CN220607368U - 陶瓷发热体 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种陶瓷发热体，陶瓷发热体包括导电组件和导热陶瓷构件。导电组件包括导电陶瓷构件、正电极以及负电极。导电陶瓷构件开设有收容槽。正电极和负电极导电连接至导电陶瓷构件。导电陶瓷构件用于在通电后发热。导热陶瓷构件设于收容槽。导热陶瓷构件用于导热。本实用新型通过设置导电陶瓷构件在通电时进行发热，利用导热陶瓷构件进行导热，并通过在导电陶瓷构件的位于收容槽的两侧设置正电极和负电极，以便连接导线进行通电。由于是采用导电陶瓷构件直接发热并利用导热陶瓷构件进行导热，因此有助于提高发热效率和温度的均匀度。

Description

陶瓷发热体

技术领域

本实用新型总地涉及电子雾化器的技术领域，更具体地涉及一种陶瓷发热体。

背景技术

相关技术中的加热不燃烧陶瓷管的外层为氧化铝，内层为发热材质钼锰合金。由于钼锰合金采用线路的形式布置，因此其没有覆盖发热线路的区域温度较低。且氧化铝的导热系数较低，因此其发热速度较慢，均匀性较差。

因此，需要提供一种陶瓷发热体，以至少部分地解决上述问题。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型的实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为至少部分地解决上述问题，本实用新型提供一种陶瓷发热体，所述陶瓷发热体包括：

导电组件，所述导电组件包括导电陶瓷构件、正电极以及负电极，所述导电陶瓷构件开设有收容槽，所述正电极和所述负电极导电连接至所述导电陶瓷构件，所述导电陶瓷构件用于在通电后发热；以及

导热陶瓷构件，所述导热陶瓷构件设于所述收容槽，所述导热陶瓷构件构造成导热系数为30W/(m·K)～70W/(m·K)的陶瓷结构，所述导热陶瓷构件用于导热。

根据本实用新型的陶瓷发热体，通过设置导电陶瓷构件在通电时进行发热，利用导热陶瓷构件进行导热，并通过在导电陶瓷构件的位于收容槽的两侧设置正电极和负电极，以便连接导线进行通电。由于是采用导电陶瓷构件直接发热，因此有助于提高发热效率和温度的均匀度。

可选地，所述正电极和所述负电极分别位于所述收容槽的槽口的两侧；所述陶瓷发热体构造成片状结构，所述收容槽的槽口沿所述陶瓷发热体的长度方向朝向外部，且所述收容槽沿所述陶瓷发热体的厚度方向穿透所述导电陶瓷构件，所述厚度方向垂直于所述长度方向。

可选地，所述收容槽包括沿所述长度方向顺延布置的第一槽段和第二槽段，所述第二槽段比所述第一槽段更远离所述收容槽的槽口，

在所述陶瓷发热体的宽度方向，所述第一槽段的尺寸小于所述第二槽段的尺寸。

可选地，所述第一槽段具有沿所述宽度方向相对的第一槽侧壁，所述第二槽段具有沿所述宽度方向相对的第二槽侧壁，所述第一槽侧壁与所述第二槽侧壁异面，在所述宽度方向，所述第一槽侧壁比所述第二槽侧壁更靠近所述陶瓷发热体的沿所述宽度方向的中心。

