CS210705B1 - Způsob stabilizace rychlosti růstu monokrystalů - Google Patents

Způsob stabilizace rychlosti růstu monokrystalů Download PDF

Info

Publication number
CS210705B1
CS210705B1 CS685079A CS685079A CS210705B1 CS 210705 B1 CS210705 B1 CS 210705B1 CS 685079 A CS685079 A CS 685079A CS 685079 A CS685079 A CS 685079A CS 210705 B1 CS210705 B1 CS 210705B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
single crystal
crucible
melt
flow
single crystals
Prior art date
Application number
CS685079A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiri Kvapil
Zdenek Plestil
Bohumil Perner
Original Assignee
Jiri Kvapil
Zdenek Plestil
Bohumil Perner
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Kvapil, Zdenek Plestil, Bohumil Perner filed Critical Jiri Kvapil
Priority to CS685079A priority Critical patent/CS210705B1/cs
Publication of CS210705B1 publication Critical patent/CS210705B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu stabilizace rychlosti růstu monokrystalů tažených z taveniny, který umožňuje pěstovat jakostní dlouhé monokrystaly při současně sníženém požadavku na přesnost kontroly teploty.
Tažení monokrystalů z taveniny, tj. jejich pěstování metodou Czochralskiho má mimořádný význam pro výrobu monokrystalů kovů, polovodičů a kovových kysličníků. Přitom tažení kovových kysličníků ve formě monokrystalů, zejména těch s vysokým bodem tání, je náročné jak na volbu kelímkových materiálů, jimiž jsou zpravidla platinové kovy nebo molybden a wolfram, tak na čistotu ochranné atomosféry. Přesto však dochází téměř pravidelně k přenosu malého množství kelímkových kovů do taveniny, kde se potom vznášejí mikroskopické částice kovu,
Tyto částice se snadno zabudovávají do rostoucího monokrystalu a snižují tak jeho jakost. Zarůstáni kovových částic do monokrystalu lze účinně zabránit tím, že monokrystal rotuje kolem osy tažení, která je osou růstu, takovou rychlostí, aby v těsné blízkosti monokrystalů se vyrovnalo centripetální proudění, vyvolané termicky s centrifugálnim prouděním, vyvolaným rotací monokrystalu.
Za těchto podmínek se v tenké vrstvě taveniny u fázového rozhraní vytvoří Couettův tok, což má proti obvyklému turbulentnímu proudění ve zbývající části taveniny za následek zmenšení koeficientu převodu tepla a tím i zvýšení teplotního gradientu v blízkosti fázového rozhraní. Zvýšený teplotní gradient zabraňuje jak zarůstání částic cizí fáze do monokrystalu, tak i vzniku buněk.
Zachováni uvedeného typu proudění po celou dobu tažení využitelné, tj. zpravidla válcovité části monokrystalu je obtížné, protože citlivě reaguje na jakékoli změny pšstovacích podmínek. Změní-li se u fázového rozhraní Couettův tok v proudění s centrifugální, resp.
centripetální složkou, mění se náhle rychlost růstu a tím dochází ke vzniku růstových pruhů až pásů buněk a případně i vývoji krystalonomických ploch, deformujících průřez monokrystalu natolik, že taženi dlouhých monokrystalů je znemožněno.
Proto jsou na regulaci teploty a kontrolu průřezu monokrystalu kladeny takové nároky, které jsou v technické praxi jen obtížně splnitelné. Navíc mohou stabilitu proudění přerušit i teplotní oscilace, vznikající v tavenině nezávisle na regulBci teploty v pěstovacím zařízení.
Uvedené obtíže odstraňuje nebo alespoň podstatně snižuje způsob stabilizace rychlosti růstu monokrystalů tažených z taveniny na zárodku podle tohoto vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že osa tažení, které je současně osou rotace, kol niž se krystal při svém růstu otáčí, je od bodu na hladině taveniny, do kterého před zavedením zárodku do taveniny směřuje proudění, vzdálena o 1/10 až 1/3 průměru taženého monokrystalu.
Rychlost otáčení rostoucího mohokrystalu se volí tak, aby ve vzdálenosti nejvýše 1 cm od monokrystalu vznikalo rozhraní na hladině taveniny mezí centripetálním prouděním od stěny kelímku a odlišným typem u krystalu. Příslušnou vzdálenost osy tažení a bodu na hladině taveniny, do kterého před zavedením zárodku do taveniny směřuje proudění lze nastavit jak posunutím osy těžícího zařízení proti ose kelímku a topení, tak i použitím jakéhokoli zásahu porušujícího osovou souměrnost kelímku nebo/a topení, například posunutím kelímku, nesouměrnou přepážkou ·· kelímku, nesouměrným o tápáním kelímku a pod.
Za svrchu popsaných podmínek je oblast Couattova toku u monokrystalu sice poněkud nesouměrná, avšak vykazuje mimořádnou stabilitu proti změnám růstových podmínek, včetně otečení monokrystalu, takže ustavení zmíněného rozhraní je technicky snadné.
Za takto stabilizované rychlosti růstu se do rostoucího monokrystalu nezabudovávají částice kelímkového materiálu v tavenině rozptýlené, ani se v něm netvoří rozptýlené buňky. Stabilita proudění v blízkosti fázového rozhraní zaručuje konstantní růstovou rychlost, čímž se potlačuje vznik růstových pruhů a krystalonomických ploch, deformujících průřez monokrystalu.
Způsobem ρ-c-dle vynálezu Lze pěstovat dlouhé jakostní monokrystaly zejména kovových vysokotajících kysličníků při únosných požadavcích na přesnost regulačních systémů.
Výhody způsobu podle vynálezu je dále blíže ozřejměny v příkladech.
Příklady
i. Z taveniny kysličníku hlinitého v molybdenovém kelímku v ochranné atmosféře obsahující 98 % objemových argonu a 2 % objemová vodíku byl na zárodku tažen korundový monokrystal o 0 30 nua. Oblev kelímku byl vysokofrekvenční. Vypěstovaný monokrystal obsahoval četné pásy buněk kolmých k ose růstu a rozptýlené částice molybdenu, protože se při daném «spořádání a způsobu regulace nepodařilo zajistit takové podmínky, aby na hladině taveniny v blízkosti monokrystalu bylo trvale rozhraní mezi centripetálním prouděním od stěn kelímku s rotačním prouděním u krystalu.
Vlivem deformace monokrystalu způsobené vývojem plochy (0001) bylo možno vypěstovat toliko 110 mm dlouhý monokrystal. Po skončeném pěstování byl kelímek doplněn kysličníkem hlinitým o váze před tím vypěstovaného monokrystalu, obsah kelímku byl roztaven a pozorováním určeno, že bod, do kterého směřuje proudění na hladině taveniny leží s přesnosti - 1,5 mm od středu průřezu kelímku. Tažící tyč se zárodkem byla proto posunuta ve vodorovném směru o 7 mm od tohoto bodu a po zavedení zárodku do taveniny byl vypěstován další monokrystal. Po rozšíření průřezu monokrystalu na 0 30 mm byly postupně zvyšovány jeho otáčky z původních 20 min-1 na 32 min”', kdy rozhraní mezi prouděním od stěny kelímku a u mono3 krystalu kolísalo mezi 3 až 5 mm měřeno od monokrystalu. Za těchto podmínek byla vytažena 150 mm dlouhá válcová část monokrystalu, která nevykazovala růstové pruhy ani buňky nebo kovové Částice.
Vlivem poklesu taveniny v kelímku při pěstování a tím zmenšeného proudění od stěn kelímku se na konci pěstování rozhraní obou typů proudění posunula od monokrystalu o dalších 2 až 3 mm, což so ne jakosti monokrystalu nikterak neprojevilo.
2. Monokrystaly yttritohlinitého granátu o 0 25 am a délce 80 mm byly pěstovány rychlostí 1,5 mrn/hod pod ochrannou atmosférou, tvořenou 99,5 % objemovými helia a 0,5 5 objemovými vodíku z taveniny, obsažené ve wolframovém kelímku o vnitřním 0 80 mm a výšce 90 mm. Ohřev váleové stěny kelímku byl prováděn pomocí elektrického odporového tělesa válcového tvaru, dno kelímku nebylo vyhříváno. Jako zárodků bylo použito válečků z dříve vypěstovaného monokrystalu 004 mm, které byly zasazeny na spodní konec tažící tyče, souosé s kelímkem a odporovým topením.
Na dno kelímku byla ve vzdálenosti 30 mm od jeho osy umístěna půlválcová přepážka o čí 60 ma a výšce 20 mm. Tím se při tavení obsahu kelímku posunul bod, do kterého směřuje proudění na hladině taveniny o 5 mra Od osy zařízení. Pro zavedení zárodku do taveniny a rozšíření monokrystalu na 0 25 mm byla upravena rychlost otáčení na 38 min 1, kdy se na hladině tnveniny ustavilo rozhraní mezi cantripetálním prouděním od stěny kelímku a prouděním u monokrystalu a to ve vzdálenosti 2 až 6 mm od monokrystalu.
Válcová část vypěstovaného monokrystalu nevykazovala žádné pozorovatelné buňky, vrostlé částice kovu ani růstové pruhy. Naproti tomu, monokrystal pěstovaný za jinak stejných podmínek z kelímku, kde půlválcová přepážka byla nahrazena přepážkou válcovou o stejném 0 a výšce, obsahoval četné růstové pruhy pozorovatelné snadno v polarizovaném světle ve směru kolmém k růstové ose, protože se nepodařilo zajistit a nalézt takovou rychlost otáčení monokrystalu, při které by rozhraní uváděných proudění na hladině taveniny bylo stabilní.

Claims (1)

  1. Způsob stabilizace rychlosti růstu -sonokrystalů tažených z taveniny na zárodku, vyznačený tím, že osa tažení, která je současně osou rotace, kol níž se monokrystal při svém růstu otáčí, je od bodu na hladině taveniny. do kterého před zavedením zárodku do tavenxr.· směřuje prouděni, vzdálena o 1/10 až 1/3 průměru taženého monokrystalu.
CS685079A 1979-10-09 1979-10-09 Způsob stabilizace rychlosti růstu monokrystalů CS210705B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS685079A CS210705B1 (cs) 1979-10-09 1979-10-09 Způsob stabilizace rychlosti růstu monokrystalů

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS685079A CS210705B1 (cs) 1979-10-09 1979-10-09 Způsob stabilizace rychlosti růstu monokrystalů

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS210705B1 true CS210705B1 (cs) 1982-01-29

Family

ID=5416463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS685079A CS210705B1 (cs) 1979-10-09 1979-10-09 Způsob stabilizace rychlosti růstu monokrystalů

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS210705B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05105576A (ja) チヨクラルスキーによるるつぼ引上げ操作時液体シリコンを連続的に追加装填する方法
JPH02133389A (ja) シリコン単結晶の製造装置
US5733371A (en) Apparatus for growing a single crystal
JPH01215788A (ja) 結晶引上げ方法
JP5170061B2 (ja) 抵抗率計算プログラム及び単結晶の製造方法
CS210705B1 (cs) Způsob stabilizace rychlosti růstu monokrystalů
US3655415A (en) Asteriated synthetic corundum gem stones and method and apparatus for their production
JPS6018634B2 (ja) 結晶引上げ装置
US3567397A (en) Apparatus for obtaining a dross-free crystalline growth melt
JPH0416588A (ja) 単結晶の製造方法及びその装置
CN221254774U (zh) 一种直拉硅单晶炉用坩埚
JPH0259494A (ja) シリコン単結晶の製造方法及び装置
CS264935B1 (cs) Způsob úpravy růstových podmínek a pěstování safíru modifikovanou Kyropoulovou metodou
RU2830299C2 (ru) Способ выращивания кристаллов бестигельным методом и устройство для его реализации
CN105887187B (zh) 一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法
CN114808106B (zh) 一种GaAs单晶生长工艺
CN211713244U (zh) 一种用于生长掺杂直拉晶体的掺杂器定位装置及掺杂装置
JPS5964591A (ja) 単結晶引上装置
JPH05294784A (ja) 単結晶成長装置
JPH0475880B2 (cs)
JPH02172885A (ja) シリコン単結晶の製造方法
JPH0316989A (ja) シリコン単結晶の製造装置
US3725092A (en) Asteriated synthetic corundum gem stones
KR101597207B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳, 그 잉곳을 제조하는 방법 및 장치
JPH0745355B2 (ja) 結晶成長方法及びその装置