CN88101051A - 三相桥式变换电路组件 - Google Patents

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Abstract

一种通过SIP(单列直插式封装)型组件封装的三相桥式变换电路组件，封装在印刷电路板上，可得到良好的外引线，其排列次序为直流端、第一控制端BU，三相交流电的第一端U，第二控制端BV，三相交流电的第二端V，第三控制端BW，三相交流电的第三端W，第四控制端BX，第五控制端BY，第六控制端BZ及另一直流端。电路图形简单，布线可以较宽，适用于大功率元件，且容易制作。

Description

本发明涉及通过SIP（单列直插式封装）型组件封装的三相桥式变换电路组件，特别涉及封装在PC板（印刷电路板）上使用时以便得到良好外引线的组件。
三相桥式变换电路组件、例如作逆变器用三相桥式变换电路是由六个晶体管所构成的电路。六个晶体管中每两个成为一对而构成了3个变换电路。该六个晶体管固定在引线架上并封装在组件上。装在引线架上的第1到第6晶体管按第1、第4、第2、第5、第3、第6的顺序进行配置。为此，连接在各晶体管上的引线架的外引线没有按输出信号的顺序进行排列。象这样进行第1到第6晶体管的配置是为了使封装在组件上的接线简单。这种构造由于引线架的图形形状简单、容易制作、故广泛采用。此情况并不限于作逆变器用三相桥式变换电路，其他的三相桥式变换电路组件也是相同的。
可是，一般SIP型组件多为直接焊在PC板上使用。这是为了减少制造工序数，谋求降低成本以及达到装置小型化的目的。根据这样的理由，上述三相桥式变换电路的SIP组件也是直接焊在PC板上使用的。但如上所述SIP型组件的外引线不是按输出信号的顺序排列的。为此在将SIP型组件实际装到PC板上时，PC板的电路图形很复杂。而且在PC板上的电路图形中，有必要将没有描绘出的、用由短引线等所作成的跨线的布线加到PC板的电路图形上。为此，其缺点是将组件实际安装到PC板上的工艺变得很复杂。且，由于在上述第1到第6晶体管（半导体元件）为大功率元件的场合要流过大电流，故PC板的电路图形上有必要用较宽的布线图形。但一旦电路图形变成复杂化，就不能使用这种较宽的布线图形。为此要适用于大功率元件是很困难的。
由此，本发明的目的在于提供一种通过使SIP型组件的外引线排列有适应性、能简化PC板的电路图形、封装工艺简化且能适用于大功率元件的三相桥式变换电路组件。
如就本发明的一实施例而言，所提供的三相桥式变换电路组件具有第1引线，一端与上述第1引线相连的第1开关电路，与上述第1开关电路的控制输入端相连的第2引线BU，与上述第1开关电路的另一端相连的第3引线U，一端与上述第1引线相连的第2开关电路，与上述第2开关电路的控制输入端相连的第4引线BV，与上述第2开关电路的另一端相连的第5引线V，一端与上述第1引线相连的第3开关电路，与上述第3开关电路的控制输入端相连的第6引线BW，与上述第3开关电路的另一端相连的第7引线W，一端与上述第3引线U相连的第4开关电路，与上述第4开关电路的控制输入端相连的第8引线BX，一端与上述第5引线V相连的第5开关电路，与上述第5开关电路的控制输入端相连的第9引线BY，一端与上述第7引线W相连的第6开关电路，与上述第6开关电路的控制输入端相连的第10引线BZ，与上述第4到第6开关电路的另一端相连的第11引线，及封装上述第1至第6开关电路及第1至第11引线的内引线部分的SIP型组件，且上述第8引线BX、第9引线BY、第10引线BZ及第11引线相邻配置。
又如就本发明的另一实施例而言，所提供的三相桥式变换电路组件具有第1引线，一端与上述第1引线相连的第1开关电路，与上述第1开关电路的控制输入端相连的第2引线BU，与上述第1开关电路的另一端相连的第3引线U，一端与上述第1引线相连的第2开关电路，与上述第2开关电路的控制输入端相连的第4引线BV，与上述第2开关电路的另一端相连的第5引线V，一端与上述第1引线相连的第3开关电路，与上述第3开关电路的控制输入端相连的第6引线BW，与上述第3开关电路的另一端相连的第7引线W，一端与第3引线U相连的第4开关电路，与上述第4开关电路的控制输入端相连的第8引线BX，一端与上述第5引线V相连的第5开关电路，与上述第5开关电路的控制输入端相连的第9引线BY，一端与上述第7引线W相连的第6开关电路，与上述第6开关电路的控制输入端相连的第10引线BZ，与上述第4至第6开关电路的另一端相连的第11引线，及封装上述第1至第6开关电路及上述第1至第11引线的内引线部分的SIP型组件;且上述第2引线BU和上述第3引线U的引线对，上述第4引线一BV和上述第5引线V的引线对及上述第6引线BW和上述第7引线W的引线对都是相邻配置。
根据这样的结构，在桥式布线侧，即组件上增加了三相桥式变换电路布线的复杂性，而且使对外引线按输出信号顺序布线，故能简化PC的电路图形。因而，由于没有必要在PC板的电路图形一侧增加跨线等布线，故能使封装工艺简化。又由于通过简化PC板的电路图形，能使电路图形的宽度变宽，故对大功率元件也能适用。
