CS214254B1 - Method of etching for determination of crystalline grains of gallium arsenide crystalls - Google Patents
Method of etching for determination of crystalline grains of gallium arsenide crystalls Download PDFInfo
- Publication number
- CS214254B1 CS214254B1 CS614580A CS614580A CS214254B1 CS 214254 B1 CS214254 B1 CS 214254B1 CS 614580 A CS614580 A CS 614580A CS 614580 A CS614580 A CS 614580A CS 214254 B1 CS214254 B1 CS 214254B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- etching
- grains
- galliumarsenide
- parts
- crystal
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 14
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims 1
- 230000035876 healing Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 claims 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 2
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Weting (AREA)
Description
ČESKOSLOVENSKÁSOCIALISTICKÁREPUBLIKA< 1S )
POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 214 254 (Π) (Bl)
(61) (23) Výstavní priorita(22) Přihlášeno n 09 80(21) PV 6145-80 (51) IntCl.5 H 01 L 21/302
ÚŘAD PRO VYNÁLEZY
A OBJEVY (40) Zveřejněno 15 09 81(45) Vydáno 01 Q6 84 (75)
Autor vynálezu hrubý arnošt ing. esc., Štěpánek bedřich ing. esc., praha (54) Způsob leptání pro stanovení krystalických zrn krystalů galliumarsenidu
Vynález se týká způsobu leptáni krystalů galliumarsenidu pro stanovení krystalických zrn,-kdy krystaly byly předem opracovány broušením či lapovéním, a dále povrch leptán na lesk. í
Leptání krystalů pro stanovení krystalických zrn umožňuje jednoduchou cestou Stanovit,zda vypěstovaný krystal galliumarsenidu je monokrystalem, či je složen z několika zrn.
Existuje celá řada použitelných leptadel a leptacích postupů, avšak doposud používanéroztoky mají řadu nevýhod.
Použití roztoku Η,,02 + HF + HgO (R. K. Willardson, H. L. Goering: Preparation of III-VCompounds, vol. I. New Yourk, Reinhold Publ. Cer. (1962) je příliš náročné na čas. Leptáníprobíhá 45 minut. Dále se používá brom, který je jedovatý (L. Koszi,' D. L. Rode: J. Ělch.
Soc. 122 /1975/ 1696) nebo autoři J. G. Grahmaier, C. B. Watson: Phys. St. Solidi 32 /1969/ K 13) používají silně agresivních látek jako je roztavený hydroxid draselný. Použití jedova-tých a silně agresivních látek značně ztěžuje práci, nebot je nutné používat složitá bezpeč-nostní opatření, která jsou mnohdy i ňa úkor přesnosti výsledku.
Využívání výše uvedených leptadel je příliš časově náročné jednak pro vlastní leptacíproces a jednak pro zajištění všech potřebných bezpečnostních opatření, tuc(íž se popsaná lep-tadla a postupy jeví jako neekonomické.
Tyto nevýhody odstraňuje způsob leptání pro stanovení krystalických zrn galliumarsenidu 214254
L
Claims (2)
- 214254 .
- 2 podle vynálezu, jehož podstatou je, že na krystal galliumarsenidu se působí po dobu 30 až 60sekund při teplotě 40 až. 60 °C leptadlem, obsahujícím 20' dílů 40 % vodného roztoku kyselinyvinné, 5 dílů koncentrované kyseliny dusičné a 4 díly 1 vodného roztoku dusičnanu stříbr-ného, přičemž se krystalem v roztoku mírně pohybuje. Výhodou tohoto způsobu leptání je, že neobsahuje látky jedovaté a silně agresivní, a želeptací časy jsou velice krátké, takže celý postup trvá zhruba 2 až 3 minuty. Použité látkyjsou levné a snadno dostupné. Před leptáním pro stanoveni krystalických zrn se krystal galliumarsenidu za mokra obrou-sí jemným karborundovým práškem a oelptá. na lesk. Po důkladném omytí lesklého povrchu a opláchnutí ve vodě se vloží do předem připravenéholeptadla pro stanovení krystalických zrn o složení podle vynálezu. Leptání se provádí v roztoku o teplotě 40 až 60 °C. Vzorkem se v leptadle mírně pohybujepo dobu 30 až 60 sekund, pak sé substrát důkladně opláchne pod proudící vodou a nakonec vdestilované vodě, Na metalografickém mikroskopu při zvětšeni 200 až 500 x lze pak pozorovatpočet zrn vzorku galliumarsenidu. Následující příklady provedeni mají pouze objasnit předmět vynálezu, aniž by jej jakým-koliv způsobem omezovaly. Přiklad 1 Dokonale obroušený krystal galliumarsenidu, oleptaný na lesk, se po důkladném opláchnutívodou vložil do leptadla pro stanovení knystalických zrn o složení podle vynálezu. Leptadlo mělo teplotu 45 °C a vzorek galliumarsenidu byl v něm ponechán za mírného míchá-ni 55 sekund. Potom byl vyjmut a opláchnut v proudící vodě a naxonec v destilované vodě. Pooschnutí byl pozorován na metalografickém mikroskopu. Skládal se z několika dobře patrných zrn. Příklad 2 Dobře