CS206947B1 - Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek - Google Patents

Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek Download PDF

Info

Publication number
CS206947B1
CS206947B1 CS619779A CS619779A CS206947B1 CS 206947 B1 CS206947 B1 CS 206947B1 CS 619779 A CS619779 A CS 619779A CS 619779 A CS619779 A CS 619779A CS 206947 B1 CS206947 B1 CS 206947B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
nickel
silicon
layer
temperature
nickel plating
Prior art date
Application number
CS619779A
Other languages
English (en)
Inventor
Vladimir Kraus
Alena Krausova
Karel Ramajzl
Jaroslava Stoeckelova
Jana Vonsovska
Original Assignee
Vladimir Kraus
Alena Krausova
Karel Ramajzl
Jaroslava Stoeckelova
Jana Vonsovska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vladimir Kraus, Alena Krausova, Karel Ramajzl, Jaroslava Stoeckelova, Jana Vonsovska filed Critical Vladimir Kraus
Priority to CS619779A priority Critical patent/CS206947B1/cs
Publication of CS206947B1 publication Critical patent/CS206947B1/cs

Links

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)

Description

¢54) Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek |Vynález se týká způsobu vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodičových součástek bez negativního ovlivnění technicko-fyzikálmch parametrů těchto součástek.
Bežproudové niklování je jedním z nejstarších způsobů přípravy ohmických kontaktů k výkono' vým křemíkovým polovodičům. Obvyklý postup sestává ze tří základních operací, a to z bezproudového poniklování křemíkových desek, že zažíhnutí této vrstvy niklu za vzniku silicidu a z bezproudového vyloučení vnější vrstvy niklu, umožňující pájení na měkko. V současné době se uplatňuje zejména tam, kde je měkké pájení křemíku k vnějším, například molybdenovým elektrodám technicky a ekonomicky výhodné, tj. především u menších součástek. U těchto osvědčuje bezproudově vytváI řený niklový kontakt své přednosti — nízký kontaktní odpor silicidu niklu na styku s křemíkem í (zejména typu N) a malou náročnost, pokud se týká potřebného zařízení.
Vlastní postup bezproudového niklování křemíku se obvykle zakládá na lázni známého složení (M. V. Sullivan, J. H. Eigler; J. Electrochem. Soc., 33,
1957,226):
NiCl2.6H2O ......... 30 g/1
NaH2PO2.H2O........10 g/1
NH4C1 ..........- · 50 g/í j citronan amonný.......65 g/1, která účinně pracuje při teplotách 80 až 100 °C po adjustaci pH čpavkem na hodnotu 10 až 11.
V dosavadní praxi kontaktování výkonových křemíkových součástek nalezl dále uplatnění alkalický fosfomanový aktivátor složení:
NaH2PO2.H2O........ 20 až 30 g
KOH(30%) .........210 ml
H2O .... ... . .... .' . 100 až 800 ml, v němž se křemíkové desky po předchozím zbavení oxidů v kyselině fluorovodíkové a po případném maskování planámí struktury fotorezistem krátce zpracovávají při teplotě 50 až 65 °C před prvním niklováním. Zažíhávání první niklové vrstvy se provádí ve vakuových pecích při teplotě do 700 °C při různých režimech ohřevu a ochlazování — podle konstrukčních podmínek jednotlivých pecí. Před druhým niklováním se již povrch křemíku zpravidla neaktivuje.
Nedostatky dosud aplikovaných postupů — nízká spolehlivost a reprodukovatelnost — vynikají zejména ve spojení s některými progresivnějšími metodami technologie zpracování křemíkové desky s Pn-přechody, jmenovitě s difúzí fosforu z plynné fáze a s používáním leštěných povrchů křemíkových desek při výrobě některých součástek. Hlavní závady spočívají v nedostatečném pokovení obou vodivostních typů vedle sebe, v tvorbě puchýřů při zažíhávání a v nízké přilnavos206947 ti niklových vrstev (zejména druhé vrstvy), projevující se často až v průběhu následující operace měkkého pájení, kdy je již možnost opravy vadných výrobků prakticky vyloučena.
Výše uvedené nedostatky dosavadních postupů odstraňuje způsob vytváření přilnavého niklového 1 kontaktu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že oleptání křemíkových desek před niklováním se provádí ve 20 % až nasyceném vodném (roztoku fluoridu amonného NH4F buďto po dobu 1 až 3 minut při pokojové teplotě, anebo po dobu , 10 až 30 s při teplotě 90 až 100 °C, zažíhávaní ; následně vytvořené niklové vrstvy probíhá při teplotě 450 až 700 °C ve vakuu Vyšším než 0,0133 Pa, přičemž rychlost ohřevu na tuto teplotu je vyšší než 17 °C za minutu a po ukončení prodlevy na této teplotě je rychlost ochlazování menší než 5 °C za minutu, načež následuje oleptání křemíkových desek ve 20% až nasyceném vodném roztoku fluoridu amonného NH4F buďto po dobu 1 až 3 minut při pokojové teplotě anebo po dobu 10 až 30 s při teplotě 90 až 100 °C a na vzniklý silicid niklu se vyloučí druhá niklová vrstva v lázni upravené přísadou 20% až nasyceného vodného roztoku fluoridu amonného NH4F v množství do g na litr.