图1A为根据本发明的一实施例的三相桥式变换电路组件的组装工序中间平面图，
图1B为图1A所示的三相桥式变换电路组件的侧面图，
图2为表示将上述图1A和图1B所示的三相桥式变换电路组件作为逆变器用的三相桥式变换电路使用时的电路，
图3至图5分别为在上述图2电路中开关电路的构成例的电路图，
图6为表示将上述图1A和图1B所示的三相桥式变换电路组件作为交流-直流变换电路使用时的电路图，
图7及图8分别为表示在上述图6电路中开关电路的构成例的电路图，
图9A为根据本发明的另一实施例的三相桥式变换电路组件的组装工序的中间的平面图。
图9B为图9A所示的三相桥式变换电路组件的侧面图。
图1A为根据本发明的一实施例的三相桥式变换电路组件组装工序的中间平面图。图1B为上述图1A的侧面图。引线架11例如是铜制的，是通过对厚度为0.8mm的金属板进行冲裁而形成的。上述引线架11带有剖面线的部分将在组件完成时去掉。在半导体芯片Q1～Q6内分别形成开关电路。上述引线架11的外引线11-1具有半导体芯片的安装部11-1A。半导体芯片Q1、Q2及Q3是用铅-锡系的焊料安装在上述安装部11-1A上的。因此，半导体芯片Q1、Q2及Q3的各第1电极（一端）和上述外引线11-1相连。上述引线架11的外引线BU和上述半导体芯片Q1的第2电极（控制输入端）是通过铝等接合线12-1连接的。该线的焊接是用例如压接法（US bonding）。上述引线架11的外引线U和上述半导体芯片Q1的第3电极（另一端），用结合线12-2连接。上述引线架11的外引线BV和上述半导体芯片Q2的第2电极用接合线12-3连接。上述引线架11的外引线V和上述半导体芯片Q2的第3电极用接合线12-4连接。上述引线架11的外引线BW和上述半导体芯片Q3的第2电极用接合线12-5连接。上述引线架11的外引线W与上述半导体芯片Q3的第3电极用接合线12-6连接。上述半导体芯片Q4装在没有引到外部的引线13-1上。该引线13-1和上述半导体芯片Q1的第3电极用接合线12-7连接。因此，半导体芯片Q4的第1电极经引线13-1，接合线12-7及接合线12-2与外引线U相连。上述半导体芯片Q4的第2电极和外引线BX用接合线12-8连接。上述半导体芯片Q4的第3电极和外引线11-2用焊线12-9连接。上述半导体芯片Q5装在未引到外部的引线13-2上。该引线13-2和上述半导体芯片Q2的第3电极用接合线12-10连接。因而半导体芯片Q5的第1电极经引线13-2，接合线12-10及接合线12-4与外引线V相连。上述半导体芯片Q5的第2电极和外引线BY用接合线12-11连接。上述半导体芯片Q5的第3电极和外引线11-2用接合线12-12连接。上述半导体芯片Q6装在未引到外部的引线13-3上。该引线13-3和上述半导体芯片Q3的第3电极用接合线12-13连接。因而半导体芯片Q6的第1电极经引线13-3，接合线12-13及接合线12-6与外引线W相连。上述半导体芯片Q6的第2电极和外引线BZ用接合线12-14连接。上述半导体芯片Q6的第3电极和外引线11-2用接合线12-15连接。
上述半导体芯片Q1～Q6及上述引线架11的内引线部分都封装在SIP型组件14（用虚线表示）内。
又，在图1A中外引线12-3从SIP型组件中引出。该外引线12-3由于在组件14内切掉一部分而处于浮置状态。因而不用于电路动作。该外引线12-3因将SIP型组件作成一般的12只插脚而为虚设。
图2表示在将上述图1A和图1B的组件作为逆变器用三相桥式变换电路时的电路结构。在图2中在对应于上述图1A和图1B的部分增加相同的符号。在三相桥式变换电路的场合，在外引线11-1上接有正的直流电源+，而外引线11-2则与接地点相连。上述外引线U、V及W则用作三相的输出端。上述外引线BU，BV，BW，BX，BY，BZ则用作控制输入端。根据上述外引线BU，BV，BW，BX，BY和BZ传输的控制信号，从上述引线U、V及W输出三相信号。
图3至图5表示在上述图2的半导体芯片Q1～Q6内所形成的开关电路构成例。图3表示分别用NPN型的双极晶体管15构成各开关电路。在将双极晶体管15用作半导体芯片Q1～Q3内的开关电路时，上述晶体管15的集电极侧的端子（对应于上述第1电极）16共同连接到外引线11-1上，基极侧的端子（对应于上述第2电极）17分别接到外引线BU，BV，BW上，发射极侧的端子（对应于上述第3电极）18则分别接到外引线U，V，W上。在半导体芯片Q4～Q6内的开关电路上，上述晶体管15的集电极侧的端子16分别与外引线U、V，W相连，基极侧的端子17分别与外引线BX，BY，BZ相连，发射极侧的端子18共同连到外引线11-2上。
