CN214830646U - 一种lpcvd进气结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型为一种LPCVD进气结构，包括炉管以及进气管一；所述进气管一共两根，两根进气管一对称设置于炉管内部；进气管一上设置有至少一组气孔组；本实用新型通过通过对称设置两根进气管一，使工艺腔体内产品两侧的气流一致，减少色差。

Description

一种LPCVD进气结构

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造领域，特别是涉及一种LPCVD进气结构。

背景技术

在传统的晶体硅太阳能电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素。为了解决上述问题，提出了钝化接触技术，通过钝化接触技术减少接触复合，对晶硅电池效率提升明显。

钝化接触技术的核心工艺在于本征非晶硅沉积，目前应用较为广泛的主要有常压化学气相沉积APCVD、等离子体增强型化学气相沉积PECVD以及低压化学气相沉积LPCVD，其中LPCVD由于其较好的沉积均匀性，较高的沉积速率，良好的稳定性以及较低的颗粒污染源，被广泛使用。

常规的LPCVD使用炉口进气，炉尾端单进气的方式，通入的硅烷气体在600℃左右高温分解，最终在硅片表面沉积一层非晶硅薄膜。但是由于硅烷的管道单一，导致补气流量较大的时候，气流的扰流严重，容易造成相邻硅片沉积非晶硅不均匀的情况；另一方面，靠近硅烷管道出气口的硅片，由于气流较大，极易导致沉积色差，影响硅片的外观以及电性能的效率。因此需要一种抵消管道出气口气流冲击的进气结构。

发明内容

本实用新型的目的是解决现有技术的不足，提供一种LPCVD进气结构，结构简单，使用方便。

一种LPCVD进气结构，包括炉管以及进气管一；所述进气管一共两根，两根进气管一对称设置于炉管内部；进气管一上设置有至少一组气孔组。

进一步的，所述炉管包括炉尾、管壁以及炉口，管壁的两端分别设置炉尾以及炉口；炉尾设置有炉尾盖板；炉尾盖板上设置有进气支路，进气支路共两个，两个进气支路对称设置。

进一步的，所述两个进气支路之间设置有连接管道；连接管道上设置有进气口。

进一步的，所述进气管一的一端与进气支路连接，另一端密封；进气管道上设置有两组气孔，分别为气孔组一以及气孔组二；气孔组一至少包括一个气孔，气孔组二至少包括一个气孔；气孔组一中气孔的连线与进气管一的轴线平行；气孔组二中气孔的连线与进气管一的轴线平行。

进一步的，所述气孔组一中的任意一个气孔与气孔组二中相对的气孔设置于进气管一的同一截面，该截面与进气管一的轴线垂直。

进一步的，所述气孔组一中的气孔与气孔组二中相对的气孔关于轴线形成的夹角呈设定角度。

进一步的，所述炉管的炉口设置有支撑杆，支撑杆与进气管一对接。

进一步的，所述炉尾盖板上还设置有尾部进气管，尾部进气管与进气管二连接；进气管二位于炉管内的底部。

进一步的，所述气孔组一以及气孔组二的气孔的孔径范围为0.5mm～3mm；气孔组一的气孔和气孔组二气孔为等间距布置或者非等间距布置。

进一步的，所述气孔组一中的气孔与气孔组二中相对的气孔关于轴线形成的夹角为120°。

本实用新型的有益效果为：

通过对称设置两根进气管一，使工艺腔体内产品两侧的气流一致，减少色差；

通过在进气管上设置气孔组一与气孔组二，分别实现进气，并且气孔组一与气孔组二的进气方向与管壁的内壁契合，减少气流的冲击；

通过在炉管内的底部位置设置传统的进气管二，与进气管一相配合，进一步保证炉管内反应气体分布均匀。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的立体图；

图2为本实用新型实施例一的结构图；

图3为本实用新型实施例一的炉管内部连接结构图；

图4为本实用新型实施例一的炉管径向截面的局部放大图；

图5为本实用新型实施例一的进气管一示意图。

附图标识说明：炉管1、炉尾11、进气支路121、连接管道122、进气口123、尾部进气管124、管壁13、炉口14、支撑杆141、炉口法兰142、进气管一2、气孔组一21、气孔组二22、进气管二3。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一：

如图1-3所示，一种LPCVD进气结构，包括炉管1以及进气管一2。所述进气管一2共两根，两根进气管一2对称设置于炉管1内部；一根进气管一2上设置有两组气孔，两组气孔之间间隔设定角度。在本例中两组气孔间隔120°。

