CS201617B1 - Zapojení zkoušečky logických stavů - Google Patents

Zapojení zkoušečky logických stavů Download PDF

Info

Publication number
CS201617B1
CS201617B1 CS259277A CS259277A CS201617B1 CS 201617 B1 CS201617 B1 CS 201617B1 CS 259277 A CS259277 A CS 259277A CS 259277 A CS259277 A CS 259277A CS 201617 B1 CS201617 B1 CS 201617B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
diode
node
anode
cathode
input
Prior art date
Application number
CS259277A
Other languages
English (en)
Inventor
Frantisek Boehm
Josef Kuna
Zdenek Purkrabek
Original Assignee
Frantisek Boehm
Josef Kuna
Zdenek Purkrabek
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Frantisek Boehm, Josef Kuna, Zdenek Purkrabek filed Critical Frantisek Boehm
Priority to CS259277A priority Critical patent/CS201617B1/cs
Publication of CS201617B1 publication Critical patent/CS201617B1/cs

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

Vynález se týká zapojení zkoušečky logických stavů signálů s optickou indikací v sítích
TTL.
V dosud známých zapojeních se k rozlišení testované úrovně používá komplementárních zesilovačů, popřípadě rozdílného zisku v obou větvích pro indikaci úrovní L a H. Tyto obvody potřebují ke správné funkci nastavení pracovních bodů, což přináší problémy se stabilitou, při oživování apod. Kromě toho jsou tato zapojení většinou dosti složitá.
Tyto nevýhody odstraňuje zapojení zkoušečky logických stavů s optickou indikací v sítích TTL, jehož podstata spočívá v tom že vstup signálu je spojen s uzlem spojeným se dvěma paralelními větvemi, z nichž první paralelní větev je tvořena sériovým spojením první diody, připojené anodou do uzlu a katodou k bázi tranzistoru vodivostního typu NPN, jehož koléktor je spojen se vstupem prvého hradla a druhé diody, spojené anodou s emitorem tranzistoru a katodou s bodem nulového potenciálu, zatímco druhá paralelní větev je tvořena diodou spojenou katodou s uzlem a anodou se vstupem druhého hradla.
Pokrok dosažený vynálezem spočívá v tom, že popsaný prahový obvod umožňuje sestrojit logickou zkoušečku s výbornými dynamickými vlastnostmi, vyhovující přesností a stabilitou. Zapojení je velice jednoduché a při oživování není třeba nic nastavovat.
Vynález je zobrazen na přiloženém výkrese, který představuje schéma zapojení zkoušečky logických stavů.
U zapojení zkoušečky logických stavů s optickou indikací v sítích TTL je testovaný signál v uzlu 1 rozdělen do dvou paralelních větví 2 a 2* První paralelní větev 2 je tvořena sériovým spojením první diody £, připojené anodou do uzlu χ a katodou k bázi tranzistoru 2 a druhé diody 2 spojené anodou s emitorem tranzistoru 2 a katodou s bodem nulové201 617
201 017 ho potenoiálu, Kolektor tranzistoru Ji je spojen se vstupem prvého hradla 6. Druhá paralelní větev 2 3® tvořena diodoujg spojenou katodou s uzlem 1 a anodou 8 vstupem druhého hradla 2· Obvody indikace /nezakresleno/ jsou připojeny k výstupům prvého hradla £ a druhého hradla 2·
Zapojení zkouěečky logických stavů používá k rozlišení testovanyo^nubytků na PN přecho dech. Logická zkoušečka rozlišuje tři úrovně vstupního napětí. Pro indikaci hodnoty logická nula je třeba, aby napětí na vstupu druhého hradla 2 bylo menší než rozhodovací úroveň TTL, tj. 1,4 V. Vzhledem k tomu, že v cestě signálu je zapojena dioda 8, musí hýt vstupní napětí menší o úbytek na této diodě, t.j.
UL . - 1,4 - 0,7 - 0,7 V.
Při splnění této podmínky je v činnosti indikační obvod, zapojený na výstup hradla^9 logická nula.
Hodnota logická jedna se indikuje obvodem, připojeným na výstup prvého hradla 6, a to tehdy, je-li sepnut tranzistor 2» K tomu je třeba, aby vstupní napětí bylo větší, než je součet úbytků na přechodech první diody £ a druhé diody £ a přechodu B - E tranzistoru 2' tj.
UH - 3 x 0,7 = 2,1 V,
V případě, že napětí v uzlu 2 nesplňuje žádnou z uvedených podmínek, popřípadě není-li vstup připojen k měřenému obvodu, například nedokonalý kontakt nebo vysoký výstupní odpor zdroje signálu, není v činnosti žádná z indikačních větví.
Přesnost prahových úrovní vstupního obvodu je pro potřebu zkoušeČky dóstačujíoíj výhodné je, že zapojení má obdobnou strukturu jako TTL. Z toho plyne, že případné teplotní drifty a offset způsobený tolerancí napájecího napětí se projeví obdobně jako v testovaném zařízení. Prahový obvod podle vynálezu neobsahuje žádné pasivní prvky, které by ovlivňovaly .dynamické vlastnosti zkouěečky.

