CN221319324U - Mems封装结构及包括其的mems声学传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及新型电声元件制造和微电子器件等技术领域，尤其涉及一种MEMS封装结构及包括其的MEMS声学传感器。本实用新型MEMS封装结构包括：第三基板；第一基板，其上开设有进声孔；第二基板，呈中空环状，夹设于第一基板和第三基板之间；其中，在器件安装空间内，MEMS芯片固定于第一基板上，其背腔朝向进声孔；ASIC芯片固定于第三基板上；在第二基板内部沿纵向形成有供信号传输的电信号导柱，MEMS芯片的感应信号通过该电信号导柱传递至ASIC芯片。本实用新型省去传统的焊线工艺也同样能实现芯片间及与基板间信号的互连，如此将极大的缩小了封装器件的体积，满足了更高的电路集成化的需求。

Description

MEMS封装结构及包括其的MEMS声学传感器

技术领域

本实用新型涉及新型电声元件制造和微电子器件等技术领域，尤其涉及一种MEMS封装结构及包括其的MEMS声学传感器。

背景技术

近些年，随着微机电系统MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)技术和工艺的不断进步及发展，特别是基于硅芯片MEMS技术的发展，实现了诸如加速度计，压力传感器，陀螺仪等不同类型传感器件的微小型化及低成本化。随着这些不同类型传感器的结构及性能的不断优化，逐渐使其向更小尺寸及更高性能与高可靠性的方向发展。

然而，在实现本实用新型的过程中，申请人发现，传统的MEMS封装结构的导线在感应腔内布置，影响了感应腔内的气流分布。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型期望能够至少部分解决上述技术问题中的其中之一。

(二)技术方案

本实用新型第一个方面中，提供了一种MEMS封装结构，包括：第三基板；第一基板，其上开设有进声孔；第二基板，呈中空环状，夹设于第一基板和第三基板之间；其中，第一基板、第二基板、第三基板围成器件安装空间；在器件安装空间内，MEMS芯片固定于第一基板上，其背腔朝向进声孔；ASIC芯片固定于第三基板上；在第二基板内部沿纵向形成有供信号传输的电信号导柱，MEMS芯片的感应信号通过该电信号导柱传递至ASIC芯片。

在本实用新型的一些实施例中，第二基板内，电信号导柱的外围设置有绝缘孔盘。

在本实用新型的一些实施例中，第二基板内，电信号导柱由通孔内填充导电材料制成，导电材料为铜。

在本实用新型的一些实施例中，绝缘孔盘的材料为玻璃纤维增强环氧树脂。

在本实用新型的一些实施例中，第一基板上与电信号导柱上游侧对应的位置设置有第一连接焊盘；第三基板上与电信号导柱下游侧对应的位置设置有第三连接焊盘；其中，第一连接焊盘和电信号导柱的上游侧通过导电胶实现信号连接；电信号导柱的下游侧与第三连接焊盘通过导电胶实现信号连接。

在本实用新型的一些实施例中，第一基板的外围设置有环形金属层，该环形金属层位于第一连接焊盘的外侧，且与第一连接焊盘电性绝缘；第二基板正反面的外围均设置有环形金属层，该环形金属层位于电信号导柱的外侧，且与电信号导柱电性绝缘；第三基板的外围设置有环形金属层，该环形金属层位于第三连接焊盘的外侧，且与第三连接焊盘电性绝缘；其中，第一基板外围的环形金属层与第二基板正面外围的环形金属层两者通过导电胶连接；第二基板反面外围的环形金属层与第三基板外围的环形金属层两者通过导电胶连接。

在本实用新型的一些实施例中，导电胶为银胶或锡膏。

在本实用新型的一些实施例中，在器件安装空间内，第一基板上设置有第一信号焊盘，该第一信号焊盘通过第一基板内的电连接通路信号连接于第一连接焊盘；MEMS芯片的信号输出端通过导线或倒装焊方式信号连接于第一信号焊盘。

在本实用新型的一些实施例中，第三基板上设置有第三信号焊盘，该第三信号焊盘信号通过第三基板内的电连接通路连接至第三连接焊盘；ASIC芯片采用倒装焊方式信号连接于第三信号焊盘。

在本实用新型的一些实施例中，第三基板朝向芯片安装空间的一侧形成有凹槽，ASIC芯片安装于凹槽内。

在本实用新型的一些实施例中，ASIC芯片的水平面投影落入MEMS芯片的水平面投影之内；进声孔、MEMS芯片的中心振膜、凹槽正对设置。

在本实用新型的一些实施例中，第一基板、第二基板、第三基板为PCB基板。

在本实用新型的一些实施例中，MEMS芯片的中心振膜与进声孔之间形成传感器前腔；器件安装空间位于MEMS芯片中心振膜内侧的部分形成传感器后腔；其中，传感器后腔的体积大于传感器前腔的体积。

本实用新型第二个方面中，提供了一种MEMS声学传感器，包括：如上的MEMS封装结构。

(三)有益效果

从上述技术方案可知，本实用新型相对于现有技术至少具有以下有益效果之一：

(1)本实用新型提供的垂直倒装式前进音封装方式中，MEMS芯片与ASIC芯片是垂直位置合封在两个不同的基板上，且固定ASIC芯片使用的是倒装焊的工艺，省去传统的焊线工艺也同样能实现芯片间及与基板间信号的互连，如此将极大的缩小了封装器件的体积，满足了更高的电路集成化的需求。由于MEMS芯片和ASIC芯片分别集成在不同的基板上，而后只要将两块基板粘贴在中层基板的两侧接口即可，因此对于工艺的要求更加宽松，可大大降低工艺成本。

(2)通过基板内的电信号导柱(通孔内填充铜或银胶等导电材料)实现MEMS芯片与ASIC芯片及基板间的引线互连，将使得封装件更具有稳定性和可靠性。通孔周围设置有绝缘孔盘，绝缘孔盘是由一些绝缘材料构成，可防止不同信号间互连短路所导致的器件失效。同时，电信号导柱由通孔内填充导电材料制成，更便于大批量的生产，推动其实现工业化的生产。

(3)本实用新型所采用的垂直倒装式的封装方式既具有前进音结构形式，也具有大的后腔体积，它不仅可以在前进音封装结构的前提下，实现与背进音封装结构麦克风相近的性能。此外，采用此类垂直倒装式前进音封装方式将使得MEMS硅麦克风器件对应大的后腔体积，也将在一定程度上的提高器件的灵敏度与信噪比。本实用新型独特的倒装型MEMS声学传感器装配结构，能在一些装配空间受限的诸如助听器、TWS耳机及电子烟等产品中得到广泛的应用。

(4)不同于传统的焊线工艺实现芯片与基板间引线互连，本实施例中，ASIC芯片通过倒装焊方式信号连接于下层基板，将极大的节约封装的空间。

(5)在每层基板间都有环形铜层来实现基板间的连接固定，实现了封装件的电磁屏蔽效果，进一步提升了传感器的精确性和灵敏度。

附图说明

图1为本实用新型MEMS封装结构的剖视图。

图2为图1所示MEMS封装结构中上层基板的仰视图。

图3为图1所示MEMS封装结构中中间基板的俯视图。

图4为图1所示MEMS封装结构中下层基板的俯视图。

具体实施方式

本实用新型提供了一种倒装型的MEMS封装结构，其使用三层PCB基板装配而成，相应导线最大限度的集成于基板内部，传感器后腔内的气流稳定，能够避免导线对感应腔内气流的不利影响。

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文结合具体实施方式，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

在本实用新型的一个示例性实施例中，提供了一种应用于MEMS声学传感器的MEMS封装结构。

图1为本实用新型MEMS封装结构的剖视图。如图1所示，本实施例MEMS封装结构包括：

下层基板3；

上层基板1，其上开设有进声孔12；

中层基板2，呈中空环状，夹设于上层基板和下层基板3之间；

其中，上层基板1、中层基板2、下层基板3围成器件安装空间；在器件安装空间内，MEMS芯片7固定于上层基板1上，其背腔朝向进声孔12，ASIC芯片5固定于下层基板3上；在中层基板2内部沿纵向形成有供信号传输的电信号导柱21，MEMS芯片7的感应信号通过该电信号导柱21传递至ASIC芯片5。

