CN220556559U - 抗冲击抗衰减传感器信号电缆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种抗冲击抗衰减传感器信号电缆，包括四个信号线芯围绕聚氨酯弹性体填充芯周向间隔均布并与PP树脂填充芯材共同形成缆芯，信号线芯包括镀银铜线导体、PVDF绕包绝缘层、铜箔层、ETFE树脂绕包层、镀锡铜丝缠绕屏蔽层和抗衰减层，PVDF绕包绝缘层为两层PVDF薄膜互为逆向螺旋绕包结构，抗衰减层为铁粉聚乙烯复合树脂带多层搭盖绕包结构，缆芯外部依次包覆有PTFE树脂绕包层、镀锡铜导线缠绕屏蔽层、聚氯乙烯内衬层、双钢带铠装层和聚氯乙烯外护套。该信号电缆具有良好的抗冲击特性，适用于较为恶劣的敷设环境，抗衰减性能更好，强化噪音屏蔽性能，保证电缆稳定的电气特性。
Description
技术领域
本申请涉及电缆技术领域，特别涉及一种抗冲击抗衰减传感器信号电缆。
背景技术
传感器信号电缆用于控制系统、检测仪器、各种传感器等场合的电源，用于各种传感器、仪器仪表的信号传输。在各种复杂电磁环境下，需要具备良好的抗衰减、抗轻微冲击的性能。传感器信号电缆需要将微弱的电量信号准确传送到数百米外，这需要具备性能稳定可靠的噪音屏蔽效果，而普通的多芯传感器信号电缆的屏蔽性能并不十分理想，信号传送衰减量大，使用过程中承受轻微冲击的能力较弱，耐用性差。
实用新型内容
本申请针对现有技术的不足，所要解决的技术问题是提供一种抗冲击抗衰减传感器信号电缆，具有良好的抗冲击特性，适用于较为恶劣的敷设环境，抗衰减性能更好，强化噪音屏蔽性能，保证电缆稳定的电气特性。
本申请是通过以下技术方案使上述技术问题得以解决。
抗冲击抗衰减传感器信号电缆，包括四个信号线芯围绕聚氨酯弹性体填充芯周向间隔均布并与PP树脂填充芯材共同形成缆芯，所述信号线芯包括镀银铜线导体及依次包覆在所述镀银铜线导体外部的PVDF绕包绝缘层、铜箔层、ETFE树脂绕包层、镀锡铜丝缠绕屏蔽层和抗衰减层，所述PVDF绕包绝缘层为两层PVDF薄膜互为逆向螺旋绕包结构，所述抗衰减层为铁粉聚乙烯复合树脂带多层搭盖绕包结构，所述缆芯外部依次包覆有PTFE树脂绕包层、镀锡铜导线缠绕屏蔽层、聚氯乙烯内衬层、双钢带铠装层和聚氯乙烯外护套。
作为优选，所述镀银铜线导体为若干线径为0.01mm至0.02mm镀银铜线绞合形成。
作为优选，所述镀银铜线导体绞距为所述镀银铜线导体直径的五至十倍。
作为优选，所述铜箔层厚度为20μm至45μm。
作为优选，所述镀锡铜丝缠绕屏蔽层为若干镀锡铜丝并排螺旋缠绕结构。
作为优选，所述ETFE树脂绕包层为ETFE树脂带单向螺旋搭盖绕包结构。
作为优选，所述PTFE树脂绕包层为PTFE树脂带单向螺旋搭盖绕包结构。
作为优选，所述镀锡铜导线缠绕屏蔽层为若干镀锡铜导线并排螺旋缠绕结构，所述镀锡铜导线包括镀锡铜单丝导体和尼龙包覆层。
作为优选，所述镀锡铜单丝导体线径为0.1mm至0.3mm，所述尼龙包覆层厚度为0.03mm至0.08mm。
作为优选，所述双钢带铠装层表面涂覆有绝缘润滑硅脂。
本申请的有益效果：
1.信号线芯采用镀银铜线导体，镀银铜线导体、铜箔层及镀锡铜丝缠绕屏蔽层之间分别通过PVDF绕包绝缘层和ETFE树脂绕包层相互绝缘隔离，各线芯确保电阻保持高度一致，有助于将微弱的电量信号准确传输到数百米外。
2.各信号线芯通过增加抗衰减层进一步强化噪音屏蔽性能，铁粉聚乙烯复合树脂带多层搭盖绕包构成的抗衰减层有助于降低高频信号传送衰减量，增强噪音屏蔽的稳定性，强化抗衰减性能，并且，通过铁粉聚乙烯复合树脂带绕包有助于防止镀锡铜丝缠绕屏蔽层松散，保证稳定可靠的屏蔽效果，提升耐用性。
3.各线芯通过聚氨酯弹性体填充芯进行间隔，有助于保持缆芯结构均衡，增强机械强度，提高电缆承受侧向压力的耐弯曲性能，通过双钢带铠装层提高抗冲击性，能够承受轻微的机械外力，降低复杂环境下的敷设安装工艺难度，提高安全可靠性和耐用性。
附图说明
图1为本申请实施例的断面结构示意图。
附图标记说明：
1-信号线芯，2-聚氨酯弹性体填充芯，3-PP树脂填充芯材，4-镀银铜线导体，5-PVDF绕包绝缘层，6-铜箔层，7- ETFE树脂绕包层，8-镀锡铜丝缠绕屏蔽层，9-抗衰减层，10-PTFE树脂绕包层，11-镀锡铜导线缠绕屏蔽层，12-聚氯乙烯内衬层，13-双钢带铠装层，14-聚氯乙烯外护套。
实施方式
本申请的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释，而非旨在限定本申请，下面将结合附图对本申请实施例的实施方式进行详细描述。
