CN221319337U - 一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备 - Google Patents
一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN221319337U CN221319337U CN202323335075.9U CN202323335075U CN221319337U CN 221319337 U CN221319337 U CN 221319337U CN 202323335075 U CN202323335075 U CN 202323335075U CN 221319337 U CN221319337 U CN 221319337U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- furnace body
- vacuum furnace
- pipe
- graphite
- pump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 15
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本实用新型属于石墨材料的加工技术领域，尤其为一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，包括真空炉本体。本实用新型通过石墨提纯过程中通过监测设备进行检测，通过控制设备开启加热板对其加热，使得石墨提纯过程中能够提供均匀、稳定的温度，水泵通过L形管将冷水输送至冷水管内，通过冷水管对真空炉本体进行冷却，防止石墨提纯过程中的温度过高，防止高温对真空炉本体造成损坏，通过真空泵和连接管的设置用于在石墨提纯过程中创造一个低压环境，以促进石墨的高效提纯，同时可启动气泵通过气体管道将气体储存设备中的气体输送至真空炉本体内，使得在石墨提纯过程中供应保护气体或反应气体，采用自动化控制，能够实现石墨产品的高纯度生产。
Description
技术领域
本实用新型涉及石墨材料的加工技术领域，具体为一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备。
背景技术
现有石墨产品的高纯化处理一般在艾奇逊石墨化炉中进行石墨化处理的高温阶段进行，艾奇逊炉的主要特点是生产区的大，一般可达100m3以上。但在高纯度石墨产品的生产上存在明显的短板，主要表现为生产区域过大导致的整个生产区域的温度均匀性不够，最大温差可达500℃，同时艾奇逊炉采用耐火砖作为炉腔砌体，无法实现与外界的隔绝，因此在生产过程中为常压或者微正压状态，而常压或微正压均不利于石墨产品的高纯化处理，因此我们提出了一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备来解决上述问题。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，解决了上述背景技术中所提出的问题。
(二)技术方案
本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案：
一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，包括真空炉本体，所述真空炉本体的右侧固定连接有气泵，所述气泵的输出管延伸至真空炉本体内，所述气泵的输入管连通并固定有气体管道，所述气体管道的端部设有气体储存设备，所述真空炉本体上设有水冷组件，所述真空炉本体的顶部固定连接有真空泵，所述真空泵上连通并固定有连接管，所述连接管的端部延伸至真空炉本体内，所述真空炉本体上转动连接有炉盖，所述炉盖的一侧固定连接有控制设备，所述炉盖的另一侧固定连接有监测设备，所述真空炉本体的内壁上呈环形固定连接有多个加热板。
进一步地，所述真空炉本体的底部固定连接有两个支撑板。
进一步地，所述水冷组件包括制冷水箱、冷水管、L形管；
所述真空炉本体的下方设有制冷水箱，所述制冷水箱的一侧与支撑板的一侧固定连接，所述制冷水箱的顶部连通并固定有L形管，所述真空炉本体上缠绕并固定有冷水管，所述冷水管的端部延伸至制冷水箱内。
进一步地，两个所述支撑板中的一个支撑板的顶部固定连接有水泵，所述水泵的输入管与L形管连通并固定，所述水泵的输出管与冷水管的另一端连通并固定。
进一步地，所述炉盖的一侧固定连接有把手。
进一步地，所述制冷水箱的顶部连通并固定有注水口，所述注水口上螺纹连接有封盖。
(三)有益效果
与现有技术相比，本实用新型提供了一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，具备以下有益效果：
本实用新型，通过石墨提纯过程中通过监测设备进行检测，当真空炉本体内真空条件达到设定值后，通过控制设备开启加热板，通过加热板对炉内待生产的产品和炉内环境进行加热，为后续的石墨提纯过程提供均匀、稳定的温度条件，以促进石墨的高效提纯，在升温过程中，启动水泵通过L形管将冷水输送至冷水管内，通过冷水管对真空炉本体进行冷却，冷水再通过冷水管进入制冷水箱内进行制冷，从而防止石墨提纯过程中的温度过高，防止高温对真空炉本体和其他元器件造成损坏，通过真空泵和连接管的设置用于在石墨提纯过程中创造一个低压环境，以促进石墨的高效提纯，同时可启动气泵，气泵通过气体管道将气体储存设备中的气体输送至真空炉本体内，使得在石墨提纯过程中供应保护气体或反应气体，采用自动化控制，从而能够实现石墨产品的高纯度生产。
附图说明
图1为本实用新型立体结构示意图；
图2为本实用新型右侧立体结构示意图；
