CN2881961Y - 用于单片集成具有隔离结构的mos场效应晶体管 - Google Patents

Abstract

一种用于单片集成具有隔离结构的MOS场效应晶体管器件，其中PMOS场效应晶体管包括：置于P型衬底内的第一N型阱，第一P型区域置于第一N型阱区内，P+型漏极区域置于第一P型区域内，P+型源极区域与N+型接点区域形成第一源极电极，第一N型阱将PMOS场效应晶体管的P+型源极区域与N+型接点区域包围起来；NMOS场效应晶体管包括：置于P型衬底内的第二N型阱，第二P型区域置于第二N型阱区内，N+型漏极区域置于第二N型阱内，N+型源极区域与P+型接点区域形成第二源极电极，第二P型区域将NMOS场效应晶体管的N+型源极区域与P+型接点区域包围起来，多个分离P型区域置于P型衬底内提供晶体管间的隔离。

Description

用于单片集成具有隔离结构的MOS场效应晶体管

技术领域

本实用新型涉及一种具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，尤指一种应用于单片集成的具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。

背景技术

集成控制电路与驱动晶体管的技术已成为现今电源集成电路(Power IC)的发展趋势，因此，若能利用标准制造过程来制作高压晶体管器件，似乎是单片IC集成的较佳方案，然而，现今标准制造过程所制作的晶体管却是非隔离结构，其未经隔离的晶体管电流可能会在衬底中流动而对控制电路产生干扰，此外，该晶体管电流也可能产生地弹跳(ground bounce)，而影响控制电路的控制信号，因此非隔离结构的晶体管并不适用于这样的集成技术上，传统的技术上要使晶体管具有隔离结构与高击穿电压，通常使用一薄外延(epitaxial)层与一嵌入(buried)层，但其较为复杂的制造过程却使得制造成本提高、良率降低。

请参阅图1及图2所示，其为N型及P型金属氧化物半导体场效应晶体管的电路示意图。由图中可知，该N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)10包括有一漏极20、一源极30与一栅极40；该P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)50包括有一漏极60、一源极70与一栅极80。

请参阅图3所示，其为公知高压金属氧化物半导体场效应晶体管的结构剖面图。由图中可知，一N型金属氧化物半导体场效应晶体管10与P型金属氧化物半导体场效应晶体管50，包括一P型衬底100，一N+型嵌入层860与一P+型嵌入层880形成于该P型衬底100内，一第一N型外延(epitaxial)层680与一第二N型外延层660分别形成于该P+型嵌入层880与该N+型嵌入层860上。

再者，传统高压晶体管隔离结构采用该第一N型外延层680将该P型场效应晶体管50的第一源极区域440、第一接点区域450及第一P型区域420包围起来，并利用一第二N型外延层660将该N型场效应晶体管10的第二漏极区域230及第二P型区域220包围起来。且多个具有P+型离子的分离P+型区域500形成于该第一N型外延层680与该第二N型外延层660之间，为金属氧化物半导体场效应晶体管之间提供隔离。然而，以上述传统方式所形成的隔离结构不但制造过程较复杂、良率降低，而且需花费较高的制作成本。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题，在于提供一种具有较高击穿电压、低导通阻抗与隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管器件，以达成单片IC集成的目标。另外，本实用新型不需要传统制造过程中制造外延层的额外光掩模数，仅利用标准的阱结构，便能达到低成本、高良率与隔离的晶体管结构。

为了解决上述技术问题，根据本实用新型的其中一种方案，提供一种应用于单片集成的具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管。该金属氧化物半导体场效应晶体管包括有一P型金属氧化物半导体场效应晶体管与一N型金属氧化物半导体场效应晶体管共同置于一P型衬底内。

该P型金属氧化物半导体场效应晶体管包括：一具有N型导电离子的第一N型扩散区，在该P型衬底中形成一第一N型阱；一具有P型导电离子的第一P型扩散区，在该第一N型阱中形成一第一P型区域；一具有P+型导电离子的第一漏极扩散区，在该第一P型区域中形成一第一漏极区域；一具有P+型导电离子的第一源极扩散区，形成一第一源极区域；与一具有N+型导电离子的第一接点扩散区，形成一第一接点区域，其中，该第一N型扩散区将该第一源极区域与该第一接点区域包围起来。

此外，一具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区，于该P型衬底内形成多个分离的P型区域以提供隔离特性；一第一薄栅氧化层与一第一厚场氧化层，形成于该P型衬底上；一第一栅极，置放于该第一薄栅氧化层之上，用以控制该第一沟道内的电流量；一硅氧化绝缘层，覆盖于该第一栅极与该第一厚场氧化层上；一第一漏极金属接点，其具有一与该第一漏极扩散区相连接的第一金属电极；以及一第一源极金属接点，其具有一连接至该第一接点扩散区与该第一源极扩散区的第二金属电极。

根据本实用新型的该P型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中位于该第一N型阱内的该第一P型区域是通过一P型阱制造过程制得。

根据本实用新型的该P型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中位于该第一N型阱内的该第一P型区域是通过一P型基体制造过程制得。

该N型金属氧化物半导体场效应晶体管包括：一具有N型导电离子的第二N型扩散区，在该P型衬底中形成一第二N型阱；一具有P型导电离子的第二P型扩散区，在该第二N型阱中形成一第二P型区域；一具有N+型导电离子的第二漏极扩散区，在该第二N型扩散区中形成一第二漏极区域；一具有N+型导电离子的第二源极扩散区形成一第二源极区域；与一具有P+型导电离子的第二接点扩散区形成一第二接点区域，其中，该第二P型扩散区将该第二源极区域与该第二接点区域包围起来。

此外，具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区在该P型衬底中形成多个分离的P型区域，作为场效应晶体管间的隔离，位于该第一N型扩散区的该第一P型区域、位于该第二N型扩散区的该第二P型区域、该多个分离的P型区域、该第一N型阱与该第二N型阱在不同极性的区域间形成耗尽区域。

并且，一第一沟道在该第一源极区域与该第一漏极区域间形成，一第二沟道在该第二源极区域与该第二漏极区域间形成，一第一栅极位于一第一薄栅氧化层之上，用以控制该第一沟道中的电流量，一第二栅极位于一第二薄栅氧化层之上，用以控制该第二沟道中的电流量。

根据本实用新型的该N型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中位于该第二N型阱内的该第二P型区域是通过一P型阱制造过程制得。

根据本实用新型的该N型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中位于该第二N型阱内的该第二P型区域是通过一P型基体制造过程制得。

再者，由该第一N型扩散区与该第二N型扩散区所分别形成的该第一N型阱与该第二N型阱提供了一低阻抗路径，用以限制在该漏极区域与该源极区域之间的晶体管电流。

本实用新型不需要传统制造过程中制造外延层的额外光掩模数，仅利用标准的阱结构，便能达到低成本、高良率与隔离的晶体管结构。

为了能更进一步了解本实用新型为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，相信本实用新型的目的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明之用，并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

