CS225191B1 - Optoelectronic element with double heterostructure based on semiconductors of a5b5 type - Google Patents
Optoelectronic element with double heterostructure based on semiconductors of a5b5 type Download PDFInfo
- Publication number
- CS225191B1 CS225191B1 CS77582A CS77582A CS225191B1 CS 225191 B1 CS225191 B1 CS 225191B1 CS 77582 A CS77582 A CS 77582A CS 77582 A CS77582 A CS 77582A CS 225191 B1 CS225191 B1 CS 225191B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- type
- layer
- double heterostructure
- semiconductors
- optoelectronic element
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVEDČEMIU 225191 (11) (Bl) (51) Int. Cl.1 * 3 * H 01 L 33/00 (22) Přihlášené 04 02 82(21) (PV 775-82) (40) Zverejnené 27 05 83 ÚkAO PKO VYMAUBV A OBJ8VY (45) Vydané 15 04 86 (75)
Autor vynálezu KOVÁČ JAROSLAV ing., SRNÁNEK RUDOLF ing. CSc., JAKABOVIČ JÁNing., BRATISLAVA (54) Optoelektronický prvok stypu A5B5 dvojitou heteroštruktúrou na báze polovodičov 1
Vynález sa týká optoelektronického prv- ku s dvojitou heteroštruktúrou na báze po- lovodičov typu A3B5, u ktorého sa rieši vy-tvorenie vrstvy nad dvojitou heteroštruktú-rou. V súčasnej době sa na přípravu optoelek-tronických polovodičových prvkov, ako na-příklad laserov a elektroluminiscenčnýchdiod používajú podložky z polovodičovéhomateriálu typu A3B5. Na podložku sa meto-dou rastu z kvapalnej fázy připraví hetero-štruktúra typu AB — ABCD. Symboly A, B,C, D označujú chemické prvky a indexy 3, 5nznačujú, že prvok sa nachádza v 3. alebov 5. skupině Mendelejevovej periodickej ta-bul'ke prvkov. Na túto heteroštruktúru jevytvořená vrstva, například z kysličníkakřemičitého (S1O2), alebo z polovodiča AB,resp. ABCD, takého typu vodivosti ako jepodložka. Do vrstvy sú v potrebnej forměpřevedené zaleptania. Například v případepásikových laserov sú to pásiky. Na povrchusú vytvořené kovové kontaktové vrstvy. Hor-ná vrstva je zo zlata a zinku (Au + Zn) adolná vrstva zo zlata a cínu (Au + Snj. Pritakomto štruktúrnom usporiadaní a v pří-pade, že vrstva je z SiOz, je potřebné eštepod hornú kovovú vrstvu pripraviť ďalšiuvrstvu, například z chrómniklu (NiCr), kv6-li lepšej přilnavosti zlata (Au). V případe, 2 že vrstva je připravená metodou kvapalnejepitaxie z materiálu AB alebo ABCD, nastá-vá nežiadúca difúzia příměsí, například zin-ku (Zn) do narastenej heteroštruktúry atiež úlet prchavých prvkov zo zlúčenín AB,resp. ABCD.
Vynález uvedené nedostatky odstraňuje vpodstatě tým, že vrstva ležiaca na dvojitejheteroštruktúre je připravená z polovodičo-vého materiálu indium — cín — oxid(In2_xSni_xO3_y) vodivosti n-typu, napříkladkatodovým naprašovaním. Písmená x, y vy-jadrujú koncentráciu prvkov v zlúčenine. Pripríprave takejte vrstvy sa používajú teplo-ty 200 až 300 °C a tak nedochádza k difúziipříměsí ani k úletu prchavých prvkov. Natento materiál sa dá kovová vrstva pripra-viť bez použitia NiCr medzivrstvy.