图4表示上述开关电路的其他构成例。即在上述图3的NPN型双极晶体管15上接有保护用的二极管19。二极管19的阳极接在晶体管15的发射极上，阴极则接在集电极上。该图4所示的开关电路适用于用外引线U，V，W输出的三相信号驱动电感电荷的场合。即例如在驱动三相交流电动机等的电感负荷时，如切断电流的供给，就会产生反电动势。因此将该反电动势经二极管19释放在正电流+侧或接地点侧，以保护晶体管15。又，接在晶体管15的基极、发射极间的电阻20，在形成半导体芯片时寄生地形成。将该开关电路用于上述图2电路时的各端子16，17，18的连接与上述图3的电路相同。
图5是在上述图4的电路上增加与上述NPN型双极晶体管15作达林顿式连接的NPN型双极晶体管21。但在此处没有图示上述图4中所示的寄生电阻20。在这样构成的开关电路中，即使经外引线BU，BV，BX，BY及BZ传输的控制信号的电平很低，由于用达林顿式连接的晶体管21，15将该信号进行放大，也能发挥较大驱动力。在将该开关电路用于上述图2电路上时的各端子16，17，18的连接与上述图3和图4的电路相同。
图6表示将上述图1A和图1B的组件用作交流一直流变换用的三相桥式变换电路时的电路结构。在该场合，外引线11-1，11-2用作直流输出端子的输出1，输出2。上述外引线U、V及W用作三相信号的输入端子。上述外引线BU，BV，BW，BX，BY及BZ用作控制输入端子。
图7及图8表示在上述图6半导体芯片Q1～Q6内所形成的开关电路的构成例。图7表示上述开关电路分别由MOSFET22构成。在半导体芯片Q1～Q3内的各开关电路中，上述MOSFET的源极侧的端子16共同连接在外引线11-1上，栅极侧的端子17分别与外引线BU，BV，BW相连，漏极侧的端子18分别与外引线U，V，W相连。在半导体芯片Q4～Q6内的各开关电路中，上述MOSFET22的漏极侧的端子18分别与外引线U，V，W相连，栅极侧的端子17分别与外引线BX，BY，BZ相连，源极侧的端子16则共同连接在外引线11-2上。
图8表示上述开关电路分别由晶闸管23构成。在半导体芯片Q1～Q3内的各开关电路中，上述晶闸管23的阴极侧的端子16共同连接在外引线11-1上，栅极侧的端子17分别连在外引线BU，BV，BW上，阳极侧的端子18则分别与外引线U，V，W相连。在半导体芯片Q4～Q6的各开关电路中，上述晶闸管23的阴极侧的端子16分别与外引线U，V，W相连，栅极侧的端子17分别与外引线BX，BY，BZ相连，阳极侧的端子18则共同连在外引线11-2上。
根据这种结构桥式布线侧即组件内增加三相桥式变换电路布线的复杂性。因此，把外引线BU和U的引线对、BV和V的引线对、BW和W的引线对集中为一组，外引线BX，BY，BZ，11-2集中为一组。另外，外引线U，V，W按输出信号的顺序进行配置。因此，能简化PC板的电路图形。由于在PC板的电路图形侧没有必要增加跨线等布线，故能使封装工艺简化。又，因为PC板的电路图形简化，能增加电路图形的宽度，所以可用于大功率元件。
且，外引线BU，U，BV，V，BW，W未必需要按此顺序排列，如能产生BU和U的引线对，BV和V的引线对、BW和W的引线对亦可。外引线BX，BY，BZ，11-2也未必需要按此顺序排列，但有必要将BX，BY，BZ，11-2集中在一处。由于上述外引线BX，BY，BZ，11-2的附加电压很低，因此，这些引线间的间隔可以作出较窄，并能使SIP组件实现小型化。
图9A和图9B分别为根据本发明的另一实施例的三相桥式变换电路组件组装工序的中间的平面图及侧面图。在图9A及图9B中，对应于上述图1A及图1B的部分上加以相同符号。图9A和图9B的构成和上述图1A及图1B不同之处在于引线架11的图形形状和连线方法。外引线11-1，BU，U，BV，V，BW，W，BX，BY，BZ及11-2的配置是相同的。但半导体芯片Q4的一端和外引线U的连接不用引线13-1，及接合线12-7，12-2，而代之以引线13-1与外引线U用接合线24-1进行连接。半导体芯片Q5的一端和外引线V不用引线13-2及接合线12-10，12-4进行连接，而代之以引线13-2和外引线V用接合线24-2进行连接。半导体芯片Q6的一端和外引线W不用引线13-3及接合线12-13，12-6进行连接，而代之以引线13-3和外引线W用引线13-3和接合线24-3进行连接。上述引线13-1～13-3和外引线U，V，W之间的各接线是在组件14内部实现连接的。
在这种结构中，和图1A及图1B的结构相同也会在桥式布线一侧，即组件内增加了三相桥式变换电路布线的复杂性，并且外引线按输出信号的顺序进行配置，故能使PC板的电路图形简化。因而，由于没有必要在PC板的电路图形侧增加跨线等布线，故能使封装工艺简化。又，由于PC板的电路图形简化能加宽电路图形的宽度，故能用于大功率元件。
另外，在上述图9A及图9B的实施例中是用接合线24-1～24-3进行连接的，但是也可以焊接跨接布线板。

Claims (22)

1、一种三相桥式变换电路组件，它经过SIP(单列直插式封装)型组件封装，封装在PC板(印刷线路板)上，其特征在于具备有：
第一引线11-1；
具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第1开关手段Q1；
与上述第1开关手段Q1的控制输入端相连的第二引线BU；
与上述第1开关手段Q1的另一端相连的第3引线U；
具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第2开关手段Q2；
与上述第2开关手段Q2的控制输入端相连的第4引线BV；
与上述第2开关手段Q2的另一端相连的第5引线V；
具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第3开关手段Q3；
与上述第3开关手段Q3的控制输入端相连的第6引线BW；
与上述第3开关手段Q3的另一端相连的第7引线W；
具有控制输入端且一端与上述第3引线U相连的第4开关手段Q4；
与上述第4开关手段Q4的控制输入端相连的第8引线BX；
具有控制输入端且一端与上述第5引线V相连的第5开关手段Q5；
与上述第5开关手段Q5的控制输入端相连的第9引线BY；
具有控制输入端且一端与上述第7引线W相连的第6开关手段Q6；
与上述第6开关手段Q6的控制输入端相连的第10引线BZ；
与上述第4至第6开关手段Q4～Q6的另一端相连的第11引线11-2；
封装有上述第1至第6开关手段Q1～Q6和上述第1～第11引线11-1，BU，U，BV，V，BW，W，BX，BY，BZ，11-2的内引线部分的SIP型组件14；
且上述第8引线BX，第9引线BY，第10引线BZ和第11引线11-2相邻配置。
2、如权利要求1所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1引线用作直流电源端子，上述第11引线用作接地端子，上述第3引线U，第5引线V及第7引线W用作交流输出端子。
3、如权利要求2所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含双极晶体管。
4、如权利要求2所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含双极晶体管和阳极与该双极晶体管的发射极相连、阴极与其集电极相连的二极管。
5、如权利要求2所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含第1双极晶体管和与该管第1双极晶体管作达林顿式连接的第2双极晶体管。
6、如权利要求2所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段各自包含第1双极晶体管和与该第1双极晶体管作达林顿式连接的第2双极晶体管，及阳极与上述第1双极晶体管的发射极相连、阴极与其集电极相连的二极管。
7、如权利要求1所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1引线用作第1直流输出端子，上述第11引线用作第2直流输出端子，上述第3引线U，第5引线V及第7引线W用作交流输入端。
8、如权利要求7所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含MOSFET。
9、如权利要求7所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含晶闸管。
10、如权利要求1所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于还具备以下各部分，即具有安装上述第4开关手段的安装部且不引到上述SIP型组件外部的第12引线;具有安装上述第5开关手段的安装部且不引到上述SIP型组件外部的第13引线;具有安装上述第6开关手段的安装部且不引到上述SIP型组件外部的第14引线;及第1至第15接合线;
具上述第1引线具有上述第1至第3开关手段的安装部;上述第1引线和上述第1开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第1开关手段的控制输入端和上述第2引线BU的连接经上述第1接合线进行;上述第1开关手段的另一端和上述第3引线U的连接经上述第2接合线进行;上述第1引线和上述第2开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第2开关手段的控制输入端和上述第4引线BV的连接经第3接合线进行;上述第2开关手段的另一端和上述第5引线V的连接经上述第5接合线进行;上述第1引线和上述第3开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第3开关手段的控制输入端和上述第6引线BW的连接经上述第5接合线进行;上述第3开关手段的另一端和上述第7引线W的连接经上述第6接合线进行;上述第3引线和上述第4开关手段的一端的连接经装有上述第4开关手段的上述第12引线、上述第7接合线及上述第2接合线进行;