CN216738525U - 一种新型的lpcvd进气结构 - Google Patents
一种新型的lpcvd进气结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN216738525U CN216738525U CN202122812256.0U CN202122812256U CN216738525U CN 216738525 U CN216738525 U CN 216738525U CN 202122812256 U CN202122812256 U CN 202122812256U CN 216738525 U CN216738525 U CN 216738525U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- air inlet
- gas
- lpcvd
- novel
- gas inlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种新型的LPCVD进气结构,包括至少两组进气管，进气管沿炉管的炉尾端伸入炉管，至少一组进气管沿圆周方向至少设置两组出气孔组，每组出气孔组由若干沿进气管轴向分布的出气孔构成，气流通过出气孔散布，本实用新型通过双进气的分流方式，降低了进气的冲击力，可以有效的改善非晶硅沉积均匀性，本实用新型将进气管设置为平行于硅片的设计，相较于现有的进气管底部垂直硅片的设计，本实用新型可进一步降低气流对硅片表面的冲击，改善片内非晶硅沉积均匀性，本实用新型在至少一组进气管沿圆周方向至少设置两组出气孔组，每组出气孔组由若干沿进气管轴向分布的出气孔，使气流散布更加均匀，以保证硅片的沉积效率、质量以及均匀性。
Description
技术领域
本实用新型属于太阳能电池领域，涉及一种新型的LPCVD进气结构。
背景技术
在传统晶体硅太阳能电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素，而钝化接触技术作为一种减少接触接触符合的可行方案，对晶硅电池效率提升明显。
钝化接触技术核心之一为本征非晶硅沉积，目前应用较为广泛的主要有常压化学气相沉积APCVD，等离子体增强型化学气相沉积PECVD以及低压化学气相沉积LPCVD，其中LPCVD由于其较好的沉积均匀性，较高的沉积速率，良好的稳定性以及较低的颗粒污染源，被广泛使用。
常规LPCVD使用炉口进气，炉尾端单进气的方式，通入硅烷在600℃左右高温分解，最终在硅片表面沉积一层非晶硅薄膜，但后硅烷由于单一管道，补气流量较大的情况下，较大的气流从后硅烷管道冲出，气流扰流严重，易造成相邻硅片沉积非晶硅不均匀的情况；另一方面靠近出气口的位置硅片，极易导致色差片，影响电池外观及电性能效率，本实用新型有效地解决了这种问题。
发明内容
本实用新型为了克服现有技术的不足，提供一种新型的LPCVD进气结构。
为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种新型的LPCVD进气结构,其特征在于：包括至少两组进气管，进气管沿炉管的炉尾端伸入炉管，至少一组进气管沿圆周方向至少设置两组出气孔组，每组出气孔组由若干沿进气管轴向分布的出气孔构成，气流通过出气孔散布。
进一步的；所述进气管设置有两组，两组进气管相对炉管中心轴线对称设置，进气管位于炉管的两侧且平行于硅片。
进一步的；所述进气管的数量大于两组，若干进气管相对炉管中心轴线环形阵列分布，若干进气管位于硅片与炉管的炉壁之间且与硅片平行设置。
进一步的；若干所述进气管的进气端均与进气主管连通，进气主管与进气设备连接，进气设备将气流通过进气主管分流至进气主管。
进一步的；若干所述进气管的进气端分别与进气设备连接，通过进气设备将气流通入进气管。
进一步的；至少一组所述进气管沿圆周方向设置两组出气孔组，出气孔包括第一出孔和第二出孔，若干第一出孔沿轴向分布构成一组出气孔组，若干第二出孔沿轴向分布构成另一组出气孔组，若干第一出孔以及若干第二出孔间隔分布，第一出孔与第二出孔朝向硅片。
进一步的；所述第一出孔的中心轴线与第二出孔的中心轴线所成角度范围设置为90°-180°。
进一步的；还包括固定结构，所述固定结构用于进气管与炉管之间的连接。
进一步的；位于炉管内的所述进气管长度大于位于炉管内硅片分布的长度，第一出孔的数量和第二出孔的数量相配，第一出孔的位置和第二出孔的位置相配。
综上所述，本实用新型的有益之处在于：
1)、本实用新型通过双进气的分流方式，降低了进气的冲击力，可以有效的改善非晶硅沉积均匀性。
2)、本实用新型将进气管设置为平行于硅片的设计，相较于现有的进气管底部垂直硅片的设计，本实用新型可进一步降低气流对硅片表面的冲击，改善片内非晶硅沉积均匀性。
3)、本实用新型在至少一组进气管沿圆周方向至少设置两组出气孔组，每组出气孔组由若干沿进气管轴向分布的出气孔，使气流散布更加均匀，以保证硅片的沉积效率、质量以及均匀性。
附图说明
图1为本实用新型的装置示意图。
图2为图1中A-A的剖切示意图。
图3为图2中B的放大示意图。
图中标识：炉体1、炉管2、腔体21、炉口端22、炉中23、炉尾端24、进气管3、硅片4、出气孔6、第一出孔61和第二出孔62。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、横向、纵向……)仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
实施例一：
如图1-3所示，一种新型的LPCVD进气结构，包括至少两组进气管3，进气管3沿炉管2的炉尾端24伸入炉管2，至少一组进气管3沿圆周方向至少设置两组出气孔组，每组出气孔组由若干沿进气管3轴向分布的出气孔6构成，气流通过出气孔6散布。
如图1所示，待加工的4位于炉管2的腔体21内，炉管2安装于炉体1的炉膛内，本实施例中，LPCVD进气结构应用于炉管2，具体来说，炉管2包括炉口端22、炉中23和炉尾端24，炉口端22和炉尾端24的固定、密封以及其他相关结构可采用现有技术，如法兰等，非本实施例的重点，在此不做进一步的赘述。
如图1所示，进气管3沿炉管2的炉尾端24伸入腔体21，位于腔体21内的进气管3长度大于位于腔体21内硅片4分布的长度，以保证对任意位置硅片 4的沉积均匀性，本实施例中，进气管3设置有两组，两组进气管3相对炉管2 中心轴线对称设置，进气管3位于炉管2的两侧且平行于硅片4，相较于现有的进气管底部垂直硅片的设计，本设计可进一步降低气流对硅片表面的冲击，改善片内非晶硅沉积均匀性，根据图1-2的视觉角度，两组进气管3位于炉管2 的上下位置，进一步的，两组或更多组进气管3的进气端均与进气主管(图未显示)连通，进气主管与进气设备连接，进气设备将气流通过进气主管分流至进气主管，本实施例通过双进气的分流方式，降低了进气的冲击力，可以有效的改善非晶硅沉积均匀性。
如图2-3所示，本实施例中，两组进气管3沿圆周方向分别设置两组出气孔组，每组出气孔组由若干沿进气管3轴向分布的出气孔6构成，为方便说明，出气孔6包括第一出孔61和第二出孔62，若干第一出孔61沿轴向分布构成一组出气孔组，若干第二出孔62沿轴向分布构成另一组出气孔组，优选的，若干第一出孔61以及若干第二出孔62间隔分布，优选的，第一出孔61的数量和第二出孔62的数量相配，优选的，第一出孔61的位置和第二出孔62的位置相配，即第一出孔61中心轴线和第二出孔62中心轴线与进气管3进气端的距离相等。
为加大进气管3气流喷射的范围，第一出孔61和第二出孔62呈一定角度设置，如图3所示，第一出孔61的中心轴线与第二出孔62的中心轴线所成角度设置为a，a的角度范围设置为90°-180°，优选为120°，使气流散布更加均匀，第一出孔61与第二出孔62朝向硅片4，第一出孔61以及第二出孔62形成的气流喷射范围可将硅片4覆盖，以保证硅片的沉积效率、质量以及均匀性。
为保证进气管3的稳定性，进气管3与炉管2之间还设置有固定结构(图未显示)，常规情况下，固定结构分别在炉管2的炉口端22和炉尾端24对进气管 3进行固定。
其他实施例中，进气管3的数量也可大于两组，若干进气管3可沿炉管2 中心轴线环形阵列分布，若干进气管3位于硅片4与炉管2的炉壁之间且与硅片4平行设置，保证片内非晶硅沉积均匀性。
其他实施例中，若干进气管3的进气端可分别与进气设备连接，通过进气设备直接将气流通入进气管3。
其他实施例中，一组进气管3上的第一出孔61和第二出孔62可处于不同位置，另一组进气管3上的第一出孔61和第二出孔62位置可任意设置，可相同也可不同。
其他实施例中，固定结构也可设置一组或多组，在炉管2的任意位置对进气管3进行固定，只要能实现进气管3的稳定即可。
显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
Claims (9)
1.一种新型的LPCVD进气结构,其特征在于：包括至少两组进气管，进气管沿炉管的炉尾端伸入炉管，至少一组进气管沿圆周方向至少设置两组出气孔组，每组出气孔组由若干沿进气管轴向分布的出气孔构成，气流通过出气孔散布。
2.根据权利要求1所述的一种新型的LPCVD进气结构，其特征在于：所述进气管设置有两组，两组进气管相对炉管中心轴线对称设置，进气管位于炉管的两侧且平行于硅片。
3.根据权利要求1所述的一种新型的LPCVD进气结构，其特征在于：所述进气管的数量大于两组，若干进气管相对炉管中心轴线环形阵列分布，若干进气管位于硅片与炉管的炉壁之间且与硅片平行设置。
4.根据权利要求1所述的一种新型的LPCVD进气结构，其特征在于：若干所述进气管的进气端均与进气主管连通，进气主管与进气设备连接，进气设备将气流通过进气主管分流至进气主管。
5.根据权利要求1所述的一种新型的LPCVD进气结构，其特征在于：若干所述进气管的进气端分别与进气设备连接，通过进气设备将气流通入进气管。
6.根据权利要求1所述的一种新型的LPCVD进气结构，其特征在于：至少一组所述进气管沿圆周方向设置两组出气孔组，出气孔包括第一出孔和第二出孔，若干第一出孔沿轴向分布构成一组出气孔组，若干第二出孔沿轴向分布构成另一组出气孔组，若干第一出孔以及若干第二出孔间隔分布，第一出孔与第二出孔朝向硅片。
7.根据权利要求6所述的一种新型的LPCVD进气结构，其特征在于：所述第一出孔的中心轴线与第二出孔的中心轴线所成角度范围设置为90°
-180°。
8.根据权利要求1所述的一种新型的LPCVD进气结构，其特征在于：还包括固定结构，所述固定结构用于进气管与炉管之间的连接。
9.根据权利要求6所述的一种新型的LPCVD进气结构，其特征在于：位于炉管内的所述进气管长度大于位于炉管内硅片分布的长度，第一出孔的数量和第二出孔的数量相配，第一出孔的位置和第二出孔的位置相配。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122812256.0U CN216738525U (zh) | 2021-11-17 | 2021-11-17 | 一种新型的lpcvd进气结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122812256.0U CN216738525U (zh) | 2021-11-17 | 2021-11-17 | 一种新型的lpcvd进气结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN216738525U true CN216738525U (zh) | 2022-06-14 |
Family
ID=81928694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202122812256.0U Active CN216738525U (zh) | 2021-11-17 | 2021-11-17 | 一种新型的lpcvd进气结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN216738525U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115323355A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-11-11 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种非晶硅层、其制备方法、制备装置和用途 |
-
2021
- 2021-11-17 CN CN202122812256.0U patent/CN216738525U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115323355A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-11-11 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种非晶硅层、其制备方法、制备装置和用途 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108846224B (zh) | 一种超声速流道设计方法及装置 | |
| CN216738525U (zh) | 一种新型的lpcvd进气结构 | |
| CN204495535U (zh) | 1.2米量级风洞用动力模拟引射器 | |
| CN214830646U (zh) | 一种lpcvd进气结构 | |
| CN112945305B (zh) | 一种具有推力干扰消除结构的双涵道喷管推力测量平台 | |
| CN218957757U (zh) | 一种改善太阳能电池扩散方阻均匀性的匀流板机构 | |
| CN112178692B (zh) | 一种带l型冲击孔板的纵向波纹冷却结构 | |
| CN112853325A (zh) | 一种管式pecvd设备的腔室结构 | |
| CN206513999U (zh) | 一种干泵尾气管道 | |
| CN206188931U (zh) | 一种扩散炉 | |
| CN107621079A (zh) | 一种生物质燃烧设备的热风换热器 | |
| CN214327881U (zh) | 一种管式pecvd设备的腔室结构 | |
| CN109023301B (zh) | 氧化铝膜制备装置 | |
| CN207243476U (zh) | 电子级多晶硅还原炉 | |
| CN215413070U (zh) | 一种多晶硅粉接收罐气体的分布装置 | |
| CN212645289U (zh) | 一种玻璃烘干设备的风道及玻璃烘干设备 | |
| CN105070783B (zh) | 一种用于高温扩散炉的喷淋管及其应用 | |
| CN216749926U (zh) | 一种进气管 | |
| CN218466001U (zh) | 一种用于扩散炉的进气结构 | |
| CN210657127U (zh) | 化学气相沉积镀膜设备布气装置 | |
| CN221443987U (zh) | 一种汽化器防结霜除霜装置 | |
| CN220619101U (zh) | 用于pecvd设备的供气装置和pecvd设备 | |
| CN221895192U (zh) | 一种用于提高方阻均匀性的管式扩散炉 | |
| CN207581901U (zh) | 集成式水冷板 | |
| CN216473476U (zh) | 一种提升pecvd镀膜均匀性的装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: No.1, Jikang Road, Kengzi street, Pingshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: Laplace New Energy Technology Co.,Ltd. Address before: No.1, Jikang Road, Kengzi street, Pingshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: SHENZHEN LAPLACE ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |