CN220364582U - 炉管通气装置及化学气相沉积设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种炉管通气装置及化学气相沉积设备，炉管通气装置包括第一通气管，第一通气管包括通气管段，通气管段上沿轴向均匀间隔开设有多个第一通气孔，多个第一通气孔的孔径沿通气管段的通气方向均匀增大；通气管段用于设置在炉管的反应腔内的轴向中部，并平行于反应腔的轴向。本申请的炉管通气装置，通过设置通气管段上沿轴向均匀开设多个第一通气孔，多个第一通气孔的孔径沿通气方向均匀增大，可以向化学气相沉积设备炉管的反应腔内沿着进气端至排气端的方向均匀补充反应气体，有效改善反应腔内反应气体分布的均匀性，进而改善电池片片内薄膜厚度的均匀性，提高电池片良率。

Description

炉管通气装置及化学气相沉积设备

技术领域

本申请涉及光伏电池生产设备技术领域，特别是涉及炉管通气装置及化学气相沉积设备。

背景技术

随着光伏技术的发展，晶体硅太阳能电池的转换效率逐年提高。由于主流P型双面PERC(Passivated Emitterand Rear Cell，发射极背面钝化电池)电池已经遇到转换效率瓶颈，各个电池厂商开始布局N型高效电池。其中，TOPCon(Tunnel Oxide PassivatedContact，氧化层钝化接触)电池凭借效率高、衰减低、与PERC产线兼容性高等诸多优点脱颖而出，成为行业内许多厂商研发和生产投入的重点。TOPCon电池结构中的隧穿氧化层对均匀性要求极高，过厚和过薄均会引发后续电池片不良而导致电池片不良率上升。

相关技术中，在TOPCon电池的制备过程中，主流选择LPCVD(Low PressureChemical Vapor Deposition，低压力化学气相沉积法)的方式制备隧穿氧化层。LPCVD设备通常采用由炉管的炉口环形进气，炉中或者炉中和炉尾直通式进气，并从炉管的尾端抽气的通气方式，化学气体从炉管的一端流向另一端，一部分化学气体将被吸附在硅片表面上，借助温度的作用发生沉积反应。

然而，炉口环形进气、炉中或者炉中和炉尾直通式进气的通气方式，容易导致气流不均匀，往往需要通过改变炉口到炉尾各个温区的温度，来调节沉积的隧穿氧化层厚度的均匀性；但调节温度会使炉口到炉尾各温区的温度出现差异，导致热量流窜，从而导致成膜质量存在差异，尤其是距离炉中进气口位置较近的电池片片内薄膜厚度的均匀性较差，例如出现一个边或者角偏厚，从而引发后续电池片不良率上升。

实用新型内容

基于此，有必要针对LPCVD设备的通气方式容易导致气流不均匀，导致电池片片内薄膜厚度的均匀性较差的问题，提供一种炉管通气装置及化学气相沉积设备。

第一方面，一种炉管通气装置，包括：

第一通气管，包括通气管段，所述通气管段上沿轴线方向均匀间隔开设有多个第一通气孔，且多个所述第一通气孔的孔径沿所述通气管段的通气方向均匀增大；

所述通气管段用于设置在炉管的反应腔内的轴向中部，并平行于所述反应腔的轴线方向。

在其中一个实施例中，所述通气管段上任意相邻的两个所述第一通气孔之间的间距为所述多个第一通气孔的最大孔径的1倍-2.5倍；

其中，所述多个第一通气孔的最大孔径是指多个所述第一通气孔中孔径最大的所述第一通气孔的孔径。

在其中一个实施例中，所述多个第一通气孔的最大孔径小于所述通气管段的内径。

在其中一个实施例中，所述通气管段的位于通气方向下游的端部闭合。

在其中一个实施例中，所述第一通气管还包括连接管段，所述连接管段的一端与所述通气管段的入口端连接，所述连接管段的另一端用于进气，所述连接管段用于穿设连接在所述炉管的管壁上。

在其中一个实施例中，所述炉管通气装置包括多个所述通气管段，多个所述通气管段用于沿所述反应腔的内壁周向等间隔分布。

在其中一个实施例中，所述炉管通气装置还包括第二通气管，所述第二通气管上沿轴线方向均匀间隔开设有多个第二通气孔，且多个所述第二通气孔的孔径沿所述第二通气管的通气方向均匀增大；

所述第二通气管用于设置在所述反应腔内的排气端，并平行于所述反应腔的轴线方向，且所述第二通气管的通气方向与所述反应腔内的气流方向相反。

在其中一个实施例中，所述炉管通气装置还包括环形进气管，所述环形进气管上设置有环形进气口，所述环形进气管用于设置在所述反应腔内的进气端。

第二方面，一种化学气相沉积设备，包括：

炉管，内部形成密闭的反应腔，所述反应腔沿轴向具有相对设置的进气端和排气端，所述进气端用于进气，所述排气端设有与所述反应腔连通的抽气口；以及

如第一方面任一项所述的炉管通气装置。

在其中一个实施例中，所述炉管通气装置的通气管段设置在所述反应腔内的底部。

上述炉管通气装置，通过设置第一通气管的通气管段上沿轴线方向均匀间隔开设多个第一通气孔，且多个第一通气孔的孔径沿通气管段的通气方向均匀增大，在将通气管段设置在化学气相沉积设备炉管的反应腔内的轴向中部，并平行于反应腔的轴线方向的情况下，炉管通气装置可以向反应腔内沿着进气端至排气端的方向均匀补充反应气体，改善反应腔内反应气体的均匀性，反应腔内的反应气体分布更均匀，改善沉积反应过程中硅片片内的气氛条件，无需通过改变进气端到排气端各个温区的温度来调节沉积的薄膜厚度的均匀性，保证进气端到排气端的各个温区温度一致，避免成膜质量存在差异，从而在减少进气端到排气端各温区的温度差异的条件下，改善电池片片内沉积薄膜厚度的均匀性，提高电池片的良率。

附图说明

图1为本申请一实施例中的具有炉管通气装置的化学气相沉积设备的结构示意图。

图2为本申请一实施例中的第一通气管的结构示意图。

图3为本申请一实施例中的环形进气管的结构示意图。

附图标号：

1、第一通气管；11、通气管段；111、第一通气孔；12、连接管段；

2、第二通气管；

3、环形进气管；31、环形进气口；311、进气孔；

200、炉管；201、反应腔；202、进气端；203、排气端；

300、载片装置；400、硅片。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

TOPCon电池是指在硅片背面制备厚度为1nm-2nm的超薄隧穿氧化层，然后在隧穿氧化层表面沉积厚度为60nm-160nm的掺杂多晶硅层，最后在掺杂多晶硅层上淀积氮化硅的电池。电池结构中的隧穿氧化层对均匀性要求极高，过厚和过薄均会导致与后道磷扩及烧结工序不匹配，导致黑边及黑块等电池片不良，降低电池片良率。

LPCVD技术的沉积原理，是参与反应的化学气体，由于压力差的作用，从炉体的一端流向另一端，有一部分化学气体会被吸附在硅片表面上，借助温度的作用，发生沉积反应。LPCVD技术可以用于制备硅外延层、各种无定形钝化膜及多晶薄膜的沉积，是一种重要的薄膜沉积技术，在光伏电池制备领域得到广泛应用。LPCVD技术中气氛均匀性是影响大面积薄膜材料均匀性的关键，保证大范围的气氛均匀性，才能保证大面积薄膜材料性能，以及规模化生产效率。

LPCVD设备通常采用由炉管的炉口环形进气、炉中或者炉中和炉尾直通式进气的通气方式，往往需要通过改变炉口到炉尾各个温区的温度，来调节电池片生长的隧穿氧化层薄膜厚度的均匀性；但调节温度会使炉口到炉尾各温区的温度出现差异，导致热量流窜，从而导致成膜质量存在差异，尤其是距离炉中进气口位置较近的电池片片内薄膜厚度的均匀性较差，例如出现一个边或者角偏厚，引发后续电池片不良率上升。

有的LPCVD设备将炉中的直通式进气改为莲蓬头式多个小进气孔进气，虽然有利于改善炉口到炉尾各温区的温度差异，但距离炉中进气孔位置较近的电池片片内薄膜厚度的均匀性仍然较差，而且小进气孔容易堵塞，导致缩减通气管的保养周期，降低生产效率，增加成本。

图1中实线箭头指示炉管的反应腔内的气流方向；图1和图2中的虚线箭头指示第一通气管的通气管段的通气方向。

请参阅图1和图2所示，本申请一实施例提供的炉管通气装置，包括第一通气管1，第一通气管1包括通气管段11，通气管段11上沿轴线方向均匀间隔开设有多个第一通气孔111，且多个第一通气孔111的孔径沿通气管段11的通气方向均匀增大；通气管段11用于设置在炉管200的反应腔201内的轴向中部，并平行于反应腔201的轴线方向。

在本实施例中，炉管通气装置适用于具有炉管200的化学气相沉积设备，炉管200内部中空且两端封闭，在炉管200内部形成密闭的反应腔201；反应腔201内用于放置载片装置300，载片装置300用于承载待加工的若干硅片400，例如载片装置300可以为石英舟或者石墨舟。炉管200可以置于各类热处理炉中，或者在炉管200的外部设置加热装置，例如可以在炉管200的外表面环绕设置电加热丝，以对炉管200均匀加热，使炉管200内的反应腔201内产生后续生成薄膜所需的高温环境。

反应腔201具有进气端202和排气端203，反应腔201沿炉管200的轴向延伸，即进气端202和排气端203分别位于炉管200的轴向相对两端；进气端202设置环形进气口31，排气端203设置抽吸口，即环形进气口31和抽吸口分别位于反应腔201的轴向相对两端。具体地，环形进气口31用于连接供气装置，通过供气装置将所需的反应气体从环形进气口31通入反应腔201内；抽吸口用于连接抽真空装置，从而在抽真空装置的作用下，使反应气体从抽吸口流出反应腔201。从而反应气体在反应腔201内由轴向一端流向另一端，具体地，反应腔201内的反应气体从进气端202流向排气端203，即反应腔201内的气流方向沿进气端202至排气端203的方向，流动过程中有一部分反应气体会被吸附在硅片400表面上；调节反应气体的各项参数，使反应腔201内达到设定的气氛条件，借助温度的作用，对硅片400表面进行沉积反应，从而在硅片400的表面生成薄膜。

反应腔201内沿着进气端202至排气端203的方向，由于热分解和沉积反应会消耗反应气体；通常载片装置300上的若干硅片400沿进气端202至排气端203的方向均匀排布，要在各硅片400上生成均匀的薄膜，理论上反应气体沿着进气端202至排气端203的方向流动过程中反应气体的消耗也是均匀的。

本实施例的炉管通气装置，在反应腔201内的轴向中部设置第一通气管1的通气管段11，并使通气管段11的轴线方向平行于反应腔201的轴线方向，即通气管段11沿反应腔201的轴线方向直线延伸，通气管段11的一端靠近进气端202、另一端靠近排气端203；通气管段11上沿轴线方向均匀间隔开设多个第一通气孔111，即在反应腔201的轴向中部，多个第一通气孔111沿进气端202至排气端203的方向均匀间隔设置。具体地，第一通气管1用于连接供气装置，通过通气管段11为反应腔201内的轴向中部补充产生薄膜所消耗的反应气体；而且多个第一通气孔111沿进气端202至排气端203的方向均匀间隔设置，可以沿着进气端202至排气端203的方向均匀间隔补充反应气体。

进一步地，通气管段11的通气方向与反应腔201内的气流方向相反，也就是说，通气管段11的通气方向沿排气端203至进气端202的方向，反应气体由靠近排气端203的一端通入通气管段11，通气管段11内的反应气体沿着排气端203至进气端202的方向流动，并在流动过程中通过多个第一通气孔111依次通入反应腔201内；可以理解，通气管段11内沿着排气端203至进气端202的方向反应气体浓度是逐渐减小的，对应的气体压力也逐渐降低，从而沿着排气端203至进气端202的方向通过多个第一通气孔111的气体流速逐渐降低，即沿进气端202至排气端203的方向通过多个第一通气孔111的气体流速逐渐增加；而通过设置多个第一通气孔111的孔径沿通气管段11的通气方向均匀增大，也就是说，通气管段11上的多个第一通气孔111的孔径沿进气端202至排气端203的方向均匀减小，可以使得沿进气端202至排气端203的方向通过多个第一通气孔111的气体流量相同，实现向反应腔201内沿着进气端202至排气端203的方向均匀补充反应气体，使得反应腔201内沿进气端202至排气端203各区域的反应气体浓度相等，且反应气体浓度与设定的气体浓度保持一致，避免反应气体分子逐渐减少、反应气体的浓度越来越低而造成生长在硅片400表面上的薄膜逐渐变薄，反应腔201内的反应气体分布均匀，保证从进气端202至排气端203的硅片400表面上的薄膜厚度一致均匀。

本实施例的炉管通气装置，适用于化学气相沉积设备，通过设置第一通气管1的通气管段11上沿轴线方向均匀间隔开设多个第一通气孔111，且多个第一通气孔111的孔径沿通气管段11的通气方向均匀增大，在将通气管段11设置在炉管200的反应腔201内的轴向中部，并平行于反应腔201的轴线方向的情况下，炉管通气装置可以向反应腔201内沿着进气端202至排气端203的方向均匀补充反应气体，改善反应腔201内反应气体的均匀性，反应腔201内的反应气体分布更均匀，改善沉积反应过程中硅片400片内的气氛条件，无需通过改变进气端202到排气端203各个温区的温度来调节沉积的薄膜厚度的均匀性，保证进气端202到排气端203的各个温区温度一致，避免成膜质量存在差异，从而在减少进气端202到排气端203各温区的温度差异的条件下，改善电池片片内沉积薄膜厚度的均匀性，提高电池片的良率。

具体地，化学气相沉积设备可以是低压力化学气相沉积设备，即LPCVD设备，解决LPCVD设备的通气方式容易导致气流不均匀而导致电池片片内薄膜厚度的均匀性较差的问题。另外，相对于现有LPCVD设备的常规通气方式，本实施例的LPCVD设备的整体布局改动较小，适于推广应用。

另外，本实施例的炉管通气装置，直接通过开设在第一通气管1上的第一通气孔111向反应腔201内补气，第一通气孔111不易堵塞，避免影响第一通气管1的保养周期，保证生产效率，降低成本。

具体地，通气管段11上的第一通气孔111的朝向不做具体限定。

具体地，第一通气孔111为规则形状的通孔，例如可以是圆孔、椭圆孔、正多边形孔等。以第一通气孔111为圆孔为例，第一通气孔111的孔径是指第一通气孔111的直径。

在一些实施例中，通气管段11上任意相邻的两个第一通气孔111之间的间距为多个第一通气孔111的最大孔径的1倍-2.5倍；其中，多个第一通气孔111的最大孔径是指多个第一通气孔111中孔径最大的第一通气孔111的孔径。

在本实施例中，以第一通气孔111为圆孔为例，多个第一通气孔111的最大孔径即多个第一通气孔111的最大直径；沿通气管段11的轴向，相邻两个第一通气孔111之前的间距，是指相邻两个第一通气孔111的相邻边缘之间的距离。通过设置多个第一通气孔111的排布间距为1倍-2.5倍的最大孔径，有利于确保通过各个第一通气孔111向反应腔201内通入的反应气体流量相同，从而有效实现向反应腔201内沿着进气端202至排气端203的方向均匀补充反应气体，有效改善反应腔201内反应气体分布的均匀性。

在一些实施例中，多个第一通气孔111的最大孔径小于通气管段11的内径。也就是说，通气管段11的多个第一通气孔111的孔径均小于通气管段11的内径，有利于避免通气管段11内的反应气体过快地从部分第一通气孔111流出而造成剩余部分第一通气孔111处缺少反应气体，从而保障各个第一通气孔111均能够适量通入反应气体，确保通过各个第一通气孔111向反应腔201内通入的反应气体流量相同，有效改善反应腔201内反应气体分布的均匀性，改善电池片片内薄膜厚度的均匀性，提高电池片良率。

具体地，通气管段11的横截面形状可以为规则形状，例如可以是圆形、椭圆形、正多边形等。以通气管段11为圆管为例，通气管段11的内径是指通气管段11的内部直径。

在一些实施例中，通气管段11的位于通气方向下游的端部闭合。通过设置通气管段11的位于通气方向下游的端部闭合，即通气管段11靠近进气端202的端部闭合，通气管段11由靠近排气端203的一端进气，通过多个第一通气孔111出气，有利于维持通气管段11内的气体压力，确保通过各个第一通气孔111向反应腔201内通入的反应气体流量相同，有效改善反应腔201内反应气体分布的均匀性，改善电池片片内薄膜厚度的均匀性，提高电池片良率。

在一些实施例中，如图1所示，第一通气管1还包括连接管段12，连接管段12的一端与通气管段11的入口端连接，连接管段12的另一端用于进气，连接管段12用于穿设连接在炉管200的管壁上。

在本实施例中，第一通气管1的管段是一个虚拟的概念，并不一定具有实体边界，此处定义第一通气管1的通气管段11和连接管段12，是为了更加清晰地描述本申请中第一通气管1上的第一通气孔111的布置情况。具体地，通过设置连接管段12连接于通气管段11的入口端，即连接管段12靠近反应腔201的排气端203，并且连接管段12穿设连接在炉管200的管壁，从而将第一通气管1安装于炉管200，且第一通气管1由排气端203朝向进气端202延伸，连接管段12位于炉管200外的一端用于连接供气装置；第一通气管1的通气管段11上设有第一通气孔111，而连接管段12上不开设通气孔，从而实现向反应腔201的轴向中部补充反应气体，确保反应腔201内的反应气体分布均匀。

在一些实施例中，炉管通气装置包括多个通气管段11，多个通气管段11用于沿反应腔201的内壁周向等间隔分布。通过设置多个通气管段11沿着反应腔201的内壁周向等间隔分布，可以通过多个通气管段11同时向反应腔201内通入反应气体，有效提高反应气体的补气效率，进而可以提高电池片的生产效率，降低成本。

在一些具体实施例中，每根第一通气管1包括一个通气管段11和一个连接管段12，多根第一通气管1沿反应腔201的内壁周向等间隔分布。在另一些具体实施例中，第一通气管1包括多个通气管段11和至少一个连接管段12。

在一些实施例中，通气管段11的长度为反应腔201的长度的1/4-1/2。在反应腔201的轴线方向上，通气管段11能够大致与载片装置300的靠近排气端203的部分重叠，从而向整个载片装置300范围的反应腔201空间补充反应气体，反应腔201内的反应气体分布更均匀，改善沉积反应过程中硅片400片内的气氛条件，有效改善电池片片内薄膜厚度的均匀性，提高电池片的良率。

在一个具体实施例中，通气管段11的长度为反应腔201的长度的1/3。

在一些实施例中，如图1所示，炉管通气装置还包括第二通气管2，第二通气管2上沿轴线方向均匀间隔开设有多个第二通气孔，且多个第二通气孔的孔径沿第二通气管2的通气方向均匀增大；第二通气管2用于设置在反应腔201内的排气端203，并平行于反应腔201的轴线方向，且第二通气管2的通气方向与反应腔201内的气流方向相反。

在本实施例中，通过在反应腔201内的排气端203设置第二通气管2，第二通气管2用于连接供气装置，第二通气管2上沿轴向均匀间隔开设多个第二通气孔，通过第二通气管2进一步为反应腔201内的轴向尾部补充产生薄膜所消耗的反应气体。第二通气管2上的第二通气孔的排布方式，与第一通气管1的通气管段11上的第一通气孔111的排布方式大致相同，从而第二通气管2实现沿着进气端202至排气端203的方向均匀补充反应气体，反应腔201内的反应气体分布更均匀，进一步保证从进气端202至排气端203的硅片400表面上的薄膜厚度一致均匀。