可选地，所述导热陶瓷构件的表面积为所述陶瓷发热体的表面积的1/5～1/3。

可选地，所述第一槽段沿所述陶瓷发热体的长度方向的尺寸记为c，所述第二槽段沿所述陶瓷发热体的长度方向的尺寸记为d，c与d的比值的范围为1/3～1/2。

可选地，所述第一槽段沿所述陶瓷发热体的宽度方向的尺寸记为a，所述陶瓷发热体的沿宽度方向的尺寸记为e，a与e比值的范围为1/7～1/5。

可选地，所述第二槽段沿所述陶瓷发热体的宽度方向的尺寸记为b，所述陶瓷发热体的沿宽度方向的尺寸记为e，b与e比值的范围为1/3～1/2。

可选地，所述陶瓷发热体的沿所述厚度方向的尺寸的范围为0.4mm～0.6mm。

可选地，所述导热陶瓷构件构造成氮化硅陶瓷。

附图说明

本实用新型实施方式的下列附图在此作为本实用新型的一部分用于理解本实用新型。附图中示出了本实用新型的实施方式及其描述，用来解释本实用新型的原理。在附图中，

图1为根据本实用新型的一种优选实施方式的陶瓷发热体的立体视图；

图2为图1所示的陶瓷发热体的俯视图；以及

图3为图1所示的陶瓷发热体的侧视图。

附图标记说明：

100： 导电组件 101： 导电陶瓷构件

101a： 收容槽 101a1： 第一槽段

101a2： 第二槽段 102： 正电极

103： 负电极 110： 导热陶瓷构件

D1： 长度方向 D2： 宽度方向

D3： 厚度方向

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本实用新型更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，本实用新型实施方式可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本实用新型实施方式发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

为了彻底了解本实用新型实施方式，将在下列的描述中提出详细的结构。显然，本实用新型实施方式的施行并不限定于本领域的技术人员所熟习的特殊细节。

应当理解的是，在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施方式并且不作为本实用新型的限制，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。

本实用新型中所引用的诸如“第一”和“第二”的序数词仅仅是标识，而不具有任何其他含义，例如特定的顺序等。而且，例如，术语“第一部件”其本身不暗示“第二部件”的存在，术语“第二部件”本身不暗示“第一部件”的存在。需要说明书的是，本实用新型中所使用的术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”以及类似的表述只是为了说明的目的，并非限制。

以下，将参照附图对本实用新型的具体实施方式进行更详细地说明，这些附图示出了本实用新型的代表实施方式，并不是限定本实用新型。

本实用新型提供一种陶瓷发热体，用于加热待雾化的物质。待雾化的物质例如可以是烟丝中的成分。如图1至图3所示，根据本实用新型的陶瓷发热体可以包括导电组件100和导热陶瓷构件110。导电组件100可以包括导电陶瓷构件101、正电极102以及负电极103。导电陶瓷构件101开设有收容槽101a。正电极102和负电极103导电连接至导电陶瓷构件101。这里的正电极102和负电极103例如可以构造成接线盘或接线柱等结构，以用于通过导线连接电源。导电陶瓷构件101用于在通电后发热。导热陶瓷构件110设于收容槽101a。导热陶瓷构件110用于导热。

根据本实用新型的陶瓷发热体，通过设置导电陶瓷构件101在通电时进行发热，利用导热陶瓷构件110进行导热，并通过在导电陶瓷构件101的位于收容槽101a的两侧设置正电极102和负电极103，以便连接导线进行通电。由于是采用导电陶瓷构件101直接发热，因此有助于提高发热效率和温度的均匀度。

参阅图1至图3，例如，正电极102和负电极103分别位于收容槽101a的槽口的两侧。陶瓷发热体构造成片状结构。这里可以理解为，导电陶瓷构件101为片状结构，导热陶瓷构件110为片状结构。导电陶瓷构件101的厚度方向D3可以与导热陶瓷构件110的厚度方向D3一致。收容槽101a的槽口沿陶瓷发热体的长度方向D1朝向外部。且收容槽101a沿陶瓷发热体的厚度方向D3穿透导电陶瓷构件101。厚度方向D3垂直于长度方向D1。由于收容槽101a沿厚度方向D3穿透导热陶瓷构件110，而收容槽101a用于设置导热陶瓷，因此有助于增加陶瓷发热体的整体的传热面积，进而进一步提高发热效率和温度均匀度。

