CS211844B1 - Material for casing electrotechnical details - Google Patents
Material for casing electrotechnical details Download PDFInfo
- Publication number
- CS211844B1 CS211844B1 CS539380A CS539380A CS211844B1 CS 211844 B1 CS211844 B1 CS 211844B1 CS 539380 A CS539380 A CS 539380A CS 539380 A CS539380 A CS 539380A CS 211844 B1 CS211844 B1 CS 211844B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- parts
- electrotechnical
- casing
- details
- weight
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- MCMFEZDRQOJKMN-UHFFFAOYSA-N 1-butylimidazole Chemical compound CCCCN1C=CN=C1 MCMFEZDRQOJKMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- -1 gelatinous Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
Vynález se týká .použití epoxidové kompozice jako materiálu pro poUzdření elektrotechnických Součástek ponorem «nebo 'zakapáváním a jejich «tmelení.The present invention relates to the use of an epoxy composition as a material for the coating of electrotechnical components by immersion or dripping and their sealing.
Píro· pouzdření a tmelení elektrotechnických součástek bylo vyvinuto mnoho materiálů na bázi epoxidových pryskyřic. Jsou na ně kladeny požadavky jalko Snadná přeprava, dlouhá izpiracovaíeliská ®votno'st, krátká dolba želatinace a Vytvrzování. Po vytvlrzení má [být materiál odolný vůči vysokým teplotám a změnám teploty a má mít nízké vnitřní pnutí.Many epoxy resin based materials have been developed for bonding and sealing of electrical components. They are subject to the requirements of ease of transport, long and long-lasting, quick-release gelatinization and curing. After curing, the material should be resistant to high temperatures and temperature changes and have low internal stress.
Dosud byly používány hlavně materiály vytvrzované tvrdidly na Ibáizi -reaktivních polyataidu nebo polykamboxylových kyselin. Nevýhodou většiny těchto· materiálů Je jejich nižší chemická a klimatická odolnost. Další nevýhodou ije jejich toonozlvní působení na zapouzdřené součástky v případě amin-iclkých tvrdidel a dlouhá doba Želatinace v případě anhydridů polykarboxylovýeh kySlelliin.Until now, mainly hardeners cured on Ibiza-reactive polyatides or polycarboxylic acids have been used. The disadvantage of most of these materials is their lower chemical and climatic resistance. Another disadvantage is that they have a thawing effect on the encapsulated components in the case of amino hardeners and a long gelation time in the case of polycarboxylic anhydrides.
Účelem vynálezu je sestavit vhodnou epoxidovou kompozici ma bázi epoxidových pryskyřic bez uvedených nevýhodných vlastností. Epoxidová kompozice podle podstaty vynálelzu se (skládá ze 100 hmotnostních dílů epoxidové pryskyřice o teplotě měknutí nliižší inež 60 °C a 1 až 15 hmotnostních dílů alkyltmidalzolu nebo airylimldaaolu. «Základní směs il'ze doplnit až 200 hmotnostních idlilů minerálního plniva.The purpose of the invention is to provide a suitable epoxy composition based on epoxy resins without the aforementioned disadvantageous properties. The epoxy composition of the present invention consists of 100 parts by weight of an epoxy resin having a softening point lower than 60 ° C and 1 to 15 parts by weight of alkylltidalzole or airylimldaaol. The base mixture can be supplemented with up to 200 parts by weight of mineral filler.
Epoxidová kompozice podle vynálezu má velmi krátk ou idotou 'želatinaee a vytvrzování a poměřně Idilouhoh zpracovatelskou životnost při nízkých teplotách.The epoxy composition of the present invention has a very short gelatin and cure iden- tity and relatively low temperature processing life.
•Lize poulžít «epoxidové pryskyřice na bázi bi«sfeholiu, novolaku -i cykloalilfatické, 'která je při pokojové teplotě kapalná mého taje při teplotách «niiižšícih než 50 °C. Vhodnými deriváty ímldtízolu jsou n-butyl,imidalzoll, 2-etyl-4-metyiIimidaZol. Jako minerální plniva, ovlivňující tokové vlastnosti materiálu, tepelnou vodivost, propustnost Světla, elektrické vtalstoosti, klimatickou odolnost, lz«e použít, kysličník (křemičitý, hlinitý, tltaničitý, ehromitý, želtíziltý, sazie aj. .• It is possible to use biophenol-based epoxy resins, novolac and cycloalphatic, which are liquid at room temperature and at a temperature below 50 ° C. Suitable derivatives of imidazole are n-butyl, imidalzole, 2-ethyl-4-methylimidazole. As mineral fillers affecting the flow properties of the material, thermal conductivity, light transmittance, electrical vststostosti, climatic resistance, it is possible to use, oxide (silica, aluminum, titanium dioxide, chromium, gelatinous, carbon black, etc.).
Epoxidová kompozice podle'vynálezu j«e homogenní isměis epoxidové pryskyřice a alkyltaiidaizoliu «nebo airylimidaiziolu. IPřipravuJe «se tak, že se do kapalné pryskyřice ismíšené popřípadě b minerálním plnivem za (stálého míchání přidá derivát imídázolu. Zhomogiemizovaná směs se nanáší v tekutém Stavu na «součástky ohřáté na teplotu vytvrzování 80 tíž «120 °C z dávkovače, umUžňdjícílho ohřev ismSsl, něho se součástky poUzidří ponorem ido kapalné směisi. .Podle typu použité pryskyřice ij«e zpracovatelská životnost při teplotách poid 50 °C il až 48 hodin. S«mě«s žeiiatinuje při teplotě 80 «až il’3O 3C ibělhem 20 až 300 sekund «a k vytvrzení dochází (během 5 až 30 minut, Zvýšení tepelné odolnolsti pouzder lze doIsáhnout dalším (dotvrzením po- dobu-l· až-.-3: hod-, při teplotě il'50 až .180 °C.The epoxy composition of the present invention is a homogeneous isomeric blend of epoxy resin and alkylthioisolium or airylimidaisole. It is prepared by adding an imidazole derivative to the liquid resin, optionally mixed with a mineral filler, with stirring (stirring continuously). Depending on the type of resin used, the working life is at a temperature of 50 ° C for up to 48 hours. And curing occurs (within 5 to 30 minutes). An increase in the heat resistance of the shells can be achieved by further (curing for 1 to 3 hours) at a temperature of 50 to 180 ° C.
'Příklad 1 epoxidová pryskyřice (teplota tání 40 °C) 100 hmot. dílů n-ibutylimidate-oil 8 hmot. dílůEXAMPLE 1 Epoxy resin (m.p. 40 DEG C.) 100 wt. parts by weight of n-ibutylimidate-oil 8 wt. parts
Dokonale «zhomogenízovaná «smě|s .se nanáší zs zásobníku vyhřívaného na 40°iC na součástky ohřáté n.a teplotu 120 °C. Za 30 sekund 'je materiál tuhý.The perfectly "homogenized" mixture is applied from a container heated to 40 ° C to the parts heated to 120 ° C. In 30 seconds, the material is rigid.
Příklad ,2 epoxidová pryskyřice (vilskóizmí kapalina) 100 hmot. dílůExample, 2 epoxy resin (william liquid) 100 wt. parts
2-etyil-4-metyl«imidazol 4 'hmot. díly 'Zhomogenilzovaná Směs se nanáší při pokojové teplotě na (součástky ohřáté na teplotu 120 °C. Z«a 30 sekund j«e materiál tulhý.2-ethyl-4-methylimidazole 4 ' The homogenized mixture is applied at room temperature to (parts heated to 120 [deg.] C. For 30 seconds the material is stiff.
Příklad 3Example 3
Zhomogenlzoyaná směs byla použita na pouzdřé-ní vrstvových odporů, které s minimální tloušťkou .ochranné Vrstvy 0,1 mm vyhověly zkoušce na průraz napětím 1000 Vstř.The homogeneous mixture was used to encapsulate film resistors which, with a minimum protective layer thickness of 0.1 mm, passed the 1000 VAC breakdown test.
iPříklald 4 epoxidová pryskyřice (vilslkólziní kapalina} 100 ihm.ot. dílů n-hutýlímidalziol 4 hmot. díly «Přesné destičkové odpory byly «ve dvou vrstvách poUztiřeny po.no.rem. .Po dvouhodinovém vytvrzování ipři teplotě «100 °«C Ise nezměnily hodnoty odporů. Tlustovtstvé odpory lby-ly vytvrzovány «15 .minut při teplotě 120 ec a 30 minut při teplotě ISO °«C. Po 24 hodinách zatížení příkonem 2 W, při kterém «dochází k zahřátí «odporu alž na 180 °C, nedošlo k podstatným směnám.For example, 4 epoxy resin (vilsylic liquid) 100 parts by weight of n-butyl imidazole 4 parts by weight of "Precision plate resistors" were coated in two layers after immersion. After curing for 2 hours at a temperature of "100 ° C" Thickness resistors were cured for 1515 minutes at 120 ec and 30 minutes at ISO «C. After 24 hours of load at 2 W at which« heating «of the resistor up to 180 ºC did not occur. to substantial shifts.
Příklad (5 epoxidová pryskyřiceExample (5 epoxy resin)
•Směs dhou pryskyřic ise roztaví při 36 °C, smísí «se kysličníky a přidá s.e 2-fenylimildaziol. «Materiálem byly přiřmelemy.drátové vývody k «feritovým trubičkám. ÍPo vytvrzování 15 minut při teplotě 120 °C a 30 minut při teplotě 165 °C bylo možno pájet vývody v těsné blízkosti tmelených spojů.The resin mixture is melted at 36 ° C, mixed with oxides and 2-phenylimildaziol is added. The material was fused to the ferrite tubes. After curing for 15 minutes at 120 ° C and 30 minutes at 165 ° C, it was possible to solder the leads in close proximity to the cemented joints.
Materiál (podle vynálezu má (široký rozsah použití podle izyolené pryskyřice nebo dr.uhU a koncentrace 'plnívá. Materiál lize is výhodou použít pro technologii kontinuálního pouzdření lokálním zalkapáváeiím, při níž (je ochranná vrstva nanesena na roaměirově přesně stanovenou část povrchu |sou|částky, například při pouzdrení čipů na oolsiiči neíbo při 'zalévání jen něktelrých částí hybridních integrovaných obvodů, neboť v důsledku velmi rychlého zvyšování vilskozity nedochází k neregulovanému roatékání materiálu po podložce. Materiál připravený podíle vynálezu odolává teplotám —60 až +180 °C a rychlému střídání teplot v rozmezí —55 až +155 °C. Elektrotechnické součástky jako polovodičové čipy nebo přesné detetičjkové odpory nemění pouedřením své pařametry.The material (according to the invention has a wide range of uses according to isylated resin or dr.uhU and the concentration is filled. The material can also be used advantageously for continuous encapsulation technology by local dripping in which (a protective layer is applied to a precisely defined part of the surface). For example, when encapsulating the chips on an oolithic or embedding only some of the parts of the hybrid ICs, because of the very rapid increase in the viscosity, there is no unregulated material flow over the substrate. in the range of -55 to +155 ° C. Electrical components such as semiconductor chips or precision detector resistors do not change their parameters by dropping their parameters.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS539380A CS211844B1 (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Material for casing electrotechnical details |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS539380A CS211844B1 (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Material for casing electrotechnical details |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS211844B1 true CS211844B1 (en) | 1982-02-26 |
Family
ID=5398755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS539380A CS211844B1 (en) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Material for casing electrotechnical details |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS211844B1 (en) |
-
1980
- 1980-08-04 CS CS539380A patent/CS211844B1/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6534189B2 (en) | Resin composition | |
| TWI707884B (en) | Resin composition | |
| CS211844B1 (en) | Material for casing electrotechnical details | |
| JPH0657740B2 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation | |
| JP3581192B2 (en) | Epoxy resin composition and resin-encapsulated semiconductor device | |
| JPH08198948A (en) | Epoxy resin composition and device for sealing semiconductor | |
| JPH01242615A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor | |
| JPH10237156A (en) | Die-attach resin paste for semiconductor | |
| JP2004155841A (en) | Sealing resin composition, and semiconductor sealing device | |
| JPH11158354A (en) | Encapsulating resin composition and resin-encapsulated semiconductor device | |
| Fujita et al. | High-reliability epoxy molding compound for surface mount devices | |
| JP4513195B2 (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JPH0680753B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPH0426240B2 (en) | ||
| JPH08217850A (en) | Epoxy resin composition and semi-conductor sealer | |
| JPH0881543A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device sealed therewith | |
| JPH03221518A (en) | Sealing resin composition and sealed semiconductor device | |
| KR970008209B1 (en) | Epoxy resin composition and sealing method of semiconductor device using same | |
| JPH03195722A (en) | Epoxy resin composition | |
| KR950012922B1 (en) | Semiconductor mold epoxy resin and semiconductor device | |
| JP3874566B2 (en) | Epoxy resin composition for sealing and semiconductor sealing device | |
| JPH0940749A (en) | Epoxy resin composition and sealed semiconductor device | |
| JPH036847A (en) | Semiconductor device | |
| JPH1135801A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor sealing device | |
| JPH08198946A (en) | Epoxy resin composition and device for sealing semiconductor |