在一些实施例中，炉管通气装置可以采用设置在反应腔201的进气端202的环形进气口31加反应腔201轴向中部的多个第一通气孔111、反应腔201的排气端203的多个第二通气孔的三路通气方式；在另一些实施例中，炉管通气装置也可以采用设置在反应腔201的进气端202的环形进气口31加反应腔201轴向中部的多个第一通气孔111的两路通气方式。

其中，三路通气方式相较于两路通气方式，第一通气管1的通气管段11上第一通气孔111的数量可减少0-5个。

在一些实施例中，如图1所示，炉管通气装置还包括环形进气管3，环形进气管3上设置有环形进气口31；环形进气管3用于设置在反应腔201内的进气端202。

具体地，如图3所示，环形进气管3上开设有多个进气孔311，多个进气孔311围绕环形进气管3的中心轴线均匀分布，环形进气口31由多个进气孔311构成。

另一方面，如图1所示，本申请一实施例提供的化学气相沉积设备，包括炉管200以及由上述任一实施例提供的炉管通气装置；炉管200内部形成密闭的反应腔201，反应腔201沿轴向具有相对设置的进气端202和排气端203，进气端202用于进气，排气端203设有与反应腔201连通的抽气口。

在一些实施例中，如图1所示，炉管通气装置的通气管段11设置在反应腔201内的底部。通过将通气管段11设置在反应腔201内的底部，补充的反应气体由反应腔201的底部进入反应腔201，然后在绕过载片装置300后从四周扩散至硅片400，有利于硅片400的整个表面与反应气体均匀接触，有利于提高硅片400表面上各处薄膜生长的均匀性，成膜质量一致性更好，有效改善电池片片内薄膜厚度的均匀性，提高电池片的良率。

在一些具体实施例中，通气管段11上的第一通气孔111朝向反应腔201的底部内壁。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种炉管通气装置，其特征在于，包括：

第一通气管，包括通气管段，所述通气管段上沿轴线方向均匀间隔开设有多个第一通气孔，且多个所述第一通气孔的孔径沿所述通气管段的通气方向均匀增大；

所述通气管段用于设置在炉管的反应腔内的轴向中部，并平行于所述反应腔的轴线方向。

2.根据权利要求1所述的炉管通气装置，其特征在于，所述通气管段上任意相邻的两个所述第一通气孔之间的间距为所述多个第一通气孔的最大孔径的1倍-2.5倍；

其中，所述多个第一通气孔的最大孔径是指多个所述第一通气孔中孔径最大的所述第一通气孔的孔径。

3.根据权利要求2所述的炉管通气装置，其特征在于，所述多个第一通气孔的最大孔径小于所述通气管段的内径。

4.根据权利要求1所述的炉管通气装置，其特征在于，所述通气管段的位于通气方向下游的端部闭合。

5.根据权利要求1所述的炉管通气装置，其特征在于，所述第一通气管还包括连接管段，所述连接管段的一端与所述通气管段的入口端连接，所述连接管段的另一端用于进气，所述连接管段用于穿设连接在所述炉管的管壁上。

6.根据权利要求1所述的炉管通气装置，其特征在于，所述炉管通气装置包括多个所述通气管段，多个所述通气管段用于沿所述反应腔的内壁周向等间隔分布。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的炉管通气装置，其特征在于，所述炉管通气装置还包括第二通气管，所述第二通气管上沿轴线方向均匀间隔开设有多个第二通气孔，且多个所述第二通气孔的孔径沿所述第二通气管的通气方向均匀增大；

所述第二通气管用于设置在所述反应腔内的排气端，并平行于所述反应腔的轴线方向，且所述第二通气管的通气方向与所述反应腔内的气流方向相反。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的炉管通气装置，其特征在于，所述炉管通气装置还包括环形进气管，所述环形进气管上设置有环形进气口，所述环形进气管用于设置在所述反应腔内的进气端。

9.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括：

炉管，内部形成密闭的反应腔，所述反应腔沿轴向具有相对设置的进气端和排气端，所述进气端用于进气，所述排气端设有与所述反应腔连通的抽气口；以及

如权利要求1至8中任一项所述的炉管通气装置。

10.根据权利要求9所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述炉管通气装置的通气管段设置在所述反应腔内的底部。