参阅图1和图2，例如，收容槽101a可以包括沿长度方向D1顺延布置的第一槽段101a1和第二槽段101a2。第二槽段101a2比第一槽段101a1更远离收容槽101a的槽口。在陶瓷发热体的宽度方向D2，第一槽段101a1的尺寸a小于第二槽段101a2的尺寸b。这样使得导电陶瓷构件101对应于第一槽段101a1的宽度小于导电陶瓷构件101对应于第二槽段101a2的宽度，从而使得导电陶瓷构件101对应于第二槽段101a2的部分的电阻更大，从而提高导电陶瓷构件101对应于第二槽段101a2的部分在通电状态下的发热效率，进而使得导电陶瓷构件101对应于第二槽段101a2的部分更容易加热待雾化的物质。

进一步地，第一槽段101a1具有沿宽度方向相对的第一槽侧壁。第二槽段101a2具有沿宽度方向相对的第二槽侧壁。第一槽侧壁与第二槽侧壁异面。在宽度方向D2，第一槽侧壁比第二槽侧壁更靠近陶瓷发热体的沿宽度方向D2的中心。换言之，在宽度方向D2，第一槽段101a1不超出第二槽段101a2的外边界沿长度方向D1的延长线。这样是为了进一步确保导电陶瓷构件101对应于第二槽段101a2的部分的宽度小于导电陶瓷构件101对应于第一槽段101a1的宽度。

可选地，第一槽段101a1和第二槽段101a2关于同一对称面对称布置，该对称面垂直于宽度方向D2。

再参阅图1和图2，例如，导热陶瓷构件110的表面积为陶瓷发热体的表面积的1/5～1/3。这样使得导电陶瓷构件101的表面积为陶瓷发热体的表面积的2/3～4/5，大大提高了陶瓷发热体的有效发热面积。

参阅图2，例如，第一槽段101a1沿陶瓷发热体的长度方向D1的尺寸记为c。第二槽段101a2沿陶瓷发热体的长度方向D1的尺寸记为d。从图2中可以看出，c小于d。这样有利于提高陶瓷发热体的有效加热区域的长度。

可选地，c与d的比值的范围可以为1/3～1/2。

例如，第一槽段101a1沿陶瓷发热体的宽度方向D2的尺寸记为a。陶瓷发热体的沿宽度方向D2的尺寸记为e。从图1和图2可以看出，陶瓷发热体的主体部分的宽度保持一致，而在远离电极的端部设置尖角结构。这里是将陶瓷发热体的主体部分的宽度记为e。a与e比值的范围可以为1/7～1/5。

例如，第二槽段101a2沿陶瓷发热体的宽度方向D2的尺寸记为b。陶瓷发热体的沿宽度方向D2的尺寸记为e。从图1和图2可以看出，陶瓷发热体的主体部分的宽度保持一致，而在远离电极的端部设置尖角结构。这里是将陶瓷发热体的主体部分的宽度记为e。b与e比值的范围可以为1/3～1/2。

参阅图3，例如，陶瓷发热体的沿厚度方向D3的尺寸f的范围为0.4mm～0.6mm。当陶瓷发热体的整体的厚度小于0.4mm时，则陶瓷发热体的结构强度较弱，极易被折断。若陶瓷发热体的厚度大于0.6mm，则陶瓷发热体因为较厚而难以插装烟丝。

优选地，陶瓷发热体的沿厚度方向D3的尺寸可以为0.45mm～0.5mm。

可选地，导热陶瓷构件110构造成氮化硅陶瓷。相较于现有技术，采用氮化硅作为填充在收容槽101a的导热结构，导热性更好，进一步增加整个陶瓷发热体的温度分布的均匀性，继而有效提升对烟丝的加热效率。

上述的导电陶瓷构件101和导热陶瓷构件110可以是分别采用流延工艺和切割工艺而制成的具有相应形状的片材。而后将流延片材经组合并在氮气氛围中烧结而得到本实用新型的陶瓷发热体。本实用新型的陶瓷发热体可以是陶瓷发热片。

根据本实用新型的陶瓷发热体，采用导电陶瓷构件101作为发热体，并和导热性好的氮化硅陶瓷作为组合体，实现对烟丝的加热。采用导电陶瓷构件101作为发热体，其发热面积较相关技术的发热线路有明显提升，在发热体上温度分布更加均匀。同时，将导电陶瓷构件101与导热性更好的氮化硅陶瓷进行组合，进一步增加了整个发热体的温度分布的均匀性，从而有效提升了对烟丝的加热效率。这里的导电陶瓷构件101本身就具有一定的电阻，可以整体作为发热组件，因此发热体温度分布均匀。且氮化硅的导热性好，进一步提升了整体发热片上的温度均匀性。本实用新型的陶瓷发热体整体上均采用陶瓷结构，其硬度和强度都比相关技术中的发热体更加耐磨。

除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本实用新型。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。

本实用新型已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本实用新型限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本实用新型的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本实用新型所要求保护的范围以内。

Claims (10)

1.一种陶瓷发热体，其特征在于，所述陶瓷发热体包括：

导电组件，所述导电组件包括导电陶瓷构件、正电极以及负电极，所述导电陶瓷构件开设有收容槽，所述正电极和所述负电极导电连接至所述导电陶瓷构件，所述导电陶瓷构件用于在通电后发热；以及

导热陶瓷构件，所述导热陶瓷构件设于所述收容槽，所述导热陶瓷构件构造成导热系数为30W/(m·K)～70W/(m·K)的陶瓷结构，所述导热陶瓷构件用于导热。

2.根据权利要求1所述的陶瓷发热体，其特征在于，

所述正电极和所述负电极分别位于所述收容槽的槽口的两侧；

所述陶瓷发热体构造成片状结构，所述收容槽的槽口沿所述陶瓷发热体的长度方向朝向外部，且所述收容槽沿所述陶瓷发热体的厚度方向穿透所述导电陶瓷构件，所述厚度方向垂直于所述长度方向。

3.根据权利要求2所述的陶瓷发热体，其特征在于，

所述收容槽包括沿所述长度方向顺延布置的第一槽段和第二槽段，所述第二槽段比所述第一槽段更远离所述收容槽的槽口，

在所述陶瓷发热体的宽度方向，所述第一槽段的尺寸小于所述第二槽段的尺寸。

4.根据权利要求3所述的陶瓷发热体，其特征在于，

所述第一槽段具有沿所述宽度方向相对的第一槽侧壁，所述第二槽段具有沿所述宽度方向相对的第二槽侧壁，所述第一槽侧壁与所述第二槽侧壁异面，在所述宽度方向，所述第一槽侧壁比所述第二槽侧壁更靠近所述陶瓷发热体的沿所述宽度方向的中心。

5.根据权利要求2所述的陶瓷发热体，其特征在于，

所述导热陶瓷构件的表面积为所述陶瓷发热体的表面积的1/5～1/3。

6.根据权利要求3所述的陶瓷发热体，其特征在于，

所述第一槽段沿所述陶瓷发热体的长度方向的尺寸记为c，所述第二槽段沿所述陶瓷发热体的长度方向的尺寸记为d，c与d的比值的范围为1/3～1/2。

7.根据权利要求3或4所述的陶瓷发热体，其特征在于，

所述第一槽段沿所述陶瓷发热体的宽度方向的尺寸记为a，所述陶瓷发热体的沿宽度方向的尺寸记为e，a与e比值的范围为1/7～1/5。

8.根据权利要求3或4所述的陶瓷发热体，其特征在于，

所述第二槽段沿所述陶瓷发热体的宽度方向的尺寸记为b，所述陶瓷发热体的沿宽度方向的尺寸记为e，b与e比值的范围为1/3～1/2。

9.根据权利要求2至6中任一项所述的陶瓷发热体，其特征在于，

所述陶瓷发热体的沿所述厚度方向的尺寸的范围为0.4mm～0.6mm。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的陶瓷发热体，其特征在于，

所述导热陶瓷构件构造成氮化硅陶瓷。