Na obr. 1 je znázorněný rez optoelektro-nickým prvkom podlá vynálezu. Je to kon-krétny příklad laserovéj diody typu InP —InGaAsP. InP je polovodič fosfid inditý aInGaAsP zmesný polovodičový materiál fos-fido-arzenid galito-inditý. Au, Zn, Sn, In, Osú chemické značky zlata, zinku, cínu, in-dia a kyslíka. Malé písmená n, p označujútyp vodivosti polovodiča. Vrstvy v schéme súoznačené 1, 2, 3, 4. V konkrétnom převedení polovodičovéhopásikového laseru typu InP — InGaAsP je 225191
Claims (1)
- pódia vynálezu. Do povrchu tejto vrstvy sú zaleptané pásiky o rozmeroch 10 krát 300 μΐΐι a vákuovým napařením sú vytvořené ko- vové kontaktové vrstvy 2 a 3 z Au + Zn, resp. Au + Sn. 225191 optoelektronický prvek tvořený podložkouInP, n-typu, na ktorú je metodou kvapalnejepitaxie vytvořená heteroštruktúra 4 zlože-nia η-InP, InGaAsP, p-InP. Na tejto hetero-štruktúre sa nachádza katódovo napráše-ná vrstva 1 In2-xSni_xiO3_y o hrúbke 0,2 μΐη, PREDMET Optoelektronický prvok s dvojitou hetero-štruktúrou na báze polovodičov typu A3B5,vyznačujúci sa tým, že vrstva (1) ležiaca VYNALEZU na dvojitej heteroštruktúre je vytvořená zpolovodičového materiálu In2_xSn1_xO3_y. 1 list výkresov i
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS77582A CS225191B1 (en) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | Optoelectronic element with double heterostructure based on semiconductors of a5b5 type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS77582A CS225191B1 (en) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | Optoelectronic element with double heterostructure based on semiconductors of a5b5 type |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS225191B1 true CS225191B1 (en) | 1984-02-13 |
Family
ID=5340512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS77582A CS225191B1 (en) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | Optoelectronic element with double heterostructure based on semiconductors of a5b5 type |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS225191B1 (cs) |
-
1982
- 1982-02-04 CS CS77582A patent/CS225191B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101904021B (zh) | 用于以薄膜技术制造光电子器件的方法 | |
| KR100548860B1 (ko) | n형질화물반도체의전극및상기전극을갖는반도체소자및그제조방법 | |
| Ponpon | A review of ohmic and rectifying contacts on cadmium telluride | |
| GB2024506A (en) | Ohmic contacts to n-type group iii-v semiconductors | |
| US7135713B2 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
| EP0272303A1 (en) | Method for fabricating devices in iii-v semiconductor substrates and devices formed thereby | |
| KR890003051A (ko) | Iii/v족 화합물 반도체 재료로된 발광다이오드 | |
| GB1375269A (cs) | ||
| CS225191B1 (en) | Optoelectronic element with double heterostructure based on semiconductors of a5b5 type | |
| GB2033155A (en) | Light emissive diode structure | |
| JPS54152878A (en) | Structure of semiconductor laser element and its manufacture | |
| EP0516162B1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| US6291328B1 (en) | Opto-electronic device with self-aligned ohmic contact layer | |
| JPS54152879A (en) | Structure of semiconductor laser element and its manufacture | |
| US5039578A (en) | Method for fabricating devices in III-V semiconductor substrates and devices formed thereby | |
| US4233614A (en) | Light emitting diode | |
| EP0108910A2 (en) | Method of forming a passivated compound semiconductor substrate | |
| CN1047469C (zh) | 制作半导体台面侧向电流限制结构的技术 | |
| Ohtsuka et al. | Low resistance ohmic contact for p‐type ZnTe using Au electrode | |
| JPS5950107B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS55165689A (en) | Preparation of light emission semiconductor device | |
| JP2550710B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
| JPS5642390A (en) | Formation of electrode on semiconductor device | |
| JPH0282679A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP2000058909A (ja) | 半導体発光素子 |