CN220553081U - 用于极紫外辐射光化掩模复查的系统 - Google Patents

用于极紫外辐射光化掩模复查的系统 Download PDF

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涂志强
温志伟
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Abstract

极紫外辐射(EUV)光化掩模复查系统，包括：掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模，所述EUV照明器包括EUV光整形孔，所述EUV光整形孔包括板且所述板具有穿过其中的穿孔；EUV成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模反射的所述EUV光的至少一部分投影到所述EUV成像传感器上；以及真空腔室，包含所述EUV照明器、所述掩模台、所述EUV成像传感器和所述投影光学元件盒。

Description

用于极紫外辐射光化掩模复查的系统
技术领域
本实用新型实施例是有关于极紫外辐射光化掩模复查系统。
背景技术
以下涉及光刻技术、光刻掩模检查(inspection)技术、极紫外辐射(ExtremeUltraviolet，EUV)光刻技术、EUV光刻掩模检查技术和相关技术。
实用新型内容
本实用新型的另一些实施例的一种极紫外辐射(EUV)光化掩模复查系统，包括：掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模上；EUV成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模反射的所述EUV光的至少一部分投影到所述EUV成像传感器上；以及真空腔室，包含所述EUV照明器、所述掩模台、所述EUV成像传感器和所述投影光学元件盒；其中所述投影光学元件盒包括：凹面镜，具有中心开口；凸面镜，朝向所述凹面镜；以及孔，介于所述凹面镜与所述凸面镜之间，所述孔具有开口，所述开口的尺寸和位置使得从所述EUV掩模反射的EUV光以至少8度的主射线角度通过，且还使从所述凸面镜反射的EUV光通过所述凹面镜的所述中心开口。
本实用新型的又一些实施例的一种极紫外辐射(EUV)光化掩模复查系统，包括：掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模，所述EUV照明器包括EUV光整形孔，所述EUV光整形孔包括板且所述板具有穿过其中的穿孔；EUV成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模反射的所述EUV光的至少一部分投影到所述EUV成像传感器上；以及真空腔室，包含所述EUV照明器、所述掩模台、所述EUV成像传感器和所述投影光学元件盒。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明，能最好地理解本实用新型的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1示意性地示出了光化EUV掩模检查系统。
图2A至图2E示意性地示出了用于设计和制作用于图1的光化EUV掩模检查系统的光源掩模优化(Source-Mask Optimization，SMO)孔(aperture)的过程。
图3示意性地示出了适用于图2C的示意性表示中的强度对半径平方的图。
图4示意性地示出了由图2A至图2E的过程制作的SMO孔的几个开口的形成。
图5示意性地示出了用于使图1的系统能够在不同的SMO孔之间切换同时将光化EUV掩模检查系统保持在真空的状态下的SMO孔滑动件(slider)。
图6A部分示意性地示出了适用于图1的系统的投影光学元件盒(ProjectionOptics Box，POB)的反射镜(mirror)组件的光路径(optical path)，图6B示意性地示出了图6A的反射镜组件的透视图，其具有用于调整反射镜以实现POB的光束优化过程(beamoptimization process)同时将光化EUV掩模检查系统保持在真空的状态下的致动器(actuator)。
图7示意性地示出了图6B的放大图，其中致动器按类型标记。
图8示意性地示出了可用于实现图6A、6B和图7中所示的致动器的电驱动致动器。
图9示意性地示出了图6A、6B和图7的反射镜组件的部分以及用于提供高的光收集和可调节的数值孔径(Numerical Aperture，NA)的有益组合的孔，同时将光化EUV掩模检查系统保持在真空的状态下。
图10和图11藉由孔的几何形状的俯视图和叠加有光束锥(beam cone)的受检EUV掩模的的透视图示意性地示出了图9的POB的第一孔的各种实施例。
图12示意性地示出了光化EUV掩模检查方法。
具体实施方式
以下公开内容提供诸多不同的实施例或实例以实施所提供主题的不同特征。下文阐述组件及排列的具体实例以简化本实用新型。当然，这些仅是实例且并不旨在进行限制。举例来说，在以下说明中，第一特征形成在第二特征之上或形成在第二特征上可包括其中第一特征与第二特征形成为直接接触的实施例，且还可包括其中在第一特征与第二特征之间可形成额外特征以使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本实用新型可在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。此种重复是出于简化及清晰目的，而并非自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
此外，为易于说明起见，本文中可使用例如“在…下面(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部的(lower)”、“在…上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所说明的一个组件或特征与另一(其他)组件或特征之间的关系。除图中所绘示的取向之外，所述空间相对性用语还旨在囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性阐述语可同样相应地进行解释。
极紫外辐射(EUV)光刻用于集成电路(Integrated Circuit，IC)制造工艺，其关键尺寸(Critical Dimension，CD)的大小可小至10nm或更小。EUV光通常被认为是自由空间波长范围介于10nm至124nm的紫外线光。作为一个非限制性示例性实例，使用波长为13.5nm的EUV光的EUV光刻在商业上用于光刻定义IC特征，例如5nm的CD大小。为了实现亚波长(sub-wavelength)尺寸的特征(即，其CD小于光刻中使用的光波长的特征)，可使用各种技术，例如在掩模设计中包含亚分辨率辅助特征(Sub-Resolution Assist Features，SRAFs)。在设计具有小CD的复杂掩模时，可使用一种称为光源掩模优化(SMO)的技术。在这种方法中，照明孔和掩模一起优化，因此SMO的输出包括优化的掩模设计和相应的优化的EUV照明孔。在使用中，EUV光刻扫描式曝光机(scanner)被配置为用优化的EUV照明孔照明优化的掩模，以便在涂覆半导体晶片光刻胶中产生所需的潜像(latent image)。
