CS213016B1 - Světlocitlivý roztok pro fotolept s vysokou adhezi - Google Patents
Světlocitlivý roztok pro fotolept s vysokou adhezi Download PDFInfo
- Publication number
- CS213016B1 CS213016B1 CS569580A CS569580A CS213016B1 CS 213016 B1 CS213016 B1 CS 213016B1 CS 569580 A CS569580 A CS 569580A CS 569580 A CS569580 A CS 569580A CS 213016 B1 CS213016 B1 CS 213016B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- solution
- photosensitive
- light
- sensitive
- derivatives
- Prior art date
Links
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 3
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 4
- ZRUOTKQBVMWMDK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-6-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C=O ZRUOTKQBVMWMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- VQHPRVYDKRESCL-UHFFFAOYSA-N 1-bromoadamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(Br)C3 VQHPRVYDKRESCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- -1 o-naphthoquinone diazidosulfonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- OZNXTQSXSHODFR-UHFFFAOYSA-N 1-chloroadamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(Cl)C3 OZNXTQSXSHODFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical class C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIEGZGTYGKTQNM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxy-6-methylphenyl)acetaldehyde Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1CC=O QIEGZGTYGKTQNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- VLLNJDMHDJRNFK-UHFFFAOYSA-N adamantan-1-ol Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(O)C3 VLLNJDMHDJRNFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009750 centrifugal casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Substances O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- BCVXYGJCDZPKGV-UHFFFAOYSA-N n-(1-adamantyl)acetamide Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(NC(=O)C)C3 BCVXYGJCDZPKGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000000546 pharmaceutical excipient Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
(54)
Světlocitlivý roztok pro fotolept s vysokou adhezi
Vynálezem je pozitivně pracující světlocitlivý roztok pro fotolept vhodný pro použití v elektrotechnickém průmyslu v různých technikách fotoleptu, výhodně při fotolitoarafickéro procesu v polovodičové technologii. Světlocitlivé vrstva připravená z roztoku slouží jako ochrana podložky při leptání.
Sv’tlocitlivá vrstva použitá v tomto vynálezu je založena na světelné citlivosti derivátů o-naftorhinon-1,2-diazid(2)-5-sulfořové kyseliny; tyto deriváty se světlem rozkládají a přessiykují ”a derivát indenkarbonové kyseliny, který je rozpustný ve zředěných alkáliích a dá se vyvoláním těmito roztoky z podložky odstranit.
Aby «větlocitlivý roztok měl filmotvorné vlastnosti, musí vedle světlocitlivé látky obsahovat vysokomolekulární pryskyřici. V technické praxi se nejvíce k tomuto účelu používají fenolaldehydové novolakové pryskyřice. Tyto látky, · když nejsou samy o sobě ke světlu citlivé, mají rozhodující význam pro fyzikální a mechanické vlastnosti světlocitlivé vrstvy, jako je její adheze k podložce, pružnost, oděr apod. Tyto faktory hrají důležitou roli zejména v polovodičové technologii při výrobě integrovaných obvodů, mikroprocesorů a transistorů. Vývoj této technologie směřuje stále k větší miniaturizaci, což klade stále větší nároky na vlastnosti svstloeitlivých vrstev, zejména na jejich rozlišovací schopnost a odolnost v leptu. Z tohoto hlediska je nejvýznamn*jši adheze světlocitlivé vrstvy k povrchu polevodičů, zvláště kysličníku křemičitému. Novolakové fenolaldehydové pryskyřice jsou křehké, jejich adheze k povrchu polovodičů je pro tyto náročné účely nedostatečná.
213 01Β
Dochází k narušení hranové ostrosti kopírovaných obrazců, k zaoblení rohů a odplavení miniaturních ostrůvků fotolaku v leptací lázni. Kromě toho rozdíl rozpustnosti exponované a neexponované vrstvy ve vývojce je malý a vyžaduje zvýšenou kontrolu vyvolávacího procesu.
Podstatného zlepšení vlastností světlocitlivého roztoku pro fotolept obsahujícího v organickém rozpouštědle rozpuštěnou světlocitlivou látku na basi derivátů o-naftochinondiazidosulfonové kyseliny, fenolaldehydovou novolakovou pryskyřici a/nebo jinou vysokomolekulírní látku a popřípadě jiné pomocné látky, jako jsou například barviva a smáčedla se dosahuje roztokem podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že světlocitlivý roztok dále obsahuje 0,2 až 20 % adamantanu a/nebo alespoň jednoho z derivátů obecného vzorce I,
kde R je halogen, skupina -OH nebo C , kde je n malé ělslo v intervalu 1 až 4.
Výhodou světlocitlivého roztoku podle vynálezu je, že obsahuje vedle obvyklých komponent, ,tj. světlocitlivé látky a novolakové pryskyřice také adamantan a/nebo jeho deriváty.
