CS206947B1 - Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek - Google Patents
Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek Download PDFInfo
- Publication number
- CS206947B1 CS206947B1 CS619779A CS619779A CS206947B1 CS 206947 B1 CS206947 B1 CS 206947B1 CS 619779 A CS619779 A CS 619779A CS 619779 A CS619779 A CS 619779A CS 206947 B1 CS206947 B1 CS 206947B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- nickel
- silicon
- layer
- temperature
- nickel plating
- Prior art date
Links
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 73
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 title claims description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 title 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 11
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 8
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
¢54) Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek |Vynález se týká způsobu vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodičových součástek bez negativního ovlivnění technicko-fyzikálmch parametrů těchto součástek.
Bežproudové niklování je jedním z nejstarších způsobů přípravy ohmických kontaktů k výkono' vým křemíkovým polovodičům. Obvyklý postup sestává ze tří základních operací, a to z bezproudového poniklování křemíkových desek, že zažíhnutí této vrstvy niklu za vzniku silicidu a z bezproudového vyloučení vnější vrstvy niklu, umožňující pájení na měkko. V současné době se uplatňuje zejména tam, kde je měkké pájení křemíku k vnějším, například molybdenovým elektrodám technicky a ekonomicky výhodné, tj. především u menších součástek. U těchto osvědčuje bezproudově vytváI řený niklový kontakt své přednosti — nízký kontaktní odpor silicidu niklu na styku s křemíkem í (zejména typu N) a malou náročnost, pokud se týká potřebného zařízení.
Vlastní postup bezproudového niklování křemíku se obvykle zakládá na lázni známého složení (M. V. Sullivan, J. H. Eigler; J. Electrochem. Soc., 33,
1957,226):
NiCl2.6H2O ......... 30 g/1
NaH2PO2.H2O........10 g/1
NH4C1 ..........- · 50 g/í j citronan amonný.......65 g/1, která účinně pracuje při teplotách 80 až 100 °C po adjustaci pH čpavkem na hodnotu 10 až 11.
V dosavadní praxi kontaktování výkonových křemíkových součástek nalezl dále uplatnění alkalický fosfomanový aktivátor složení:
NaH2PO2.H2O........ 20 až 30 g
KOH(30%) .........210 ml
H2O .... ... . .... .' . 100 až 800 ml, v němž se křemíkové desky po předchozím zbavení oxidů v kyselině fluorovodíkové a po případném maskování planámí struktury fotorezistem krátce zpracovávají při teplotě 50 až 65 °C před prvním niklováním. Zažíhávání první niklové vrstvy se provádí ve vakuových pecích při teplotě do 700 °C při různých režimech ohřevu a ochlazování — podle konstrukčních podmínek jednotlivých pecí. Před druhým niklováním se již povrch křemíku zpravidla neaktivuje.
Nedostatky dosud aplikovaných postupů — nízká spolehlivost a reprodukovatelnost — vynikají zejména ve spojení s některými progresivnějšími metodami technologie zpracování křemíkové desky s Pn-přechody, jmenovitě s difúzí fosforu z plynné fáze a s používáním leštěných povrchů křemíkových desek při výrobě některých součástek. Hlavní závady spočívají v nedostatečném pokovení obou vodivostních typů vedle sebe, v tvorbě puchýřů při zažíhávání a v nízké přilnavos206947 ti niklových vrstev (zejména druhé vrstvy), projevující se často až v průběhu následující operace měkkého pájení, kdy je již možnost opravy vadných výrobků prakticky vyloučena.
Výše uvedené nedostatky dosavadních postupů odstraňuje způsob vytváření přilnavého niklového 1 kontaktu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že oleptání křemíkových desek před niklováním se provádí ve 20 % až nasyceném vodném (roztoku fluoridu amonného NH4F buďto po dobu 1 až 3 minut při pokojové teplotě, anebo po dobu , 10 až 30 s při teplotě 90 až 100 °C, zažíhávaní ; následně vytvořené niklové vrstvy probíhá při teplotě 450 až 700 °C ve vakuu Vyšším než 0,0133 Pa, přičemž rychlost ohřevu na tuto teplotu je vyšší než 17 °C za minutu a po ukončení prodlevy na této teplotě je rychlost ochlazování menší než 5 °C za minutu, načež následuje oleptání křemíkových desek ve 20% až nasyceném vodném roztoku fluoridu amonného NH4F buďto po dobu 1 až 3 minut při pokojové teplotě anebo po dobu 10 až 30 s při teplotě 90 až 100 °C a na vzniklý silicid niklu se vyloučí druhá niklová vrstva v lázni upravené přísadou 20% až nasyceného vodného roztoku fluoridu amonného NH4F v množství do g na litr.