掩模的损坏或污染(例如粘附在掩模表面的微粒)会转移到转印(print)在光刻胶上的潜像，从而导致可能对器件产量产生不利影响或需要报废(scrap)晶片的缺陷。另一方面，根据颗粒的大小、位置和其他特性，颗粒可能不会实际转印。为了进行这样的评估，采用了光化掩模检查。掩模的光化检查需要使用与在光刻中使用掩模时光刻系统所使用的波长相同的光来检查掩模。举例来说，如果掩模用于采用13.5nm EUV光的EUV光刻，则使用13.5nm的EUV光对掩模进行光化检查。此外，如果掩模是SMO设计的，那么在掩模检查中应该使用相应优化的EUV光孔。经由光化掩模检查，可确定例如掩模上的缺陷是否会实际转移并转印到光刻胶中。执行光化掩模检查的一种方法是使用EUV光刻扫描式曝光机执行EUV光刻测试运行(test run)，然后检查涂覆在测试晶片(test wafer)的光刻胶中产生的潜像。然而，这种用于光化掩模检查的方法需要时间，因为光刻胶是先显影(develop)再被检查的。此外，这种使用EUV光刻扫描式曝光机的光化掩模检查占用了EUV光刻扫描式曝光机的宝贵时间。
在本文实用新型的实施例中，提供了专用的EUV光化掩模复查(review)系统，包括配置为安装EUV掩模的掩模台(mask stage)、布置为将EUV光传输到安装在掩模台上的EUV掩模上的EUV照明器、EUV成像传感器以及配置为将至少一部分由安装在掩模台上的相关联的EUV掩模反射的EUV光投影到EUV成像传感器上的投影光学元件盒。EUV照明器、掩模台、EUV成像传感器和投影光学元件盒包含在真空腔室中，并且在各种实施例中，可从真空腔室外部操作光化掩模检查系统的各种调整，以便可在真空腔室抽真空的状态下进行调整。在这种情况下，抽真空使真空腔室的内部压力低于大气压(1atm＝760Torr＝101kPa)。抽的真空应足够低，以使EUV光能穿过真空腔室内的抽空环境(evacuated ambient)，而不会由于穿过抽空环境而产生不可接受的衰减(attenuation)。在一些非限制性示例性实施例中，真空腔室中的抽吸压力约为750mTorr(＝100Pa)或更低，尽管这仅仅是非限制性示例性实例。应当理解，抽取真空可能需要使用合适的真空泵或真空泵的组合来连续泵送以抵消来自表面的脱气或其他气体流入。还预期可在氢气或另一种工作气体流入真空腔室的情况下保持抽真空，以在抽真空压力下产生所需的环境组成。在真空腔室处于真空状态时对光化掩模检查系统进行各种调整的能力有助于使用与EUV光刻扫描式曝光机非常相似的设置执行复杂的光化掩模检查，例如将系统的投影光学元件盒设置为具有与掩模的设计基准的数值孔径(Numerical Aperture，NA)匹配的NA。在SMO设计的掩模的情况下，EUV光化掩模复查系统的各种实施例旨在提供合适的SMO优化EUV光孔，并且在一些实施例中旨在于不同的EUV光孔之间切换。另一个好处是，EUV成像传感器提供了掩模的空间图像(aerial image)，可使用例如缩放和平移等图像显示操作技术直接查看并立即检查以评估掩模，而无需涉及介入曝光光刻胶显影和检查处理。
参照图1，示出了示例性的专用EUV光化掩模复查系统。该系统包括真空腔室10，其包含向EUV照明器14发射EUV光L1的EUV光源12，EUV照明器14可藉由诸如聚焦和/或整形(shape)光孔的操作来处理光以产生光L2。EUV照明器14被布置(在示例性实例中藉由反射镜M-mask)以将EUV光L3传输到安装在掩模台18上的EUV掩模16上。EUV光通常被认为是光谱范围介于10nm至124nm的紫外光(例如，13.5nm，此为商用EUV光刻扫描式曝光机中常用的波长)；然而，如本文所用，EUV光L1、EUV光L2、EUV光L3可具有可包含较短波长的波长(例如6.7nm超极紫外辐射(Beyond EUV，BEUV))，以致于此类较短波长EUV光(例如6.7nm光)用于IC制造的光刻工艺中。作为非限制性实例，输出EUV光L1的EUV光源12可包括激光产生等离子体(Laser-Produced Plasma，LPP)EUV光源，例如使用锡滴或激光辅助放电产生等离子体(Laser-assisted Discharge Produced Plasma，LDP)EUV光源等。EUV照明器14可以可选地包括形成光学元件串(optical train)的反射镜(未示出)布置，其聚焦、引导或以其他方式处理EUV光以形成输出光L2。在一些实施例中，EUV照明器14包括载有多个EUV光整形孔的滑动件20(具有作为示例性实例以放大平面视图标出的一个示例性光整形孔22)。每一EUV光整形孔22包括板24和穿过板的穿孔26。如本文稍后将描述的，穿孔26在一些实施例中可被设计成提供形成光L2的EUV孔以匹配对应于经受检查的掩模16的SMO优化孔。滑动件20能够在真空腔室10处于真空状态下时在光整形孔之间切换，从而便于检查掩模(或多张掩模)而无需对真空腔室10破真空(vent)以更换光整形孔。
掩模台18可为任意能够在固定位置接收和安装掩模16以进行检查掩模16的结构。举例来说，掩模台18可包括用于将掩模16固定到掩模台18的真空吸盘(vacuum chuck)、静电吸盘(electrostatic chuck)等。尽管未示出，但还设想掩模台18和/或辅助硬件配置为能够在不同掩模之间切换同时保持真空腔室10处于真空的状态下。举例来说，机械(robotic)装载/卸载机构(未示出)被设想用于将选定的掩模从掩模存储升降机(maskstorage elevator)、掩模载体或掩模吊舱(mask pod)等传送到掩模台18并将传送的掩模放置到掩模台18上。如此一来，可在不破坏真空腔室10的真空状态下连续检查多张掩模。如果这些掩模是不同的SMO优化掩模，则可藉由操作EUV照明器14的滑动件20以提供合适的EUV光孔，依次使用其相应的SMO优化EUV光孔检查每一掩模。
继续参照图1，示例性EUV光化掩模复查系统还包括设置在真空腔室10内的投影光学元件盒(POB)30。POB 30被配置成将被安装在掩模台18上的EUV掩模16反射的EUV光L4的至少一部分作为被POB 30投影到也设置在真空腔室10内的EUV光化掩模复查系统的EUV成像传感器32上的投影光L5投影。图1示出了POB 30的示意性表示。在一些实施例中，POB 30包括一组反射镜和一组致动器34，这使得能够使用该组致动器34来调整该组反射镜中的至少一个反射镜的位置以优化从POB 30到EUV成像传感器32的光束输出。示例性POB 30还包括在图1的放大侧剖视图中示意性示出的第一孔A1，以及载有多个(第二)孔A2的滑动件或转盘(carousel)，这些孔A2可选择性地插入到POB 30的光路径中以将POB 30的数值孔径(NA)设置为由所选孔径决定的值。图1示意性地示出了载有一组六个可选择的(即，POB的NA选择)第二孔A2的示例性转盘36的放大顶视图。如本文将进一步描述的，第一孔A1在一些实施例中被设计成增强EUV光收集，而可选择的第二孔A2的组提供用于将POB 30设置为选定的数值孔径。EUV成像传感器32可为任意对EUV光L5敏感的成像传感器阵列，例如电荷耦合元件(Charge-Coupled Device，CCD)成像阵列、延时积分(Time Delay Integration，TDI)成像阵列等。
在图1的示例性实例中，真空腔室10包括EUV光源12、EUV照明器14、掩模台18、POB30和EUV成像传感器32。在变型实施例中(未示出)，EUV光源12可位于真空腔室10的外部且经由合适的抽空的EUV光端口等与其连接。举例来说，在EUV光源12是激光产生等离子体(LPP)光源的实施例中，LPP光源可包含在单独的LPP光源真空腔室中，该真空腔室藉由位于LPP光源产生的EUV光束的中间焦点(Intermediate Focus，IF)处附近的EUV光耦合管与包含EUV照明器14、掩模台18、POB 30和EUV成像传感器32的真空腔室10相连。
继续参照图1，示例性EUV光化掩模复查系统被配置为能够在真空腔室10抽真空的状态下调整EUV光化掩模复查系统的至少一个组件的位置。因此，至少一个部件的位置的调整可在不对真空腔室10破真空以将其打开以进行调整的情况下完成。举例来说，调整至少一个部件的位置可包括以下一项或多项：(i)调整滑动件20以将选定的光整形孔置于光路径中；和/或(ii)使用POB 30的致动器34的组调整POB 30的反射镜的组中的至少一个反射镜的位置；和/或(iii)操作滑动件或转盘36以将多个孔中的选定孔A2插入到POB 30的光路径中以将POB 30的数值孔径(NA)设置为由选定孔A2决定的值。
为了以自动或半自动方式提供此类调整，在示例性图1中，EUV光化掩模复查系统进一步包括或可操作地连接到示例性计算机或提供控制功能的其他电子处理设备40。计算机或其他电子处理设备40可为台式计算机、笔记本电脑、平板计算机、服务器计算机、其的各种组合等。或者，计算机或其他电子处理设备40可为基于微处理器或微控制器的定制(custom-built)计算设备。为了将计算机或其他电子处理设备40与EUV光化掩模复查系统的各种可控组件连接，可在真空腔室10中或在与其固定的合适的真空腔室端口处提供合适的电(或气动、液压或其他类型的)馈通(feedthrough)(特征未示出)。
计算机或其他电子处理设备40包括或可操作地连接到非暂时性存储介质42，该存储介质42存储可由计算机或其他电子处理设备40读取和执行的指令，以使计算机或其他电子处理设备40执行所实用新型的控制功能。举例来说，计算机或其他电子处理设备40被合适地编程以执行光化图像获取过程44，其中经受检查的掩模16的光化图像被EUV成像传感器32获取。光化图像获取过程44可以可选地执行诸如裁剪(crop)光化图像、光化图像上色(color)等的图像预处理操作，且可进一步在显示器46上显示(可选地预处理的)光化图像，显示器46包括在计算机或其他电子处理设备40中或可操作地连接到计算机或其他电子处理设备40。
作为另一个例子，计算机或其他电子处理设备40可被编程为执行SMO孔选择过程50，其中从键盘52、鼠标54或其他用户输入设备(其被包括在计算机或其他电子处理设备40或可操作地连接到计算机或其他电子处理设备40)接收的用户输入选择滑动件20所载有的孔，且计算机或其他电子处理设备40向滑动件20发送电致动信号以使滑动件将选定的光整形孔滑入光路径。(替代电致动信号，可使用气动或液压致动信号，或者可使用无线电致动信号)。为此，滑动件20合适地包括或可操作地连接密封的真空兼容(vacuum-compatible)马达或由致动信号控制的用于移动滑动件20的其他动力机构。在一个变型实施例中，不是从用户输入设备(键盘52、鼠标54)接收控制信号，而是SMO孔选择过程50可在孔的预定序列中执行预编程的方案(recipe)，这些空被连续地插入到光路径中以使用不同的光整形孔执行一系列不同的掩模检查过程。在一些实施例中，SMO孔选择过程50可结合相应的掩模选择过程(未示出)操作，控制机械掩模装载(loader)/卸载机(unloader)等，以依次将不同的待检的掩模装载到掩模台18上。举例来说，孔的预定序列可为SMO孔的预定序列，其对应于经受检查的SMO优化掩模的预定序列。
作为另一个例子，计算机或其他电子处理设备40可被编程为执行POB数值孔径(NA)选择过程56，其中用户输入或预编程的方案指定POB 30的NA，且计算机或其他电子处理设备40向滑动件或转盘36发送致动信号以使滑动件或转盘36将合适的第二孔A2插入到POB 30的光路径中以将POB 30设置为指定的NA。该POB的NA选择可结合SMO孔选择过程50和掩模装载过程来完成，以使用适用于每一掩模的POB NA来实施上述预定序列的SMO优化掩模检查。
作为又一实例，计算机或其他电子处理设备40可被编程为藉由使用POB 30的致动器34的组调整POB 30的反射镜的组中的至少一个反射镜的位置来执行光束优化过程60。在这种情况下，调整可能很复杂，因为反射镜组可能包括数个反射镜(例如，在本文给出的一些实例中的四个反射镜)，且可能具有多个致动器34用于调整每一反射镜(或者，在本文的一些实例中，其中单一致动器34可调整连接两个反射镜的支柱(strut)，使得一次调整移动两个反射镜)。因此，设想光束优化过程60包括自动回馈控制(feedback-controlled)的过程。在一种方法中，EUV光L2从EUV照明器14传输到EUV掩模16(或者，在另一实例中，传输到安装在掩模台18上的EUV反射镜上)并使用POB 30将由EUV掩模或EUV反射镜反射的EUV光L4的至少一部分投影到EUV成像传感器32上，并且使用EUV成像传感器32测量光束形状。这提供了用于在基于测量的光束形状调整至少一个反射镜的位置中执行光束优化过程60的回馈控制的回馈。在此一回馈控制的过程中，使用安装在掩模台18上的平面EUV反射镜替代掩模可能是有用的，因为所获取的图像因此是未经掩模图案调制的光束。然而，如果掩模图案至少近似已知，或者如果掩模主要为反射性的，则可考虑或忽略掩模对测量光束形状的调制，以便可使用掩模执行光束优化。
参照图1描述的示例性EUV光化掩模复查系统包括许多有助于快速有效地复查掩模的特征，例如载有多个EUV光整形孔22的滑动件20，用于调整POB 30的致动器34，光收集孔A1，载有多个NA选择孔A2的NA选择滑动件或转盘36。应当理解，如图所示，这些不同的特征可一起使用，或者这些特征中的一个或多个的子集可在没有其他特征的情况下使用，同时仍然获得所使用的一个或多个特征的实质效果。
已经参照图1提供了示例性EUV光化掩模复查系统的概述，在下文中更详细地描述了EUV光化掩模复查系统和/或其方面的各种实施例的各种特征和方面。