上述第4开关手段的控制输入端和上述第8引线BX的连接经上述第8接合线进行，上述第4开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第9接合线进行;上述第5引线和上述第5开关手段的一端的连接经装有上述第5开关手段的上述第13引线、上述第10接合线及上述第4接合线进行;上述第5开关手段的控制输入端和上述第9引线BY的连接经上述第11接合线进行;上述第5开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第12接合线进行;上述第7引线和上述第6开关手段的一端的连接经装有上述第6开关手段的第14引线、上述第13接合线及上述第6接合线进行;上述第6开关手段的控制输入端和上述第10引线BZ的连接经上述第14接合线进行;上述第6开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第15接合线进行。
11、如权利要求1所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于还具备以下各部分，即具有安装上述第4开关手段的安装部且未引到上述SIP型组件外部的第12引线;具有安装上述第5开关手段的安装部且未引到上述SIP型组件外部的第13引线;具有安装上述第6开关手段的安装部且未引到上述SIP型组件外部的第14引线;及第1至第15接合线;
且上述第1引线具有上述第1至第3开关手段的安装部;上述第1引线和上述第1开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第1开关手段的控制输入端和上述第2引线BU的连接经上述第1接合线进行;上述第1开关手段的另一端和上述第3引线的连接经上述第2接合线进行;上述第1引线和上述第2开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第2开关手段的控制输入端和上述第4引线BV的连接经上述第3接合线进行;上述第2开关手段的另一端和上述第5引线V的连接经上述第4接合线进行;上述第1引线和上述第3开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第3开关手段的控制输入端和上述第6引线BW的连接经上述第5接合线进行;上述第3开关手段的另一端和上述第7引线W的连接经上述第6接合线进行;上述第3引线和上述第4开关手段的一端的连接经装有上述第4开关手段的上述第12引线及上述第7接合线进行;上述第4开关手段的控制输入端和上述第8引线BX的连接经上述第8接合线进行，上述第4开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第9接合线进行;上述第5引线和上述第5开关手段的一端的连接经装有上述第5开关手段的上述第13引线及上述第10接合线进行;上述第5开关手段的控制输入端和上述第9引线BY的连接经上述第11接合线进行;上述第5开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第12接合线进行;上述第7引线和上述第6开关手段的一端的连接经装有上述第6开关手段的第14引线及上述第13接合线进行;上述第6开关手段的控制输入端和上述第10引线BZ的连接经上述第14接合线进行;上述第6开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第15接合线进行。
12、一种三相桥式变换电路组件，用SIP型组件封装并封装在印刷电路板（PC板）上，其特征在于具备有：
第一引线11-1;
具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第1开关手段Q1;
与上述第1开关手段Q1的控制输入端相连的第2引线BU;
与上述第1开关手段Q1的另一端相连的第3引线U;
具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第2开关手段Q2;
与上述第2开关手段Q2的控制输入端相连的第4引线BV;
与上述第2开关手段Q2的另一端相连的第5引线V;
具有控制输入端且一端与上述第1引线11-1相连的第3开关手段Q3;
与上述第3开关手段Q3的控制输入端相连的第6引线BW;
与上述第3开关手段Q3的另一端相连的第7引线W;
具有控制输入端且一端与上述第3引线U相连的第4开关手段Q4;
与上述第4开关手段Q4的控制输入端相连的第8引线BX;
具有控制输入端且一端与上述第5引线V相连的第5开关手段Q5;
与上述第5开关手段Q5的控制输入端相连的第9引线BY;
具有控制输入端且一端与上述第7引线W相连的第6开关手段Q6;
与上述第6开关手段Q6的控制输入端相连的第10引线BZ;
与上述第4至第6开关手段Q4～Q6的另一端相连的第11引线11-2;及