本实施例中，上层基板1、中层基板2、下层基板3，均为印制电路板PCB(PrintedCircuit Board)基板。采用PCB基板的原因一方面在于其成本较低，工艺比较成熟；另一方面在于其表面设置焊盘、其内部设置电信号导柱比较方便，电学性能可靠。

请参照图1，本实施例中，MEMS芯片7通过低应力的硅胶8粘固在上层基板1上，且其中心振膜10与上层基板的进声孔12正对应。MEMS芯片采用焊线工艺通过连接导线9将信号连接到上层基板的焊盘上。

请参照图1，本实施例中，ASIC芯片5采用倒装焊的方式通过金属焊球6焊接于下层基板3的凹槽内的焊盘上，与下层基板内的导线34的信号连接。

请参照图1，三层基板通过银胶、锡膏等导电胶4连接固定，实现上层基板的进声孔12、下层基板的凹槽32，两者均与MEMS芯片的中心振膜相正对的结构效果，三者在空间上垂直分布。

图2为图1所示MEMS封装结构中上层基板的仰视图。请参照图1和图2，上层基板1开设有进声孔12。与电信号导柱上游侧对应的上层基板位置设置有第一连接焊盘11，在第一连接焊盘的外侧，设置有绝缘孔盘14。上层基板上设置有第一信号焊盘13。MEMS芯片的信号输出端通过连接导线9信号连接于第一信号焊盘13，第一信号焊盘13通过上层基板内的连接导线17连接至第一连接焊盘11实现电信号连通。第一连接焊盘和电信号导柱的上游侧通过导电胶实现信号连接。上层基板的外围设置有环形金属层41。环形金属层41位于第一连接焊盘11的外侧，且与第一连接焊盘11电性绝缘。MEMS芯片的中心振膜与进声孔之间形成传感器前腔15。

此外，需要说明的是，虽然本实施例中MEMS芯片的信号输出端通过连接导线信号连接于所述第一信号焊盘，但本实用新型并不以此为限。在本实用新型其他实施例中，还可以使得MEMS芯片的信号输出端通过倒装焊的方式连接于第一信号焊盘，这样将进一步减少感应腔内导线对气流的干扰。

图3为图1所示MEMS封装结构中中间基板的俯视图。请参照图1和图3，中层基板2呈中空环状，其内部沿纵向形成有供信号传输的电信号导柱21。电信号导柱由通孔内填充导电材料制成，导电材料为铜或其他金属材料。中层基板正反面的外围均设置有环形金属层41，该环形金属层41位于电信号导柱21的外侧，且与电信号导柱21通过其外设置的绝缘孔盘14电性绝缘。上层基板外围的环形金属层与中层基板正面外围的环形金属层两者通过导电胶连接。

图4为图1所示MEMS封装结构中下层基板的俯视图。请参照图1和图4，下层基板朝向芯片安装空间的一侧形成有凹槽32，ASIC芯片5安装于凹槽32内，采用倒装焊方式信号连接于第三信号焊盘33。与电信号导柱下游侧对应的下层基板位置设置有第三连接焊盘31。在第三连接焊盘31的外侧，设置有绝缘孔盘14。下层基板上还设置有第三信号焊盘33。电信号导柱的下游侧与第三连接焊盘31通过导电胶实现信号连接。第三连接焊盘31通过基板内部的连接导线34信号连接至第三信号焊盘33。下层基板的外围设置有环形金属层41，该环形金属层位于第三连接焊31盘的外侧，且与第三连接焊盘电性绝缘。中层基板反面外围的环形金属层与下层基板外围的环形金属层两者通过导电胶连接。

本实施例中，电信号导柱21、基板内部的连接导线17、34的材料为铜。本领域技术人员应当理解，除了铜之外，这些信号通路/连接导线还可以采用其他导电的金属材料或非金属材料。

本实施例中，中层基板内，第一连接焊盘的外侧设置有绝缘孔盘14，电信号导柱21的外围设置有绝缘孔盘14，第三连接焊盘的外侧设置有绝缘孔盘14。本实施例中，绝缘孔盘14的材料为玻璃纤维增强环氧树脂。本领域技术人员应当理解，除了玻璃纤维增强环氧树脂，绝缘孔盘还可以采用其他绝缘材料。

