CN2291695Y - 长寿命有机薄膜电致发光屏 - Google Patents

长寿命有机薄膜电致发光屏 Download PDF

Info

Publication number
CN2291695Y
CN2291695Y CN 96207164 CN96207164U CN2291695Y CN 2291695 Y CN2291695 Y CN 2291695Y CN 96207164 CN96207164 CN 96207164 CN 96207164 U CN96207164 U CN 96207164U CN 2291695 Y CN2291695 Y CN 2291695Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
long
organic thin
luminescent layer
life
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 96207164
Other languages
English (en)
Inventor
张志林
蒋雪茵
许少鸿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shangdaoude Science and Technology Co., Ltd., Shanghai Astronautics Group
Original Assignee
张志林
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 张志林 filed Critical 张志林
Priority to CN 96207164 priority Critical patent/CN2291695Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN2291695Y publication Critical patent/CN2291695Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本实用新型是涉及到一种长寿命有机薄膜电致发光屏。它属于发光器件、薄膜电致发光领域。它是在玻璃基板(1)上相继制备透明导电层(2)、空穴注入缓冲层(3)、空穴传输及发光层(4)、阻挡层(5)、电子传输及发光层(6)、背电极(7)、然后经密封后抽真空充气而成。它在低压直流电压驱动下可得到明亮的发光并且有相当长的工作寿命。它可以应用于任何可由低压直流电压驱动的平板大面积的指示灯、标志、字符显示和平板显示屏等。

