CN220746141U - 扩散炉 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种扩散炉包括：炉体、分散板、第一气管以及第二气管。分散板上设置有多个通气孔，分散板具有第一曲面。第一气管插入缓冲腔内。第二气管伸入合成腔内。分散板将炉体的内部分隔为缓冲腔及合成腔，气体从第一气管进入缓冲腔后被分散板阻挡，从而降低了气体的流速，稳定缓冲腔内的气流，使气体在缓冲腔内充分混合，充分混合的气体能够有效地提高与其反应的硅片方阻的均匀性。由于通气孔的分散作用，使气体通过分散板上通气孔平缓、均匀的进入合成腔内，从而使气体分流更加稳定，使得气体均匀地扩散至合成腔。第一曲面对气体起到了导向作用，从而能够有效地减少涡流和紊流的产生，以使气体更加稳定、且均匀低扩散至缓冲腔。

Description

扩散炉

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种扩散炉。

背景技术

太阳能电池，也称光伏电池，是一种太阳能的光能直接转化为电能的半导体器件。由于他是绿色的环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。

扩散是晶体硅太阳能电池片生产过程中的一道重要工序，目前采用的晶体硅太阳能电池片的扩散方法为：将晶体硅片放置于卧式扩散炉腔内，通入混合气体，在低压状态下对晶体硅片进行扩散，扩散加工后得到的晶体硅片内的表面方块电阻均匀性差，在进行高表面方块电阻制作时，容易导致后续的生产过程出现低效率的晶体硅太阳能电池片。

实用新型内容

为达到上述目的，本申请提供了一种扩散炉，其包括：炉体，所述炉体包括相对设置有第一端及第二端；分散板，所述分散板设置在所述炉体内，并位于所述第一端，所述分散板将所述炉体的内部分隔为缓冲腔及合成腔，所述分散板上设置有多个通气孔，所述分散板上位于所述缓冲腔内的板面为第一曲面；第一气管，所述第一气管设置在所述炉体上，并位于所述第一端，所述第一气管的一端插入所述缓冲腔内，并与所述缓冲腔连通，所述第一气管的另一端伸出所述炉体；以及第二气管，所述第二气管设置在所述炉体上，并位于所述第一端，所述第二气管的一端穿过所述缓冲腔伸入所述合成腔内，并与所述合成腔连通，所述第二气管的一端延伸至所述第二端，所述第二气管的另一端伸出所述炉体。

如上所述的扩散炉，其中，所述炉体上位于所述缓冲腔内的板面为第二曲面。

如上所述的扩散炉，其中，所述第一曲面向所述缓冲腔内凸出，所述第二曲面向远离所述缓冲腔的方向凹陷，所述第一曲面的曲率大于所述第二曲面的曲率。

如上所述的扩散炉，其中，所述第一气管的设置位置与所述分散板的板面的中心相对应。

如上所述的扩散炉，其中，在所述分散板的板面的中心到所述分散板的板面的边缘的方向上，相邻两个所述通气孔中，邻近所述分散板的中心设置的所述通气孔的过流面积为S1，邻近所述分散板的边缘设置的所述通气孔的过流面积为S2，S2＞S1。

如上所述的扩散炉，其中，在所述分散板的板面的中心到所述分散板的板面的边缘的方向上，多个所述通气孔的过流面积逐渐变大。

如上所述的扩散炉，其中，所述第二气管邻近所述炉体的炉壁设置。

如上所述的扩散炉，其中，所述第二气管的数量为两个，且两个所述第二气管对称在设置在所述第一气管的两侧。

如上所述的扩散炉，其中，所述第一气管的位于所述缓冲腔内的部分上设有多个进气孔。

如上所述的扩散炉，其中，在所述第一气管的一端抵靠在所述分散板上，在所述第一气管的一端到所述第一气管的另一端的方向上，多个所述进气孔面积逐渐变小。

与现有技术相比，上述的技术方案具有如下的优点：

分散板将炉体的内部分隔为缓冲腔及合成腔，气体从第一气管进入缓冲腔后被分散板阻挡，从而降低了气体的流速，稳定缓冲腔内的气流，使气体在缓冲腔内充分混合，充分混合的气体能够有效地提高与其反应的硅片方阻的均匀性；由于通气孔的分散作用，使气体通过分散板上通气孔平缓、均匀的进入合成腔内，从而使气体分流更加稳定，使得气体均匀地扩散至合成腔，以使气体充分、且均匀地与炉体内的硅片反应，进而提高了硅片方阻的均匀性。另外，当气体从第一气管吹向分散板时，第一曲面对气体起到了导向作用，从而能够有效地减少涡流和紊流的产生，以使气体更加稳定、且均匀低扩散至缓冲腔，进而使气体在缓冲腔内充分混合。