所述炉管1包括炉尾11、管壁13以及炉口14，管壁13的两端分别设置炉尾11以及炉口14；炉尾11设置有炉尾盖板。炉尾盖板上设置有进气支路121，进气支路121共两个，两个进气支路121对称设置，两个进气支路121之间设置有连接管道122。连接管道122上设置有进气口123。

如图4、5所示，所述进气管一2的一端与进气支路121连接，另一端密封；进气管一2与进气支路121连通。进气管道上设置有两组气孔，分别为气孔组一 21以及气孔组二22，其中气孔组一21至少包括一个气孔，气孔组二22至少包括一个气孔。气孔组一21与气孔组二22均朝向炉管1内。气孔组一21中气孔的连线与进气管一2的轴线平行；气孔组二22中气孔的连线与进气管一2的轴线平行。在本例中气孔组一21中的任意一个气孔与气孔组二22中相对的气孔设置于进气管一2的同一截面，该截面为进气管一2的径向截面，截面与进气管一 2的轴线垂直。气孔组一21中的气孔与气孔组二22中相对的气孔关于轴线形成的夹角呈设定角度，在本例中为120°，目的是使气孔出气的角度能够与管壁13 的内侧相契合，减少气流冲击。

所述炉管1的炉口14设置有支撑杆141，支撑杆141与进气管一2密封的一端对接，目的是避免进气管一2下垂导致变形，同时也保证进气管一2通气时候能够保持稳定。炉口14还设置有炉口法兰142，通过炉口法兰142能够实现炉门和炉口14的密封连接。

在一些其他实施方式中，炉尾盖板上还设置有尾部进气管124，尾部进气管 124与进气管二3连接，其中进气管二3为传统的反应气体进气管，进气管二3 位于炉管1内的底部。

所述气孔组一21以及气孔组二22的气孔的孔径范围为0.5mm～3mm。其中气孔组一21的气孔和气孔组二22气孔可以等间距布置，也可以非等间距布置。

在一些其他实施方式中进气管一2上仅包括一组气孔组或者两组以上气孔组。

在本例中通过两根对称设置的进气管一2，使进气的气流对冲，避免了气流扰动的产生；通过两根进气管一2上的气孔组一21与气孔组二22分别实现进气，并且进气方向与管壁13的内壁契合，减少气流冲击；在炉管1内的底部位置还设置有传统的进气管二3，与进气管一2相配合，进一步保证炉管1内反应气体分布均匀。

以上描述仅是本实用新型的一个具体实例，不构成对本实用新型的任何限制。显然对于本领域的专业人员来说，在了解了本实用新型内容和原理后，都可能在不背离本实用新型原理、结构的情况下，进行形式和细节上的各种修改和改变，但是这些基于本实用新型思想的修正和改变仍在本实用新型的权利要求保护范围之内。

Claims (8)

1.一种LPCVD进气结构，其特征在于，包括炉管以及进气管一；所述进气管一共两根，两根进气管一对称设置于炉管内部；进气管一上设置有至少一组气孔组；炉管包括炉尾、管壁以及炉口，管壁的两端分别设置炉尾以及炉口；炉尾设置有炉尾盖板；炉尾盖板上设置有进气支路，进气支路共两个，两个进气支路对称设置。

2.根据权利要求1所述的一种LPCVD进气结构，其特征在于，所述两个进气支路之间设置有连接管道；连接管道上设置有进气口。

3.根据权利要求1所述的一种LPCVD进气结构，其特征在于，所述进气管一的一端与进气支路连接，另一端密封；进气管道上设置有两组气孔，分别为气孔组一以及气孔组二；气孔组一至少包括一个气孔，气孔组二至少包括一个气孔；气孔组一中气孔的连线与进气管一的轴线平行；气孔组二中气孔的连线与进气管一的轴线平行。

4.根据权利要求3所述的一种LPCVD进气结构，其特征在于，所述气孔组一中的任意一个气孔与气孔组二中相对的气孔设置于进气管一的同一截面，该截面与进气管一的轴线垂直。

5.根据权利要求3所述的一种LPCVD进气结构，其特征在于，所述炉管的炉口设置有支撑杆，支撑杆与进气管一对接。

6.根据权利要求1所述的一种LPCVD进气结构，其特征在于，所述炉尾盖板上还设置有尾部进气管，尾部进气管与进气管二连接；进气管二位于炉管内的底部。

7.根据权利要求3所述的一种LPCVD进气结构，其特征在于，所述气孔组一以及气孔组二的气孔的孔径范围为0.5mm~3mm；气孔组一的气孔和气孔组二气孔为等间距布置或者非等间距布置。

8.根据权利要求4所述的一种LPCVD进气结构，其特征在于，所述气孔组一中的气孔与气孔组二中相对的气孔关于轴线形成的夹角为120°。

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