Příprava niklového kontaktu na křemíkových , deskách postupem podle vynálezu se vyznačuje velmi dobrou spolehlivostí a reprodukovatelností, ' výsledný kontakt je celistvý, adhezní a dobře vhodný k pájení. Zavedení tohoto postupu není ( náročné ani z hlediska pracnosti ani z hlediska ! nebezpečí případných negativních účinků lidského činitele.
Dokonalé úpravy povrchu křemíku bezprostřed- ! ně před niklováním (tj. až po případném nanesení fotorezistové masky), resp. na jeho počátku se dosahuje koncentrovaným vodným roztokem fluoridu amonného (NH4F), který za studená není vůči běžným druhům fotorezistu agresivní. Tento roztok se používá jednak jako leptací činidlo, nejvhodněji aplikované
a) u křemíkových desek s maskovanou planámí strukturou (např. u tyristorů) při pokojové teplotě, a to při operaci prvního niklování bezprostředně před aktivací ve výše zmíněném alkalickém aktivátoru a při operaci druhého niklování bezprostředně před vložením do niklovací lázně;
b) u nemaskovaných křemíkových desek (např. u diod) za tepla (při 90 až 100 °C) vždy bezprostředně před vložením do niklovací lázně (při prvním niklování zde odpadá jakákoliv potřeba další aktivace);
a jednak jako přísada přímo do niklovací lázně výše uvedeného složení, zejména při druhém niklování.
Redukční schopnost fosfornanu sodného v niklovací lázni se zvyšuje, jestliže se při přípravě této lázně rozpouští ve vodě odděleně od ostatních přísad a směšují se pak až připravené vodné roztoky.
Optimální tloušťka první niklové vrstvy na křemíkových deskách leží v rozmezí 0,8 až 1,3 μπι. Při těchto tloušťkách se při aplikaci postupu podle vynálezu bezpečně dosahuje pokovení obou vodivostních typů vedle sebe, avšak nehrozí ještě samovolné odlupování niklového povlaku, jaké se objevuje při větších tloušťkách, zejména na leštěných površích. Zároveň je takto tlustá vrstva prvního niklu po následujícím zažíhnutí spolehlivým podkladem pro vyloučení adhezní vrstvy druhého niklu. U druhé niklové vrstvy leží optimum tloušťky z hlediska dostatečné přilnavosti i náležité jakosti pokovení v mezích 0,6 až 1,1 μπι.
Při zažíhávaní první niklové vrstvy hraje důležitou úlohu rychlost ohřevu i rychlost ochlazování./ Je-li rychlost ohřevu na žíhací teplotu příliš nízká, hrozí nebezpečí vzniku puchýřů: proto se rychlost ohřevu volí od 17 °C/min. výš. Rychlost ochlazování má vliv na výsledné, zejména závěrné vlastnosti křemíkových součástek; je-li tato rychlost vysoká, vznikají v křemíku vnitřní pnutí, případně i mikrotrhliny. Vhodná rychlost ochlazování leží pod 5 °C, a to až na teplotu v okolí 500 °C; další ochlazování již může být rychlejší. ;
Přikladl
Křemíkové desky s PNPN strukturou (po tyristory) se po oleptání v kyselině fluorovodíkové a po fotolitografickém maskování nepokovovaných (tj. nekontaktovaných) ploch fotorezistem, leptají ' 3 min. ve 33% roztoku fluoridu amonného při pokojové teplotě. Po oplachu ve vodě se aktivují , min. ve fosfomanovém alkalickém aktivátoru : výše uvedeného složení při teplotě 52 až 55 °C ‘ a bezprostředně poté se bezproudově niklují po tak dlouhou dobu, aby tloušťka vrstvy činila přibližně i 0,8 až 1,3 pm. Po smytí rezistové masky se desky j vloží do vakuové pece, průměrnou rychlostí okolo 50 °C/min. se ohřejí na teplotu 450 až 700 °C, na níž setrvají po dobu 30 min. Poté se ponechají! pomalu chladnout průměrnou rychlostí okolo !
°C/min. na teplotu 500 °C; další chladnutí již i může být rychlejší. ' i
Po opětném nanesení fotorezistové masky na nekontaktované plochy se desky leptají 3 min. ve 33% roztoku fluoridu amonného při pokojové ; teplotě a poté bez oplachu se vloží do niklovací lázně výše uvedeného složení, upraveného přísadou 75 ml/1 zásobního 33% roztoku fluoridu amonného. V této lázni se niklují po tak dlouhou dábu, aby výsledná tloušťka vrstvy dosáhla opět přibližně 0,6 až 1,1 μητ.
Příklad 2
Křemíkové desky s PN přechodem a s leštěným ! povrchem se po oleptání v kyselině fluorovodíkové a praní v deionizované vodě ponoří na 15 s. do 33 %' roztoku fluoridu amonného o teplotě cca 98 °Č (těsně pod bodem varu) a bez oplachu pak vloží do bezproudové niklovací lázně výše uvedeného složení, kde se vytvoří vrstva tloušťky přibližně 1 μιη. Zažíhnutí této vrstvy probíhá stejně jako ve výše i uvedeném příkladě 1. Další zpracování spočívá opět v leptání 15 s. ve 33% roztoku fluoridu amonného o teplotě cca 98 °C, po němž bez oplachu následuje vložení do niklovací lázně výše uvedeného složení, upraveného přísadou 75 ml/1

