CS204948B1 - Způsob chemického obrábění destiček ze semitransparentníoh materiálů a zařízení k provádění způsobu - Google Patents
Způsob chemického obrábění destiček ze semitransparentníoh materiálů a zařízení k provádění způsobu Download PDFInfo
- Publication number
- CS204948B1 CS204948B1 CS916879A CS916879A CS204948B1 CS 204948 B1 CS204948 B1 CS 204948B1 CS 916879 A CS916879 A CS 916879A CS 916879 A CS916879 A CS 916879A CS 204948 B1 CS204948 B1 CS 204948B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- plate
- focused
- cuvette
- light beam
- light
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 230000001331 thermoregulatory effect Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu chemického obrábění destiček ze semitransparentníoh materiálů, zejména křemíku a zařízení k provádění tohoto způsobu.
Chemické obrábění má, vedle vybraných případů strojírenských, význam především v polovodičové technice, kde představuje metodu jinými postupy těžko nahraditelnou. Nedostatky doposud používaných postupů se projevují především v tom, že rychlost úběru materiálu v ploše není dostatečně definovaná - rovnoměrná -, oož je v některých případech velmi nežádoucí a je nutné provádět výběr vyhovujících obrobků. Tím vzniká při výrobě zbytečný výmět, zvýšená spotřeba materiálů a vyšší rozpracovanost obráběných polotovarů. Takovýto případ se vyskytuje při výrobě targetu pro křemíkový vidikon a SIT - vidikon, kde je třeba odleptat z polotovaru křemíkové destičky asi 90 % její původní tloušlky s přesností optimálně 1 % v ploše řádově 1 cm2. To činí značné obtíže a omezuje reálně dosažitelnou kvalitu obrazu, zejména v náročnějších aplikacích.
Tyto nedostatky odstraňuje způsob chemického obrábění destiček podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že obráběná destička, ponořená v leptací lázni, je na svém povrchu lokálně ohřívána fokusovaným světelným svazkem, jehož intenzita je řízena v závislosti na intenzitě světla procházejícího destičkou. Podstata zařízení podle vynálezu spočívá v tom, že je tvořeno kyvetou opticky propustnou v mezích chodu světelného svazku z bodového výkonného světelného zdroje rychle ovladatelné intenzity, fokusovaného na
204 948
204 80 povrch obráběné destičky, za níž je umístěno rychlé světelná čidlo, propojené do regulačního obvodu, který napájí zdroj, přičemž destička je nesena mechanismem, umožňujícím její vyohylování kolmo na osu světelného svazku, s výhodou zároveň s kyvetou.
'5
VySší účinek vynálezu se.projevuje především v tom, že umožňuje vést lept s vysokou definovanoetí úběru materiálu v ploše pokud obráběná destička je v okolí své požadované oilové tloušťky opticky propustná v měřitelné míře a pokud lze použít leptací lázeň s teplotní závislosti ryohlosti úběru materiálu, jejíž reálná variace je alespoň srovnatelná s nesouměrností leptu z jiných příčin.
Na přiloženém výkresu je sohematioky znázorněno zařízení k provádění způsobu podle vynálezu, které sestává z kyvety J, v níž je upevněna destička 4 blíže stěny kyvety J a za ní je umístěno světelné čidlo g, elektricky propojené s. regulačním obvodem 6. Proti deetičoe £ za protilehlou stěnou kyvety J je umístěn světelný zdroj g s optickým fokusačním systémem fokusujícím světelný tok do svazku 2, přičemž světelný zdroj 3 je napájen z regulačního obvodu 6. Kyveta J je nesena mechanismem J, který umožňuje její vyohylování kolmo na osu světelného svazku 2. Kyveta J je dále elaetioky propojena s cirkulačním termostatem 8,
Claims (5)
1. Způsob ohemiokého obrábění destiček ze semitransparentních materiálů, zejména křemíku, vyznačený tím, že obráběné destička, ponořená v leptací lázni, je na svém povrchu lokálně ohřívána fokusovaným světelným svazkem, jehož intenzita je řízena v závislosti na intenzitě světla procházejícího destičkou.
2. Zařízení k provádění způsobu podle bodu Γ, vyznačené tím, že je tvořeno kyvetou (1) optioky propustnou v mezích ohodu světelného svazku (2) z bodového, výkonného světelného zdroje (3) rychle ovladatelné intenzity, fokusovaného na povroh obráběné destičky (4), za níž je umístěno rychlé světelné čidlo (5), propojené do regulačního obvodu (6), který napájí zdroj (3), přičemž destička (4) je nesena meohanizmem (7), umožňujícím její vyohylování kolmo na osu světelného svazku (2), s výhodou zároveň s kyvetou (1).
3* Zařízení podle bodu 2, vyznačené tím, že světelný zdroj (3) je tvořen vysokotlakou plynovou výbojkou.
4. Zařízení podle bodu 2 a 3, vyznačené tím, že je opatřeno termoregulačním systémem (8), β výhodou oirkulačního typu.
5. Zařízení podle bodu 2 až 4, vyznačené tím, že regulační obvod (6) je programově nastavitelný podle polohy fokusované stopy svazku (2) na destičce (4).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS916879A CS204948B1 (cs) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Způsob chemického obrábění destiček ze semitransparentníoh materiálů a zařízení k provádění způsobu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS916879A CS204948B1 (cs) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Způsob chemického obrábění destiček ze semitransparentníoh materiálů a zařízení k provádění způsobu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS204948B1 true CS204948B1 (cs) | 1981-04-30 |
Family
ID=5442933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS916879A CS204948B1 (cs) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Způsob chemického obrábění destiček ze semitransparentníoh materiálů a zařízení k provádění způsobu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS204948B1 (cs) |
-
1979
- 1979-12-21 CS CS916879A patent/CS204948B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5138800B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| US5968382A (en) | Laser cleavage cutting method and system | |
| CA1113757A (en) | Device for material machining using electromagnetic or corpuscular beams | |
| DE69626360T2 (de) | Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleiterkristallblocks | |
| US3527198A (en) | Method and apparatus for working diamonds by means of laser light beam | |
| CN203171147U (zh) | 双激光切割机 | |
| JP2002205181A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
| KR20150016177A (ko) | 투명 재료 내에 레이저 필라멘테이션을 형성하기 위한 시스템 | |
| KR100461024B1 (ko) | 칩 스케일 마커 및 마킹 방법 | |
| CN103314324B (zh) | 利用激光的导光板加工装置及其加工方法 | |
| CS204948B1 (cs) | Způsob chemického obrábění destiček ze semitransparentníoh materiálů a zařízení k provádění způsobu | |
| JPH10189496A (ja) | ウェーハ切断方法およびその装置 | |
| FR2444648A1 (fr) | Procede et dispositif pour travailler par enlevement de copeaux du verre ou des materiaux vitreux, et piece en verre ou en materiau vitreux, travaillee de la sorte | |
| JP2003088982A (ja) | レーザ加工方法 | |
| RU2071141C1 (ru) | Способ гидрооптической обработки поверхности деталей из диэлектрических материалов и устройство для его осуществления | |
| JP2006192506A (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP2003001448A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2003010990A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPS5622657A (en) | Treatment of glass surface | |
| KR100622835B1 (ko) | 패턴 수정 장치 및 수정 방법 | |
| JP2003001462A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH02188707A (ja) | 光ファイバの先球加工方法 | |
| Choi et al. | Micromachining of Cr Thin Film and Glass Using an Ultrashort Pulsed Laser | |
| JP2003010988A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2003001450A (ja) | レーザ加工装置 |