附图说明

以下附图仅旨在于对本申请做示意性说明和解释，并不限定本申请的范围。其中：

图1是本申请所述的扩散炉第一种实施例的局部剖视结构示意图；

图2是本申请所述的扩散炉第二种实施例的局部剖视结构示意图；

图3是本申请所述的分散板的结构示意图；

图4是本申请所述的扩散炉第三种实施例的局部剖视结构示意图；

图5是本申请所述的扩散炉第四种实施例的局部剖视结构示意图；

图6是本申请所述的扩散炉第五种实施例的局部剖视结构示意图。

附图标号说明：

10、炉体；11、第一端；12、第二端；13、缓冲腔；14、合成腔；15、第二曲面；

20、分散板；21、通气孔；22、第一曲面；

30、第一气管；31、进气孔；

40、第二气管。

具体实施方式

下面通过附图和实施例对本申请进一步详细说明。通过这些说明，本申请的特点和优点将变得更为清楚明确。

在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。下述讨论提供了本申请的多个实施例。虽然每个实施例代表了申请的单一组合，但是本申请不同实施例可以替换，或者合并组合，因此本申请也可认为包含所记载的相同和/或不同实施例的所有可能组合。因而，如果一个实施例包含A、B、C，另一个实施例包含B和D的组合，那么本申请也应视为包括含有A、B、C、D的一个或多个所有其他可能的组合的实施例，尽管该实施例可能并未在以下内容中有明确的文字记载。此外，下面所描述的本申请不同实施方式中涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

如图1所示，本申请提供的扩散炉包括：炉体10、分散板20、第一气管30以及第二气管40。

炉体10包括相对设置有第一端11及第二端12。

分散板20设置在炉体10内，并位于第一端11，分散板20将炉体10的内部分隔为缓冲腔13及合成腔14，分散板20上设置有多个通气孔21，分散板20上位于缓冲腔13内的板面为第一曲面22。

第一气管30设置在炉体10上，并位于第一端11，第一气管30的一端插入缓冲腔13内，并与缓冲腔13连通，第一气管30的另一端伸出炉体10。

第二气管40设置在炉体10上，并位于第一端11，第二气管40的一端穿过缓冲腔13伸入合成腔14内，并与合成腔14连通，第二气管40的一端延伸至第二端12，第二气管40的另一端伸出炉体10。

本申请提供的扩散炉，分散板20将炉体10的内部分隔为缓冲腔13及合成腔14，气体从第一气管30进入缓冲腔13后被分散板20阻挡，从而降低了气体的流速，稳定缓冲腔13内的气流，使气体在缓冲腔13内充分混合，充分混合的气体能够有效地提高与其反应的硅片方阻的均匀性。

另外，由于通气孔21的分散作用，使气体通过分散板20上通气孔21平缓、均匀的进入合成腔14内，从而使气体分流更加稳定，使得气体均匀地扩散至合成腔14，以使气体充分、且均匀地与炉体10内的硅片反应，进而提高了硅片方阻的均匀性。

另外，当气体从第一气管30吹向分散板20时，第一曲面22对气体起到了导向作用，从而能够有效地减少涡流和紊流的产生，以使气体更加稳定、且均匀低扩散至缓冲腔13，进而使气体在缓冲腔13内充分混合。

如图2所示，在本申请的一个实施例中，炉体10上位于缓冲腔13内的板面为第二曲面15。

第二曲面15进一步对气体起到了导向作用，能够进一步有效地减少涡流和紊流的产生，以使气体进一步的更加稳定、且均匀低扩散至缓冲腔13，进而使气体进一步在缓冲腔13内充分混合，充分混合的气体能够有效地提高与其反应的硅片方阻的均匀性。

在本申请的一个实施例中，第一曲面22向缓冲腔13内凸出，第二曲面15向远离缓冲腔13的方向凹陷，第一曲面22的曲率大于第二曲面15的曲率。

上述结构使得缓冲腔13的形状更加合理，从而能够更加有效地减少涡流和紊流的产生，以使气体更加稳定、且均匀低扩散至缓冲腔13，进而使气体在缓冲腔13内充分混合。

如图2所示，在本申请的一个实施例中，第一气管30的设置位置与分散板20的板面的中心相对应。

上述结构使得气体从分散板20的板面的中心均匀地向分散板20的边缘扩散，从而使得气体被分散板20分散后流向缓冲腔13各处的气体的流量基本相同，使气体分流更加稳定，以使气体更加稳定、且均匀低扩散至缓冲腔13，进而使气体在缓冲腔13内充分混合。

如图3所示，在本申请的一个实施例中，在分散板20的板面的中心到分散板20的板面的边缘的方向上，相邻两个通气孔21中，邻近分散板20的中心设置的通气孔21的过流面积为S1，邻近分散板20的边缘设置的通气孔21的过流面积为S2，S2＞S1。

上述结构使得从每一通气孔21流出的气体的流量基本相同，使气体均匀的进入合成腔14内，从而使气体分流更加稳定，使得气体均匀地扩散至合成腔14，以使气体充分、且均匀地包围硅片，使得气体与硅片均匀、且稳定的反应，进而提高了硅片方阻的均匀性。

如图3所示，在本申请的一个实施例中，在分散板20的板面的中心到分散板20的板面的边缘的方向上，多个通气孔21的过流面积逐渐变大。

上述结构设计的更加更合理，使气体更加均匀的进入合成腔14内，从而使气体分流更加稳定，使得气体均匀地扩散至合成腔14，以使气体充分、且均匀地包围硅片，使得气体与硅片均匀、且稳定的反应，进而提高了硅片方阻的均匀性。

如图4所示，在本申请的一个实施例中，第二气管40邻近炉体10的炉壁设置。

第二气管40沿着炉体10的内壁敷设，可以起到稳定炉体10第二端12处气流场的作用，以使气体充分、且均匀地与炉体10内的硅片反应，从而提高硅片方阻的均匀性。

如图4和图5所示，在本申请的一个实施例中，第二气管40的数量为两个，且两个第二气管40对称在设置在第一气管30的两侧。

上述结构可以进一步起到稳定炉体10第二端12处气流场的作用，以使气体充分、且均匀地与炉体10内的硅片反应，从而提高硅片方阻的均匀性。

如图6所示，在本申请的一个实施例中，第一气管30的位于缓冲腔13内的部分上设有多个进气孔31。

上述结构使得气体快速地分散到缓冲腔13的各处，从而使气体在缓冲腔13内充分混合。

如图6所示，在本申请的一个实施例中，在第一气管30的一端抵靠在分散板20上，在第一气管30的一端到第一气管30的另一端的方向上，多个进气孔31面积逐渐变小。

上述结构使得从每一进气孔31流出的气体的流量基本相同，以使气体均匀的进入缓冲腔13内，从而使气体分流更加稳定，以使气体更加稳定、且均匀低扩散至缓冲腔13，进而使气体在缓冲腔13内充分混合。

上述实施例是以第一气管30为进气管、第二气管40为出气管为例具体阐述了相应的技术效果。本领域的技术人员应该理解，第一气管30也可为出气管、第二气管40为进气管，该实施例也可以实现提高硅片方阻的均匀性的效果，在此就不一一阐述。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解。术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

以上结合了优选的实施方式对本申请进行了说明，不过这些实施方式仅是范例性的，仅起到说明性的作用。在此基础上，可以对本申请进行多种替换和改进，这些均落入本申请的保护范围内。

Claims (10)

1.一种扩散炉，其特征在于，所述扩散炉包括：

炉体，所述炉体包括相对设置有第一端及第二端；

分散板，所述分散板设置在所述炉体内，并位于所述第一端，所述分散板将所述炉体的内部分隔为缓冲腔及合成腔，所述分散板上设置有多个通气孔，所述分散板上位于所述缓冲腔内的板面为第一曲面；

第一气管，所述第一气管设置在所述炉体上，并位于所述第一端，所述第一气管的一端插入所述缓冲腔内，并与所述缓冲腔连通，所述第一气管的另一端伸出所述炉体；以及

第二气管，所述第二气管设置在所述炉体上，并位于所述第一端，所述第二气管的一端穿过所述缓冲腔伸入所述合成腔内，并与所述合成腔连通，所述第二气管的一端延伸至所述第二端，所述第二气管的另一端伸出所述炉体。

2.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，

所述炉体上位于所述缓冲腔内的板面为第二曲面。

3.根据权利要求2所述的扩散炉，其特征在于，

所述第一曲面向所述缓冲腔内凸出，所述第二曲面向远离所述缓冲腔的方向凹陷，所述第一曲面的曲率大于所述第二曲面的曲率。

4.根据权利要求1所述的扩散炉，其特征在于，

所述第一气管的设置位置与所述分散板的板面的中心相对应。

5.根据权利要求4所述的扩散炉，其特征在于，

在所述分散板的板面的中心到所述分散板的板面的边缘的方向上，相邻两个所述通气孔中，邻近所述分散板的中心设置的所述通气孔的过流面积为S1，邻近所述分散板的边缘设置的所述通气孔的过流面积为S2，S2＞S1。

6.根据权利要求5所述的扩散炉，其特征在于，

在所述分散板的板面的中心到所述分散板的板面的边缘的方向上，多个所述通气孔的过流面积逐渐变大。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的扩散炉，其特征在于，

所述第二气管邻近所述炉体的炉壁设置。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的扩散炉，其特征在于，

所述第二气管的数量为两个，且两个所述第二气管对称在设置在所述第一气管的两侧。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的扩散炉，其特征在于，

所述第一气管的位于所述缓冲腔内的部分上设有多个进气孔。

10.根据权利要求9所述的扩散炉，其特征在于，

在所述第一气管的一端抵靠在所述分散板上，在所述第一气管的一端到所述第一气管的另一端的方向上，多个所述进气孔面积逐渐变小。