Příprava niklového kontaktu na křemíkových , deskách postupem podle vynálezu se vyznačuje velmi dobrou spolehlivostí a reprodukovatelností, ' výsledný kontakt je celistvý, adhezní a dobře vhodný k pájení. Zavedení tohoto postupu není ( náročné ani z hlediska pracnosti ani z hlediska ! nebezpečí případných negativních účinků lidského činitele.
Dokonalé úpravy povrchu křemíku bezprostřed- ! ně před niklováním (tj. až po případném nanesení fotorezistové masky), resp. na jeho počátku se dosahuje koncentrovaným vodným roztokem fluoridu amonného (NH4F), který za studená není vůči běžným druhům fotorezistu agresivní. Tento roztok se používá jednak jako leptací činidlo, nejvhodněji aplikované
a) u křemíkových desek s maskovanou planámí strukturou (např. u tyristorů) při pokojové teplotě, a to při operaci prvního niklování bezprostředně před aktivací ve výše zmíněném alkalickém aktivátoru a při operaci druhého niklování bezprostředně před vložením do niklovací lázně;
b) u nemaskovaných křemíkových desek (např. u diod) za tepla (při 90 až 100 °C) vždy bezprostředně před vložením do niklovací lázně (při prvním niklování zde odpadá jakákoliv potřeba další aktivace);
a jednak jako přísada přímo do niklovací lázně výše uvedeného složení, zejména při druhém niklování.
Redukční schopnost fosfornanu sodného v niklovací lázni se zvyšuje, jestliže se při přípravě této lázně rozpouští ve vodě odděleně od ostatních přísad a směšují se pak až připravené vodné roztoky.
Optimální tloušťka první niklové vrstvy na křemíkových deskách leží v rozmezí 0,8 až 1,3 μπι. Při těchto tloušťkách se při aplikaci postupu podle vynálezu bezpečně dosahuje pokovení obou vodivostních typů vedle sebe, avšak nehrozí ještě samovolné odlupování niklového povlaku, jaké se objevuje při větších tloušťkách, zejména na leštěných površích. Zároveň je takto tlustá vrstva prvního niklu po následujícím zažíhnutí spolehlivým podkladem pro vyloučení adhezní vrstvy druhého niklu. U druhé niklové vrstvy leží optimum tloušťky z hlediska dostatečné přilnavosti i náležité jakosti pokovení v mezích 0,6 až 1,1 μπι.
Při zažíhávaní první niklové vrstvy hraje důležitou úlohu rychlost ohřevu i rychlost ochlazování./ Je-li rychlost ohřevu na žíhací teplotu příliš nízká, hrozí nebezpečí vzniku puchýřů: proto se rychlost ohřevu volí od 17 °C/min. výš. Rychlost ochlazování má vliv na výsledné, zejména závěrné vlastnosti křemíkových součástek; je-li tato rychlost vysoká, vznikají v křemíku vnitřní pnutí, případně i mikrotrhliny. Vhodná rychlost ochlazování leží pod 5 °C, a to až na teplotu v okolí 500 °C; další ochlazování již může být rychlejší. ;
Přikladl
Křemíkové desky s PNPN strukturou (po tyristory) se po oleptání v kyselině fluorovodíkové a po fotolitografickém maskování nepokovovaných (tj. nekontaktovaných) ploch fotorezistem, leptají ' 3 min. ve 33% roztoku fluoridu amonného při pokojové teplotě. Po oplachu ve vodě se aktivují , min. ve fosfomanovém alkalickém aktivátoru : výše uvedeného složení při teplotě 52 až 55 °C ‘ a bezprostředně poté se bezproudově niklují po tak dlouhou dobu, aby tloušťka vrstvy činila přibližně i 0,8 až 1,3 pm. Po smytí rezistové masky se desky j vloží do vakuové pece, průměrnou rychlostí okolo 50 °C/min. se ohřejí na teplotu 450 až 700 °C, na níž setrvají po dobu 30 min. Poté se ponechají! pomalu chladnout průměrnou rychlostí okolo !
°C/min. na teplotu 500 °C; další chladnutí již i může být rychlejší. ' i
Po opětném nanesení fotorezistové masky na nekontaktované plochy se desky leptají 3 min. ve 33% roztoku fluoridu amonného při pokojové ; teplotě a poté bez oplachu se vloží do niklovací lázně výše uvedeného složení, upraveného přísadou 75 ml/1 zásobního 33% roztoku fluoridu amonného. V této lázni se niklují po tak dlouhou dábu, aby výsledná tloušťka vrstvy dosáhla opět přibližně 0,6 až 1,1 μητ.
Příklad 2
Křemíkové desky s PN přechodem a s leštěným ! povrchem se po oleptání v kyselině fluorovodíkové a praní v deionizované vodě ponoří na 15 s. do 33 %' roztoku fluoridu amonného o teplotě cca 98 °Č (těsně pod bodem varu) a bez oplachu pak vloží do bezproudové niklovací lázně výše uvedeného složení, kde se vytvoří vrstva tloušťky přibližně 1 μιη. Zažíhnutí této vrstvy probíhá stejně jako ve výše i uvedeném příkladě 1. Další zpracování spočívá opět v leptání 15 s. ve 33% roztoku fluoridu amonného o teplotě cca 98 °C, po němž bez oplachu následuje vložení do niklovací lázně výše uvedeného složení, upraveného přísadou 75 ml/1
Claims (1)
- í PŘEDMĚTIZpůsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodičových· součástek bezproudovým niklováním, kdy bezprostředně před vlastním prvním niklováním se křemíkové desky oleptají a vrstva vytvořená následujícím niklováním se zažíhne, vyznačený tím, že oleptání křemíkových desek před niklováním se provádí ve 20% až nasyceném vodném roztoku fluoridu amonného ŇH4F buďto po dobu 1 až 3 min. při pokojové teplotě, anebo po dobu 10 až 30 s. při teplotě 90 až Í00 °C, zažíhávání následně vytvořené niklové vrstvy probíhá při teplotě 450 až 700 °C ve vakuu zásobního 33% roztoku fluoridu amonného. Tloušťka druhé niklové vrstvy činí opět přibližné 1 μιη.VYNÁLEZU * vyšším než 0,0133 Pa, přičemž rychlost ohřevu na tuto teplotu je vyšší než 17 °C/min. a po ukončení prodlevy na této teplotě je rychlost ochlazování menší než 5 °C/min., načež následuje leptání křemíkových desek ve 20% až nasyceném vodném roztoku fluoridu amonného NH4F buďto po dobu 1 až 3 min. při pokojové teplotě, anebo po dobu 10 až 30 s. pri teplotě 90 až 100 °C a na vzniklý silicid niklu se vyloučí druhá niklová vrstva v lázni upravené přísadou. 20% až nasyceného vodného roztoku fluoridu amonného NH4F v množství do 30 g na litr.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS619779A CS206947B1 (cs) | 1979-09-13 | 1979-09-13 | Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS619779A CS206947B1 (cs) | 1979-09-13 | 1979-09-13 | Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS206947B1 true CS206947B1 (cs) | 1981-07-31 |
Family
ID=5408449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS619779A CS206947B1 (cs) | 1979-09-13 | 1979-09-13 | Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS206947B1 (cs) |
-
1979
- 1979-09-13 CS CS619779A patent/CS206947B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sullivan et al. | Electroless nickel plating for making ohmic contacts to silicon | |
| US4321283A (en) | Nickel plating method | |
| US4005472A (en) | Method for gold plating of metallic layers on semiconductive devices | |
| US6261637B1 (en) | Use of palladium immersion deposition to selectively initiate electroless plating on Ti and W alloys for wafer fabrication | |
| US4182781A (en) | Low cost method for forming elevated metal bumps on integrated circuit bodies employing an aluminum/palladium metallization base for electroless plating | |
| US4154877A (en) | Electroless deposition of gold | |
| CN100408202C (zh) | 化学镀溶液和方法 | |
| US2962394A (en) | Process for plating a silicon base semiconductive unit with nickel | |
| CN107431001B (zh) | 半导体元件及其制造方法 | |
| US4297393A (en) | Method of applying thin metal deposits to a substrate | |
| JP2008511992A (ja) | アルミニウム、銅、およびタングステンの構造の選択的ニッケルめっき | |
| CN103258723B (zh) | 改善金属粘附性的活化工艺 | |
| JPS62271454A (ja) | Vlsiデバイス中の開口の選択無電界メツキ方法 | |
| CN110249074A (zh) | 半导体元件及其制造方法 | |
| US3415679A (en) | Metallization of selected regions of surfaces and products so formed | |
| CS206947B1 (cs) | Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek | |
| GB833828A (en) | Improvements in or relating to methods of applying metallic coatings to the surfaces of semiconductor and metal bodies | |
| JP3340633B2 (ja) | ガラス被覆半導体装置の電極形成方法 | |
| JP3339549B2 (ja) | ガラス被覆半導体装置及びその製造方法 | |
| JP7170849B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US3531320A (en) | Method of making a semiconductor device | |
| Karmalkar et al. | Adhesion of electroless nickel plating on polished silicon | |
| JP3361717B2 (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| US3539391A (en) | Methods of coating semiconductor materials with conductive metals | |
| US2698780A (en) | Method of treating germanium for translating devices |