图3为本实用新型炉盖隐藏后立体结构示意图；
图4为本实用新型炉盖和监测设备连接立体结构示意图。
图中：1、真空炉本体；2、气泵；3、气体管道；4、气体储存设备；5、水冷组件；6、真空泵；7、连接管；8、炉盖；9、控制设备；10、监测设备；11、加热板；12、支撑板；13、制冷水箱；14、冷水管；15、L形管；16、注水口；17、封盖；18、把手；19、水泵。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例
如图1、图2、图3和图4所示，本实用新型一个实施例提出的一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，包括真空炉本体1，真空炉本体1的右侧固定连接有气泵2，气泵2的输出管延伸至真空炉本体1内，气泵2的输入管连通并固定有气体管道3，气体管道3的端部设有气体储存设备4，真空炉本体1上设有水冷组件5，真空炉本体1的顶部固定连接有真空泵6，真空泵6上连通并固定有连接管7，连接管7的端部延伸至真空炉本体1内，真空炉本体1上转动连接有炉盖8，炉盖8的一侧固定连接有控制设备9，炉盖8的另一侧固定连接有监测设备10，真空炉本体1的内壁上呈环形固定连接有多个加热板11，石墨提纯过程中通过监测设备10进行检测，当真空炉本体1内真空条件达到设定值后，通过控制设备9开启加热板11，通过加热板11对炉内待生产的产品和炉内环境进行加热，为后续的石墨提纯过程提供均匀、稳定的温度条件，以促进石墨的高效提纯，在升温过程中，启动水泵19，水泵19通过L形管15将冷水输送至冷水管14内，通过冷水管14对真空炉本体1进行冷却，冷水再通过冷水管14进入制冷水箱13内进行制冷，使得水可循环利用，从而防止石墨提纯过程中的温度过高，防止高温对真空炉本体1和其他元器件造成损坏，同时确保提纯过程中的温度稳定，通过真空泵6和连接管7的设置用于在石墨提纯过程中创造一个低压环境，以促进石墨的高效提纯，同时可启动气泵2，气泵2通过气体管道3将气体储存设备4中的气体输送至真空炉本体1内，使得在石墨提纯过程中供应保护气体或反应气体，采用自动化控制，从而能够实现石墨产品的高纯度生产。
如图1所示，在一些实施例中，真空炉本体1的底部固定连接有两个支撑板12，支撑板12对真空炉本体1进行支撑。
如图3所示，在一些实施例中，水冷组件5包括制冷水箱13、冷水管14、L形管15；
真空炉本体1的下方设有制冷水箱13，制冷水箱13的一侧与支撑板12的一侧固定连接，制冷水箱13的顶部连通并固定有L形管15，真空炉本体1上缠绕并固定有冷水管14，冷水管14的端部延伸至制冷水箱13内，两个支撑板12中的一个支撑板12的顶部固定连接有水泵19，水泵19的输入管与L形管15连通并固定，水泵19的输出管与冷水管14的另一端连通并固定，在升温过程中，启动水泵19，水泵19通过L形管15将冷水输送至冷水管14内，通过冷水管14对真空炉本体1进行冷却，冷水再通过冷水管14进入制冷水箱13内进行制冷，使得水可循环利用，从而防止石墨提纯过程中的温度过高，防止高温对真空炉本体1造成损坏，同时确保提纯过程中的温度稳定。
如图1所示，在一些实施例中，炉盖8的一侧固定连接有把手18，通过把手18可将炉盖8打开。
如图2所示，在一些实施例中，制冷水箱13的顶部连通并固定有注水口16，注水口16上螺纹连接有封盖17，通过注水口16的设置，可往制冷水箱13内加入水。
工作原理或者结构原理，使用时，石墨提纯过程中通过监测设备10进行检测，当真空炉本体1内真空条件达到设定值后，通过控制设备9开启加热板11，通过加热板11对炉内待生产的产品和炉内环境进行加热，为后续的石墨提纯过程提供均匀、稳定的温度条件，以促进石墨的高效提纯，在升温过程中，启动水泵19，水泵19通过L形管15将冷水输送至冷水管14内，通过冷水管14对真空炉本体1进行冷却，冷水再通过冷水管14进入制冷水箱13内进行制冷，使得水可循环利用，从而防止石墨提纯过程中的温度过高，防止高温对真空炉本体1和其他元器件造成损坏，同时确保提纯过程中的温度稳定，通过真空泵6和连接管7的设置用于在石墨提纯过程中创造一个低压环境，以促进石墨的高效提纯，同时可启动气泵2，气泵2通过气体管道3将气体储存设备4中的气体输送至真空炉本体1内，使得在石墨提纯过程中供应保护气体或反应气体，采用自动化控制，从而能够实现石墨产品的高纯度生产。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，包括真空炉本体(1)，其特征在于：所述真空炉本体(1)的右侧固定连接有气泵(2)，所述气泵(2)的输出管延伸至真空炉本体(1)内，所述气泵(2)的输入管连通并固定有气体管道(3)，所述气体管道(3)的端部设有气体储存设备(4)，所述真空炉本体(1)上设有水冷组件(5)，所述真空炉本体(1)的顶部固定连接有真空泵(6)，所述真空泵(6)上连通并固定有连接管(7)，所述连接管(7)的端部延伸至真空炉本体(1)内，所述真空炉本体(1)上转动连接有炉盖(8)，所述炉盖(8)的一侧固定连接有控制设备(9)，所述炉盖(8)的另一侧固定连接有监测设备(10)，所述真空炉本体(1)的内壁上呈环形固定连接有多个加热板(11)。
2.根据权利要求1所述的一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，其特征在于：所述真空炉本体(1)的底部固定连接有两个支撑板(12)。
3.根据权利要求1所述的一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，其特征在于：所述水冷组件(5)包括制冷水箱(13)、冷水管(14)、L形管(15)；