封装上述第1至第6开关手段和上述第1至第11引线11-1，BU，U，BV，V，BW，W，BX，BY，BZ，11-2的内引线部分的SIP型组件14;
且上述第2引线BU和上述第3引线U的引线对、上述第4引线BV和上述第5引线V的引线对及上述第6引线BW和上述第7引线W的引线对都是相邻配置。
13、如权利要求12所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1引线作直流电源端使用，上述第11引线作接地端子使用，上述第3引线U、第5引线V及第7引线W作交流输出端子使用。
14、如权利要求13所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含双极晶体管。
15、如权利要求13所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含双极晶体管和阳极与该双极晶体管的发射极相连、阴极与其集电极相连的二极管。
16、如权利要求13所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含第1双极晶体管和与该第1双极晶体管作达林顿式连接的第2双极晶体管。
17、如权利要求13所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含第1双极晶体管，与该第1双极晶体管作达林顿式连接的第2双极晶体管及阳极与上述第1双极晶体管的发射极相连、阴极与其集电极相连的二极管。
18、如权利要求12所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1引线用作第1直流输出端子使用，上述第11引线作第2直流输出端子使用，上述第3引线U、第5引线V和第7引线W作交流输入端子使用。
19、如权利要求18所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含MOSFET。
20、如权利要求18所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于上述第1至第6开关手段分别包含晶闸管。
21、如权利要求12所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于还具备以下部分，即具有安装上述第4开关手段的安装部、且未引到上述SIP型组件外部的第12引线;具有安装上述第5开关手段的安装部、且未引到上述SIP型组件外部的第13引线;具有安装上述第6开关手段的安装部、且未引到上述SIP型组件外部的第14引线及第1至第15接合线;
且上述第1引线具有上述第1至第3开关手段的安装部;上述第1引线和上述第1开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第1开关手段的控制输入端和上述第2引线BU的连接经上述第1接合线进行，上述第1开关手段的另一端和上述第3引线U的连接经上述第2接合线进行;上述第1引线和上述第2开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第2开关手段的控制输入端和上述第4引线BV的连接经上述第3接合线进行;上述第2开关手段的另一端和上述第5引线V的连接经上述第4接合线进行;上述第1引线和上述第3开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第3开关手段的控制输入端和上述第6引线BW的连接经上述第5接合线进行;上述第3开关手段的另一端和上述第7引线W的连接经上述第6接合线进行;上述第3引线和上述第4开关手段的一端的连接经装有上述第4开关手段的上述第12引线、上述第7接合线及上述第2接合线进行;上述第4开关手段的控制输入端和上述第8引线BX的连接经上述第8接合线进行，上述第4开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第9接合线进行;上述第5引线和上述第5开关手段的一端的连接经装有上述第5开关手段的上述第13引线、上述第10接合线及上述第4接合线进行;上述第5开关手段的控制输入端和上述第9引线BY的连接经上述第11接合线进行;上述第5开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第12接合线进行;上述第7引线和上述第6开关手段的一端的连接经装有上述第6开关手段的第14引线、上述第13接合线及上述第6接合线进行;上述第6开关手段的控制输入端和上述第10引线BZ的连接经上述第14接合线进行;上述第6开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第15接合线进行。
22、如权利要求12所述的三相桥式变换电路组件，其特征在于还具备以下各部分，即具有安装上述第4开关手段的安装部且未引到上述SIP型组件外部的第12引线;具有安装上述第5开关手段的安装部且未引到上述SIP型组件外部的第13引线;具有安装上述第6开关手段的安装部且未引到上述SIP型组件外部的第14引线;及第1至第15接合线;且
上述第1引线具有第1至第3开关手段的安装部，上述第1引线和上述第1开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第1开关手段的控制输入端和上述第2引线BU的连接经上述第1接合线进行;上述第1开关手段的另一端和上述第3引线U的连接经上述第2接合线进行;上述第1引线和上述第2开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第2开关手段的控制输入端和上述第4引线BV的连接经第3接合线进行;上述第2开关手段的另一端和上述第5引线V的连接经上述第4接合线进行;上述第1引线和上述第3开关手段的一端的连接经上述第1引线的安装部进行;上述第3开关手段的控制输入端和上述第6引线BW的连接经上述第5接合线进行;上述第3开关手段的另一端和上述第7引线W的连接经上述第6接合线进行;上述第3引线和上述第4开关手段的一端的连接经装有第4开关手段的第12引线及上述第7接合线进行;上述第4开关手段的控制输入端和上述第8引线BX的连接经上述第8接合线进行，上述第4开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第9接合线进行;上述第5引线和上述第5开关手段的一端的连接经装有上述第5开关手段的上述第13引线及上述第10接合线进行;上述第5开关手段的控制输入端和上述第9引线BY的连接经上述第11接合线进行;上述第5开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第12接合线进行;上述第7引线和上述第6开关手段的一端的连接经装有上述第6开关手段的第14引线及上述第13接合线进行;上述第6开关手段的控制输入端和上述第10引线BZ的连接经上述第14接合线进行，上述第6开关手段的另一端和上述第11引线的连接经上述第15接合线进行。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2519806B2 (ja) * 1989-09-12 1996-07-31 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
US5043859A (en) * 1989-12-21 1991-08-27 General Electric Company Half bridge device package, packaged devices and circuits
JPH0834709B2 (ja) * 1990-01-31 1996-03-29 株式会社日立製作所 半導体集積回路及びそれを使つた電動機制御装置
US5184291A (en) * 1991-06-13 1993-02-02 Crowe Lawrence E Converter and inverter support module
US5170337A (en) * 1992-01-29 1992-12-08 General Electric Company Low-inductance package for multiple paralleled devices operating at high frequency
FR2687513B1 (fr) * 1992-02-18 1995-11-24 Int Rectifier Corp Alimentation resonnante a auto-generation et procede de production d'energie pour un circuit de commutation a transistors.
DE4222973A1 (de) * 1992-07-13 1994-01-20 Asea Brown Boveri Bidirektionaler Halbleiterschalter
JP3352840B2 (ja) * 1994-03-14 2002-12-03 株式会社東芝 逆並列接続型双方向性半導体スイッチ
JPH0855956A (ja) * 1994-08-10 1996-02-27 Fuji Electric Co Ltd 駆動回路装置モジュール
DE59510918D1 (de) * 1994-08-12 2004-08-12 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit isolierendem Gehäuse
