CS201379B1 - Method of amplifiing the thin conductive layers of hybrid integrated circuits - Google Patents
Method of amplifiing the thin conductive layers of hybrid integrated circuits Download PDFInfo
- Publication number
- CS201379B1 CS201379B1 CS787478A CS787478A CS201379B1 CS 201379 B1 CS201379 B1 CS 201379B1 CS 787478 A CS787478 A CS 787478A CS 787478 A CS787478 A CS 787478A CS 201379 B1 CS201379 B1 CS 201379B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- bath
- current
- galvanic
- gold
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 claims 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 claims 1
- NRTDAKURTMLAFN-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(3+);tetracyanide Chemical compound [K+].[Au+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] NRTDAKURTMLAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA POPIS VYNALEZU 201379 (11) (Bl) ( 19 ) K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ (51) Int. Cl.3 H 05 K 3/24 (22) Přihlášeno 30 11 78(21) (PV 7874-78) (40) Zveřejněno 29 02 80 ÚŘAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY (45) Vydáno 15 06 82 (75)
Autor vyinálezu SMlD LUDĚK ing. a BADAL JAN ing. CSc., PRAHA (54) Způsob zesilování tenkých vodivých vrstev u hybridních integrova-ných obvodů
Vynález se týká způsobu zesilování tenkýchvodivých vrstev u hybridních integrovanýchobvodů galvanickým způsobem.
Pro zvyšování elektrické vodivosti někte-rých vodivých drah v tenkých vrstvách proúčely hybridních integrovaných obvodů sevýhodně používá zesilování těchto tenkýchvodivých vrstev galvanickým způsobem. Pří-slušné motivy se získají tak, že se galvanickévrstvy nanášejí do okének v předem vytvo-řené fotorezistové masce. Při této metodě všakdochází k vytváření hroznovitých útvarů„clusterů“, hlavně na hranách tvořících setenkovrstvých obrazců. Tyto nárůsty zhoršujíobrysovou ostrost a přesnost takto zhotove-ných vodivých drah. Nárůsty způsobují i zvý-šené pnutí v nanesené galvanické vrstvě a cel-kově snižují kvalitu povrchu vyloučenýchvrstev. To má za následek zhoršení adhezetěchto vrstev k podložce a dochází i k jejichodlupování od podložních vrstev, zejména vli-vem dlouhodobého působení teploty a teplot-ních změn.
Uvedené nevýhody se odstraní způsobemzesilování tenkých vodivých vrstev u hybrid-ních integrovaných obvodů galvanickým způ-sobem do otvorů fotorezistové masky, jehožpodstata podle vynálezu spočívá v tom, žek substrátu s tenkými vodivými vrstvami po-nořenému v pokovovací lázni se připojí zdroj galvanického proudu, který dodává střídavéproudové impulsy, přičemž poměr dob trvánízáporného a kladného impulsu se mění v zá-vislosti na druhu použité pokovovací lázně od4:1 do 25 : 1 s opakovači frekvencí 0,1 až1 Hz a střední proudovou hustotou danou po-užitou galvanickou lázní. Výhodou tohoto způsobu zesilování tenkýchvodivých vrstev u hybridních integrovanýchobvodů je omezená tvorba nežádoucích hroz-novitých nárůstků a lepší adheze k ostatnímvrstvám, popřípadě podložkám. Povrch nane-sených vrstev je hladší a homogennější, zvy-šuje se i přesnost vytvářených motivů.
