CN2638246Y - 沟道有热、电通道的soi mosfet器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了属于微电子器件范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。在传统的SOI MOSFET器件中的掩埋绝缘层上设置了一个通道，将器件的沟道区和衬底相连在一起。该通道大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应；完全消除了SOI器件的浮体效应。还使该器件保持了SOI器件漏区、源区寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离，保证SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型属于微电子器件范围，特别涉及一种新型的沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。
技术背景
传统的SOI MOSFET在器件下面有一层掩埋氧化层，该层的存在降低了漏、源区的寄生结电容，并且能使器件完全隔离，因此提高了器件速度，消除了闩锁效应。然而，掩埋氧化层也给SOI MOSFET带来了两个严重的缺点：自热效应和浮体效应，导致SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性受到影响。
发明内容
本实用新型的目的是提出一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件，所述器件由源区、漏区、栅、沟道区、源和漏下方的掩埋绝缘层以及硅衬底构成，其特征在于：在器件的源区1和漏区3下方有掩埋绝缘层4，在器件的源区1和漏区3之间为沟道区，两掩埋绝缘层4之间设置了一个通道6，使沟道区和衬底5相连在一起。
本实用新型的有益效果是由于在传统SOI器件的沟道区下方设置了一个通道，因而完全消除了SOI器件的浮体效应。同时由于该通道也是导热通道，从而大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应。而源、漏区下方的掩埋绝缘层使该器件保持了SOI器件漏源寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离。
附图说明
图1为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件的结构示意图。
具体实施方式
图1所示为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件的结构示意图。在器件的源区1和漏区3下方有掩埋绝缘层4，在器件的源区1和漏区3之间为沟道区，两掩埋绝缘层4之间设置了一个通道6，使沟道区和衬底5相连在一起。通道6消除了SOI器件的浮体效应，同时也是导热通道，从而大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应。而源、漏区下方的埋绝缘层4使该器件保持了SOI器件漏源寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离。
Claims (1)
1.一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件，所述器件由源区、漏区、栅、沟道区、源和漏下方的掩埋绝缘层以及硅衬底构成，其特征在于：在器件的源区(1)和漏区(3)下方有掩埋绝缘层(4)，在器件的源区(1)和漏区(3)之间为沟道区，两掩埋绝缘层(4)之间设置了一个通道(6)，使沟道区和衬底(5)相连在一起。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 03266116 CN2638246Y (zh) | 2003-06-26 | 2003-06-26 | 沟道有热、电通道的soi mosfet器件 |
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| CN 03266116 CN2638246Y (zh) | 2003-06-26 | 2003-06-26 | 沟道有热、电通道的soi mosfet器件 |
Publications (1)
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| CN2638246Y true CN2638246Y (zh) | 2004-09-01 |
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN2638246Y (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8086284B2 (en) | 2007-02-26 | 2011-12-27 | Kyocera Corporation | Portable electronic device and portable telephone with electroacoustic transducer mounting |
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2003
- 2003-06-26 CN CN 03266116 patent/CN2638246Y/zh not_active Expired - Fee Related
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| US8086284B2 (en) | 2007-02-26 | 2011-12-27 | Kyocera Corporation | Portable electronic device and portable telephone with electroacoustic transducer mounting |
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