参见图1，本申请实施例的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，包括四个信号线芯1围绕聚氨酯弹性体填充芯2周向间隔均布并与PP树脂填充芯材3共同形成缆芯。所述信号线芯1包括镀银铜线导体4，具体的说，所述镀银铜线导体4为若干线径为0.01mm至0.02mm镀银铜线绞合形成，进一步的，所述镀银铜线导体4绞距为所述镀银铜线导体4直径的五至十倍。所述镀银铜线导体4外部依次包覆PVDF绕包绝缘层5、铜箔层6、ETFE树脂绕包层7、镀锡铜丝缠绕屏蔽层8和抗衰减层9，所述PVDF绕包绝缘层5为两层PVDF薄膜互为逆向螺旋绕包结构。所述铜箔层6厚度为20μm至45μm。在一个实施方式中，所述镀锡铜丝缠绕屏蔽层8为若干镀锡铜丝并排螺旋缠绕结构。在一个实施方式中，所述ETFE树脂绕包层7为ETFE树脂带单向螺旋搭盖绕包结构。所述抗衰减层9为铁粉聚乙烯复合树脂带多层搭盖绕包结构。
所述缆芯外部依次包覆有PTFE树脂绕包层10、镀锡铜导线缠绕屏蔽层11、聚氯乙烯内衬层12、双钢带铠装层13和聚氯乙烯外护套14，进一步的，所述双钢带铠装层13表面涂覆有绝缘润滑硅脂。在一个实施方式中，所述PTFE树脂绕包层10为PTFE树脂带单向螺旋搭盖绕包结构。在一个实施方式中，所述镀锡铜导线缠绕屏蔽层11为若干镀锡铜导线并排螺旋缠绕结构，所述镀锡铜导线包括镀锡铜单丝导体和尼龙包覆层，进一步的，所述镀锡铜单丝导体线径为0.1mm至0.3mm，所述尼龙包覆层厚度为0.03mm至0.08mm。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请实施例的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：包括四个信号线芯（1）围绕聚氨酯弹性体填充芯（2）周向间隔均布并与PP树脂填充芯材（3）共同形成缆芯，所述信号线芯（1）包括镀银铜线导体（4）及依次包覆在所述镀银铜线导体（4）外部的PVDF绕包绝缘层（5）、铜箔层（6）、ETFE树脂绕包层（7）、镀锡铜丝缠绕屏蔽层（8）和抗衰减层（9），所述PVDF绕包绝缘层（5）为两层PVDF薄膜互为逆向螺旋绕包结构，所述抗衰减层（9）为铁粉聚乙烯复合树脂带多层搭盖绕包结构，所述缆芯外部依次包覆有PTFE树脂绕包层（10）、镀锡铜导线缠绕屏蔽层（11）、聚氯乙烯内衬层（12）、双钢带铠装层（13）和聚氯乙烯外护套（14）。
2.根据权利要求1所述的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：所述镀银铜线导体（4）为若干线径为0.01mm至0.02mm镀银铜线绞合形成。
3.根据权利要求2所述的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：所述镀银铜线导体（4）绞距为所述镀银铜线导体（4）直径的五至十倍。
4.根据权利要求1所述的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：所述铜箔层（6）厚度为20μm至45μm。
5.根据权利要求1所述的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：所述镀锡铜丝缠绕屏蔽层（8）为若干镀锡铜丝并排螺旋缠绕结构。
6.根据权利要求1所述的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：所述ETFE树脂绕包层（7）为ETFE树脂带单向螺旋搭盖绕包结构。
7.根据权利要求1所述的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：所述PTFE树脂绕包层（10）为PTFE树脂带单向螺旋搭盖绕包结构。
8.根据权利要求1所述的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：所述镀锡铜导线缠绕屏蔽层（11）为若干镀锡铜导线并排螺旋缠绕结构，所述镀锡铜导线包括镀锡铜单丝导体和尼龙包覆层。
9.根据权利要求8所述的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：所述镀锡铜单丝导体线径为0.1mm至0.3mm，所述尼龙包覆层厚度为0.03mm至0.08mm。
10.根据权利要求1所述的抗冲击抗衰减传感器信号电缆，其特征是：所述双钢带铠装层（13）表面涂覆有绝缘润滑硅脂。
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