Vynález bude dále blíže vysvětlen na pří-kladech, kde v prvém příkladu se galvanickynanáší vrstva mědi na kotvicí vrstvu vakuověnapařeného niklu a v druhém příkladě se na-náší vrstva zlata. Příklad 1 Při vytváření zlatých vzdušných můstkůpři křížení vodivých cest u hybridních integ-rovaných obvodů se galvanicky nanáší vrstvamědi na kotvicí vrstvu vakuově napařenéhoniklu do otvorů rezistově masky. Je nutno,aby tato mezivrstva mědi měla homogennípovrch, definovanou tloušťku po celém povr-chu podložky, dobrou adhezi a dobrou hrano-vou ostrost bez hroznovitých výrůstků. 20 1 37 9
Claims (1)
- 2 Připraví se galvanická lázeň a složení: 120 g kyanid měďný, 175 g kyanid drasel-ný, 60 g uhličitan draselný a doplní se vodouna 1 litr lázně. Lázeň se zahřeje na pracovníteplotu 55 °C. Střední proudová hustota meziměděnou anodou a podložkou s tenkými vo-divými vrstvami činí 4 A/dm2. Do lázně se ponoří podložka s kotvící vrst-vou napářeného niklu tloušťky 50 až 100 nm.Připojí se zdroj galvanického proudu s prou-dovými impulsy o střídě 1 : 10 a opakovačifrekvencí 1 Hz. Pokovuje se 50 minut, čímžse vyloučí vrstva mědi o tloušťce asi 35 μτη.Tato vrstva mědi má shora požadované vlast-nosti. Příklad 2 Pro zvětšení vodivosti tenkých vrstev va-kuově napařeného sendviče titan — paladium— zlato je třeba na tyto motivy galvanicky PŘEDMĚT Způsob zesilování tenkých vodivých vrstevu hybridních integrovaných obvodů galvanic-kým způsobem do otvorů fotorezistové maskyvylučováním příslušného kovu z galvanickélázně, vyznačený tím, že k substrátu s tenký-mi vodivými vrstvami ponořenému v poko-vovací lázni se připojí zdroj galvanického nanést vrstvu zlata do otvorů rezistové mas-ky. Je třeba, aby povrch nanesené zlaté vrst-vy byl hladký, aby tvary hran vytvářenýchmotivů byly přesné a rozměrová tolerancei 5 μτη. Připraví se zlatící lázeň o složení: 10 g kyanid zlatno-draselný, 60 g střednífosforečnan draselný, 60 g kyselý fosforečnandraselný a doleje se vodou na 1 litr lázně. Lá-zeň se ohřeje na pracovní teplotu 50 °C. Prou-dová hustota je 2 A/dm2. Podložky s tenkými vodivými motivy seponoří do pokovovací lázně a připojí se zdrojgalvanického proudu s pulsním průběhem,přičemž poměr dob trvání záporného a klad-ného proudu činí 15 : 1 s opakovači frekvencí0,5 Hz. Pokovuje se 20 minut. Vyloučená zlatá vrstva má tloušťku asi10 μτη a splňuje shora uvedené požadavky. proudu, který dodává střídavé proudové im-pulsy, přičemž poměr dob trvání zápornéhoa kladného impulsu se mění v závislosti nadruhu použité pokovovací lázně od 4:1 do25 :1 s opakovači frekvencí 0,1 až 1 Hz astřední proudovou hustotou danou použitougalvanickou lázní.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS787478A CS201379B1 (en) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | Method of amplifiing the thin conductive layers of hybrid integrated circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS787478A CS201379B1 (en) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | Method of amplifiing the thin conductive layers of hybrid integrated circuits |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS201379B1 true CS201379B1 (en) | 1980-11-28 |
Family
ID=5428626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS787478A CS201379B1 (en) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | Method of amplifiing the thin conductive layers of hybrid integrated circuits |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS201379B1 (cs) |
-
1978
- 1978-11-30 CS CS787478A patent/CS201379B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4468293A (en) | Electrochemical treatment of copper for improving its bond strength | |
| US4515671A (en) | Electrochemical treatment of copper for improving its bond strength | |
| TWI250223B (en) | Apparatus for electroplating a semiconductor substrate | |
| CA1167406A (en) | Process for electroforming copper foil | |
| US4633035A (en) | Microwave circuit boards | |
| JPS63500250A (ja) | 銅箔に対する処理 | |
| JPH0224037B2 (cs) | ||
| JPH0255943B2 (cs) | ||
| WO1989007162A1 (en) | Electrochemical processes | |
| CN1787114A (zh) | 一种复合电磁屏蔽薄膜材料及其制造方法 | |
| JPS6257120B2 (cs) | ||
| CS201379B1 (en) | Method of amplifiing the thin conductive layers of hybrid integrated circuits | |
| JPS5927592A (ja) | マイクロウエ−ブ回路基板及びその製造法 | |
| US4082622A (en) | Electrodeposition of ruthenium | |
| DE3922477A1 (de) | Quellmittel zur vorbehandlung von kunstharzen vor einer stromlosen metallisierung | |
| CA1162505A (en) | Process for high speed nickel and gold electroplate system | |
| JP3276919B2 (ja) | 樹脂基材への高密着性めっき方法およびこれに用いる銅めっき液 | |
| US3516848A (en) | Process and solution for sensitizing substrates for electroless plating | |
| KR20060053149A (ko) | 전기부품의 제조방법 | |
| KR100826113B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| EP0269208A1 (en) | A process for the treatment of copper foil | |
| JPH06260759A (ja) | プリント回路板の製造方法 | |
| JPH02194182A (ja) | 高リン含有ニツケルメツキ方法 | |
| JPS6317597A (ja) | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 | |
| JPH03196597A (ja) | 印刷配線板の製造方法 |