US5504370A (en) * 1994-09-15 1996-04-02 National Semiconductor Corporation Electronic system circuit package directly supporting components on isolated subsegments
US6452254B2 (en) * 2000-05-01 2002-09-17 Agere Systems Guardian Corp. Optical package with dual interconnect capability
US20070165376A1 (en) * 2006-01-17 2007-07-19 Norbert Bones Three phase inverter power stage and assembly
US8120161B2 (en) * 2007-04-10 2012-02-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor module including semiconductor chips coupled to external contact elements
DE102007016901B4 (de) * 2007-04-10 2012-01-26 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement und elektronisches Modul
US8227908B2 (en) 2008-07-07 2012-07-24 Infineon Technologies Ag Electronic device having contact elements with a specified cross section and manufacturing thereof
JP5407674B2 (ja) * 2009-09-02 2014-02-05 サンケン電気株式会社 半導体装置
JP5097797B2 (ja) * 2010-05-31 2012-12-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置及びそれを備えた移動体
CN107112317B (zh) * 2014-12-24 2019-07-05 日本精工株式会社 功率半导体模块以及使用其的电动助力转向装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3081424A (en) * 1960-01-11 1963-03-12 Ite Circuit Breaker Ltd Semi-conductor rectifier bridge construction
JPS5828369Y2 (ja) * 1978-10-05 1983-06-21 東光株式会社 可変容量ダイオ−ド装置
JPS5715442A (en) * 1980-07-02 1982-01-26 Fujitsu Ltd Production of semiconductor device
DE3106376A1 (de) * 1981-02-20 1982-09-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiteranordnung mit aus blech ausgeschnittenen anschlussleitern
EP0064856B1 (en) * 1981-05-12 1986-12-30 LUCAS INDUSTRIES public limited company A multi-phase bridge arrangement
JPS5968958A (ja) * 1982-10-12 1984-04-19 Mitsubishi Electric Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体
JPS60239051A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS6157540U (zh) * 1984-09-19 1986-04-17
JPH0758748B2 (ja) * 1984-12-25 1995-06-21 株式会社東芝 半導体装置
JPS622587A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 電気化学工業株式会社 ハイパワ−用混成集積回路

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Publication number Publication date
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