Description

长寿命有机薄膜电致发光屏
本实用新型是涉及到一种长寿命有机薄膜电致发光屏，它属于发光器件、薄膜电致发光、发光二极管、显示器件、发光标志等领域。特别是涉及到可以在低压直流(5-20V左右)驱动下得到兰、绿、橙色发光的平板显示屏，该器件工艺比较简单，成本比较低，由于引入了空穴注入缓冲层等改进措施，使器件的寿命有了很大的提高。
传统的薄膜电致发光是无机的双绝缘层的薄膜电致发光器件。由于需交流电压驱动且电压高(＞100V)，因此阻碍了它的应用领域。有机薄膜电致发光则具有驱动电压低而且是直流驱动，发光效率高色彩丰富，反应速度快，可制成大面积等伏势，具有很大的应用前景，该发光器件由美国柯达公司C.W.Tang[Appl.Phys.Lett.，51(1987)913；J.Appl.Phys.65(1989)3610]首先提出了具有空穴和电子传输层的类似于PN结结构的有机薄膜电致发光器件。以后英国剑桥大学的H.Burroughes[Nature，347(1990)539]又提出了以PPV聚合物为基质的单层和多层聚合物薄膜电致发光屏。但是由于有机材料、层间界面以及背电极的稳定性较差，器件的寿命不长。一般的器件寿命只有几小时或者几十小时。本实用新型是在上述基础上引入了空穴注入缓冲层、以及对空穴传输及发光层、和电子传输及发光层、掺杂了特殊发光和电传导敏化剂和有效的密封，从而使器件的寿命有了很大的提高，具有了较大的实用价值。
本实用新型的目的是提供一种具有低压直流驱动，多种颜色的足够亮度的和具有实用寿命的发光器件。该器件的亮度及效率高、发光均匀可制成大面积，因此有很大的应用前景。它可以广泛的应用于各种指示灯、标志、字符显示和平板显示屏等。下面参照附图具体说明本实用新型的结构：
本实用新型的基本结构是在玻璃的基板(1)上有一层透明导电层(2)一般是由氧化铟锡(ITO)或者ZnO：Al制成，在这层电极上有一层空穴注入缓冲层(3)它是由酞菁类化合物制成的。它包括纯酞菁、酞菁铜、酞菁锌、酞菁铝等。在此层上面是空穴传输及发光层(4)，这层是由二元胺衍生物TPD，或者由聚乙稀咔唑(PVCz)为基质，为了提高其稳定性、发光效率、注入效率和改变发光颜色，还要掺杂一定剂量的发光和电传导敏化剂，它包括红荧烯(Rubrene)、三苯胺(TPA)、北(Perylene)、1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(TPB)等。其厚度在20mm-100mm之间。在此层上面有一层阻挡层(5)，它是由恶唑类化合物组成的，如2(4-联二苯)-5-(4-叔丁基苯)-1，3，4，-恶唑(PBD)。这一层主要用于阻挡空穴穿过空穴与电子传输层界面，从而实现兰光。对其它颜色的发光此层可以不用。在此层上面是电子传输及发光层(6)，它是由八羟基喹啉铝(Alq3)制成的。为了改变颜色和提高发光效率，它还可以掺杂一些敏化剂，如喹哪克里桐(Quinacridone)等。其厚度在于20-100mm之间。最后一层是背电极(7)，它是由MgAg合金或者Al等其它低功函数的材料制成。此背电极的一部分延伸到引出电极(8)上。这引出电极的一端与背电极连接另一端作为引出电极，它是由与透明导电层(2)分割开的ITO制成的。最后用密封胶(9)把玻璃密封罩(10)与玻璃基板(1)、透明导电层(2)和引出电极(8)密封起来。并在玻璃罩(10)与玻璃基板(1)之间的空间(11)充以保护气体或抽成真空。这保护气体可以是高纯氮气或者高纯氩气。
在上述结构中的空穴注入缓冲层(4)也可以不用，这时在TPD中掺以红荧烯同样可以获得较长的寿命。如果只要获得橙色或绿色发光，这时阻挡层(5)也可不用。
在本实用新型的效果是由于引入了空穴注入缓冲层、以及对空穴传输及发光层、和电子传输及发光层、掺杂了特殊发光和电传导敏化剂和有效的密封，从而提高了器件的发光效率和稳定性使器件的半亮度寿命由数小时提高到1200小时。
图1.表示了根据本实用新型得到的长寿命有机薄膜电致发光的器件结构图。
图中各标号分别为：1--玻璃基板、2--透明导电层、3--空穴注入缓冲层、4--空穴传输及发光层、5--阻挡层、6--电子传输及发光层、7--背电极、8--背电极引出电极、9--密封胶、10--玻璃密封罩、11--玻璃密封罩与玻璃基板之间的密封空间。
实施例一：
在玻璃基板上有一层透明的导电层(2)，它为ITO，经光刻把其中的一小部分分割成引出电极(8)，经充分清洗后用真空蒸发的方法制备一层厚度为20nm左右的酞菁铜的空穴注入缓冲层(3)。在此层上再蒸一层厚度为70nm的二元胺衍生物TPD的空穴传输及发光层(4)。然后再蒸发一层厚度为70nm左右的Alq3的电子传输发光层(6)。然后用双源蒸发方法制备MgAg合金的背电极(7)，Mg∶Ag＝10∶1，电极的厚度在150nm左右，并延伸搭接至背电极引出电极(8)上。最后用密封胶(9)把玻璃密封罩(10)与玻璃基板(1)密封起来抽真空并充以高纯氮气。该器件的发光是由Alq3发出的绿光，起亮电压为10V。电流密度在400mA/cm2时的亮度达4270cd/m2。在6mA/cm2恒电流工作条件下的半亮度寿命超过800小时，起始亮度为95cd/m2。实施例二：
在玻璃基板上有一层透明的导电层(2)，它为ITO，经光刻把其中的一小部分分割成引出电极(8)，经充分清洗后用真空蒸发的方法制备一层厚度为70nm左右的掺有5％重量比的红荧烯的TPD的空穴传输及发光层(4)。然后再蒸发一层厚度为70nm的Alq3。此后的从蒸背电极到密封充气的步骤同实施例一。所得的器件的发光为橙黄色的发光。最高亮度达11144cd/m2，这时的电流密度为413mA/cm2。起亮电压为8V。在6mA/cm2恒电流工作条件下的半亮度寿命超过1200小时，起始亮度为164cd/m2。实施例三：
在玻璃基板上有一层透明的导电层(2)，它为ITO，经光刻把其中的一小部分分割成引出电极(8)，经充分清洗后用真空蒸发的方法制备一层厚度为20nm左右的酞菁铜的空穴注入缓冲层(3)。然后用甩胶的方法把掺有0.05％的重量比的北的聚乙烯基咔唑的氯仿溶液甩胶制成厚度为70nm的空穴注入发光层(4)。再用真空蒸发的方法制备一层厚度为20nm的恶唑化合物，2-(4-联二苯)-5(4-叔丁基苯基)-1，3，4恶唑的阻挡层(5).再蒸发一层50nm的Alq3的电子传输及发光层(6)。后面的从蒸背电极到密封充气的步骤同实施例一。用这种结构得到的兰色的发光最高亮度达6000cd/m2以上，也有很好的稳定性。实施例四：
在玻璃基板上有一层透明的导电层(2)，它为ITO，经光刻把其中的一小部分分割成引出电极(8)，经充分清洗后用真空蒸发的方法制备一层厚度为20nm左右的酞菁铜的空穴注入缓冲层(3)。然后用双源真空蒸发制备掺有5％重量比的红荧烯的TPD空穴传输及发光层(4)。再蒸上掺有Quinacridone的Alq3的电子传输及发光层(6)，Quinacridone的浓度为0.2％重量比。后面的从蒸背电极到密封充气的步骤同实施例一。用此结构可得到橙黄的发光。其最高发光亮度达12937cd/m2，这时的电流密度为360mA/cm2。在4mA/cm2恒电流的工作条件下的半寿命超过500小时，其起始亮度为130cd/m2。

