiconductor surface protection material | |
| Furukawa et al. | bipolar carrier behavior in a near ultraviolet electroluminescent silicon polymer: Poly [Bis (pn-butylphenyl) silane] | |
| JPS6467966A (en) | Semiconductor device | |
| Wu et al. | The effect of γ-irradiation on the electrical properties of epoxy resin systems | |
| ES342647A1 (en) | Assemblies Resistant to High Temperature | |
| RU2069027C1 (en) | Semiconductor device manufacturing process | |
| KR900000692B1 (en) | Pn junction semiconductor device manufacturing method | |
| JPS6348424B2 (en) |