以下介绍本实施例MEMS封装结构的制备步骤

步骤A，固晶

请参照图1和图2，在上层基板的进声孔12的正方位上通过低应力的硅胶8粘固MEMS芯片7，上基板进声孔12与MEMS芯片的中心振膜10在位置上相对应，后经过一定的温度和时间固化硅胶，达到在上层基板上固定MEMS芯片的目的。此时，MEMS芯片的中心振膜与进声孔之间形成传感器前腔15。

步骤B，焊线

请参照图1和图2，待MEMS芯片7固定后，采用金属焊线工艺通过连接导线9将MEMS芯片的信号连接到上层基板的第一信号焊盘13上。其中，连接导线9可以为金线等导电金属，第一信号焊盘13位于上层基板上且与上层基板上的第一连接焊盘11通过基板内部的连接导线17相连接，第一连接焊盘11可以为铜等的金属导电材质，其周围设计有绝缘孔盘14。绝缘孔盘14可填充环氧树脂等绝缘材质或构成PCB基板的主要材质玻璃纤维增强环氧树脂(Glass Fiber Reinforced Epoxy，简称“FR-4”)的材料。FR-4具有良好的电绝缘性能、机械强度和耐热性，在电子设备中广泛应用。FR-4的作用是防止不同的焊盘间电路互连，最后导致MEMS封装结构的信号连接失效

步骤C，焊球

请参照图1和图4，在下层基板3上加工凹槽32，在凹槽32内通过倒装焊的方式固定ASIC芯片5。ASIC芯片通过金属焊球6焊接于下层基板的第三信号焊盘33上。第三信号焊盘33通过下层基板内的连接导线34与的第三连接焊盘31相连接。第三连接焊盘31可以为铜等的金属导电材质，其周围设计有绝缘孔盘14。绝缘孔盘14内可填充环氧树脂等绝缘材质或FR-4。

步骤D，基板互连

请参照图1～图4，将已固定MEMS芯片且完成焊线的上层基板1与中间基板2通过银胶、锡膏等导电胶4将各自基板边缘的环形铜层41互连。其中，中间基板内部设计有通孔，通孔内部填充有铜柱或银胶等导电材质，形成电信号导柱21。将电信号导柱的上游侧与上层基板的第一连接焊盘使用银胶、锡膏等导电胶4连接。为了防止不同的金属连接导线及电信号导柱间电路互通，电信号导柱周围均设计有绝缘孔盘14间隔开，在相应的位置完成涂导电胶后经过一定的温度和时间完成固化，实现上层基板1和中间基板2的连接固定。

然后，将固定好的上层基板和中间基板两者的组成件与带有凹槽且槽内已完成倒装焊固定有ASICA芯片的下层基板3拼合。将电信号导柱的下游侧与下层基板的第三连接焊盘使用银胶、锡膏等导电胶4连接。并且，通过导电胶4将中层基板反面的环形金属层41和下层基板外围的环形铜层41互连，最后经过一定的温度和时间完成固化，最终实现了三层基板的连接固定。此时，器件安装空间位于MEMS芯片中心振膜内侧的部分形成传感器后腔16。

以下对本实施例MEMS封装结构的结构特点逐一进行说明。

1.垂直倒装式前进音封装方式

对于同是封装MEMS硅麦克风声学传感器件，其工作原理都是相同的，都是将MEMS芯片与ASIC芯片合封在的一个密闭的空间，将声音信号先传给MEMS芯片，后引起MEMS芯片中心振膜的振动，将声音信号转为电压信号，后通过互连的ASIC芯片后将信号放大输出。

在传统的封装方式中，MEMS芯片与ASIC芯片是水平位置合封在同一个基板上，而后通过封装焊线工艺实现芯片间及与基板间的引线互连，如此将使得封装器件占据很大的空间。

本实用新型提供的垂直倒装式前进音封装方式将解决如上问题，它对应的MEMS芯片与ASIC芯片是垂直位置合封在两个不同的基板上，且固定ASIC芯片使用的是倒装焊的工艺，省去传统的焊线工艺也同样能实现芯片间及与基板间信号的互连，如此将极大的缩小了封装器件的体积，满足了更高的电路集成化的需求。

此外，由于MEMS芯片和ASIC芯片分别集成在不同的基板上，而后只要将两块基板粘贴在中层基板的两侧接口即可，因此对于工艺的要求更加宽松，可以大大降低工艺成本。

2.电信号导柱集成于基板内

本实施例中，通过基板内的电信号导柱(通孔内填充铜或银胶等导电材料)实现MEMS芯片与ASIC芯片及基板间的引线互连，将使得封装件更具有稳定性和可靠性。通孔周围设置有绝缘孔盘，绝缘孔盘是由一些绝缘材料构成，可防止不同信号间互连短路所导致的器件失效。同时，电信号导柱由通孔内填充导电材料制成，更便于大批量的生产，推动其实现工业化的生产。

3.传感器后腔体积提升，性能提升

请参照图1所示，本实施例中，MEMS芯片的中心振膜与进声孔之间形成传感器前腔。ASIC芯片采用倒装焊方式固定于下层基板，器件安装空间位于MEMS芯片中心振膜内侧的部分形成传感器后腔。传感器后腔的体积远远大于传感器前腔的体积。

其中，下层基板朝向芯片安装空间的一侧形成有凹槽，ASIC芯片安装于凹槽内；并且，ASIC芯片的水平面投影落入MEMS芯片的水平面投影之内；进声孔、MEMS芯片的中心振膜、凹槽正对设置，在空间上归属于上下垂直分布。且在此凹槽内采用倒装焊的形式固定ASIC芯片，如此将极大的扩大器件后腔的体积。

本实用新型所采用的此类垂直倒装式的封装方式既具有前进音结构形式，也具有大的后腔体积，它不仅可以在前进音封装结构的前提下，实现与背进音封装结构麦克风相近的性能。此外，采用此类垂直倒装式前进音封装方式将使得MEMS硅麦克风器件对应大的后腔体积，也将在一定程度上的提高器件的灵敏度与信噪比。

本实用新型独特的倒装型MEMS声学传感器装配结构，能在一些装配空间受限的诸如助听器、TWS耳机及电子烟等产品中得到广泛的应用。

4.ASIC芯片的倒装焊

不同于传统的焊线工艺实现芯片与基板间引线互连，本实施例中，ASIC芯片通过倒装焊方式信号连接于下层基板，将极大的节约封装的空间。

5.环形金属层的屏蔽作用

在每层基板间都有环形铜层来实现基板间的连接固定，实现了封装件的电磁屏蔽效果，进一步提升了传感器的精确性和灵敏度。

至此，本实施例MEMS封装结构介绍完毕。

基于上述的MEMS封装结构，本实用新型的第二个方面还提供了一种MEMS声学传感器。在本实用新型的一个示例性实施例中，该MEMS声学传感器包括：如上的MEMS封装结构。

需要说明的是，虽然本实用新型以MEMS声学传感器中的MEMS封装结构为例进行说明，但本领域技术人员应当理解，本实施例MEMS封装结构同样可以应用于助听器、TWS耳机、电子烟等各个领域，同样应当在本实用新型的保护范围。

至此，本实用新型的各个实施例介绍完毕。依据以上描述，本领域技术人员应当对本实用新型有了清楚的认识。

需要说明的是，实施例中提到的方向用语，例如“中心”、“横向”、“纵向”、“顶”、“底”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等，等指示的方位或位置关系仅为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。并且，贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。并且，图中各部件的形状和尺寸不反映真实大小和比例，而仅示意本实用新型实施例的内容。

需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体的连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”、“主”、“次”，以及阿拉伯数字、字母等，以修饰相应的元件，其本意仅用来使具有某命名的一个元件得以和另一具有相同命名的元件能做出清楚区分，并不意味着该元件有任何的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序。

本领域技术人员应当理解，本实用新型权利要求书和说明书中，单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件(或步骤)。位于元件(或步骤)之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件(或步骤)。

对于某些实现方式，如果其并非本实用新型的关键内容，且为所属技术领域中普通技术人员所熟知，则基于篇幅所限，在说明书附图或正文中并未对其进行详细说明，此时可参照相关现有技术进行理解。并且，提供如上实施例的目的仅是使得本实用新型满足法律要求，而本实用新型可以用许多不同形式实现，而不应被解释为限于此处所阐述的实施例。此外，上述对各元件和方法的定义并不仅限于实施例中提到的各种具体结构、形状或方式，本领域普通技术人员可对其进行简单的更改或替换。

类似的，应当理解，为了精简本实用新型，在上面对本实用新型的示例性实施例的描述中，本实用新型的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图，或者对其的描述中。然而，并不应将该实用新型的方法解释成反映如下意图：所要求保护的实用新型需要比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如权利要求书所反映的那样，各个实用新型方面在于少于前面单个实施例的所有特征。并且，实施例可基于设计及可靠度的考虑，彼此混合搭配使用或与其他实施例混合搭配使用，即不同实施例中的技术特征可以自由组合形成更多的实施例。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本实用新型的单独实施例。

以上各个具体实施例，对本实用新型的目的、技术手段和有益效果进行了详细说明，应理解的是，详细说明的目的在于本领域技术人员能够更清楚地理解本实用新型，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种MEMS封装结构，其特征在于，包括：

第三基板；

第一基板，其上开设有进声孔；

第二基板，呈中空环状，夹设于第一基板和第三基板之间；

其中，第一基板、第二基板、第三基板围成器件安装空间；在器件安装空间内，MEMS芯片固定于第一基板上，其背腔朝向进声孔；ASIC芯片固定于第三基板上；在第二基板内部沿纵向形成有供信号传输的电信号导柱，MEMS芯片的感应信号通过该电信号导柱传递至ASIC芯片。

2.根据权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述第二基板内，所述电信号导柱的外围设置有绝缘孔盘。

3.根据权利要求2所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述第二基板内，

所述电信号导柱由通孔内填充导电材料制成，所述导电材料为铜；和/或

所述绝缘孔盘的材料为玻璃纤维增强环氧树脂。

4.根据权利要求2所述的MEMS封装结构，其特征在于，

所述第一基板上与电信号导柱上游侧对应的位置设置有第一连接焊盘；

所述第三基板上与电信号导柱下游侧对应的位置设置有第三连接焊盘；

其中，所述第一连接焊盘和电信号导柱的上游侧通过导电胶实现信号连接；所述电信号导柱的下游侧与第三连接焊盘通过导电胶实现信号连接。

5.根据权利要求4所述的MEMS封装结构，其特征在于；

所述第一基板的外围设置有环形金属层，该环形金属层位于所述第一连接焊盘的外侧，且与第一连接焊盘电性绝缘；

所述第二基板正反面的外围均设置有环形金属层，该环形金属层位于电信号导柱的外侧，且与电信号导柱电性绝缘；

所述第三基板的外围设置有环形金属层，该环形金属层位于所述第三连接焊盘的外侧，且与第三连接焊盘电性绝缘；

其中，第一基板外围的环形金属层与第二基板正面外围的环形金属层两者通过导电胶连接；第二基板反面外围的环形金属层与第三基板外围的环形金属层两者通过导电胶连接。

6.根据权利要求4所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述导电胶为银胶或锡膏。

7.根据权利要求4所述的MEMS封装结构，其特征在于，在器件安装空间内，

第一基板上设置有第一信号焊盘，该第一信号焊盘通过第一基板内的电连接通路信号连接于所述第一连接焊盘；所述MEMS芯片的信号输出端通过导线或倒装焊方式信号连接于所述第一信号焊盘；和/或

第三基板上设置有第三信号焊盘，该第三信号焊盘信号通过第三基板内的电连接通路连接至所述第三连接焊盘；所述ASIC芯片采用倒装焊方式信号连接于所述第三信号焊盘。

8.根据权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，

所述第三基板朝向芯片安装空间的一侧形成有凹槽，所述ASIC芯片安装于所述凹槽内；和/或

所述ASIC芯片的水平面投影落入所述MEMS芯片的水平面投影之内；所述进声孔、MEMS芯片的中心振膜、凹槽正对设置。

9.根据权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，

所述第一基板、第二基板、第三基板为PCB基板；和/或

所述MEMS芯片的中心振膜与进声孔之间形成传感器前腔；所述器件安装空间位于MEMS芯片中心振膜内侧的部分形成传感器后腔；其中，所述传感器后腔的体积大于所述传感器前腔的体积。

10.一种MEMS声学传感器，其特征在于，包括：如权利要求1至9中任一项所述的MEMS封装结构。