CS211844B1 - Materiál pro pouzdření elektrotechnických součástek - Google Patents

Materiál pro pouzdření elektrotechnických součástek Download PDF

Info

Publication number
CS211844B1
CS211844B1 CS539380A CS539380A CS211844B1 CS 211844 B1 CS211844 B1 CS 211844B1 CS 539380 A CS539380 A CS 539380A CS 539380 A CS539380 A CS 539380A CS 211844 B1 CS211844 B1 CS 211844B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
parts
electrotechnical
casing
details
weight
Prior art date
Application number
CS539380A
Other languages
English (en)
Inventor
Vaclava Jisova
Vladimir Muenz
Original Assignee
Vaclava Jisova
Vladimir Muenz
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vaclava Jisova, Vladimir Muenz filed Critical Vaclava Jisova
Priority to CS539380A priority Critical patent/CS211844B1/cs
Publication of CS211844B1 publication Critical patent/CS211844B1/cs

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

Vynález se týká .použití epoxidové kompozice jako materiálu pro poUzdření elektrotechnických Součástek ponorem «nebo 'zakapáváním a jejich «tmelení.
Píro· pouzdření a tmelení elektrotechnických součástek bylo vyvinuto mnoho materiálů na bázi epoxidových pryskyřic. Jsou na ně kladeny požadavky jalko Snadná přeprava, dlouhá izpiracovaíeliská ®votno'st, krátká dolba želatinace a Vytvrzování. Po vytvlrzení má [být materiál odolný vůči vysokým teplotám a změnám teploty a má mít nízké vnitřní pnutí.
Dosud byly používány hlavně materiály vytvrzované tvrdidly na Ibáizi -reaktivních polyataidu nebo polykamboxylových kyselin. Nevýhodou většiny těchto· materiálů Je jejich nižší chemická a klimatická odolnost. Další nevýhodou ije jejich toonozlvní působení na zapouzdřené součástky v případě amin-iclkých tvrdidel a dlouhá doba Želatinace v případě anhydridů polykarboxylovýeh kySlelliin.
Účelem vynálezu je sestavit vhodnou epoxidovou kompozici ma bázi epoxidových pryskyřic bez uvedených nevýhodných vlastností. Epoxidová kompozice podle podstaty vynálelzu se (skládá ze 100 hmotnostních dílů epoxidové pryskyřice o teplotě měknutí nliižší inež 60 °C a 1 až 15 hmotnostních dílů alkyltmidalzolu nebo airylimldaaolu. «Základní směs il'ze doplnit až 200 hmotnostních idlilů minerálního plniva.
Epoxidová kompozice podle vynálezu má velmi krátk ou idotou 'želatinaee a vytvrzování a poměřně Idilouhoh zpracovatelskou životnost při nízkých teplotách.
•Lize poulžít «epoxidové pryskyřice na bázi bi«sfeholiu, novolaku -i cykloalilfatické, 'která je při pokojové teplotě kapalná mého taje při teplotách «niiižšícih než 50 °C. Vhodnými deriváty ímldtízolu jsou n-butyl,imidalzoll, 2-etyl-4-metyiIimidaZol. Jako minerální plniva, ovlivňující tokové vlastnosti materiálu, tepelnou vodivost, propustnost Světla, elektrické vtalstoosti, klimatickou odolnost, lz«e použít, kysličník (křemičitý, hlinitý, tltaničitý, ehromitý, želtíziltý, sazie aj. .
Epoxidová kompozice podle'vynálezu j«e homogenní isměis epoxidové pryskyřice a alkyltaiidaizoliu «nebo airylimidaiziolu. IPřipravuJe «se tak, že se do kapalné pryskyřice ismíšené popřípadě b minerálním plnivem za (stálého míchání přidá derivát imídázolu. Zhomogiemizovaná směs se nanáší v tekutém Stavu na «součástky ohřáté na teplotu vytvrzování 80 tíž «120 °C z dávkovače, umUžňdjícílho ohřev ismSsl, něho se součástky poUzidří ponorem ido kapalné směisi. .Podle typu použité pryskyřice ij«e zpracovatelská životnost při teplotách poid 50 °C il až 48 hodin. S«mě«s žeiiatinuje při teplotě 80 «až il’3O 3C ibělhem 20 až 300 sekund «a k vytvrzení dochází (během 5 až 30 minut, Zvýšení tepelné odolnolsti pouzder lze doIsáhnout dalším (dotvrzením po- dobu-l· až-.-3: hod-, při teplotě il'50 až .180 °C.
'Příklad 1 epoxidová pryskyřice (teplota tání 40 °C) 100 hmot. dílů n-ibutylimidate-oil 8 hmot. dílů
Dokonale «zhomogenízovaná «smě|s .se nanáší zs zásobníku vyhřívaného na 40°iC na součástky ohřáté n.a teplotu 120 °C. Za 30 sekund 'je materiál tuhý.
Příklad ,2 epoxidová pryskyřice (vilskóizmí kapalina) 100 hmot. dílů
2-etyil-4-metyl«imidazol 4 'hmot. díly 'Zhomogenilzovaná Směs se nanáší při pokojové teplotě na (součástky ohřáté na teplotu 120 °C. Z«a 30 sekund j«e materiál tulhý.
Příklad 3
epoxidová pryskyřice
(vilskóizmí kapalina)' 100 ihmot.
kysličník úhromltý. 40 hmot.
kysličník 'křemičitý 10 hmot.
n-hutylimiidaZol 8 hmot.
Zhomogenlzoyaná směs byla použita na pouzdřé-ní vrstvových odporů, které s minimální tloušťkou .ochranné Vrstvy 0,1 mm vyhověly zkoušce na průraz napětím 1000 Vstř.
iPříklald 4 epoxidová pryskyřice (vilslkólziní kapalina} 100 ihm.ot. dílů n-hutýlímidalziol 4 hmot. díly «Přesné destičkové odpory byly «ve dvou vrstvách poUztiřeny po.no.rem. .Po dvouhodinovém vytvrzování ipři teplotě «100 °«C Ise nezměnily hodnoty odporů. Tlustovtstvé odpory lby-ly vytvrzovány «15 .minut při teplotě 120 ec a 30 minut při teplotě ISO °«C. Po 24 hodinách zatížení příkonem 2 W, při kterém «dochází k zahřátí «odporu alž na 180 °C, nedošlo k podstatným směnám.
Příklad (5 epoxidová pryskyřice
(teplota tání 40 °G) SO hmot; dílů
epoxidová pryskyřice (-viskám! kapalina) 50 hmot. dílů
kysličník tltaničitý 10 hmot. dílů
kysličník křemičitý 10 hmot. «dílů
2-f©nyltoitíaiaol . 10 hmot. idílů
•Směs dhou pryskyřic ise roztaví při 36 °C, smísí «se kysličníky a přidá s.e 2-fenylimildaziol. «Materiálem byly přiřmelemy.drátové vývody k «feritovým trubičkám. ÍPo vytvrzování 15 minut při teplotě 120 °C a 30 minut při teplotě 165 °C bylo možno pájet vývody v těsné blízkosti tmelených spojů.
Materiál (podle vynálezu má (široký rozsah použití podle izyolené pryskyřice nebo dr.uhU a koncentrace 'plnívá. Materiál lize is výhodou použít pro technologii kontinuálního pouzdření lokálním zalkapáváeiím, při níž (je ochranná vrstva nanesena na roaměirově přesně stanovenou část povrchu |sou|částky, například při pouzdrení čipů na oolsiiči neíbo při 'zalévání jen něktelrých částí hybridních integrovaných obvodů, neboť v důsledku velmi rychlého zvyšování vilskozity nedochází k neregulovanému roatékání materiálu po podložce. Materiál připravený podíle vynálezu odolává teplotám —60 až +180 °C a rychlému střídání teplot v rozmezí —55 až +155 °C. Elektrotechnické součástky jako polovodičové čipy nebo přesné detetičjkové odpory nemění pouedřením své pařametry.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT iPoujžiití epoxidové Ikomipožice, která se skládá ze ilOO hmotnostních dílů epoxidové pryiskyřllce o tepilotě měknutí nilžíší než 60 PC a il až 15 hmotnostních dílů alkyiltaidazoJlu mebo airylimidaizolu, Ikteirá popřípadě obsahujte na 100 hmotnostVYNÁLEZU nich dílů epoxidové pryskyřice až 200 hmotnostních dílů minerálního plniva, jako materiálu pro pouzdrení elektronických součástek ponorem nebo zakapáváním a jejich tmelení.
CS539380A 1980-08-04 1980-08-04 Materiál pro pouzdření elektrotechnických součástek CS211844B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS539380A CS211844B1 (cs) 1980-08-04 1980-08-04 Materiál pro pouzdření elektrotechnických součástek

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS539380A CS211844B1 (cs) 1980-08-04 1980-08-04 Materiál pro pouzdření elektrotechnických součástek

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS211844B1 true CS211844B1 (cs) 1982-02-26

Family

ID=5398755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS539380A CS211844B1 (cs) 1980-08-04 1980-08-04 Materiál pro pouzdření elektrotechnických součástek

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS211844B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6534189B2 (ja) 樹脂組成物
TWI707884B (zh) 樹脂組成物
JP2001323135A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物および光半導体装置
CS211844B1 (cs) Materiál pro pouzdření elektrotechnických součástek
JPS62136860A (ja) 半導体装置
JPH08198948A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH01242615A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH10237156A (ja) 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト
JPH11158354A (ja) 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JPS62115849A (ja) 樹脂封止半導体装置
JP4513195B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0426240B2 (cs)
JPH08217850A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH0881543A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH03221518A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置
KR970008209B1 (ko) 에폭시 수지 조성물과 이를 이용한 반도체 장치의 밀봉방법
JPH0232115A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0567699A (ja) 半導体装置
JPH03195722A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2004155839A (ja) 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP3874566B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH02155914A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH036847A (ja) 半導体装置
JPH08198946A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH03128921A (ja) エポキシ樹脂組成物