Claims (6)

1.一种长寿命有机薄膜电致发光屏，它包括玻璃基板(1)、透明导电层(2)、空穴传输及发光层(4)、阻挡层(5)、电子传输及发光层(6)、背电极(7)、玻璃密封罩(10)、在玻璃密封罩(10)边缘与玻璃基板(1)透明导电层(2)和背电极引出电极(7)接触处有密封胶(9)密封起来，其特征在于在透明导电层(2)与空穴传输及发光层(4)之间插入了一层空穴注入缓冲层(3)它是由酞菁类化合物组成的，所说的空穴传输及发光层(4)是掺有特殊发光和电传导敏化剂的二元胺衍生物(TPD)或聚乙稀咔唑(PVCz)组成，所说的阻挡层(5)是恶唑类化合物组成，所说的电子传输及发光层(4)是掺有特殊发光敏化剂的八羟基喹啉铝(Alq3)组成，在玻璃基板(1)上有与透明导电层分开的背电极引出电极(7)它是由氧化铟锡(ITO)组成的，它的一端与背电极连接另一端作为引出电极，在玻璃密封罩(10)与玻璃基板(1)之间的空间(11)充以保护气体或抽成真空。
2.一种如权利要求1所说长寿命的有机薄膜电致发光屏，其特征在于所说的空穴注入缓冲层(3)是由酞菁类化合物组成的，这类化合物包括纯酞菁、酞菁铜、酞菁锌、酞菁铝，此层的厚度在5到50nm之间。
3.一种如权利要求1所说的长寿命有机薄膜电致发光屏，其特征在于所说的空穴传输及发光层(4)是掺有特殊发光和电传导敏化剂的二元胺衍生物(TPD)或聚乙稀咔唑(PVCz)组成，这里所说的特殊发光和电传导敏化剂它包括红荧烯(Rubrene)、三苯胺(TPA)、北(Perylene)、1，1，4，4-四苯基-1，3-丁二烯(TPB)，其掺杂的量在0.1mol％到10mol％之间，此层的厚度在20到100nm之间。
4.一种如权利要求1所说的长寿命有机薄膜电致发光屏，其特征在于所说的阻挡层(5)是恶唑类化合物组成，此层的厚度在10到50nm之间。
5.一种如权利要求1所说的长寿命有机薄膜电致发光屏，其特征在于所说的电子传输及发光层(6)是掺有特殊发光敏化剂的八羟基喹啉铝(Alq3)组成，这里所说的发光敏化剂是喹哪克里桐(Quinacridone)其掺杂浓度在0.01mol％到10mol％之间，此层的厚度在20到100nm之间。
6.一种如权利要求1所说的长寿命有机薄膜电致发光屏，其特征在于在玻璃密封罩(10)与玻璃基板(1)之间的空间(11)中充以保护气体或抽成真空，这里所说的保护气体是高纯氮气、高纯氩气。
CN 96207164 1996-04-04 1996-04-04 长寿命有机薄膜电致发光屏 Expired - Fee Related CN2291695Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 96207164 CN2291695Y (zh) 1996-04-04 1996-04-04 长寿命有机薄膜电致发光屏

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 96207164 CN2291695Y (zh) 1996-04-04 1996-04-04 长寿命有机薄膜电致发光屏

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN2291695Y true CN2291695Y (zh) 1998-09-16

Family

ID=33891541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 96207164 Expired - Fee Related CN2291695Y (zh) 1996-04-04 1996-04-04 长寿命有机薄膜电致发光屏