参照图2至图4，描述了用于制造图1的EUV光整形孔22的实施例的方法。所实用新型的方法制造EUV光整形孔22以整形EUV光L1以产生具有SMO孔的光L2，该SMO孔使用光源掩模优化(SMO)与掩模16共同设计。举例来说，在图2A中，EUV光孔70可存储为标准格式的EUV扫描式曝光机源(src)文件，其可由商用EUV光刻扫描式曝光机的控制器使用。如图2A所示，EUV光孔包括在EUV光束的二维横截面上强度变化的光强度。该光强度分布已使用SMO与掩模16的图案共同设计，以提供在光刻期间转印在晶片的光刻胶上的设计潜像。在第一制造步骤中，将EUV光孔70的光强度分布拟合到一个网格中，以形成拟合的六边形强度点(intensity point)网格，如图2B所示。示例性实例采用六边形网格；然而，也可使用笛卡尔网格或其他类型的网格。在拟合中，网格上的每个点被分配对应于该点位置EUV光孔70的光强度的光强度。因此，网格拟合过程可看作是EUV光孔70的二维空间离散化(discretization)。
参照图2C和图3，使用图2C所示的强度与穿孔半径变换(示为图3中标有轴的放大视图)来将图2B的光强度拟合网格72变换成一组穿孔直径。对于给定的穿孔，光强度I与穿孔面积成比例，因此光强度与穿孔的半径R的平方成比例，即I∝R2。因此，拟合网格72的较亮点对应于较大直径的穿孔。这种示例性的强度与穿孔尺寸的关系假定穿孔26具有圆形横截面，这对于激光钻穿孔(drilled through-holes)是典型的。如果穿孔具有另一种横截面几何形状，则可用合适的强度与穿孔横截面面积的关系代替图3中给出的实例。举例来说，如果穿孔具有边长为d的正方形横截面，则I∝d2将为合适的关系。
为了制造图2E中所示的实体光整形孔22，在板24中钻出穿孔26。由于EUV光很容易被大多数材料吸收，因此板24通常可由具有足够刚性(当安装在图1的滑动件20的框架中时可能由于张力而变得刚性)的任意EUV吸收材料制成。在一个非限制性示例性实施例中，板24为厚度约为0.1mm的不锈钢板，穿孔26经由激光钻孔形成。(在另一个非限制性示例性实施例中，穿孔26可经由机械钻孔形成。在另一个非限制性示例性实施例中，穿孔26可使用对应于图2B的布局(拟合网格72)的掩模藉由光刻工艺形成。图4示意性地示出了所得到的光整形孔22的小区域的实例，其包括图2B的六边形拟合网格72的指示的七个单元(cell)74，并示出了与六边形网格单元74对齐的相应钻穿孔26，且钻穿孔26具有与图4中标记的局部光强度相对应的不同直径。应注意，六边形网格72并未实体地存在于光成形孔22的板24上，而是用于定义钻穿孔26的位置的几何结构，如图2B所示。如图4进一步所示，六边形网格的一些单元可能没有任何对应的钻穿孔，因为EUV孔在这些单元的位置没有光强度。此外，如前所述，六边形网格可由笛卡尔网格或其他阵列或穿孔图案替代。
藉由六边形(或其他)网格和强度到穿孔区域插值(area interpolation)，光整形孔可以非常接近复杂的SMO孔。EUV光整形孔22具有制造简单和能够再现实质上任意类型的EUV孔的实质优点。相比之下，在实际的EUV光刻扫描式曝光机中实现这样的光孔通常依赖于高度复杂且昂贵的EUV反射镜布置以及许多反射镜调整致动器。
返回参照图1且现在进一步参照图5，示出了滑动件20的实施例的放大图。在该示例性实例中，滑动件20携带十个光整形孔，标识为「SMO孔#1」、...、「SMO孔#10」，每一都为相应的SMO优化掩模提供SMO优化EUV光孔。图5还示出了「SMO孔#1」的放大隔离视图。滑动件20可从真空腔室10的外部操作以定位多个EUV光整形孔中的选定EUV光整形孔22，使得传输的EUV光传输通过选定的EUV光整形孔，然后传输到安装在掩模台上的相关联的EUV掩模上。换句话说，来自EUV光源12的EUV光L1通过选定的EUV光整形孔，使得输出光L2符合由选定的EUV光整形孔提供的EUV光孔。如图5中的双箭头所示，滑动件可在水平方向上移动(对于图5中所示的滑动件方向)以在各种光整形孔之间(例如在「SMO孔#1」、...、「SMO孔#10」之间)切换。可选地，滑动件也可在垂直方向上移动(对于所示的滑动件方向)，以精确定位EUV光束中的光整形孔。滑动件的这些移动合适地使用设置在真空腔室10中并与滑动件20连接的真空兼容马达(未示出)来执行，或者使用真空腔室10外部的马达来执行，该马达藉由采用波纹管(bellow)等的真空密封(vacuum-tight)机械耦合的方式耦合。如先前参照图1所描述的，举例来说，由计算机或其他电子处理设备40运行的SMO孔选择过程50合适地控制滑动件20的移动，且在一些实施例中可实施预编程的方案以执行具有不同SMO孔的一系列掩模检查过程。
应当注意，虽然图5将所有光整形孔示出为SMO孔，但是载有光整形孔中的一个或多个或全部的可为其他类型的孔，例如提供被整形为具有特定光束直径的EUV光L2。在这种情况下，光整形孔可具有对应于所需的EUV光束直径的单个大中心开口。作为进一步的变型，图5示出了可提供的第二滑动件20'(以及可选地第三或更多额外的滑动件)。在一种方法中，每一滑动件20、滑动件20'可载有一组用于特定IC制造技术或IC制造层的光整形孔，以便每当要检查该IC制造技术或层的掩模16时，合适的滑动件(例如滑动件20或滑动件20')被装载到EUV光化掩模复查系统中。在另一种方法中，电动机构可被配置为处理两个(或更多)滑动件并切换到载有选定光整形孔的滑动件，接着水平移动该滑动件以将该滑动件上的选定的孔置于EUV光束中。
现在参照图6A和图6B，进一步描述投影光学元件盒(POB)30和其致动器34的一些示例性实施例。图6A示出了示例性POB 30的射线图，而图6B示出了包括致动器34的示例性POB 30的透视图。示例性POB 30包括四个反射镜的组(或集合)，标示为反射镜M1、反射镜M2、反射镜M3和反射镜M4。反射镜M1是凹面镜，反射镜M1接收从EUV掩模反射的EUV光L4并将其聚焦到作为凸面镜的反射镜M2。凸面镜(反射镜)M2通过凹面镜(反射镜)M1的中心开口80反射光。具有中心开口80的凹面镜(反射镜)M1和与凹面镜(反射镜)M1的中心开口相对布置的凸面镜(反射镜)M2的组合形成史瓦西(Schwarzchild)光学子系统82，如图6A中示意性地示出的。反射镜M2输出的EUV光穿过中心开口80反射离开反射镜M3，接着反射镜M4以形成撞击在如图1所示的EUV成像传感器32上的EUV光L5。应当理解，这是示例性POB 30的非限制性示例性光学元件串，且可采用其他反射镜布置和反射镜数量来实现投影光学元件盒30的光学元件串。
如图6B所示，构成POB 30的光学元件串的反射镜M1、反射镜M2、反射镜M3、反射镜M4的组藉由互连支柱84固定在一起，支柱84可例如包括不锈钢管或其他合适刚性和真空兼容的材料。在没有致动器34的情况下，支柱84将提供无法调节的反射镜M1、反射镜M2、反射镜M3、反射镜M4的组的刚性组件。在没有致动器34的光学对准的一种方法中，POB 30使用对准激光器(例如，HeNe激光器)等在大气中光学对准。此种类型的对准不提供关于将由POB30产生的EUV光束的直接回馈。此外，在没有致动器34的情况下，无法微调(fine-tune)POB30的光学对准。
藉由所实用新型的POB 30的致动器34，包括反射镜M1、反射镜M2、反射镜M3、反射镜M4的组的POB 30的光学元件串可在真空腔室10中为抽真空的状态下同时被原位调整，从而能够微调光学对准。此外，在这种原位调整期间(并返回参照图1)，EUV光源12可与EUV成像传感器32一起操作，以便经由在掩模台18上安装反射掩模或专用平面对准镜，在对准过程中，POB 30输出的EUV光束(包括光束形状)可直接被EUV成像传感器32监测。这允许光束优化过程60(参见图1)使用致动器34执行POB 30的回馈控制调整以优化如成像传感器32在对准过程期间所观察到的EUV光束。光束优化过程60可使用任意合适的指标来量化由成像传感器32观察到的光束质量，例如光束直径、光束半峰全宽(Full Width at HalfMaximum，FWHM)、光束在定义区域的均匀性，和/或等等，并且可操作各种致动器34同时监视这些指标以优化指标，从而获得POB 30的光学组件的优化对准。
现在参照图7，POB 30的示例性实施例的透视图被示出为具有按类型标记的各种致动器34。A型致动器34(在图7中标记为「A型致动器」)被整合到互连反射镜M1、反射镜M2、反射镜M3、反射镜M4的组的支柱84中，且可操作以调节支柱84的长度。藉由使用整合到支柱中的A型致动器34调整支柱84的长度，相应地调整由该支柱84互连的两个反射镜之间的间距。根据使用A型致动器延长或缩短的支柱84，可调整反射镜之间的间距和/或两个反射镜之间的相对倾斜度(tilt)。举例来说，如果使用整合到那些支柱84中的A型致动器来延长互连反射镜M3和反射镜M4的所有支柱，则将增加反射镜M3与反射镜M4之间的间距。相反，如果使用整合到那些支柱84中的A型致动器来缩短所有互连反射镜M3和反射镜M4的支柱，则将缩短反射镜M3与反射镜M4之间的间距。此外，如果连接反射镜M3与反射镜M4的支柱被延长或缩短不同的量，则反射镜M3与反射镜M4之间的相对角度将被调整。
B型的致动器34(在图7中标记为「B型致动器」)被置于反射镜组件(包括反射镜M1、反射镜M2、反射镜M3、反射镜M4的组和支柱84)的安装点86与支撑件88之间，安装点86搁置和/或固定到支撑件88上。藉由一起调整B型致动器，整个反射镜组件可向上或向下平移(以图7中所示的方向)。藉由将B型致动器调整不同的量，整个反射镜组件可相对于掩模台18和EUV成像传感器32倾斜。
C型的致动器(在图7中标记为「C型致动器」)直接连接到反射镜，以便使用C型致动器调整反射镜的倾斜度。图7示出了(由图7的插图)用于倾斜反射镜M3的C型致动器；然而，应当理解，C型致动器可包括在POB 30的光学组件的任意或所有反射镜M1、反射镜M2、反射镜M3、反射镜M4中。
给定的实施例可仅包括所示出的致动器的子集，和/或可省略某些类型的致动器。例如，可省略B型致动器，同时仍然保持对POB 30的可调整性。
参照图8，示意性地示出了电驱动致动器34E，作为可用于实施图6A、6B和图7中所示的致动器34的实例。示例性电驱动致动器34E包括一端具有固定块92的外壳90，固定块92支撑马达94，由马达94电引线(lead)95供电以旋转螺纹轴(threaded shaft)96。(或者，固定块92可为马达94的固定定子)。电引线95(或与其连接的电缆，未示出)可合适地延伸到图1的真空腔室10的电馈通端口，以使电驱动致动器34E能够从真空腔室10的外部操作，例如在真空腔室10抽真空的状态下。梭子(shuttle)98与螺纹轴96螺纹接合。藉由梭子98的一个或多个外表面与外壳90的一个或多个内表面的接合来防止梭子98旋转。举例来说，梭子98可具有正方形或矩形的外周边，其装配在外壳90的正方形或矩形的内周边内。因此，梭子98响应于马达94的操作引起的螺纹轴96旋转而线性移动(对于图8所示的致动器34E的示例性方向实质地水平移动)。操作马达沿一个方向(例如顺时针方向)旋转螺纹轴96驱动梭子98远离固定块92(例如，对于图8所示的方向向右)；同时，操作马达以沿相反方向(例如，逆时针方向)旋转螺纹轴96将梭子98拉向固定块92(例如，对于图8所示的方向向左)。
为了使用图8的非限制性示例性电驱动致动器34E实施A型致动器34，整合有A型致动器的支柱82被致动器34E合适地分成端对端的两个子支柱，其中一个子支柱的末端固定到固定块92(或等效地，固定到外壳90)，另一个子支柱的近端固定到梭子98上。如此一来，电动致动器34E可藉由旋转螺纹轴96以带动梭子98远离固定块92来拉伸支柱82，并可藉由反向旋转螺纹轴96来收缩支柱82以将梭子98拉向固定块92。B型致动器可藉由将安装点86固定到固定块92并将相应的支撑件88固定到梭子98来类似地实施(反之亦然)。如图7所示的用于倾斜示例性反射镜M3的C型致动器可藉由将反射镜M3的边缘固定到固定块92并将反射镜M3的相应支柱或其他结构支撑固定到梭子98来类似地实施(反之亦然)。
图8的电驱动致动器34E是步进(stepper)马达驱动的螺杆型致动器的实例，且可类似地使用这种步进器马达驱动的螺杆型致动器的其他设计。此外，应当理解，这只是致动器34的合适实施例的一个示例性实例，更一般地，可类似地使用提供伸展/收缩机构的任意类型的致动器。更进一步地，设想致动器34为气动或液压驱动的致动器，例如带有弹簧装载的可膨胀活塞，以使活塞抵抗气动或液压膨胀力。值得注意的是，致动器34的行进(travel)通常相对较小，因为支柱84被合适地设计为提供POB 30的粗略光学对准(coarse opticalalignment)，并且致动器34接着用于精细调整。在一个非限制性实例中，A型致动器的最大行进介于5mm至20mm的范围内，B型致动器的最大行进介于5mm至10mm的范围内，而C型致动器的最大行进介于2mm至10mm的范围内。此为非限制性示例性实例，且更一般地，致动器34的最大行进基于POB 30的尺寸和几何形状以及可信预期的对准微调程度合适地选择。
现在参照图9，描述了POB 30的孔A1和孔A2的一些示例性实施例。图9示意性地示出图6A、6B和图7的反射镜组件的一部分，包括共同形成史瓦西光学子系统82的反射镜M1和反射镜M2，以及提供高的光收集和可调节的数值孔径(NA)的有益组合的孔A1和孔A2，同时将光化EUV掩模检查系统保持在真空的状态下。在示例性设计中，第一孔A1旨在藉由使其尽可能大来增强EUV光收集，而第二孔A2可藉由示例性转盘36进行选择，该示例性转盘36载有多个孔A2，其为POB 30提供不同的数值孔径(NA)值。在另一实施例中，滑动件36'载有多个孔A2。转盘或滑动件36、滑动件36'合适地包括或可操作地连接密封的真空兼容马达或由POB的NA选择过程56(参见图1)控制的其他动力机构(未示出)以将选定的第二孔A2插入到POB 30的光路径中，以根据选定的孔设置POB 30的NA。如图9所示，在转盘或滑动件36、滑动件36'的示例性实例中，载有的多个孔A2包括六个孔A2以为POB 30提供可选择的数值孔径：0.1、0.095、0.09、0.085、0.080或0.075。应当理解，转盘或滑动件36、滑动件36'可简单地修改以载有更多或更少的孔，例如两个孔、三个孔、四个孔、六个孔(如图所示)、八个孔等。
图9还在每个值下方列出了带括号的NA—此带括号的NA大四倍且对应于晶片处的NA，这是由于EUV光刻扫描式曝光机假定实施的4倍缩减而产生的(在晶片上产生0.4、0.38、0.36、0.34、0.32或0.3的可选的NA)。应当理解，晶片处的这种4倍调整将取决于EUV光刻扫描式曝光机提供的放大倍率，因此对于不同的实施方式可能不同。可选孔A2的示例性实例是结合第一孔A1设计的，在本实例中，第一孔A1旨在藉由第一孔A1(固定孔)创建±6度(NA～0.105)的最大NA集合，而不干扰照明。如图9所示，第二孔A2位于史瓦西光学子系统82之后，即插入通过反射镜M1的中心开口80后从反射镜M2反射的EUV光束中。更一般地，第二孔A2可插入POB 30的光路径中史瓦西光学子系统82之后的任意地方。由转盘或滑动件36或滑动件36'提供的第二孔A2的选择能力有利地提供将结果与晶片的扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy，SEM)图像匹配的灵活性。
继续参照图9并进一步参照图10，第一孔A1是设计成最大化光收集的固定孔。这是可行的，因为POB 30的NA的控制由可选择的第二孔A2处理。这种布置的动机是在此认识到包括史瓦西光学子系统82的非对称POB 30的一些缺点。在非对称POB投影下转印在光刻胶上的潜像(或类似地，由图1的成像传感器32捕获)发生变形，且它与所需的EUV扫描式曝光机的转印形状不匹配。此种不对称的POB投影将导致成像传感器32捕获的掩模检查图像中掩模图案缺陷位置的方向依赖性。如图10所示，藉由划分由第一孔A1执行的光收集任务和由第二孔A2提供的POB的NA的控制，这允许扩大第一孔A1，并且如图10所示，这又可允许修改EUV光化掩模复查系统的几何形状，以用EUV光L3以更大的角度(例如以至少8度的主射线角度(Chief Ray Angle，CRA))照射EUV掩模16，在图10的实例中，CRA为9度。相比之下，如果仅使用孔A1(不使用第二孔A2)，则最大CRA通常约为±6度。在图9和图10的设计中可实现的更大CRA又允许增大从掩模16反射光L4的光收集锥。请注意，由于反射光L4藉由镜面反射反射，反射光L4沿CRA反射，该CRA等于入射光L3的CRA。此外，如图10所示，CRA是相对于掩模16的表面法线测量的。在图10的实例中，CRA为9度的入射光L3具有±6度的锥角。反射光L4也具有9度的CRA，反射光L4的光收集锥为±12度。如图10中所注释，此特定设计提供0.208的NA且以及0.5的标准偏差(sigma)。如图9和图10进一步所示，孔A1的这种大孔径尺寸也使得单一孔开口既能收集反射光L4的大锥角，又能提供使由反射镜M2反射的EUV光穿过史瓦西光学子系统82的反射镜M1的中心开口80的开口。换句话说，收集到的NA可穿过反射镜M1的中心线。
参照图11，使用与图9中使用的相同的图示方法，示出了孔A1的四个进一步设计实例。这四个实例被标示为「案例#1」、「案例#2」、「案例#3」和「案例#4」。案例#1的实例提供了9度的CRA和±12度的收集锥，POB的NA约为0.2(不考虑第二孔A2提供的NA减少)。案例#2的实例提供了10度的CRA和±14度的收集锥，POB的NA约为0.24。
案例#1和案例#2采用孔A1作为圆形孔。如案例#3和案例#4所示，可以通过为孔A1使用椭圆形(但非圆形)孔来进一步增加光收集。案例#3的实例采用椭圆形孔来提供9度的CRA和±10.5度的收集锥，具有约为0.36的较大POB的NA，由于椭圆形孔而增加。案例#4的实例采用椭圆形孔来提供9度的CRA和±12.5度的收集锥，POB的NA约为0.43，由于椭圆形孔再次增加。
除了由固定孔A1提供的更大的POB的NA之外，接着可使用载有可选孔A2的转盘或滑动件36、滑动件36'将其设置为可选的较低值，该方法允许改变入射EUV光L3的CRA，以便在POB的NA设计中获得更大的对称性。使用改进的孔A1可获得的更大的最大NA也有利于获得具有更高分辨率的掩模16的检查图像。因此，大而对称的圆和椭圆体NA为掩模16的光化图像提供高分辨率和对称几何形状，以评估X和Y方向上的任意缺陷图案。
参照图12，示意性地示出了光化EUV掩模检查方法。光化EUV掩模检查方法可例如使用图1的光化EUV掩模检查系统来执行。在操作100中，载有至少一个且可能有多个光整形孔22的滑动件20连同至少一个进行检查的EUV掩模被装载到光化EUV掩模系统中。如果EUV掩模检查系统包括掩模台18，而没有用于在真空下将掩模转移到掩模台18上/从掩模台18上移走的机构，那么通常仅将单一EUV掩模直接装载到掩模台18上。另一方面，如果光化EUV掩模检查系统包括用于在真空下将掩模转移到掩模台18上/从掩模台18上移走的机械机构，则操作100可能需要，举例来说，将一组进行检查的EUV掩模装载到与EUV掩模检查系统相连的掩模存储升降机、掩模载体或掩模吊舱等中，且机械机构可在真空下将晶片转移到掩模台18。
在操作102中，将包含(或包括)在EUV光化掩模复查系统中的真空腔室10抽真空。作为示例性实例，EUV光化掩模复查系统可实质上如图1所示配置且因此包括EUV照明器14、掩模台18、POB 30和EUV成像传感器32。抽真空使真空腔室10的内部压力低于大气压力(1atm＝760Torr＝101kPa)，且该压力足够低，以使EUV光能够穿过真空腔室内的抽空环境而不会出现不可接受的衰减。在一些非限制性示例性实施例中，真空腔室中的抽吸压力约为750mTorr(＝100Pa)或更低，尽管这仅仅是非限制性实例。抽取真空可能需要使用合适的真空泵或真空泵的组合来连续泵送，以抵消表面的脱气或其他气体流入。抽真空还可包括同时使诸如氢气的工艺气体流入真空腔室以在抽空的真空腔室10中产生所需的环境组成。
在操作104中，在抽真空的情况下，调整EUV光化掩模复查系统的至少一个组件的位置。举例来说，操作104可包括在抽真空的状态下操作滑动件20以定位多个EUV光整形孔中的选定EUV光整形孔22，使得光化图像的后续获取包括将EUV光传输通过选定的EUV光整形孔，然后传输到EUV掩模上。作为另一实例，操作104可包括在抽真空的状态下，使用POB30的致动器34的组来调整反射镜M1、反射镜M2、反射镜M3和反射镜M4的组中的至少一个反射镜的位置。例如，POB 30的至少一个支柱84的长度可使用至少一个A型致动器来调整，和/或至少一个反射镜(例如反射镜M3)的倾斜度可使用C型致动器的组的至少一个致动器来调整。作为又一实例，操作104可包括在抽真空的状态下，操作POB 30的滑动件36'或转盘36以将多个孔中的选定孔A2插入POB 30的光路径中以将POB 30的数值孔径设置为由选定的孔A2决定的值。这些仅为操作104中进行的可能调整的示例性实例。应当理解，操作104可包括这些实例调整中的两个或更多个和/或利用抽真空进行的其他调整。
在操作104包括使用POB 30的致动器34的组调整POB 30的反射镜M1、反射镜M2、反射镜M3、反射镜M4的组中的至少一个反射镜的位置的一些实施例中，这可能需要执行回馈控制光束优化。此种优化可能需要使用POB 30将EUV光L2、EUV光L3从EUV照明器14传输到EUV掩模16(或传输到安装在掩模台18上的EUV反射镜上)，并将由EUV掩模或EUV反射镜反射的EUV光L4的至少一部分投影到EUV成像传感器32上，并使用EUV成像传感器32测量光束形状。然后基于测量的光束形状执行对至少一个反射镜的位置的调整的回馈控制，例如迭代进行直到测量的光束形状符合期望的光束直径、光束均匀性或其他光束指标。
继续参照图12，在操作106中，在操作104之后并且每一操作102抽真空，使用EUV成像传感器32获取安装在掩模台18上的EUV掩模16的光化图像(或一组光化图像)。光化图像获取包括将来自EUV照明器14的EUV光L2、EUV光L3传输到EUV掩模16上并且使用POB 30将由EUV掩模16反射的EUV光L4的至少一部分投影到EUV成像传感器32上。
如果光化EUV掩模检查系统包括用于在真空下时用于装载另一个进行检查的EUV掩模的机械机构，则如图12中虚线返回箭头107所示，过程流程然后可包括装载新的掩模并将过程流程返回到操作104以对光化EUV掩模检查进行任意调整以检查下一张EUV掩模。这些调整可能包括，例如，操作滑动件20以装载合适的SMO孔22，该SMO孔22经由光源掩模优化针对下一张掩模共同优化。可对在操作100中装载到掩模存储升降机、掩模载体或掩模吊舱等的所有掩模执行这种重复。可选地，可使用由图1的计算机或其他电子处理设备40执行的预编程方案来使这种批式(batch-style)处理自动化。
继续参照图12，在根据操作104和操作106检查了掩模16之后(或者，在批次掩模检查过程的情况下最后一张掩模以经检查完毕)，工艺流程进行到操作108，在操作108中对真空腔室10破真空并且卸载掩模16。在操作110中，基于对在操作106中获取的掩模的光化图像的分析来决定掩模的处置。图像分析可为半手动的，其中光化图像显示在图1的计算机或其他电子处理设备40的显示器46上，并且人工分析员复查显示的光化图像。另外地或可选地，图像分析可为自动化过程，其中例如将EUV掩模的参考光化图像(或具有名义上相同的图案的EUV掩模的另一实例)与在操作106中获取的光化图像进行比较，且在操作106中获取的光化图像与参照图像之间的差异(如果有的话)被识别并且可选地按诸如差异的类型(例如，将检测到的图像差异区域与参考颗粒图像匹配)、差异的大小(例如，可忽略小于某个阈值的差异)和/或等的特征来分类。在后一种情况下，可在显示器46上呈现由自动图像比较识别的差异，以便加快人工分析员的复查。
应当理解，在一些实施例中，腔室破真空操作108和光化图像分析操作110可和时交换，使得在对腔室破真空和卸载EUV掩模之前，每一操作110检查光化图像。这种交换可能是有用的，因此，举例来说，如果分析确定在操作106中获取的光化图像不足以执行掩模检查，则可重复操作104和操作106，直到获得足以执行掩模检查的光化图像。
继续参照图12，基于掩模检查分析操作110，可进行EUV掩模的各种处置。在一个实例(选项)112中，如果观察到被认为是可修复的缺陷，则EUV掩模可进行必要的掩模修复。此后，可如图12中过程流程返回箭头114所示重新检查修复后的掩模。另一方面，如果观察到被认为无法修复且使掩模无法用于EUV光刻的缺陷(或多个缺陷)，则可报废EUV掩模(图12中未示出的选项)。在另一实例(选项)116中，如果掩模制造商正在为客户执行EUV光化掩模检查方法，则如果检查表明掩模可满足在EUV光刻中使用并符合客户规格，则可将经过检查的EUV掩模包装并运送给客户。到达客户后，掩模可能会被拆封并部署在EUV光刻扫描式曝光机中以执行EUV光刻，如选项118所示。举例来说，选项118可包括制造集成电路(IC)，包括使用EUV掩模执行至少一个EUV光刻步骤。作为又一实例，如果EUV光化掩模检查方法由IC制造厂执行，则IC制造厂可直接转到选项118，例如藉由将检查的EUV掩模装载到IC制造厂的EUV光刻扫描式曝光机中，并且包括使用EUV掩模执行至少一个EUV光刻步骤制造IC。
在下文中，描述了一些进一步的实施例。
在非限制性示例性实施例中，一种方法包括：将包括EUV照明器、掩模台、投影光学元件盒和EUV成像传感器的EUV光化掩模复查系统中的真空腔室抽真空；在抽真空的状态下，调整EUV光化掩模复查系统中的至少一个组件的位置；以及在抽真空的状态下且在调整之后，使用EUV成像传感器获取安装在掩模台上的EUV掩模的光化图像，获取包括将自EUV照明器的EUV光传输到EUV掩模上，并且使用投影光学元件盒将由EUV掩模反射的EUV光的至少一部分投影到EUV成像传感器上。
在一些实施例中，EUV照明器包括载有多个EUV光整形孔的滑动件，多个EUV光整形孔中的每一个包括板，板具有穿过其中的穿孔；且调整包括在抽真空的状态下，操作滑动件来定位多个EUV光整形孔的选定EUV光整形孔，使得获取包括将EUV光传输通过选定的EUV光整形孔接着传输到EUV掩模上。
在一些实施例中，投影光学元件盒包括一组反射镜和一组致动器，且调整包括：在抽真空的状态下，使用投影光学元件盒的一组致动器调整一组反射镜的至少一个反射镜的位置。
在一些实施例中，投影光学元件盒还包括互连一组反射镜的支柱，且调整至少一个反射镜的位置包括：使用一组致动器中的至少一个致动器调整投影光学元件盒的支柱中的至少一个的长度。
在一些实施例中，调整至少一个反射镜的位置包括：使用一组致动器中的至少一个致动器调整至少一个反射镜的倾斜度。
在一些实施例中，调整至少一个反射镜的位置包括：将EUV光从EUV照明器传输到EUV掩模或安装在掩模台上的EUV反射镜上，使用投影光学元件盒将由EUV掩模或EUV反射镜反射的EUV光的至少一部分投影到EUV成像传感器上，并使用EUV成像传感器测量光束形状；以及基于测量的光束形状，对至少一个反射镜的位置的调整执行回馈控制。
在一些实施例中，投影光学元件盒还包括载有多个孔的滑动件或转盘；以及调整包括在抽真空的状态下，操作滑动件或转盘以将多个孔的选定的孔插入到投影光学元件盒的光路径中，以将投影光学元件盒的数值孔径设置为由选定的孔决定的值。
在一些实施例中，投影光学元件盒还包括：史瓦西光学子系统，包括具有中心开口的凹面镜和朝向凹面镜的凸面镜；以及固定孔，介于凹面镜与凸面镜之间，固定孔具有单一开口，单一开口的尺寸和位置被设计成使从EUV掩模反射的EUV光以至少8度的主射线角度通过，且还使从凸面镜反射的EUV光通过凹面镜的中心开口。
在一些实施例中，方法还包括：在获取光化图像之后，打开真空腔室并移除EUV掩模；以及制造集成电路，包括使用EUV掩模执行至少一个EUV光刻步骤。
在非限制性示例性实施例中，EUV光化掩模复查系统包括：掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在掩模台上的相关联的EUV掩模上；EUV成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在掩模台上的相关联的EUV掩模反射的EUV光的至少一部分投影到EUV成像传感器上；以及真空腔室，包含EUV照明器、掩模台、EUV成像传感器和投影光学元件盒；其中投影光学元件盒包括：凹面镜，具有中心开口；凸面镜，朝向凹面镜；以及孔，介于凹面镜与凸面镜之间，孔具有开口，开口的尺寸和位置使得从EUV掩模反射的EUV光以至少8度的主射线角度通过，且还使从凸面镜反射的EUV光通过凹面镜的中心开口。
在一些实施例中，投影光学元件盒还包括：滑动件或转盘，载有多个孔，滑动件或转盘布置成将多个孔的选定的孔插入到投影光学元件盒的光路径中，以将投影光学元件盒的数值孔径设置为由选定的孔决定的值。
在一些实施例中，滑动件或转盘被布置成在穿过凹面镜的中心开口之后将选定的孔插入到EUV光的光路径中。
在一些实施例中，滑动件或转盘可从真空腔室的外部操作以将选定的孔插入到投影光学元件盒的光路径中。
在一些实施例中，EUV照明器包括：滑动件，载有多个EUV光整形孔，多个EUV光整形孔中的每一个包括板且板具有穿过其中的穿孔；其中滑动件可从真空腔室的外部操作以定位的多个EUV光整形孔的选定的EUV光整形孔，使得EUV光传输通过选定的EUV光整形孔，接着传输到安装在掩模台上的相关联的EUV掩模上。
在一些实施例中，投影光学元件盒包括：一组反射镜，包括凹面镜和凸面镜；以及一组致动器，一组致动器可从真空腔室的外部操作以调整一组反射镜中的至少一个反射镜的位置。
在一些实施例中，一组致动器包括：整合到互连一组反射镜的支柱中的致动器，以调整支柱的长度。
在非限制性示例性实施例中，EUV光化掩模复查系统包括：掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在掩模台上的相关联的EUV掩模，EUV照明器包括EUV光整形孔，EUV光整形孔包括板且板具有穿过其中的穿孔；EUV成像传感器；投影光学元件盒，配置为将由安装在掩模台上的相关联的EUV掩模反射的EUV光的至少一部分投影到EUV成像传感器上；以及真空腔室，包含EUV照明器、掩模台、EUV成像传感器和投影光学元件盒。
在一个非限制性示例性实施例中，如前一段所述的EUV光化掩模复查系统还包括载有多个EUV光整形孔的滑动件。滑动件可从真空腔室的外部操作以定位多个EUV光整形孔的选定的EUV光整形孔，使得传输的EUV光传输通过选定的EUV光整形孔，接着传输到安装在掩模台上的相关联的EUV掩模上。
在一些实施例中，投影光学元件盒包括：滑动件或转盘，载有多个孔，滑动件或转盘可从真空腔室的外部操作，以将多个孔的选定的孔插入到投影光学元件盒的光路径中，以将投影光学元件盒的数值孔径设置为由选定的孔决定的值。
在一些实施例中，投影光学元件盒包括：一组反射镜；以及一组致动器，可从真空腔室的外部操作，以调整一组反射镜中的反射镜的位置。
上述内容概述了若干实施例的特征，以使所属领域的技术人员可更好地理解本实用新型的各方面。所属领域的技术人员应了解，他们可容易地使用本实用新型作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的和/或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域的技术人员还应意识到这些等效构造并不背离本实用新型的精神及范围，且其可在不背离本实用新型的精神及范围的情况下在本文中做出各种变化、替代及更改。

Claims (10)

1.一种极紫外辐射(EUV)光化掩模复查系统，其特征在于，包括：
掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；
EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模上；
EUV成像传感器；
投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模反射的所述EUV光的至少一部分投影到所述EUV成像传感器上；以及
真空腔室，包含所述EUV照明器、所述掩模台、所述EUV成像传感器和所述投影光学元件盒；
其中所述投影光学元件盒包括：
凹面镜，具有中心开口；
凸面镜，朝向所述凹面镜；以及
孔，介于所述凹面镜与所述凸面镜之间，所述孔具有开口，所述开口的尺寸和位置使得从所述EUV掩模反射的EUV光以至少8度的主射线角度通过，且还使从所述凸面镜反射的EUV光通过所述凹面镜的所述中心开口。
2.根据权利要求1所述的EUV光化掩模复查系统，其特征在于，所述投影光学元件盒还包括：
滑动件或转盘，载有多个孔，所述滑动件或所述转盘布置成将所述多个孔的选定的孔插入到所述投影光学元件盒的光路径中，以将所述投影光学元件盒的数值孔径设置为由所述选定的孔决定的值。
3.根据权利要求2所述的EUV光化掩模复查系统，其特征在于，所述滑动件或所述转盘被布置成在穿过所述凹面镜的所述中心开口之后将所述选定的孔插入到所述EUV光的所述光路径中。
4.根据权利要求2所述的EUV光化掩模复查系统，其特征在于，所述滑动件或所述转盘可从所述真空腔室的外部操作以将所述选定的孔插入到所述投影光学元件盒的所述光路径中。
5.根据权利要求1所述的EUV光化掩模复查系统，其特征在于，所述EUV照明器包括：
滑动件，载有多个EUV光整形孔，所述多个EUV光整形孔中的每一个包括板且所述板具有穿过其中的穿孔；
其中所述滑动件可从所述真空腔室的外部操作以定位所述的多个EUV光整形孔的选定的EUV光整形孔，使得所述EUV光传输通过所述选定的EUV光整形孔，接着传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模上。
6.根据权利要求1所述的EUV光化掩模复查系统，其特征在于，所述投影光学元件盒包括：
一组反射镜，包括所述凹面镜和所述凸面镜；以及
一组致动器，所述一组致动器可从所述真空腔室的外部操作以调整所述一组反射镜中的至少一个反射镜的位置。
7.根据权利要求6所述的EUV光化掩模复查系统，其特征在于，所述一组致动器包括：
整合到互连所述一组反射镜的支柱中的致动器，以调整所述支柱的长度。
8.一种极紫外辐射(EUV)光化掩模复查系统，其特征在于，包括：
掩模台，配置为安装相关联的EUV掩模；
EUV照明器，布置成将EUV光传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模，所述EUV照明器包括EUV光整形孔，所述EUV光整形孔包括板且所述板具有穿过其中的穿孔；
EUV成像传感器；
投影光学元件盒，配置为将由安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模反射的所述EUV光的至少一部分投影到所述EUV成像传感器上；以及
真空腔室，包含所述EUV照明器、所述掩模台、所述EUV成像传感器和所述投影光学元件盒。
9.根据权利要求8所述的EUV光化掩模复查系统，其特征在于，所述EUV照明器还包括：
滑动件，载有多个EUV光整形孔；
其中所述滑动件可从所述真空腔室的外部操作以定位所述多个EUV光整形孔的选定的EUV光整形孔，使得所述EUV光传输通过所述选定的EUV光整形孔，接着传输到安装在所述掩模台上的所述相关联的EUV掩模上。
10.根据权利要求8所述的EUV光化掩模复查系统，其特征在于，所述投影光学元件盒包括：
滑动件或转盘，载有多个孔，所述滑动件或所述转盘可从所述真空腔室的外部操作，以将所述多个孔的选定的孔插入到所述投影光学元件盒的光路径中，以将所述投影光学元件盒的数值孔径设置为由所述选定的孔决定的值。
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