Claims (1)

  1. í PŘEDMĚT
    I
    Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodičových· součástek bezproudovým niklováním, kdy bezprostředně před vlastním prvním niklováním se křemíkové desky oleptají a vrstva vytvořená následujícím niklováním se zažíhne, vyznačený tím, že oleptání křemíkových desek před niklováním se provádí ve 20% až nasyceném vodném roztoku fluoridu amonného ŇH4F buďto po dobu 1 až 3 min. při pokojové teplotě, anebo po dobu 10 až 30 s. při teplotě 90 až Í00 °C, zažíhávání následně vytvořené niklové vrstvy probíhá při teplotě 450 až 700 °C ve vakuu zásobního 33% roztoku fluoridu amonného. Tloušťka druhé niklové vrstvy činí opět přibližné 1 μιη.
    VYNÁLEZU * vyšším než 0,0133 Pa, přičemž rychlost ohřevu na tuto teplotu je vyšší než 17 °C/min. a po ukončení prodlevy na této teplotě je rychlost ochlazování menší než 5 °C/min., načež následuje leptání křemíkových desek ve 20% až nasyceném vodném roztoku fluoridu amonného NH4F buďto po dobu 1 až 3 min. při pokojové teplotě, anebo po dobu 10 až 30 s. pri teplotě 90 až 100 °C a na vzniklý silicid niklu se vyloučí druhá niklová vrstva v lázni upravené přísadou. 20% až nasyceného vodného roztoku fluoridu amonného NH4F v množství do 30 g na litr.
CS619779A 1979-09-13 1979-09-13 Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek CS206947B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS619779A CS206947B1 (cs) 1979-09-13 1979-09-13 Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS619779A CS206947B1 (cs) 1979-09-13 1979-09-13 Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS206947B1 true CS206947B1 (cs) 1981-07-31

Family

ID=5408449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS619779A CS206947B1 (cs) 1979-09-13 1979-09-13 Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS206947B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sullivan et al. Electroless nickel plating for making ohmic contacts to silicon
US4321283A (en) Nickel plating method
US4005472A (en) Method for gold plating of metallic layers on semiconductive devices
US6261637B1 (en) Use of palladium immersion deposition to selectively initiate electroless plating on Ti and W alloys for wafer fabrication
US4182781A (en) Low cost method for forming elevated metal bumps on integrated circuit bodies employing an aluminum/palladium metallization base for electroless plating
US4154877A (en) Electroless deposition of gold
CN100408202C (zh) 化学镀溶液和方法
US2962394A (en) Process for plating a silicon base semiconductive unit with nickel
CN107431001B (zh) 半导体元件及其制造方法
US4297393A (en) Method of applying thin metal deposits to a substrate
JP2008511992A (ja) アルミニウム、銅、およびタングステンの構造の選択的ニッケルめっき
CN103258723B (zh) 改善金属粘附性的活化工艺
JPS62271454A (ja) Vlsiデバイス中の開口の選択無電界メツキ方法
CN110249074A (zh) 半导体元件及其制造方法
US3415679A (en) Metallization of selected regions of surfaces and products so formed
CS206947B1 (cs) Způsob vytváření přilnavého niklového kontaktu křemíkových polovodiče' j vých součástek
GB833828A (en) Improvements in or relating to methods of applying metallic coatings to the surfaces of semiconductor and metal bodies
JP3340633B2 (ja) ガラス被覆半導体装置の電極形成方法
JP3339549B2 (ja) ガラス被覆半導体装置及びその製造方法
JP7170849B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US3531320A (en) Method of making a semiconductor device
Karmalkar et al. Adhesion of electroless nickel plating on polished silicon
JP3361717B2 (ja) 半導体装置の電極形成方法
US3539391A (en) Methods of coating semiconductor materials with conductive metals
US2698780A (en) Method of treating germanium for translating devices