所述真空炉本体(1)的下方设有制冷水箱(13)，所述制冷水箱(13)的一侧与支撑板(12)的一侧固定连接，所述制冷水箱(13)的顶部连通并固定有L形管(15)，所述真空炉本体(1)上缠绕并固定有冷水管(14)，所述冷水管(14)的端部延伸至制冷水箱(13)内。
4.根据权利要求2所述的一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，其特征在于：两个所述支撑板(12)中的一个支撑板(12)的顶部固定连接有水泵(19)，所述水泵(19)的输入管与L形管(15)连通并固定，所述水泵(19)的输出管与冷水管(14)的另一端连通并固定。
5.根据权利要求1所述的一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，其特征在于：所述炉盖(8)的一侧固定连接有把手(18)。
6.根据权利要求3所述的一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备，其特征在于：所述制冷水箱(13)的顶部连通并固定有注水口(16)，所述注水口(16)上螺纹连接有封盖(17)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202323335075.9U CN221319337U (zh) | 2023-12-07 | 2023-12-07 | 一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202323335075.9U CN221319337U (zh) | 2023-12-07 | 2023-12-07 | 一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN221319337U true CN221319337U (zh) | 2024-07-12 |
Family
ID=91791954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202323335075.9U Active CN221319337U (zh) | 2023-12-07 | 2023-12-07 | 一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN221319337U (zh) |
-
2023
- 2023-12-07 CN CN202323335075.9U patent/CN221319337U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN221319337U (zh) | 一种制造半导体级高纯度石墨产品的加工设备 | |
| CN203855414U (zh) | 管式石墨化炉 | |
| CN110106547B (zh) | 提高直拉单晶拉速的装置 | |
| CN101284325A (zh) | 网带式钎焊炉 | |
| CN111777060A (zh) | 一种碳纳米管的纯化装置 | |
| CN205403481U (zh) | 一种大功率微波高温冶炼装置 | |
| CN209162307U (zh) | 人造草丝拉丝机同温同压热空气系统 | |
| CN211199468U (zh) | 一种加速热场冷却的提升装置及单晶炉 | |
| CN210084952U (zh) | 一种石墨降温装置 | |
| CN211005492U (zh) | 一种氩气退火炉 | |
| CN209181532U (zh) | 敞开式环式焙烧炉智能强制冷却装置 | |
| JP2013091595A (ja) | ソーラーグレードポリシリコンの真空循環精錬装置及びソーラーグレードポリシリコンの精製方法／Ａｖａｃｕｕｍｒｅｃｙｃｌｉｎｇｅｑｕｉｐｍｅｎｔｆｏｒｒｅｆｉｎｉｎｇｔｈｅｓｏｌａｒｇｒａｄｅｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎａｎｄａｍｅｔｈｏｄｆｏｒｒｅｆｉｎｉｎｇｔｈｅｓｏｌａｒｇｒａｄｅｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ | |
| CN113587685A (zh) | 一种焦炉荒煤气余热回收用二次冷凝方法及其装置 | |
| CN208091245U (zh) | 碳素焙烧炉余热利用装置 | |
| CN202377633U (zh) | 网带式钎焊炉 | |
| CN206051571U (zh) | 还原炉 | |
| CN205726461U (zh) | 一种用于半导体真空管道加热的卡扣式加热器 | |
| CN214842572U (zh) | 氧化石墨烯膜高温连续还原设备 | |
| CN108728901B (zh) | 一种扩散炉管的保养方法 | |
| CN211420230U (zh) | 球化退火冷却装置 | |
| CN214065805U (zh) | 一种新型高效节能冷凝器 | |
| CN216550510U (zh) | 一种高炉风口小套快速查漏装置 | |
| CN213540754U (zh) | 一种全密封水冷热风风机 | |
| CN220602147U (zh) | 用于辊道窑炉的降温段氮气回利用装置 | |
| CN210495247U (zh) | 一种氟化钾生产用浓缩设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant |