CN2561097Y - 嵌式功率半导体封装装置 - Google Patents
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Abstract
一种嵌式功率半导体封装装置,包括有引线体、杯体、半导体组件、绝缘胶、隔离胶,其中杯体内部形成有杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座,且导热座上具有一环状挡墙,并使导热座至杯体底部的刚性大于沟槽底面至杯体底部的刚性,用以保护置于导热座上的半导体组件,且此组件连结于导热座及引线体间,并有绝缘胶涂覆于半导体组件上,使半导体组件运作时,能使漏电量减小,且有隔离胶涂覆于绝缘胶的外层,使半导体组件不被湿气侵入。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种嵌式功率半导体封装装置,是改善杯体的结构,并在半导体组件外涂覆有绝缘胶及隔离胶,借以保护半导体组件防止其龟裂及损坏,且使嵌式功率半导体封装装置在高温状态下也能正常运作。
背景技术
公知的嵌式功率半导体封装装置如图1及图2所示,是有一引线体10a、一杯体20a及连接于引线体10a及杯体20a的半导体组件30a,且杯体20a内设置有杯体内壁21a及杯体腔部22a,并将合成树脂材料40a浇注于杯体腔部22a,用以保护半导体组件30a,并将此嵌式功率半导体封装装置嵌入板片50a的孔洞51a内,用以连结于其它装置并使用于其它装置上。
但是,公知的嵌式功率半导体封装装置有诸多的缺点,例使用公知的杯体20a结构不容易将半导体组件30a置于杯体腔部22a中央位置,而影响与其它组件的装配,且将合成树脂材料40a浇注于杯体腔部22a,用以保护杯体腔部22a内的半导体组件30a,但合成树脂材料40a的耐热温度约为175℃,且会因热冲击、树脂硬化及机械冲击而产生树脂裂纹现象,并导致合成树脂材料40a与杯体内壁21a间会产生间隙而使湿气侵入,并对半导体组件30a伤害性极大,此外合成树脂材料40a另有缺点为绝缘性不高的材料特性,且会因绝缘性不高而产生漏电的现象,进而使半导体组件30a的使用效率低及寿命降低等缺点。
此外,施以紧配合方式将嵌式功率半导体封装装置嵌式板片50a的孔洞51a内时,会使杯体20a变形,而当杯体20a底部产生弯曲时,会导致杯体腔部22a的半导体组件30a龟裂,特别是半导体组件30a的角隅处易产生龟裂,进而影响嵌式功率半导体封装装置使用时的效能。
所以,由上可知,公知的嵌式功率半导体封装装置,在实际使用上,显然具有缺陷存在,而待加以改善。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种嵌式功率半导体封装装置,设置沟槽及导热座于杯体内,借使导热座至杯体底部的厚度大于沟槽底面至杯体底部的厚度,从而可使导热座至杯体底部的刚性大于沟槽底面至杯体底部的刚性,并使嵌式功率半导体封装装置嵌入于板片的孔洞内时,因应力应变而使杯体的变异量集中杯体的沟槽,进而保护置放于导热座上的半导体组件。
本实用新型的另一目的在于提供一种嵌式功率半导体封装装置,设置有环状挡墙于导热座上,使半导体组件容易置放于导热座的中央位置。
本实用新型的再一目的在于提供一种嵌式功率半导体封装装置,涂覆耐高温的绝缘胶于半导体组件上,借使半导体组件与连接于导热座及引线体的区域外绝缘,且在高温或低温状态下也保持绝缘。
本实用新型的又一目的在于提供一种嵌式功率半导体封装装置,涂覆耐高温且防湿气的隔离胶于耐高温的绝缘胶上,用以防止湿气侵入半导体组件且保护半导体组件。
本实用新型的上述目的是这样实现的:一种嵌式功率半导体封装装置,其中包括:
一引线体;
一半导体组件,连结所述引线体;
一杯体,形成有杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座,并在所述导热座上形成有环状挡墙,且所述导热座连结所述半导体组件;
一绝缘胶,涂覆于所述半导体组件及所述导热座上,半导体组件与非接触的区域绝缘;及
一隔离胶,涂覆于所述绝缘胶的外层。
本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置,其中所述绝缘胶材料为聚酰亚胺材料。
本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置,其中所述隔离胶材料为环氧树脂材料。
本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置,其中更进一步增设有缓冲体,浇注于所述杯体腔部,所述缓冲体材料为硅树脂材料,所述硅树脂材料与所述杯体内壁、所述沟槽、所述导热座及所述引线体作紧密连结,借以保护该半导体组件。
本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置,其中所述导热座、所述杯体腔部及所述沟槽是对称性的设置于杯体内部,借此使半导体组件能置于该导热座时,借由环状挡墙的限制,使半导体容易置于导热座中央处。
本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置,其中所述引线体设有弯折部。
本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置,其中所述杯体底面还设有凹部。
根据本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置,包括有引线体、杯体、连结于引线体及杯体间的半导体组件、绝缘胶、隔离胶。
其中杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座设置于杯体内部,且杯体腔部、沟槽及导热座对称地设置于杯体内部,此半导体组件连结于杯体的导热座及引线体间,并使导热座至杯体底部的刚性大于沟糟表面至杯体底部的刚性,用以保护置于导热座上的半导体组件,且导热座上形成有环状挡墙,从而可使半导体组件置于该导热座时,借由环状挡墙的限制,使半导体容易置于导热座中央处,另有绝缘胶涂覆于半导体组件及导热座上,借此使半导体组件运作时,能减小漏电量,且有隔离胶涂覆于绝缘胶的外层,借以保护半导体组件不被湿气侵入。
为使能进一步了解本实用新型的特征及技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明及附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本实用新型加以限制。
附图说明
图1是公知的嵌式功率半导体封装装置剖视图;
图2是公知的嵌式功率半导体封装装置的杯体剖视图;
图3是本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置剖视图;
图3A是本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置的局部剖视图;
图4是本实用新型所述的嵌式功率半导体封装装置的杯体剖视图。
具体实施方式
本实用新型为一种嵌式功率半导体封装装置,包括引线体10、半导体组件20、杯体30(如图3),并使嵌式功率半导体封装装置的引线体10、半导体组件20、杯体30依序连接,且使嵌式功率半导体封装装置嵌入板片40的孔洞41内,用以连结于其它装置并使用于其它装置上。
参阅图3是嵌式功率半导体封装装置剖视图,其中引线体10包括有一底座11,且引线体10包括有弯折部12,并借由引线体10的顶部及底部作为电性及机械连接点,用以与其它组件连结。
另,设置有半导体组件20,此半导体组件20为功率半导体,且与引线体10连结。
此外,参阅图3A嵌式功率半导体封装装置的局部剖视图及图4嵌式功率半导体封装装置的杯体剖视图,其中设置有杯体30,并其内部设有杯体腔部31、杯体内壁32、沟槽33及导热座34,且此杯体腔部31、导热座34及沟槽33是对称地设置于杯体内部,并将半导体组件20连结于杯体30的导热座34上,且导热座34至杯体30底部所形成的厚度大于沟槽33的底面至杯体30底部所形成的厚度,使导热座34至杯体30底部的刚性大于沟槽33底面至杯体30底部的刚性,此导热座34上并形成有环状挡墙35,以便可容易将半导体组件20置于导热座34中央处,既使半导体组件20置于杯体腔部31中央处,此杯体30底面设置有凹部36。
并在半导体组件20及引线体10侧面上涂覆有绝缘胶50,并借由导热座34的环状挡墙35阻挡绝缘胶50流入杯体30的沟槽33内,使半导体组件20密封于杯体的导热座34上,此绝缘胶50可以是耐高温且高度绝缘的聚酰亚胺(POLYIMIDE),使半导体组件20因运作而产生高温时,聚酰亚胺(POLYIMIDE)也可保持高温耐热绝缘的特性,使半导体组件20与导热座34非接触的区域绝缘,及半导体组件20与引线体10非接触的区域绝缘,使半导体组件20在高温及低温状态下运作时,亦能减小漏电量。
在绝缘胶50的上层及引线体10侧边涂覆有隔离胶60,并借由导热座34的环状挡墙35阻挡隔离胶60流入杯体30的沟槽33,使隔离胶60能涂覆于绝缘胶50的外层,为使绝缘胶50及半导体组件20不被湿气侵入,进而保护半导体组件20正常的运作,此隔离胶60可以是环氧树脂(EPOXY)材料,使隔离胶60在高温及低温状态下依然能保持原有的防湿特性,而保护半导体组件20在运作时不被湿气侵入,并在杯体腔部31浇注有缓冲体70,用以保护导热座34上的半导体组件20。
此嵌式功率半导体封装装置以紧配合的方式嵌入于板片40的孔洞41内,用以使用于其它装置上,且嵌式功率半导体封装装置的杯体30侧面因受到板片40的孔洞41的周缘的压力,进而使杯体30的底部微弯,所以借由导热座34至杯体30底面的刚性比沟槽33的底面至杯体30底面的刚性大,而控制弯曲变异量集中于沟槽33,使导热座34的弯曲变异量减小,从而可保护导热座34上的半导体组件20不被破坏,也能保持嵌式功率半导体封装装置原来的效能。由于嵌式功率半导体封装装置于嵌入于板片40的孔洞41内时,因对于嵌式功率半导体封装装置内的半导体组件20产生大的冲击力,所以借由杯体腔部31浇注有缓仲体70,此缓冲体70可为硅树脂(SI RESIN)材料,使硅树脂材料与杯体内壁32及引线体10作紧密连结,并利用缓冲体70来减低作用于半导体组件20的冲击力,用以保护半导体组件20,且此硅树脂材料有耐湿性、耐候性及在高温下也不降低电器特性等,用以达到嵌式功率半导体封装装置的正常的运作。
但以上所述仅为本实用新型的较佳可行实施例,非因此限制本实用新型的专利范围,故凡运用本实用新型的说明书及附图内容所为的等效结构变化,均同理皆包含于本实用新型的范围内,给予陈明。
Claims (7)
1.一种嵌式功率半导体封装装置,其特征在于,包括:
一引线体;
一半导体组件,连结所述引线体;
一杯体,形成有杯体腔部、杯体内壁、沟槽及导热座,并在所述导热座上形成有环状挡墙,且所述导热座连结所述半导体组件;
一绝缘胶,涂覆于所述半导体组件及所述导热座上,半导体组件与非接触的区域绝缘;及
一隔离胶,涂覆于所述绝缘胶的外层。
2.如权利要求1所述的嵌式功率半导体封装装置,其特征在于,所述绝缘胶材料为聚酰亚胺材料。
3.如权利要求1所述的嵌式功率半导体封装装置,其特征在于,所述隔离胶材料为环氧树脂材料。
4.如权利要求1所述的嵌式功率半导体封装装置,其特征在于,更进一步增设有缓冲体,浇注于所述杯体腔部,所述缓冲体材料为硅树脂材料,所述硅树脂材料与所述杯体内壁、所述沟槽、所述导热座及所述引线体作紧密连结。
5.如权利要求1所述的嵌式功率半导体封装装置,其特征在于,所述导热座、所述杯体腔部及所述沟槽是对称性的设置于杯体内部。
6.如权利要求1所述的嵌式功率半导体封装装置,其特征在于,所述引线体设有弯折部。
7.如权利要求1所述的嵌式功率半导体封装装置,其特征在于,所述杯体底面还设有凹部。
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