Claims (1)

  1. PŘEDMĚT VYNÍLEZU
    Zapojení zkouěečky logických stavů s optickou indikací v sítích TTL, vyznačené tím, že vstup signálu je spojen s uzlem /1/ spojeným se dvěma paralelními větvemi /2 a 3/, z nichž první paralelní větev /2/ je tvořena sériovým spojením první diody /4/, připojené anodou do uzlu /1/ a katodou k bázi tranzistoru vodivostního typu NPN /5/, jehož kolektor je spojen se vstupem prvého .hradla /6/, a druhé diody /7/, spojené anodou s emitorem tranzistoru /5/ a katodou s bodem nulového potenciálu, zatímco druhá paralelní větev /3/ je tvořena diodou /8/ spojenou katodou s uzlem /1/ a anodou s vstupem druhého hradla/9/·
CS259277A 1977-04-19 1977-04-19 Zapojení zkoušečky logických stavů CS201617B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS259277A CS201617B1 (cs) 1977-04-19 1977-04-19 Zapojení zkoušečky logických stavů

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS259277A CS201617B1 (cs) 1977-04-19 1977-04-19 Zapojení zkoušečky logických stavů

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS201617B1 true CS201617B1 (cs) 1980-11-28

Family

ID=5363485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS259277A CS201617B1 (cs) 1977-04-19 1977-04-19 Zapojení zkoušečky logických stavů

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS201617B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4015597C2 (de) Fotosensorschaltung zum Erfassen von einfallendem Licht
EP0291062B1 (en) Reference potential generating circuit
DE3775639D1 (de) Halbleiteranordnung mit einer schmelzsicherungsschaltung und einer erkennungsschaltung, um schmelzsicherungszustaende in der schmelzsicherungsschaltung zu erkennen.
KR100213845B1 (ko) 집적 전원 공급 모니터회로
CS201617B1 (cs) Zapojení zkoušečky logických stavů
US4005315A (en) Triple state to binary converter
US3532909A (en) Transistor logic scheme with current logic levels adapted for monolithic fabrication
Rein et al. A time division multiplexer IC for bit rates up to about 2 Gbits/s
KR910005576A (ko) 차동 출력을 지니는 ttl-ecl/cml 트랜슬레이터 회로
CN106330340B (zh) 光接收电路及防止逻辑异常的方法
US5869994A (en) Level converter circuit converting input level into ECL-level against variation in power supply voltage
US4054803A (en) Matcher circuit
US3459973A (en) High-speed binary counter
US4914321A (en) BIMOS level convertor
US4563641A (en) Radiation upset threshold detector apparatus
SU790315A1 (ru) Оптоэлектронный переключатель
KR950002089B1 (ko) 전자회로 장치 및 그것을 갖는 아나로그 대 디지탈 변환기
SU1241431A1 (ru) Оптоэлектронный генератор импульсов
SU1223333A1 (ru) Двухтактный усилитель мощности
SU911455A1 (ru) Двухпороговое устройство
KR890004467Y1 (ko) 위치 계수회로
KR100403609B1 (ko) 바이폴라 트랜지스터의 dc 모델 및 이를 이용한시뮬레이션 방법
SU945995A1 (ru) Мажоритарное устройство
SU493028A1 (ru) Электронное пробное реле
SU799051A1 (ru) Полупроводникова логическа чей-KA