obroušený krystal galliumarsenidu, oleptaný na lesk byl po důkladném opláchnutívodou vložen do leptadla pro stanovení krystalických zrn o složení podle vynálezu. Leptadlo mělo teplotu 57 °C a vzorek galliumarsenidu v něm byl ponechán za mírného mí-cháni 40 sekund. Potom byl vyjmut, důkladně opláchnut v proudící vodě a nakonec v destilovanévodě. Po uschnuti byl pozorován na metalografickém mikroskopu. Vzorek galliumarsenidu se sklá-dal z několika dobře vyvinutých zrn. Způsob leptáni pro stanovení krystalických zrn podle vynálezu lze využít ve všech labo-ratořích, kde se připravuje krystalický galliumarsenid. Leptání krystalů pro stanovení krystalických zrn umožňuje jednoduchou cestou určit, zdavypěstovaný krystal je monokrystalem," nebo je složen z několika zrn. PŘEDMĚT VYNALEZU Způsob leptání pro stanovení krystalických zrn krystalů galliumarsenidu předem opraco- 3 214254 váných broušenímpůsobí leptadlemkyseliny dusičnéaž 60 sekund při a oleptaných na lesk vyznačující se tím, že se na krystal galliumarseniduo složení 20 dílů vodného roztoku kyseliny vinné koncentrované 40 %, 5 dílůkoncentrované a 4 díly vodného roztoku dusičnanu stříbrného 1 % po dobu 30teplotě 40 až 60 °C, přičemž se vzorkem v roztoku mírně pohybuje.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS614580A CS214254B1 (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Method of etching for determination of crystalline grains of gallium arsenide crystalls |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS614580A CS214254B1 (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Method of etching for determination of crystalline grains of gallium arsenide crystalls |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS214254B1 true CS214254B1 (en) | 1982-04-09 |
Family
ID=5407818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS614580A CS214254B1 (en) | 1980-09-11 | 1980-09-11 | Method of etching for determination of crystalline grains of gallium arsenide crystalls |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS214254B1 (cs) |
-
1980
- 1980-09-11 CS CS614580A patent/CS214254B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5049200A (en) | Process for the hydrophilizing and/or cement-residue-removing surface treatment of silicon wafers | |
| US5032203A (en) | Apparatus for polishing | |
| US4238244A (en) | Method of removing deposits from surfaces with a gas agitated cleaning liquid | |
| US3864139A (en) | Pretreatment compositions and use thereof in treating metal surfaces | |
| GB1528990A (en) | Polishing semiconductor materials | |
| US4737195A (en) | Activator-accelerator mixtures for alkaline paint stripper compositions | |
| DE2531431C3 (de) | Poliermittel zur Herstellung schleierfreier Halbleiteroberflächen | |
| US3856694A (en) | Process for stripping nickel from articles and composition utilized therein | |
| US4305779A (en) | Method of polishing nickel-base alloys and stainless steels | |
| US2653861A (en) | Etching aluminum using hexahydroxyheptanoic acid as a modifier | |
| ATE86311T1 (de) | Trockengranulatzubereitung und verfahren zum polieren eisenhaltiger komponenten. | |
| US4243473A (en) | Method for detecting crystal defects in semiconductor silicon and detecting solution therefor | |
| CS214254B1 (en) | Method of etching for determination of crystalline grains of gallium arsenide crystalls | |
| US2705192A (en) | Etching solutions and process for etching members therewith | |
| CZ280639B6 (cs) | Leštící lázeň a způsob chemického leštění povrchů z nerezové oceli | |
| BR8707891A (pt) | Composicao de dispersao liquida para,e processo para,polimento de componentes ferrosos | |
| US4900363A (en) | Method and liquid preparation for removing residues of auxiliary sawing materials from wafers | |
| US4383857A (en) | Attack polish for nickel-base alloys and stainless steels | |
| CS214252B1 (cs) | Způsob lesklého leptání krystalů galliumarsenidu | |
| CS212170B1 (cs) | Způsob leptání krystalů galliumarsenidu pro zjištění hustoty dislokací | |
| JPS5521541A (en) | Process for purifying waste phosphoric acid used in chemicial grinding | |
| US3552993A (en) | Process for rinsing chromium plated parts | |
| Melikhov et al. | Non-diffusive topochemical transformation of calcium sulphate hemihydrate into the dihydrate | |
| SU1701759A1 (ru) | Композици дл химико-механической полировки поверхности полупроводниковых кристаллов | |
| USH125H (en) | Etch and polish for metal halides |