图1：N型金属氧化物半导体场效应晶体管的电路示意图；

图2：P型金属氧化物半导体场效应晶体管的电路示意图；

图3：公知金属氧化物半导体场效应晶体管的结构剖面图；

图4：本实用新型的金属氧化物半导体场效应晶体管的区域示意俯视图；以及

图5：本实用新型的金属氧化物半导体场效应晶体管的结构示意剖视图。

其中，附图标记说明如下：

10        N型金属氧化物半导体场效应晶体管

20        漏极

21        具有N型导电离子的第二N型扩散区

22        具有P型导电离子的第二P型扩散区

23        具有N+型导电离子的第二漏极扩散区

24        具有N+型导电离子的第二源极扩散区

25        具有P+型导电离子的第二接点扩散区

30        源极

40        栅极

41        具有N型导电离子的第一N型扩散区

42        具有P型导电离子的第一P型扩散区

43        具有P+型导电离子的第一漏极扩散区

44        具有P+型导电离子的第一源极扩散区

45        具有N+型导电离子的第一接点扩散区

50        P型金属氧化物半导体场效应晶体管

60        漏极

70         源极

80         栅极

100        P型衬底

160        具有P型导电离子的分离的P型扩散区

210        第二N型阱

220        第二P型区域

230        第二漏极区域

240        第二源极区域

250        第二接点区域

260        分离的P型区域

410        第一N型阱

420        第一P型区域

430        第一漏极区域

440        第一源极区域

450        第一接点区域

500        具有P+型离子的分离P+区域

510        第二薄栅氧化层

520        第一薄栅氧化层

531        第二厚场氧化层

541        第一厚场氧化层

550        第二栅极

560        第一栅极

600        硅氧化绝缘层

660        第二N型外延层

680        第一N型外延层

710        具有金属电极的第二漏极金属接点

720        具有金属电极的第一漏极金属接点

750        具有金属电极的第二源极金属接点

760        具有金属电极的第一源极金属接点

860        N+型嵌入层

880        P+型嵌入层

具体实施方式

请参阅图4及图5所示，其为本实用新型的金属氧化物半导体场效应晶体管的区域示意俯视图及结构示意剖视图。由图中可知，本实用新型提供一P型金属氧化物半导体场效应晶体管50，其至少包括有：一P型衬底100，一具有N型导电离子的第一N型扩散区41于该P型衬底100内形成一第一N型阱410，一具有P型导电离子的第一P型扩散区42于该第一N型阱410中形成一第一P型区域420，一具有P+型导电离子的第一漏极扩散区43在该第一P型扩散区42中形成一第一漏极区域430，一具有P+型导电离子的第一源极扩散区44形成一第一源极区域440，一第一沟道于该第一源极区域440与该第一漏极区域430间形成，一具有N+型导电离子的第一接点扩散区45形成一第一接点区域450。其中，该第一N型扩散区41则将该第一源极区域440与该第一接点区域450包围起来。另外，该P型金属氧化物半导体场效应晶体管50更包含该多个分离的P型扩散区160，以在该P型衬底100中形成多个分离的P型区域260，用以作为场效应晶体管间的隔离。

另外，本实用新型提供一N型金属氧化物半导体场效应晶体管10亦包括该P型衬底100，一具有N型导电离子的第二N型扩散区21在该P型衬底100中形成一第二N型阱210，一具有P型导电离子的第二P型扩散区22在该第二N型阱210中形成一第二P型区域220，一具有N+型导电离子的第二漏极扩散区23在该第二N型扩散区21中形成一第二漏极区域230，一具有N+型导电离子的第二源极扩散区24形成一第二源极区域240，一第二沟道于该第二源极区域240与该第二漏极区域230间形成，一具有P+型导电离子的第二接点扩散区25形成一第二接点区域250。其中，该第二P型扩散区22则将该第二源极区240与该第二接点区域250包围起来。另外，该N型金属氧化物半导体场效应晶体管10还包含具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区160，以在该P型衬底100中形成多个分离的P型区域260，作为场效应晶体管间的隔离。

再者，该第一P型区域220与该第二P型区域420的制造工艺可以是P型阱(P-Well)也可以是P型基体(P Body/Base)。其中，当该第一P型区域220与该第二P型区域420为P型基体时，该第一N型阱410与该第二N型阱210为N型阱(N-Well)；当该第一P型区域220与该第二P型区域420为P型阱时，该第一N型阱410与该第二N型阱210为深N型阱(DeepN-Well)。以浓度而言，基体(Body/Base)大于阱(Well)，阱又大于深阱(Deep Well)。

另外，一第一薄栅氧化层520与一第二薄栅氧化层510、一第一厚场氧化层541、一第二厚场氧化层531形成于该P型衬底100上，一第一栅极560置于该第一薄栅氧化层520之上，用以控制该P型金属氧化物半导体场效应晶体管50的该第一沟道的电流量，一第二栅极550置于该第二薄栅氧化层510之上，用以控制该N型金属氧化物半导体场效应晶体管10的该第二沟道的电流量，一硅氧化绝缘层600覆盖于该栅极550与560以及厚场氧化层531与541上，具有金属电极的一第一漏极金属接点720与一第二漏极金属接点710分别与该第一漏极扩散区43及该第二漏极扩散区23相连接，一具有金属电极的第一源极金属接点760与该第一源极扩散区44与该第一接点扩散区45相连接，一具有金属电极的第二源极金属接点750与该第二源极扩散区24及该第二接点扩散区25相连接。

此外，该具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区160在该P型衬底100中形成多个分离的P型区域260，作为场效应晶体管间的隔离，该第一P型区域420、该第二P型区域220、该分离P型区域260、该第一N型阱410与该第二N型阱210于不同极性的区域间形成耗尽区域。

综上所述，本实用新型的金属氧化物半导体场效应晶体管器件，如该N型金属氧化物半导体场效应晶体管10与该P型金属氧化物半导体场效应晶体管50，仅利用一简化的制造过程，便能达到高击穿电压、低导通阻抗、与隔离结构的特性。再者，传统金属氧化物半导体场效应晶体管隔离结构是采用该N型外延层660将该N型金属氧化物半导体场效应晶体管10的该第二漏极区域230与该第二P型区域220包围起来，并利用N型外延层680将该P型金属氧化物半导体场效应晶体管50的该第一源极区域440、该第一接点区域450与该第一P型区域420包围起来。本实用新型则是利用该第一N型阱410与该第二N型阱210配合其它结构来达成隔离的效果，因此，本实用新型不需要传统制造过程中制造外延层的额外光掩模数，仅利用标准的阱结构，便能达到低成本、高良率与隔离的晶体管结构。

以上所述，仅为本实用新型最佳之一的具体实施例的详细说明与附图，但本实用新型的特征并不局限于此，并非用以限制本实用新型，本实用新型的所有范围应以所附的权利要求范围为准，凡合于本实用新型权利要求范围的精神与其类似变化的实施例，皆应包含于本实用新型的范畴中，任何熟悉本领域的技术人员在本实用新型的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在本实用新型的专利范围内。

Claims (6)

1、一种P型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于包括有：

一P型衬底；

一具有N型导电离子的第一N型扩散区，于该P型衬底内形成一第一N型阱；

一具有P型导电离子的第一P型扩散区，于该第一N型阱内形成一第一P型区域；

一具有P+型导电离子的第一漏极扩散区，于该第一P型扩散区内形成一第一漏极区域；

一具有P+型导电离子的第一源极扩散区形成一第一源极区域，其中一第一沟道于该第一源极区域与该第一漏极区域间形成；

一具有N+型导电离子的第一接点扩散区形成一第一接点区域，其中该第一N型扩散区将该第一源极区域与该第一接点区域包围起；

一具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区，于该P型衬底内形成多个分离的P型区域以提供隔离特性；

一第一薄栅氧化层与一第一厚场氧化层，形成于该P型衬底上；

一第一栅极，置放于该第一薄栅氧化层之上，用以控制该第一沟道内的电流量；

一硅氧化绝缘层，覆盖于该第一栅极与该第一厚场氧化层上；

一第一漏极金属接点，其具有一与该第一漏极扩散区相连接的第一金属电极；以及

一第一源极金属接点，其具有一连接至该第一接点扩散区与该第一源极扩散区的第二金属电极。

2、如权利要求1所述的P型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于位于该第一N型阱内的该第一P型区域是一P型阱。

3、如权利要求1所述的P型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于位于该第一N型阱内的该第一P型区域是一P型基体。

4、一种N型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于包括有：

一P型衬底；

一具有N型导电离子的第二N型扩散区，于该P型衬底内形成一第二N型阱；

一具有P型导电离子的第二P型扩散区，于该第二N型阱内形成一第二P型区域；

一具有N+型导电离子的第二漏极扩散区，于该第二N型扩散区内形成一第二漏极区域；

一具有N+型导电离子的第二源极扩散区形成一第二源极区域，其中一第二沟道于该第二源极区域与该第二漏极区域间形成；

一具有P+型导电离子的第二接点扩散区形成一第二接点区域，其中该第二P型区域将该第二源极区域与该第二接点区域包围起；

一具有P型导电离子的多个分离的P型扩散区，于该P型衬底内形成多个分离的P型区域以提供隔离特性；

一第二薄栅氧化层与一第二厚场氧化层，形成于该P型衬底上；

一第二栅极，置放于该第二薄栅氧化层之上，用以控制该第二沟道内的电流量；

一硅氧化绝缘层，覆盖于该第二栅极与该第二厚场氧化层上；

一第二漏极金属接点，其具有一与该第二漏极扩散区相连接的第三金属电极；以及

一第二源极金属接点，其具有一连接至该第二接点扩散区与该第二源极扩散区的第四金属电极。

5、如权利要求4所述的N型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于位于该第二N型阱内的该第二P型区域是一P型阱。

6、如权利要求4所述的N型金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于位于该第二N型阱内的该第二P型区域是一P型基体。

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