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN2291695Y (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100365846C (zh) * 2003-02-18 2008-01-30 吉林大学 有机红外光电器件及其制备方法
CN100380418C (zh) * 2005-06-09 2008-04-09 胜华科技股份有限公司 触控面板的制法
WO2009021365A1 (fr) * 2007-08-10 2009-02-19 Truly Semiconductors Ltd. Oled et son procédé
CN100505377C (zh) * 2001-08-29 2009-06-24 普林斯顿大学理事会 具有含金属配合物的载流子阻挡层的有机发光元件
US7701134B2 (en) 1999-06-04 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device with improved operating performance
CN101064081B (zh) * 2005-06-01 2010-06-16 三星电子株式会社 体积三维显示面板和使用多层有机发光器件的系统
CN101858961A (zh) * 2010-05-04 2010-10-13 西南大学 一种双参数、高灵敏度的有机小分子半导体薄膜磁性传感器
CN104143443A (zh) * 2013-10-12 2014-11-12 成都精容电子有限公司 一种电容器

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
US7701134B2 (en) 1999-06-04 2010-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device with improved operating performance
US7741775B2 (en) 1999-06-04 2010-06-22 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
US8227809B2 (en) 1999-06-04 2012-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
US9123854B2 (en) 1999-06-04 2015-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
US9368680B2 (en) 1999-06-04 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
CN100505377C (zh) * 2001-08-29 2009-06-24 普林斯顿大学理事会 具有含金属配合物的载流子阻挡层的有机发光元件
CN100365846C (zh) * 2003-02-18 2008-01-30 吉林大学 有机红外光电器件及其制备方法
CN101064081B (zh) * 2005-06-01 2010-06-16 三星电子株式会社 体积三维显示面板和使用多层有机发光器件的系统
CN100380418C (zh) * 2005-06-09 2008-04-09 胜华科技股份有限公司 触控面板的制法
WO2009021365A1 (fr) * 2007-08-10 2009-02-19 Truly Semiconductors Ltd. Oled et son procédé
CN101858961A (zh) * 2010-05-04 2010-10-13 西南大学 一种双参数、高灵敏度的有机小分子半导体薄膜磁性传感器
CN104143443A (zh) * 2013-10-12 2014-11-12 成都精容电子有限公司 一种电容器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6010796A (en) Electroluminescent device
US6521360B2 (en) White and colored organic electroluminescent devices using single emitting material by novel color change technique
CN107195791B (zh) 有机发光显示装置
TW585012B (en) Organic electroluminescence device having current injection layer between light emitting layer and cathode
CN1610463A (zh) 有机电致发光显示设备
JPH06290873A (ja) 有機薄膜発光素子
CN101359722A (zh) 一种顶发射有机电致发光器件的封装方法
CN100508244C (zh) 一种有机电致发光白光器件
JP3861743B2 (ja) 電界発光素子の駆動方法
CN2291695Y (zh) 长寿命有机薄膜电致发光屏
CN102074658A (zh) 电荷产生层、叠层有机发光二极管及其制备方法
CN101384112A (zh) 一种红色有机电致发光器件及其制备方法
JP2001155862A (ja) 発光素子及びその製造方法
JPH02139892A (ja) 有機薄膜ｅｌ素子
JP3852518B2 (ja) 有機電界発光素子
CN101079471B (zh) 一种有机电致发光器件
JP3820752B2 (ja) 有機電界発光素子
CN203288658U (zh) 具有双层空穴注入层的有机发光器件结构
CN1287652A (zh) 有机场致发光器件的驱动装置和驱动方法
CN201540892U (zh) 双面显示oled装置
JP3852517B2 (ja) 有機電界発光素子
CN100524414C (zh) 显示装置以及电子机器
CN1845355A (zh) 一种低电压的有机电致发光显示器件
EP0818943B1 (en) Electroluminescent device
CN100469205C (zh) 基于并五苯为空穴传输层的电致发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SHANGHAI AEROSPACE SHANGDA TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: ZHANG ZHILIN

CP03 Change of name, title or address

Address after: 200072, 149 extension Road, 504, Shanghai science and Technology Park, room contact: Zhang Cuiqun

Patentee after: Shangdaoude Science and Technology Co., Ltd., Shanghai Astronautics Group

Address before: 404 mailbox, 201800 campus, Shanghai Univer, 20 Jiading District Road, Shanghai, Jiading

Patentee before: Zhang Zhilin

C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee