CN220269127U - 一种高纯乙硅烷充装系统 - Google Patents
一种高纯乙硅烷充装系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220269127U CN220269127U CN202321528059.9U CN202321528059U CN220269127U CN 220269127 U CN220269127 U CN 220269127U CN 202321528059 U CN202321528059 U CN 202321528059U CN 220269127 U CN220269127 U CN 220269127U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- filling
- helium
- pipeline
- vacuum tube
- purity disilane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 62
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 62
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 10
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000010959 steel Substances 0.000 abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种高纯乙硅烷充装系统。该高纯乙硅烷充装系统包括充装柜、冷却装置、液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线，充装柜上设有多接头充装面板，液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线分别与多接头充装面板连接，充装柜内设有若干个分别与所述多接头充装面板连接的气瓶接口，充装柜内设有加热装置以及若干个用于对气瓶一一称重的称重装置，冷却装置用于对所述充装柜内部降温。本实用新型的高纯乙硅烷充装系统充装之前将钢瓶放入烘箱进行升温，再对钢瓶抽真空处理，将钢瓶内的残液处理出来，能够将钢瓶内的残液完全抽出，提高了钢瓶洁净度。
Description
技术领域
本实用新型属于乙硅烷充装技术领域，具体涉及一种高纯乙硅烷充装系统。
背景技术
高纯乙硅烷是太阳能电池、非晶硅膜、化学沉积等过程中重要的原料，主要应用包括半导体技术生长氮化硅膜，氧化硅膜。在化学沉积工艺中，与硅烷比较，高纯乙硅烷具有沉积速度快、沉积温度低特点。高纯乙硅烷可以防止无定形硅中产生球状凸起，提高沉积的均一性，主要使用在20纳米以下高端芯片制造。在离子注入中，乙硅烷束流强，效果优于其他离子源。在半导体工艺中用于外延和扩散工艺，使用乙硅烷，可以使用价格低的玻璃取代昂贵的石英玻璃做LCD的基板。
高纯乙硅烷易液化，且受外部环境影响较大，常温下气瓶内易形成小液珠和气体的混合物，在常规抽真空下是不足以处理合格。
实用新型内容
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种高纯乙硅烷充装系统。
本实用新型的一种高纯乙硅烷充装系统的技术方案是：
一种高纯乙硅烷充装系统，包括充装柜、冷却装置、液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线，所述充装柜上设有多接头充装面板，所述液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线分别与所述多接头充装面板连接，所述充装柜内设有若干个分别与所述多接头充装面板连接的气瓶接口，所述充装柜内设有加热装置以及若干个用于对气瓶一一称重的称重装置，所述冷却装置用于对所述充装柜内部降温。
进一步的，所述充装柜具有两个，所述冷却装置包括冷水机组以及两个冷却盘管，两个所述冷却盘管分别布置在两个所述充装柜内，所述冷水机组的进水口通过三通接头与两个所述冷却盘管的进水口连接，所述冷水机组的出水口通过三通接头与两个所述冷却盘管的出水口连接。
进一步的，所述吹扫管线包括第一氦气干路管、第二氦气干路管、第一氦气支路管和第二氦气支路管，所述第一氦气干路管的一端与其中一个所述多接头充装面板连接，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管并联布置在所述第一氦气干路管的另一端，所述第二氦气干路管的两端分别与第一氦气干路管以及另一个多接头充装面板连接，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管分别设有第一氦气瓶箱和第二氦气瓶箱，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管分别设有控制阀。
进一步的，所述第一氦气干路管、第二氦气干路管上分别设有第一单向阀。
进一步的，所述放空管线包括第一放空管以及第二放空管，所述第一放空管的一端与其中一个所述多接头充装面板连接，所述第二放空管的两端分别与第一放空管以及另一个所述多接头充装面板连接，所述第一放空管以及第二放空管上分别设有放空阀。
进一步的，所述抽真空管线包括回收罐、第一真空管、第二真空管以及第三真空管，所述第一真空管的两端分别与所述回收罐的进料口以及其中一个所述多接头充装面板连接，所述第二真空管的两端分别与所述第一真空管以及另一个所述多接头充装面板连接，所述第三真空管的一端与所述回收罐的出气口连接，所述第三真空管上设有第一真空泵以及第一截止阀，所述第三真空管与所述第二放空管端部连接。
进一步的，所述第一真空管以及第二真空管上分别设有第二单向阀。
进一步的，所述抽真空管线包括第四真空管，所述第四真空管的两端分别连接在所述第一截止阀出气端一侧和所述第一真空泵进气端一侧的第三连接管上，所述第四真空管上设有第二真空泵和第二截止阀。
本实用新型提供了一种高纯乙硅烷充装系统，其有益效果是：
本实用新型的高纯乙硅烷充装系统通过充装柜和若干个钢瓶的结构设置，提高了充装操作的功能性以及充装效率。本实用新型的高纯乙硅烷充装系统充装之前将钢瓶放入烘箱进行升温，再对钢瓶抽真空处理，将钢瓶内的残液处理出来，残液处理后连接充装管线进行充装。能够将钢瓶内的残液完全抽出，提高了钢瓶洁净度。充装过程中，换钢瓶时采用氦气保压确保了安全，避免了因泄露造成的环境污染。
附图说明
图1是本实用新型实施例的高纯乙硅烷充装系统的原理图；
图2是本实用新型实施例的高纯乙硅烷充装系统的原理图的部分；
图3是本实用新型实施例的高纯乙硅烷充装系统的原理图的另一部分；
图中：1、气相高纯乙硅烷充装管线；2、液相高纯乙硅烷充装管线；3、充装柜；4、称重装置；5、冷却装置；6、第一氦气干路管；7、第二氦气干路管；8、第一氦气支路管；9、第二氦气支路管；10、第一氦气瓶箱；11、第二氦气瓶箱；12、控制阀；13、第一放空管；14、第二放空管；15、回收罐；16、第一真空管；17、第二真空管；18、第三真空管；19、第一真空泵；20、第一截止阀；21、第四真空管；22、第二真空泵；23、第二截止阀。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：
本实用新型的高纯乙硅烷充装系统的具体实施例，如图1至图3所示，包括充装柜3、冷却装置5、液相高纯乙硅烷充装管线2、气相高纯乙硅烷充装管线1、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线，充装柜3上设有多接头充装面板，液相高纯乙硅烷充装管线2、气相高纯乙硅烷充装管线1、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线分别与多接头充装面板连接，充装柜3内设有若干个分别与多接头充装面板连接的气瓶接口，充装柜3内设有加热装置以及若干个用于对气瓶一一称重的称重装置4，冷却装置5用于对充装柜3内部降温。
本实施例中，充装柜3具有两个，冷却装置5包括冷水机组以及两个冷却盘管，两个冷却盘管分别布置在两个充装柜3内，冷水机组的进水口通过三通接头与两个冷却盘管的进水口连接，冷水机组的出水口通过三通接头与两个冷却盘管的出水口连接。吹扫管线包括第一氦气干路管6、第二氦气干路管7、第一氦气支路管8和第二氦气支路管9，第一氦气干路管6的一端与其中一个多接头充装面板连接，第一氦气支路管8和第二氦气支路管9并联布置在第一氦气干路管6的另一端，第二氦气干路管7的两端分别与第一氦气干路管6以及另一个多接头充装面板连接，第一氦气支路管8和第二氦气支路管9分别设有第一氦气瓶箱10和第二氦气瓶箱11，第一氦气支路管8和第二氦气支路管9分别设有控制阀12。
本实施例中，第一氦气干路管6、第二氦气干路管6上分别设有第一单向阀。放空管线包括第一放空管13以及第二放空管14，第一放空管13的一端与其中一个多接头充装面板连接，第二放空管14的两端分别与第一放空管13以及另一个多接头充装面板连接，第一放空管13以及第二放空管14上分别设有放空阀。
本实施例中，抽真空管线包括回收罐15、第一真空管16、第二真空管17以及第三真空管18，第一真空管16的两端分别与回收罐15的进料口以及其中一个多接头充装面板连接，第二真空管17的两端分别与第一真空管16以及另一个多接头充装面板连接，第三真空管18的一端与回收罐15的出气口连接，第三真空管18上设有第一真空泵19以及第一截止阀20，第三真空管18与第二放空管14端部连接。第一真空管16以及第二真空管17上分别设有第二单向阀。抽真空管线包括第四真空管21，第四真空管21的两端分别连接在第一截止阀20出气端一侧和第一真空泵19进气端一侧的第三连接管上，第四真空管21上设有第二真空泵22和第二截止阀23。
本实用新型的高纯乙硅烷充装系统通过充装柜3和若干个钢瓶的结构设置，提高了充装操作的功能性以及充装效率。本实用新型的高纯乙硅烷充装系统充装之前将钢瓶放入烘箱进行升温，再对钢瓶抽真空处理，将钢瓶内的残液处理出来，残液处理后连接充装管线进行充装。能够将钢瓶内的残液完全抽出，提高了钢瓶洁净度。充装过程中，换钢瓶时采用氦气保压确保了安全，避免了因泄露造成的环境污染。
以上仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，包括充装柜、冷却装置、液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线，所述充装柜上设有多接头充装面板，所述液相高纯乙硅烷充装管线、气相高纯乙硅烷充装管线、吹扫管线、抽真空管线以及放空管线分别与所述多接头充装面板连接，所述充装柜内设有若干个分别与所述多接头充装面板连接的气瓶接口，所述充装柜内设有加热装置以及若干个用于对气瓶一一称重的称重装置，所述冷却装置用于对所述充装柜内部降温。
2.根据权利要求1所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述充装柜具有两个，所述冷却装置包括冷水机组以及两个冷却盘管，两个所述冷却盘管分别布置在两个所述充装柜内，所述冷水机组的进水口通过三通接头与两个所述冷却盘管的进水口连接，所述冷水机组的出水口通过三通接头与两个所述冷却盘管的出水口连接。
3.根据权利要求2所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述吹扫管线包括第一氦气干路管、第二氦气干路管、第一氦气支路管和第二氦气支路管，所述第一氦气干路管的一端与其中一个所述多接头充装面板连接，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管并联布置在所述第一氦气干路管的另一端，所述第二氦气干路管的两端分别与第一氦气干路管以及另一个多接头充装面板连接，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管分别设有第一氦气瓶箱和第二氦气瓶箱，所述第一氦气支路管和第二氦气支路管分别设有控制阀。
4.根据权利要求3所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述第一氦气干路管、第二氦气干路管上分别设有第一单向阀。
5.根据权利要求2所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述放空管线包括第一放空管以及第二放空管，所述第一放空管的一端与其中一个所述多接头充装面板连接，所述第二放空管的两端分别与第一放空管以及另一个所述多接头充装面板连接，所述第一放空管以及第二放空管上分别设有放空阀。
6.根据权利要求5所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述抽真空管线包括回收罐、第一真空管、第二真空管以及第三真空管，所述第一真空管的两端分别与所述回收罐的进料口以及其中一个所述多接头充装面板连接，所述第二真空管的两端分别与所述第一真空管以及另一个所述多接头充装面板连接，所述第三真空管的一端与所述回收罐的出气口连接，所述第三真空管上设有第一真空泵以及第一截止阀，所述第三真空管与所述第二放空管端部连接。
7.根据权利要求6所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述第一真空管以及第二真空管上分别设有第二单向阀。
8.根据权利要求6所述的高纯乙硅烷充装系统，其特征在于，所述抽真空管线包括第四真空管，所述第四真空管的两端分别连接在所述第一截止阀出气端一侧和所述第一真空泵进气端一侧的第三连接管上，所述第四真空管上设有第二真空泵和第二截止阀。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321528059.9U CN220269127U (zh) | 2023-06-13 | 2023-06-13 | 一种高纯乙硅烷充装系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321528059.9U CN220269127U (zh) | 2023-06-13 | 2023-06-13 | 一种高纯乙硅烷充装系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220269127U true CN220269127U (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=89297715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321528059.9U Active CN220269127U (zh) | 2023-06-13 | 2023-06-13 | 一种高纯乙硅烷充装系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220269127U (zh) |
-
2023
- 2023-06-13 CN CN202321528059.9U patent/CN220269127U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN206754801U (zh) | 一种mo源钢瓶专用的残留物处理装置 | |
| CN103711720B (zh) | 全真空卧式lng潜液泵池 | |
| CN104532210A (zh) | 一种原子层沉积设备和应用 | |
| CN220269127U (zh) | 一种高纯乙硅烷充装系统 | |
| CN110042459A (zh) | 氮化镓晶体生产系统及其填充氨的方法 | |
| CN115094521A (zh) | 一种硼扩散反应系统及其工艺方法 | |
| US7588957B2 (en) | CVD process gas flow, pumping and/or boosting | |
| CN205099750U (zh) | 一种化学气相沉积工艺设备 | |
| CN102817011B (zh) | 氮化硅膜沉积设备和沉积方法 | |
| CN201172701Y (zh) | 砷化镓单晶开管热处理装置 | |
| CN102155611B (zh) | 储气钢瓶纯化方法和系统 | |
| CN203530429U (zh) | 一种半导体薄膜生长设备 | |
| CN102654243B (zh) | 超纯气体充装系统 | |
| CN201796851U (zh) | X射线管组件外接式真空注油装置 | |
| CN103388177B (zh) | 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 | |
| CN109458548B (zh) | 全氟异丁腈分装装置及其分装方法 | |
| CN203796601U (zh) | 全真空卧式lng潜液泵池 | |
| CN214147429U (zh) | 一种增加真空度的装置 | |
| CN208901089U (zh) | 一种天然气调压计量装置 | |
| CN220082809U (zh) | 一种液态电子特气充装返料装置 | |
| CN109578811B (zh) | 一种mo源灌装容器余料的回收处理装置及回收处理方法 | |
| CN110420943A (zh) | 一种去除超高纯正硅酸乙酯钢瓶中固体颗粒的装置及方法 | |
| CN219580451U (zh) | 一种用于制备混合气体的操作盘 | |
| CN103119199A (zh) | 等离子体增强化学气相沉积系统中的压差控制 | |
| CN204693950U (zh) | 用于稀有气体提纯的氮气供给装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |