CN220822681U - 一种支持交流电压充电的电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种支持交流电压充电的电路，第一基岛上封装有第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和直流充电电路IC；第二基岛上封装有第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管；第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极的公共点接入地线；第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极之间的公共点接入直流充电电路IC的输入端；第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的漏极的公共点连接第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管的栅极的公共点；第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管的漏极的公共点连接第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的栅极的公共点。本产品实现交流电压充电，降低了电子设备成本和风险。

Description

一种支持交流电压充电的电路

技术领域

本实用新型涉及一种电路，尤其涉及一种支持交流电压充电的电路。

背景技术

随着集成电路行业的大力发展，人们对电子产品的性能、价格和安全系数越来越看重，电子产品的充电技术也是一种体现。目前大多数的低压手持和智能穿戴电子产品只支持直流充电，亦即使用直流电源来为电池充电，将交流电源转换为所需的直流电源电压和电流，直流充电电路中的整流器用于将交流电源转换为直流电源；直流充电电路通常包括一个控制电路，用于监测电池的状态和充电进程，这个控制电路可以根据需要调整充电电压和电流，以确保电池安全且充电效率高。这种充电方式实现成本高，并且充电电流比较大还会对电池寿命会造成影响,存在安全隐患。

实用新型内容

为了解决上述技术所存在的不足之处，本实用新型提供了一种支持交流电压充电的电路。

为了解决以上技术问题，本实用新型采用的技术方案是一种支持交流电压充电的电路，它包括第一基岛和第二基岛；

第一基岛上封装有第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和直流充电电路IC；

第二基岛上封装有第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管；

第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极之间的公共点接入地线；

第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极之间的公共点接入直流充电电路IC的输入端；

第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的漏极之间的公共点连接第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管的栅极之间的公共点；

第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管的漏极之间的公共点连接第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的栅极之间的公共点。

进一步地，第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的漏极之间的公共点对外连接交流第一电压输入引脚。

进一步地，第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管的漏极之间的公共点对外连接交流第二电压输入引脚。

进一步地，直流充电电路IC的输出端对外连接直流充电输出引脚对电池进行直流充电。

本实用新型公开了一种支持交流电压充电的电路，实现交流电压充电，当D1、D2端口接入交流电压源时，通过MOS电路导通与关断，不管输入电压的方向如何变化，始终使电流从正向SP端口流出到直流充电电路IC的电源输入端，从反向SN端口流入并最终流回交流电压源，实现了由交流电压到直流电压的转换，降低了电子设备成本和风险。同时，采用四个MOS管与直流充电电路封装到一个芯片内，体积小，更利于控制板的小体积设计。

附图说明

图1为本实用新型的电气原理示意图。

图2为本实用新型的芯片封装打线示意图。

图3为本实用新型的实施例一的电路图。

图4为本实用新型的实施例二的电路图。

图中：1、第一基岛；11、第一NMOS晶体管；12、第一PMOS晶体管；13、直流充电电路IC；2、第二基岛；21、第二NMOS晶体管；22、第二PMOS晶体管。

具体实施方式

如图1所示，一种支持交流电压充电的电路，它包括第一基岛1和第二基岛2；第一基岛1上封装有第一NMOS晶体管11、第一PMOS晶体管12和直流充电电路IC13；第二基岛2上封装有第二NMOS晶体管21、第二PMOS晶体管22；第一NMOS晶体管11的源极和第二NMOS晶体管21的源极之间的公共点接入地线；第一PMOS晶体管12的源极和第二PMOS晶体管21的源极之间的公共点接入直流充电电路IC的输入端；第一NMOS晶体管11、第一PMOS晶体管12的漏极之间的公共点连接第二NMOS晶体管21、第二PMOS晶体管22的栅极之间的公共点；第二NMOS晶体管21、第二PMOS晶体管22的漏极之间的公共点连接第一NMOS晶体管11、第一PMOS晶体管12的栅极之间的公共点。第一NMOS晶体管11、第一PMOS晶体管12的漏极之间的公共点对外连接交流第一电压输入引脚。第二NMOS晶体管21、第二PMOS晶体管22的漏极之间的公共点对外连接交流第二电压输入引脚。直流充电电路IC13的输出端对外连接直流充电输出引脚对电池进行直流充电。

如图2所示为对应图1的封装打线图，其中，区域Source为MOS晶体管的源极，区域G1和区域G2为MOS晶体管的栅极，第一基岛中的PMOS和NMOS晶体管的漏极位于晶体管的背面并都与第一基岛相连接，第二基岛中的PMOS和NMOS晶体管的漏极位于晶体管的背面并都与第二基岛相连接，第一基岛连接IN2引脚，第二基岛连接IN1引脚。对于图中直流充电电路IC的引线端PAD，VCC与第一基岛上PMOS晶体管和第二基岛上PMOS晶体管之间的公共点相连接，GND与GND引脚相连接，BAT与直流输出引脚BAT相连接。第一基岛中的NMOS晶体管的源极和第二基岛中NMOS晶体管的源极之间的公共点与GND引脚相连接。第一基岛中NMOS和PMOS晶体管的栅极G1与第二基岛相连接，第二基岛中NMOS和PMOS晶体管的栅极G2与第一基岛相连接。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

实施例一，由MOS电路和BDP4056充电管理芯片(直流充电电路IC)以双基岛的方式进行组合双封，电路双封完成后的引脚有IN1(即：D1)、IN2(即：D2)、GND、BAT,如图3所示，MOS电路中的NMOS晶体管Q1的漏端和PMOS晶体管Q2的漏端相接并连到D1端口，NMOS晶体管Q3的漏端和PMOS晶体管Q4的漏端相接并连到D2端口；NMOS晶体管Q1的源端和NMOS晶体管Q3的源端相接并连到SN端口，PMOS晶体管Q2的源端和PMOS晶体管Q4的源端相接并连到SP端口；NMOS晶体管Q1的栅端和PMOS晶体管Q2的栅端相接并连到G1端口，NMOS晶体管Q3的栅端和PMOS晶体管Q4的栅端相接并连到G2端口；D1端口连接交流电压的一端并和G2端口相连接，D2端口连接交流电压的另一端并和G1端口相连接，SP端口连接直流充电电路ICBDP4056的VCC电源输入端，SN端口接地，直流充电电路IC的BAT端口连接电池的1端口进行直流充电，直流充电电路IC的GND端口接地，电池的2端口接地。

本实施例的交流电压充电原理为：交流电源的两端连接D1、D2输入端口，由于D1端口和G2端口相连接，D2端口和G1端口相连接；当D1端口输入高电位时，G2端口同为高电位，此时D2端口为低电位，G1端口为低电位，故此时MOS晶体管Q2、Q3导通，此时电流流向为端口D1、MOS晶体管Q2、SP端口、直流充电电路IC的VCC端口、BAT端口输出直流给电池充电、电池的2端口、GND、SN端口、MOS晶体管Q3、D2端口、交流源的一端。当D1端口输入低电位时，G2端口同为低电位，此时D2端口为高电位，G1端口为高电位，故此时MOS晶体管Q1、Q4导通，此时电流流向为D2端口、MOS晶体管Q4、SP端口、直流充电电路IC的VCC端口、BAT端口输出直流给电池充电、电池的2端口、GND、SN端口、MOS晶体管Q1、D1端口、交流源的一端。当D1、D2端口接入交流电压源时，通过MOS电路导通与关断，不管输入电压的方向如何变化，始终使电流从正向SP端口流出到直流充电电路IC的电源输入端，从反向SN端口流入并最终流回交流电压源，实现了由交流电压到直流电压的转换。

实施例二，由MOS电路和BDP4056充电管理芯片(直流充电电路IC)以双基岛的方式进行组合双封，如图4所示的另一种打线方式进行双封，双封完成后的引脚有IN1(D1)、IN2(D2)、GND、BAT、STDBY、PROG、CHRG、TEMP、CE，电路连接方式同实施例一。如下：NMOS晶体管Q1的漏端和PMOS晶体管Q2的漏端相接并连到D1端口，NMOS晶体管Q3的漏端和PMOS晶体管Q4的漏端相接并连到D2端口。NMOS晶体管Q1的源端和NMOS晶体管Q3的源端相接并连到SN端口，PMOS晶体管Q2的源端和PMOS晶体管Q4的源端相接并连到SP端口。NMOS晶体管Q1的栅端和PMOS晶体管Q2的栅端相接并连到G1端口，NMOS晶体管Q3的栅端和PMOS晶体管Q4的栅端相接并连到G2端口。D1端口连接交流电压的一端并和G2端口相连接，D2端口连接交流电压的另一端并和G1端口相连接，SP端口连接直流充电电路IC的VCC电源输入端，SN端口接地,直流充电电路IC的BAT端口连接电池的1端口进行直流充电，直流充电电路IC的GND端口接地，电池的2端口接地。

交流电压充电原理同上，这里不做赘述，当D1、D2端口接入交流电压源时，通过MOS电路导通与关断，不管输入电压的方向如何变化，始终使电流从正向SP端口流出到直流充电电路IC的电源输入端，从反向SN端口流入并最终流回交流电压源，实现了由交流电压到直流电压的转换。

上述实施方式并非是对本实用新型的限制，本实用新型也并不仅限于上述举例，本技术领域的技术人员在本实用新型的技术方案范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也均属于本实用新型的保护范围。

Claims (4)

1.一种支持交流电压充电的电路，其特征在于：它包括第一基岛(1)和第二基岛(2)；

所述第一基岛(1)上封装有第一NMOS晶体管(11)、第一PMOS晶体管(12)和直流充电电路IC(13)；

所述第二基岛(2)上封装有第二NMOS晶体管(21)、第二PMOS晶体管(22)；

所述第一NMOS晶体管(11)的源极和第二NMOS晶体管(21)的源极之间的公共点接入地线；

所述第一PMOS晶体管(12)的源极和第二PMOS晶体管(22)的源极之间的公共点接入直流充电电路IC的输入端；

所述第一NMOS晶体管(11)、第一PMOS晶体管(12)的漏极之间的公共点连接第二NMOS晶体管(21)、第二PMOS晶体管(22)的栅极之间的公共点；

所述第二NMOS晶体管(21)、第二PMOS晶体管(22)的漏极之间的公共点连接第一NMOS晶体管(11)、第一PMOS晶体管(12)的栅极之间的公共点。

2.根据权利要求1所述的支持交流电压充电的电路，其特征在于：所述第一NMOS晶体管(11)、第一PMOS晶体管(12)的漏极之间的公共点对外连接交流第一电压输入引脚。

3.根据权利要求1或2所述的支持交流电压充电的电路，其特征在于：所述第二NMOS晶体管(21)、第二PMOS晶体管(22)的漏极之间的公共点对外连接交流第二电压输入引脚。

4.根据权利要求3所述的支持交流电压充电的电路，其特征在于：所述直流充电电路IC(13)的输出端对外连接直流充电输出引脚对电池进行直流充电。