Tyto látky v důsledku své zvláštní geometrické struktury v malém přídavku odstraňuji křehkost světlocitlivé vrstvy, zvyšuji její elastičnost a tim i adhezi k podložce. Dále snižuji rozpustnost neexponované vrstvy ve vývojce, přičemž rozpustnost vrstvy exponované zůstává stejná, takže celkový rozdíl rozpustností se zvyšuje. To umožňuje lepší zvládnutí vyvolávacího procesu, vrstva není tak citlivá na převolání, což je výhodné zejména při použití vyvolávacích automatů. Pro zlepšení ostatních vlastnosti světlocitlivého roztoku je možno přivdat do roztoku další látky, například vysokomolekulýrni polymery pro zvýšeni viskozity roztoku, barviva pro zlepšení visuální kontroly zpracování světlocitlivé vrstvy aj.
Při přípravě světlocitlivého roztoku se postupuje tak. že světlocitlivé látka, novolakevá pryskyřice, adamantan a/nebo jeho deriváty, popřípadě dalši pomocné látky se rozpustí za míchání v organickém rozpouštědle, například v l-metoxy-2-acetoxyethanu, v jeho směsi « 2-ethoxyethanolem, xylenem apod. Hmotnostní poměr jednotlivých komponent se může pohybovat v širokém rozmezí. Hmotnostní obsah světlocitlivé látky v sušině se obvykle pohybuje v rozmezí 15 až 40 % a hmotnostní obsah adamantanu a/nebe jeho derivátů je účinný v širokém rozmezí 3 až 40 %. Zbytek v sušině tvoří filmotvorné vysokomolekulárnl pryskyřice. Celková hmotnostní koncentrace pevných látek v roztoku závisí na síle světlocitlivé vrstvy, kterou choeme připravit, a ná zp sobu ovrstvování a pohybuje se v širokém rozmezí 5 až 40 %.
Při ovrstvování podložky takto připravených světlocitlivýmhroztokem je možno pouHt běžné techniky polevu, jako je odstředivé lití, máčení, stříkání nebo strojní polav oustavou válců. Jako podložka může sloužit křemíková destička s vrstvou oxidu, móděná cuprextitová deska, hliníková fólie aj. Po polevu je třeba vrstvu dokonale dosušit při zvýšené teplotě 60 až 80 °C. Expozice vrstvy se provádí rtuťovou výbojkou nebo jiným zdrojem světla s bohatým obsahem ultrafialových paprsků. Vyvolání svět-leeitlivé vrstvy se provádí pomocí vodných alkalických roztoků, jejichž koncentrace musí být volena podle složení a vlastností filmotvorné pryskyřiee. Při použití mírných leptadel je možno podložku s vyvolanou světlocitlivou
213 01Β vrstvou ponořit ihned do leptadla. Leptáni v agresivních leptadlech vyžaduje další suš-ení světlocitlivé 'vrstvy po jejím vyvolání, a to v rozmezí 100 až 110 °C. Teplota sušení musí být volena tak, aby nedocházelo k deformaci kopírovaných struktur. Na konec fotolitografic kého procesu se zbytky odstraní rozpuštěním v organickém rozpouštědle, silně alkalickém roztoku nebo spálením v proudu kyslíku.
1 říklad 1
Připraví se světlocitlivj roztok následujícího složení :
3,1 g světlocitlivé látky - monoesteru 2,2-(bis)4-hydroxyfeny1)-propanu a 1,2-naftochinon-<2)-diazido-5- sulfonové kyseliny
5.5 g fenolformaldehydové novolakové pryskyřice, acetylované ze 15 % na -OH skupině,
3.8 g adamantanu
43.8 g xylenu a
13.8 g l-methoxy-2-acetoxyethanu.
Přiklad 2
Připraví se světlocitlivý roztok následujícího složení :
g svět locitlivé látky dle příkladu 1, g m-kresolformal dehydové pryskyřice, g 1-bromadamantanii,
17.5 g 2-ethoxyethariolu a
52.5 g l-methoxy-2-acetoxyethanu.
Příklad 3 ‘řipraví se světlocitlivý roztok následujícího složení :
g světlocitlivé látky podle příkladu 1,
17.5 g m-kiesolformaldehvdové pryskyřice,
2.5 g 1-eíiloradamantanu,
18.8 g 2-etoxyethanolu a
56,2 g l-methoxy-2-acetoxyethanu
Příklad 4
Připraví se světlocitlivý roztok následujícího sležení :
g světlocitlivé látky podle příkladu 1, g 1-hydroxyadamantanu, g m-kre«olformaldehydové pryskyřice, g 2-ethoxyetbanolLu a g l-methoxy-2-acetox>ethanu.
Příklad 5
Připraví se světlocitlivý roztok následujícího složení :
5,6 g světlocitlivé látky dle příkladu 1,
18.2 g m-kresolformaldehydové pryskyřice,
4.2 g 1-acetylaminoadamantanu, g 2-ethoxyethanolu a g 1-metjoxy-2-acetoxyethanu.
213 018
Přiklad 6
Připraví se světlocitlivý roztok následujícího složení :
g světlocitlivé látky dle přikladu 1, g m-kresolformaldehydové pryskyřice, g polyvinylmethyletheru, g 1-bromadamantanu,
0,17 g barviva Viktoria modř B,
17,5 g butylacetátu,
17,5 xylenu a g l-methoxy-2-acetoxyethanu
Příklad 7
Připraví se světlocitlivý roztok následujícího složení :
g světlocitlivé látky -esteru p-terc.butylfenolu 1,2 naftochinon-2-diazido-5-sulfonové kyseliny, g m-kresolacetaldehydové pryskyřice, g 1-bromadamantanu a g l-methoxy-2-acetoxyethan.
Příklad 8
Připraví se světlocitlivý roztok následujícího složení:
g světlocitlivé látky dle příkladu 1, g m-kresolformaldehydové pryskyřice, g 1-bromadamantanu, g adamantanu, g 2-ethoxyethanolu a
105 g l-methoxy-2-acetoxyethan.
Světlocitlivý roztok podle vynálezu je určen pro elektrotechnický ppůmysl. Zejména je vhodný pro aplikaci v polovodičové technologii při výrobě mikroprocesorů, integrovaných obvodů a transistorů, kJe zvýšená adheze světlocitlivé vrstvy k povrchu kysličníku křemičitého dovoluje věrně reprodukovat obrazce s mikron~vými rozměry s minimálním podleptáním. Rovněž dobrá je adheze k povrchu kovů, například hliníku a chrómu, které se v polovodičové technologií používají při výrobě masek a vodivých spojů. Kromě toho lze těchto látek použít k přípravě světlocitlivých vrstev na měděných destičkách při výrobě plošných spojů, k ovrstvení kovových fólií při chemickém obrábění apod.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUSvétlocitlivý roztok pro fotolept, obsahující v organickém rozpouštědle rozpuštsnou světlocitlivou látku na basi derivátů 1,2-naftochinondiazidosulfonové kyseliny, fenolaldehydovou novolakovou pryskyřici a/nebo jinou vysokomolekulární látku a popřípadě jiné pomocné látky, jako jsou například barviva a smáčedla, vyznačený tím, že roztok dále obsahuje 0,2 až 20 % adamantanu a/nebo alespoň jednoho z jeho derivátů obecného vzorce I,
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS569580A CS213016B1 (cs) | 1980-08-20 | 1980-08-20 | Světlocitlivý roztok pro fotolept s vysokou adhezi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS569580A CS213016B1 (cs) | 1980-08-20 | 1980-08-20 | Světlocitlivý roztok pro fotolept s vysokou adhezi |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS213016B1 true CS213016B1 (cs) | 1982-03-26 |
Family
ID=5402295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS569580A CS213016B1 (cs) | 1980-08-20 | 1980-08-20 | Světlocitlivý roztok pro fotolept s vysokou adhezi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS213016B1 (cs) |
-
1980
- 1980-08-20 CS CS569580A patent/CS213016B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4007047A (en) | Modified processing of positive photoresists | |
| KR950000236B1 (ko) | 영상 반전 음화작업용 감광성 내식막 | |
| JPH0454221B2 (cs) | ||
| KR100421270B1 (ko) | 금속이온함량이낮은4,4'-[1-[4-[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀및이것으로제조한포토레지스트조성물 | |
| JP3578462B2 (ja) | ポジ型フォトレジストの現像方法およびそのための組成物 | |
| KR950001004B1 (ko) | 방사선 감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 및 감광성 내식막을 제조하는 방법 | |
| US5302490A (en) | Radiation sensitive compositions comprising blends of an aliphatic novolak resin and an aromatic novolak resin | |
| JPH0582935B2 (cs) | ||
| JPH0650396B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| CA2097791A1 (en) | High aspect ratio, flexible thick film positive photoresist | |
| JPS62232989A (ja) | 基板上の回路線の形成方法 | |
| KR20070024634A (ko) | 유기막 조성물 및 레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR940001550B1 (ko) | 양성의 포토레지스트 조성물 | |
| CN1184534C (zh) | 正型光致抗蚀剂层及其制备方法 | |
| JPH11223937A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP2584316B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| CS213016B1 (cs) | Světlocitlivý roztok pro fotolept s vysokou adhezi | |
| US4142892A (en) | Method of reducing the defect density in a positive-working photoresist layer using a salt of imidazolinium | |
| JPH04232954A (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
| JPS62138843A (ja) | 複合レジスト構造体 | |
| JPH0684343B2 (ja) | 第二ジアミンのビス―１，２―ナフトキノン―２―ジアジド―スルホン酸アミド及びこれを含有する複写材料用放射線感性混合物 | |
| EP0140376A2 (en) | Thermally stable positive resist | |
| EP0852341B1 (en) | Method for the pattern-processing of photosensitive resin composition | |
| JPS60107644A (ja) | 現像しうる水性ネガレジスト組成物 | |
| CN1158569C (zh) | 正型光致抗蚀剂组合物 |